Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов

Прогресс в современной электронике тесно связан с созданием полупроводниковых гетероструктур, среди которых одно из важнейших мест занимают структуры на основе полупроводников АШВУ и их твердых растворов [1, 2]. Объединение в одном монокристалле различных по химическому составу полупроводниковых материалов кардинально изменяет его свойства. Появляется возможность управлять фундаментальными свойствами кристалла, целенаправленно изменяя параметры слоев, входящих в гетероструктуру: состав твердого раствора, толщину и последовательность слоев, профиль легирования и др.

Основные теоретические и экспериментальные работы по физике гетероструктур, обеспечившие нашей стране одно из ведущих мест в этой области, выполнены в Ленинградском Физико-техническом Институте под руководством Ж. И. Алферова. За несколько десятилетий, прошедших со времени получения первых гетероструктур, область их применения охватила практически все сферы человеческой деятельности. Электронные устройства на основе гетероструктур используются в телекоммуникационных системах, в системах спутникового телевидения, в бытовой технике, в космических программах и т. д. Гетероструктурная концепция стала основным принципом создания новых полупроводниковых материалов для электроники [2].

Наиболее распространенный подход для получения совершенных гетероструктур предполагает подбор полупроводников с одинаковым типом и близкими параметрами кристаллических решеток. Такая структура представляет собой единый кристалл без напряжений и существенных скачков механических характеристик на гетерограницах. Классическим примером изопериодических структур является структура АЦва 1, хАб/ваАб, широко применяемая в современной электронике. Близость ковалентных радиусов А1 и ва делает пару АЬ^Б-СаАБ практически идеальной для образования совершенной гетероструктуры А1хСа,.хАз/СаА8. Рассогласование параметров решеток ваАв и АЦОа^Аэ не превышает.

0,15% при комнатной температуре, поэтому концентрация дефектов на гетерогранице пренебрежимо мала. С помощью структур АЦСа^АзАлаАз были блестяще продемонстрированы предсказанные теорией преимущества гетероперехода перед гомопереходом, кардинально улучшены параметры ряда полупроводниковых приборов и созданы новые, которые не могли быть созданы на гомопереходе: мощные инжекционные гетеро лазеры и светодиоды в ближней инфракрасной и красной областях, различного вида фотоприемники, модуляторы и др. [3−6].

Однако спектральный диапазон излучающих приборов на основе гетероструктур А1хОа1. хА8/ОаА8 ограничен пределами 0,6 — 0,9 мкм. Более широкие возможности управления физическими и технологическими параметрами оптоэлектронных структур дает использование четверных твердых растворов [7−9], обладающих двумя химическими степенями свободы, в отличие от тройных соединений, у которых только одна. В основе конструирования таких гетероструктур лежит принцип изопериодического замещения, т. е. замещение атомов с сохранением периодов решетки. Теоретическое обоснование этого принципа и его практическая реализация в целом ряде структур и приборов составляет основу тех работ, за которые присуждена Государственная премия 1985 г. группе ученых: Алферову Ж. И., Елисееву П. Г., Мильвидскому М. Г. и другим.

IrixGai.xAsi.yPy был первым четверным твердым раствором, при создании которого был успешно использован принцип изопериодического замещения. Существует широкий диапазон составов, при которых параметры решеток твердого раствора 1пСаАзР совпадают с параметрами решеток либо ваАз, либо 1пР. На основе гетероструктур 1пОаАзР/ОаАз, изопериодических с ОаАв, впервые в мире наши ученые сделали гетеролазеры в 1974 г. [10].

InxGai.xAsi.yPy, изорешеточный с 1пР, занимает особое место в ряду четверных твердых растворов, поскольку структуры InxGai.xAsi.yPy/InP являются удобным материалом для создания элементной базы для волоконных систем. Ширина запрещенной зоны четверного соединения пваАзР, изопериодического с подложкой 1пР, может меняться в пределах Её = (0,75 -1,4) эВ, т. е. этот материал перекрывает диапазон длин волн, где кварцевое волокно имеет оптимальные характеристики.

Освоение технологии выращивания гетероструктур 1пОаАзР/1пР началось с составов на более короткие длины волн. В работах [11, 12] сообщается об эффективных светодиодах и гетеролазерах на длины волн 1,2−1,3 мкм. Были установлены некоторые несомненные преимущества гетеросистемы InxGai.xAsi.yPy/InP перед системой АЮаАзАЗаАз. Во-первых, в лазерах на основе InxGai.xAsi.yPy/InP отсутствует так называемая «катастрофическая» деградация, долгое время тормозившая применение лазеров из АЮаАзАЗаАз. Во-вторых, материал InxGai.xAsi.yPy обладает более высокой теплопроводностью, что очень упрощает проблему теплоотвода при конструировании приборов.

К началу 80-х годов стояла задача по созданию совершенных гетероструктур InxGai.xAsi.yPy/InP, излучающих на длине волны 1,55 мкм, где волокно имеет минимум поглощения и дисперсии. По мере продвижения в более длинноволновый диапазон возникали новые технологические проблемы. В частности, оказалось, что при большой разнице в ширинах зон слоев InxGai.xAsi.yPy и 1пР сложнее выполнить условие согласования параметров решеток. На решение этих проблем были нацелены проводимые в нашем Институте исследования, результаты которых частично приведены в данной диссертационной работе.

Преимуществом изопериодических структур является возможность выращивания совершенных слоев произвольной толщины, однако выполнение условий согласования ограничивает выбор материалов, составляющих гетероструктуру. Проблемы согласования снимаются в так называемых «псевдоморфных» структурах, которые включают слои, не согласованные по периоду решетки с прилегающими слоями и с подложкой. Такие структуры с напряженными решетками могут обладать высоким структурным совершенством, если толщина слоя не превышает критического" значения, при котором начинается генерация дислокаций несоответствия. При малых толщинах слоев напряжения несоответствия остаются чисто упругими и не приводят к пластической деформации решетки. Это позволяет создавать структуры, составленные из слоев с увеличенной разницей ширин запрещенной зоны, таких, как 1пуОа1. yAsM.lxGai.xAs и др.

Достижения в области молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии сделали реальным создание многослойных гетерокомпозиций, содержащих сверхтонкие квантово-размерные слои с качественными гетерограницами. Переход от трехмерного электронного газа к двумерному меняет многие электронные свойства структуры (волновые функции, спектр энергетических состояний, характер переноса носителей, процессы коллективного взаимодействия и др.) и дает дополнительные возможности управлять фундаментальными свойствами структуры. В частности, появилась возможность уйти от принципа изопериодичности и создавать псевдоморфные гетерокомпозиции, включающие квантово-размерные слои полупроводников с разными параметрами решеток.

Псевдоморфные структуры успешно конкурируют с традиционными изопериодическими структурами в создании многих СВЧ-приборов: быстродействующих транзисторов, модуляторов, резонансных туннельных диодов, лазерных диодов и т. д. [13−16]. Псевдоморфные транзисторные структуры (РНЕМТ) АЦОаьхАзЛпуОаьуАз/ОаАз демонстрируют лучшие электрофизические параметры по сравнению с НЕМТ-структурами АЦСа^хАз/СаАз/А^Оа^хАБ. Увеличение подвижности и концентрации двумерных электронов в этих структурах достигается за счет большей высоты барьера, определяемой разрывом зон проводимости, и за счет того, что эффективная масса электронов в 1пОаАз меньше, чем в ОаАз.

Класс полупроводниковых гетероструктур и область их применения продолжают стремительно расширяться. Для реализации новых технических идей создаются сложные модификации наногетероструктур с использованием современных технологических принципов конструирования, таких, как модуляционное и 5-легирование, псевдоморфизм, метаморфизм и др. В связи с этим возникают новые задачи по изучению физических свойств этих структур во взаимосвязи с технологическими условиями их получения.

В области исследования физических свойств полупроводниковых гетероструктур большое место занимают исследования люминесценцииизлучения, вызванного рекомбинацией носителей тока под действием оптического или электрического возбуждения. Люминесценция как физическое явление лежит в основе работы многих оптических приборов. Поэтому исследования люминесцентных свойств различных гетероструктур представляют не только фундаментальный, но и практический интерес.

Одним из наиболее информативных методов исследования является фотолюминесцентная спектроскопия. Анализ спектров фотолюминесценции (ФЛ) с привлечением современных теоретических моделей позволяет получить сведения о многих фундаментальных свойствах материала: о зонной структуре, об энергии двумерных состояний в квантовой яме и их заполнении, о процессах коллективного взаимодействия носителей, процессах дефектообразования и т. д. Применение фотолюминесцентной диагностики на стадии отработки режимов выращивания квантово-размерных структур позволяет контролировать ширину квантовых ям, атомный состав и однородность твердого раствора, степень легирования слоев, наличие дефектов, резкость границ раздела и другие технологические параметры структуры, влияющие на выходные характеристики приборов. При исследовании модулированно-легированных транзисторных структур фотолюминесценция может рассматриваться как неразрушающий метод оценки концентрации двумерных электронов в квантовой яме, который в некоторых случаях дает более достоверные значения, чем холловские измерения.

Объектом исследования в данной диссертационной работе были эпитаксиапьные структуры на основе различных гетерокомпозиций полупроводников АШВУ, которые можно разделить на 2 группы:

1). Наногетероструктуры на основе изопериодической (А1хСа1.хАз/СаАз) и псевдоморфной ОпуОа^уАзЛлаАз) систем с квантовыми ямами разной конфигурации: нелегированные структуры с одиночными и двойными туннельно-связанными ямами и модулированно-легированные структуры (МЛС) с односторонним и двусторонним легированием. Структуры выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в Технологическом отделе микроэлектроники ИРЭ РАН, позднее вошедшем в состав Института СВЧ полупроводниковой электроники РАН.

2). Изопериодические двойные гетероструктуры (ДГС) IrixGai.xAsi.yPy/InP с составом четверного твердого раствора на длины волн X = 1,2−1,55 мкм, выращенные методом жидкостной эпитаксии в Технологическом отделе ФИРЭ РАН.

Несмотря на большое количество публикаций в области люминесцентных исследований гетероструктур АШВУ, до появления работ, вошедших в диссертацию, многие вопросы были изучены недостаточно. Были противоречивы приведенные в разных источниках зависимости ширины запрещенной зоны тройного твердого раствора? ПуСа^уАв от состава. Были ограничены и противоречивы сведения о влиянии условий выращивания и амфотерного поведения примеси кремния на люминесцентные свойства и природу нестехиометрических дефектов в Бьлегированном эпитаксиальном СаАБ. В начальной стадии находились работы по созданию источников спонтанного излучения для ВОЛС на длину волны А,=1,55мкм на основе гетероструктур InxGai.xAsi.yPy/InPне были достаточно изучены свойства этих структур и физические процессы, влияющие на внутреннюю и внешнюю эффективность светодиодов. Отсутствовали данные о влиянии несоответствия параметров решеток слоев на эффективность электрои фотолюминесцении гетероструктур ТпваАзРЯпР с составом на длину волны.

1,55 мкм. Не было единой точки зрения относительно того, при каких температурах должны быть согласованы решетки слоев: при температуре эпитаксии, когда возможно образование структурных дефектов, или при комнатной температуре, при которой работают приборы. Не было экспериментальных работ по исследованию механизмов излучательной рекомбинации в сильно легированном 1пОаАзР, хотя во многих случаях использовались эпитаксиальные слои ¡-пОаАэР с высокой концентрацией доноров и акцепторов. Было мало изучено влияние интенсивного оптического возбуждения на свойства двумерных экситонов в квантовых структурах АЮаАз/ОаАэ, особенно в диапазоне умеренных плотностей возбуждения, когда еще не происходит распад экситонов вследствие кулоновского экранирования. Этот вопрос представляет интерес для понимания процессов коллективного взаимодействия экситонов, а в практическом плане — для использования экситонных эффектов в приборах интегральной оптики. Отсутствовали также экспериментальные доказательства предсказанного теорией резонансного захвата фотовозбужденных дырок в квантовые ямы легированных структурэтот вопрос важен для оптимизации параметров структур при конструировании приборов, характеристики которых зависят от эффективности собирания неравновесных носителей тока: лазеров, фотодетекторов и др. Были разные мнения относительно возможности использования фотолюминесценции для оценки концентрации двумерных электронов в НЕМТ-структурах.

Актуальность работы. Перечисленные проблемы обусловили круг задач, поставленных в диссертации. Из изложенного выше очевидно, что эти задачи относятся к основным направлениям современного полупроводникового материаловедения и являются актуальными как с позиций фундаментальной физики, так и в плане практического применения гетероструктур.

Целью работы является изучение электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе различных композиций полупроводников АШВУ и исследование физических эффектов, влияющих на люминесцентные свойства этих структур: коллективного взаимодействия двумерных носителей тока, резонансного захвата неравновесных носителей в квантовую яму, разупорядочения границ раздела, примесных и композиционных неоднородностей.

Новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

— проведены систематические исследования спектров ФЛ легированного кремнием (N51= 1,2−1018см" 3) эпитаксиального СаАъ с различной ориентацией ростовой поверхности (100), (111)А и (111)В в зависимости от соотношения парциальных давлений мышьяка и галлия Рдз/Роа в процессе роста в диапазоне, включающем области недостатка и избытка мышьяка. Трансформация краевой и примесных полос ФЛ объяснены амфотерным поведением кремния, которое зависит не только от соотношения Рд/Роа^ но и от ориентации поверхности;

— на спектрах Бьлегированных слоев СаАз (111)А, выращенных при избыточном давлении мышьяка, обнаружена интенсивная полоса с энергией в максимуме 1,452 эВ и предложено ее объяснение;

— получены соотношения, позволяющие вычислить ширину запрещенной зоны тройного твердого раствора 1пуОа1. уАз с произвольным содержанием индия в диапазоне температур Т = 0−300 К.

— в квантовых структурах ваАз/АЮаАв при умеренно интенсивном оптическом возбуждении наблюдалась люминесценция, вызванная столкновениями двумерных экситоновв мо дулированно-легированных структурах п-АЮаАзЛЗаАэ экспериментально подтвержден осциллирующий характер зависимости эффективности захвата фотовозбужденных дырок в квантовую яму от ширины ямы;

— экспериментально исследована краевая ФЛ в сильно легированном эпитаксиальном InxGai.xAsi.yPy пи р-типа с составом на длину волны X > 1 мкм и показано, что флуктуации потенциала, вызванные случайным распределением примесей, существенно влияют на формирование спектров краевой полосы ФЛ и их зависимости от температуры и плотности оптического возбуждения;

— исследовано влияние несоответствия параметров решеток на люминесцентные свойства гетероструктур InxGaixAsiyPy/InP с составом активного слоя на длину волны Х = 1,55 мкм и доказана необходимость согласования слоев при температуре эпитаксии, а не при комнатной температуре, при которой работает прибор;

— разработана методика измерения коэффициента отражения от контактов излучения, распространяющегося внутри структуры InGaAsP/InP, доказано влияние внутреннего отражения и эффектов «многопроходности» в подложке InP на характеристики торцевых InGaAsP/InP светодиодов;

— предложены способы повышения эффективности вывода излучения в торцевых InGaAsP/InP-светодиодах;

— развита методика оценки слоевой концентрации электронов в модулированно-легированных структурах с использованием температурных измерений спектров фотолюминесценции.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Природа нестехиометрических дефектов, ответственных за появление примесных полос на спектрах фотолюминесценции Si-легированного эпитаксиального GaAs, зависит от амфотерного поведения кремния. При одинаковом отклонении давлений мышьяка и галлия в процессе роста от стехиометрического равновесия процесс дефектообразования различен в слоях с ориентациями (111)А и (111)В. При недостатке мышьяка в GaAs (111)А, в основном, образуются вакансии VAs и пары VAs-SIas, а в GaAs (111)В — пары Vca-GaAsПри избытке мышьяка в n-GaAs (lll)A доминируют дефекты AsGa, которые при низких температурах образуют пары AsGa-SIAs.

2. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от ширины квантовых ям в модулированно-легированных структурах n-AlGaAs/GaAs имеет немонотонный вид и содержит максимумы при ширинах, отвечающих условию резонансного захвата фотовозбужденных дырок. В резонансной яме концентрация фотовозбужденных дырок возрастает почти на 2 порядка и заметно повышается квазиуровень Ферми для дырок.

3. На экситонных спектрах фотолюминесценции из квантовых ям ОаАБ/АЮаАБ обнаружена полоса, обусловленная экситон-экситонными столкновениями. Относительная интенсивность полосы суперлинейно растет с ростом оптического возбуждения (в диапазоне умеренных плотностей до распада экситонов) и уменьшается с ростом ширины квантовой ямы и температуры.

4. Краевая фотолюминесценция сильно легированного эпитаксиального твердого раствора IrixGai.xAsi.yPy при низких температурах Т<�у (у — амплитуда флуктуаций потенциала, вызванных случайным распределением примеси) обусловлена рекомбинацией носителей, локализованных во флуктуациях краев зон. Это приводит к уменьшению энергии максимума и уширению спектров по сравнению с аналогичными параметрами нелегированного.

InxGai.xAsi.yPy.

5. Экспериментально доказано влияние внутреннего отражения от контактов и эффектов «многопроходности» в подложке на характеристики торцевых ТгЮаАзРЛпР-свето диодов и их зависимости от внутренней эффективности структуры и длины излучающего кристалла.

6. Яркость торцевых 1пОаАзР/1пР-светодиодов может быть повышена изменением геометрии излучающего кристалла: увеличением длины по сравнению со стандартными размерами Ь/пЭ ~1 (Ь — длина, О — толщина структуры, п — показатель преломления), либо скашиванием поверхности подложки 1пР. В обоих случаях положительный эффект достигается за счет вклада излучения, отраженного от контактов.

7. Получены соотношения, позволяющие рассчитать ширину запрещенной зоны тройного твердого раствора ГпуСа^уАз с произвольным содержанием индия в диапазоне температур (0−300) К.

8. Энергетическая дистанция между уровнем Ферми и первым электронным уровнем, которая лежит в основе фотолюминесцентного метода оценки слоевой концентрации электронов в НЕМТ-структурах, определяется по температурной зависимости отношения интенсивностей полос, обусловленных переходами с 1-го и 2-го электронных уровней.

Научная и практическая значимость. Объектом исследования в данной работе являются полупроводниковые гетероструктуры, используемые во многих приборах микрои оптоэлектроники. Полученные результаты расширяют и углубляют представления о физике процессов, понимание которых необходимо для разработки новых и улучшения существующих приборов на основе этих структур.

1. Обнаружение осциллирующей зависимости эффективности захвата фотовозбужденных дырок от ширины квантовой ямы в легированных структурах п-АЮаАз/ОаАз играет важную роль для оптимизации параметров структур при создании приборов, характеристики которых зависят от накопления носителей тока в квантовой яме: лазеров, фото детекторов и др.

2. Наблюдение и исследование люминесценции, вызванной экситонными столкновениями, представляют интерес для понимания процессов коллективного взаимодействия экситонов большой плотности и их использования в приборах интегральной оптики.

3. Полученные в работе сведения о влиянии условий эпитаксии (соотношения исходных компонент и ориентации подложки) и амфотерных свойств кремния на структуру нестехиометрических дефектов в 8ь легированном эпитаксиальном ваАэ важны для оптимизации технологических режимов выращивания гетероструктур, содержащих 81-легированные слои ваАБ.

4. Результаты исследования двойных туннельно-связанных квантовых ям АЮаАз/ОаАз/АЮаАБ с разделяющим А1 Аз-слоем могут быть полезны для разработки длинноволновых лазеров и СВЧтранзисторов с высокой подвижностью электронов.

5. Предложенный способ оценки слоевой концентрации электронов в НЕМТ-структурах с помощью температурных измерений спектров ФЛ в отличие от холловского метода является неразрушающим, дает достоверные значения концентрации даже в случае параллельной проводимости по 5-слою и может быть использован для мониторинга параметров структур при их массовом производстве.

6. В результате комплексных исследований гетероструктур 1пОаАзР/1пР (Х-=1,55мкм) даны рекомендации по выбору оптимальных технологических условий для достижения высокой внутренней квантовой эффективности электролюминесценции и предложены способы повышения яркости торцевых светодиодов для ВОЛС.

Достоверность результатов основана на использовании стандартных методик, тщательной калибровке измерительной аппаратуры, хорошей воспроизводимости результатов при измерении большого количества образцов, согласии экспериментальных результатов с расчетами. При анализе результатов использованы теоретические модели, позволяющие непротиворечиво объяснить совокупность результатов, полученных при вариации параметров структур и условий эксперимента (температуры и плотности возбуждения).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из Введения, 8 глав, Заключения и Списка цитированной литературы. Полный объем диссертации составляет 383 страницы, включая 96 рисунков, 9 таблиц, список трудов автора и список цитируемой литературы из 276 наименований.

8.4. Выводы к главе 8.

В данной главе приведены результаты фотолюминесцентной спектроскопии нелегированных и модулированно-легированных псевдоморфных гетероструктур 1пуСа1.уА8/ОаАз с квантовыми ямами.

Проведен расчет полуширины экситонной линии в нелегированных структурах 1пуОа! уА8/СаА8 для механизмов уширения, связанных с флуктуациями состава твердого раствора и ширины квантовой ямы. Анализ спектров экситонной ФЛ позволил сделать вывод о высоком качестве границ раздела в выращенных структурах. Показано, что доминирующим механизмом уширения линии ФЛ в этих структурах являются флуктуации состава тройного твердого раствора 1пуСа1уАз с характерным размером (0,8−1) нм.

С помощью температурных измерений экситонной фотолюминесценции структуры 1п0 ] зОа0 87Аб/ваАв получена температурная зависимость ширины запрещенной зоны ненапряженного твердого раствора Ino.13Gao.87As и показана возможность аппроксимации этой зависимости функцией Варшни. Получены соотношения, позволяющие вычислить ширину запрещенной зоны 1пуОа1. уАз с произвольным содержанием индия в диапазоне температур Т = 0−300 К. Результаты вошли в справочник по полупроводниковым материалам [34].

Определены концентрации двумерных электронов п в модулированнолегированных РНЕМТ-структурах двумя фотолюминесцентными методами: по полуширине полосы 1е-1ЬИ и по энергетической дистанции АЕ на экспериментальных спектрах ФЛ. Рассмотрены условия применимости этих методов, предложен способ определения энергии АЕ* по температурной зависимости отношения полос 2е-1ИЬ и 1е-1Ы1. Полученные значения п хорошо согласуются с результатами холловских измерений при не слишком высоких концентрациях (п < 2,5−1012), пока отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. При более сильном легировании ФЛ — метод дает более точные значения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Целью диссертационной работы было изучение электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников ваАв, АЮаАэ, 1пОаАБ с квантовыми ямами различной конфигурации и исследование процессов, влияющих на излучательные характеристики гетероструктур ТпваАзР/ГпР. Для решения поставленных задач была создана установка для измерения спектров ФЛ в диапазоне длин волн (0,4-И, 65) мкм, температур (5^-300) К и плотностей.

5 л оптического возбуждения (10^-2,5−10) Вт/см и разработаны методики измерения основных светодиодных характеристик: внутренней и внешней квантовой эффективности электролюминесценции, углового распределения излучения, вольт-амперных и ампер-ваттных характеристик.

В ходе выполнения работы получены следующие основные результаты.

1. Проведены систематические исследования спектров ФЛ легированного кремнием (Т%=1,2−1018см" 3) эпитаксиального ваАэ с различной ориентацией ростовой поверхности (100), (111)А и (111)В в зависимости от соотношения парциальных давлений мышьяка и галлия Рдз/Роа в процессе роста в диапазоне, включающем области недостатка и избытка мышьяка. Показано, что изменения краевой полосы ФЛ и структуры примесных полос обусловлены амфотерным поведением кремния, которое зависит не только от соотношения РА5/Роа, но и от ориентации поверхности.

2. Проведен анализ краевой полосы на спектрах ФЛ 81-легированных образцов ваАэ п-типа в рамках строгой теории люминесценции СЛП для ВТ-механизма рекомбинации (рекомбинации свободных электронов с дырками, локализованными во флуктуационных состояниях «хвоста» валентной зоны). Количественное согласие с теорией получено при условии, что для всех исследованных образцов независимо от ориентации и давления мышьяка и галлия в процессе роста амплитуда флуктуаций примерно вдвое меньше значений, рассчитанных для случайного распределения примеси. Получены зависимости концентрации электронов и степени компенсации в Бь легированном ваАз от соотношения давлений РА5/Роа.

3. Получены новые сведения о природе нестехиометрических структурных дефектов в Бьлегированном эпитаксиальном СаАэ. Показано, что при равных условиях выращивания процесс дефектообразования различен в слоях с ориентациями (111)А и (111)В. Это различие объяснено амфотерным поведением кремния. При одинаковом избыточном давлении галлия в слоях ваАв (111)А, имеющих проводимость р-типа, в основном, образуются вакансии УА5 и пары УА5−81Л—, а в слоях ОаАэ (111)В, имеющих проводимость п-типа, — антисайты СаЛя и пары Уоа-СаА8. На спектрах слоев п-ваАБ (111)А, выращенных при большом избыточном давлении мышьяка, наблюдалась интенсивная полоса с энергией в максимуме 1,452 эВ, о которой ранее в литературе не сообщалось. Наиболее вероятным структурным дефектом, ответственным за появление этой полосы является пара А8Са-81А5.

4. Методом ФЛ-спектроскопии исследованы состояния двумерных носителей тока в модулированно-легированных гетероструктурах на основе изопериодической системы АЮаАэ/ОаАз/АЮаАз и псевдоморфной системы АЮаАзЛпОаАзАлаАз с односторонним и двусторонним легированием. Модель расчета двумерных электронных состояний методом возмущений, предложенная в [24] применительно к двусторонне легированным структурам с симметричным профилем квантовых ям, развита на случай несимметричного легирования. Проведен расчет квантовых уровней и энергий оптических переходов в зависимости от ширины квантовой ямы, толщины спейсерного слоя и других параметров структурыидентифицированы оптические переходы на спектрах ФЛ и получены сведения об энергетических состояниях двумерных носителей тока и их заполнении.

5. Впервые в модулированно-легированных НЕМТ-структурах п-АЮаАз/ваАз наблюдалось резкое увеличение интенсивности ФЛ при ширине квантовой ямы, соответствующей резонансу вероятности захвата фотовозбужденных дырок. Эти результаты подтверждают предсказанный теорией осциллирующий характер зависимости эффективности захвата неравновесных носителей от ширины квантовой ямы. С помощью температурных измерений ФЛ получены значения энергии квазиуровня Ферми для дырок в квантовых ямах разной ширины: вблизи резонанса и вне его. Показано, что в условиях резонанса концентрация фотовозбужденных дырок в яме возрастает почти на 2 порядка и заметно повышается квазиуровень Ферми для дырок. Полученные результаты важны для понимания механизма захвата неравновесных носителей в легированных квантовых структурах, а в практическом плане — для оптимизации параметров структур при конструировании приборов, в которых накопление носителей в квантовой яме играет решающую роль.

6. Предложен способ определения энергетической дистанции между уровнем Ферми и первым электронным уровнем АЕ =(р,-Е1е) на экспериментальных спектрах фотолюминесценции модулированно-легированных структур, основанный на температурных измерениях отношения интегральных интенсивностей полос 2е-1ЬЬ и 1е-1 ИИ. Определение энергии АЕ* лежит в основе неразрушающего фотолюминесцентного метода оценки слоевой концентрации электронов в проводящем канале НЕМТ-структур.

7. Определены концентрации двумерных электронов в модулированно-легированных псевдоморфных транзисторных РНЕМТ-структурах.

АЮаАз/ТпОаАэ/ваАэ двумя фотолюминесцентными методами: по $ полуширине полосы 1е-1ЬЬ и по энергетической дистанции АЕ = |1-Е1С на экспериментальных спектрах фотолюминесценции. Рассмотрены условия применимости этих методов. Полученные значения хорошо согласуются с результатами холловских измерений при не слишком высоких.

12 концентрациях (п < 2,5−10), пока отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. При более сильном легировании ФЛ — метод дает более точные значения.

8. С помощью температурных измерений экситонной фотолюминесценции структур ^опвао^Аз/СаАз с квантовыми ямами разной ширины получены соотношения, позволяющие вычислить ширину запрещенной зоны 1пуОа1. уАз с произвольным содержанием индия в диапазоне температур Т = 0−300 К. Результаты вошли в справочник по полупроводниковым материалам [34].

9. Проведены фотолюминесцентные исследования качества границ раздела в псевдоморфных структурах 1пуОа1. уАз/ОаА8. Экспериментальные данные сопоставлены с расчетом полуширины экситонной линии для механизмов уширения, связанных с флуктуациями состава твердого раствора и островковыми флуктуациями ширины квантовой ямы. Показано, что доминирующим механизмом уширения экситонной линии ФЛ в этих структурах являются флуктуации состава тройного соединения 1пуОа1уАз с характерным размером кластеров (0,8−1) нм.

10. Проведены экспериментальные и теоретические исследования энергетического спектра двумерных электронов в ДКЯ А10д 1 Оао, 79Аб/ОаАз/А10,21 Сао-79Аб с тонким разделяющим А1 Аз-барьером в зависимости от толщины А1Аз-слоя и ширины квантовых ям. Получено хорошее согласие наблюдаемых на эксперименте энергий оптических переходов с расчетными значениями. Показано, что при ширине ям < 13 нм и толщине А1Аз-слоя < 1 нм электронная связь между волновыми функциями в ямах заметно влияет на энергии квантовых состояний, что приводит к смещению основной полосы на спектрах ФЛ в сторону более низких энергий, а на высокотемпературных спектрах — к появлению особенностей, обусловленных расщеплением уровней на симметричные и антисимметричные состояния. При толщинах А1АБ-барьера >2нм ДКЯ представляет собой систему из двух изолированных ям с асимметричными барьерами АЮаАз/ОаАзЛМАБ. Тем самым определены параметры ДКЯ для реализации предсказанного теорией уменьшения электрон-фононного рассеяния и улучшения транспортных характеристик таких структур.

11. Исследованы низкотемпературные спектры экситонной ФЛ из одиночных квантовых ям АЮаАз/СаАэ/АЮаАз в зависимости от интенсивности оптического возбуждения в диапазоне умеренных плотностей до образования электронно-дырочной плазмы. Впервые в таких структурах наблюдалась люминесценция, вызванная экситон-экситонными столкновениями. Эта люминесценция проявляется на экситонных спектрах в виде низкоэнергетической компоненты, относительная интенсивность которой суперлинейно растет с ростом возбуждения и уменьшается с ростом ширины ямы и температуры.

12. Показано, что несоответствие параметров решеток слоев в гетероструктурах InxGai.xAsi.yPy/InP на длину волны Х = 1,55 мкм даже в рамках «докритических» значений, не приводящих к пластической деформации решеток, существенно влияет на эффективность электролюминесценции. Наибольшей эффективностью и наименьшей полушириной спектра обладают гетероструктуры, изорешеточные при температуре эпитаксии. При комнатной температуре в таких гетероструктурах из-за различия в коэффициентах термического расширения слоев имеется отрицательное несоответствие Да= -(5 ^ 7)-10″ 3 А, что соответствует усредненным напряжениям растяжения в активном слое ~ (0,5−1,0)104 НУсм2. Выявлена связь процессов дефектообразования в структурах InxGai.xAsi.yPy/InP с величиной НПР и условиями эпитаксии;

13. Впервые исследованы низкотемпературные спектры краевой ФЛ сильно легированных слоев InxGai.xAsi.yPy ри п-типа, изопериодических с подложкой 1пР. Проведен расчет температурных зависимостей положения максимума и полуширины спектров на основе строгой теории люминесценции СЛП, учитывающей флуктуации потенциала краев зон вследствие неоднородного распределения примеси, и получено хорошее согласие экспериментальных результатов с расчетом. Показано, что при низких температурах Т<�у (у — среднеквадратичная амплитуда флуктуаций), в формировании краевой полосы ФЛ основную роль играют квазимежзонные" переходы, связанные с рекомбинацией носителей, локализованных в состояниях флуктуационных «хвостов»: ТВ-переходы в невырожденном 1пОаАзР р-типа и ВТ-переходы в вырожденном 1пОаАзР п-типа. С этим связаны наблюдаемые на эксперименте особенности ФЛ сильно легированного IrixGai.xAsi.yPy: уменьшение энергии максимума и уширение спектров по сравнению с аналогичными параметрами нелегированного InxGai.xAsi.yPy и смещение спектров в сторону более высоких энергий с ростом плотности возбуждения. Наиболее ярко эти эффекты проявляются в материале р-типа, где преобладает рекомбинация локализованных электронов со свободными дырками (ТВ-механизм).

14. Проведены исследования возможности повышения оптической эффективности торцевых ГпСаАэРЛпР-светодиодов на длину волны X =1,55 мкм для ВОЛС. Показано, что в торцевых 1пОаАзР/1пР-светодиодах так же, как и в планарных, в выводе излучения из активного слоя принимают участие эффекты многопроходное&trade- (отражение от внутренней поверхности контактов, перепоглощение и переизлучение активным слоем), которые ранее считались несущественными из-за предполагаемого сильного поглощения под контактами. Доказательством этого являются суперлинейная зависимость внешнего квантового выхода от внутреннего и увеличение яркости с ростом длины излучающего кристалла.

Разработана методика измерения коэффициента внутреннего отражения от контактов. Измерения показали, что при стандартной технологии нанесения контактов коэффициент отражения достаточно высок И. = 0,6−0,7.

Показано, что яркость торцевых светодиодов может быть повышена путем изменения геометрии кристалла: увеличением длины в пределах 1<ЬЫ) <5 (Ь — длина, Б — толщина структуры, п — показатель преломления), либо скашиванием поверхности подложки 1пР. В обоих случаях положительный эффект достигается за счет увеличения вклада излучения, отраженного от контактов. На предложенные способы повышения яркости получены авторские свидетельства.

Список работ автора по теме диссертации.

AI. Гуляев Ю. В., Мильвидский М. Г., Яременко Н. Г, Долгинов Л. М., Кузнецов Г. Ф., Шевченко Е. Г., Страхов В. А., Чусов И. И., Иванов В. Ю. Исследование структурных и электрических свойств двойных гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1,3 мкмМ., 1981. 26 с. (Препринт АН СССР, ИРЭ АН СССР: № 5 (308)).

А2. Гуляев Ю. В., Мильвидский М. Г., Долгинов JI.M., Кузнецов Г. Ф., Страхов В. А., Чусов И. И., Шевченко Е. Г., Яременко Н. Г., Иванов В. Ю. Влияние рассогласования периодов решеток эпитаксиальных слоев в ДГС InGaAsP/InP на электрические и люминесцентные характеристики светодиодов на 1,3 мкм. // Тез. докл. Всесоюз. конф. BOJIC-3 (Москва, 1981).-М.: 1981. С. 25.

A3. Гуляев Ю. В., Мильвидский М. Г., Яременко Н. Г., Долгинов JI.M., Кузнецов Г. Ф., Шевченко Е. Г., Страхов В. А., Чусов И. И., Иванов В. Ю. Влияние рассогласования периодов решеток эпитаксиальных слоев ДГС InGaAsP/InP на электрические и люминесцентные характеристики светодиодов на 1,3 мкм / ИРЭ АН СССР.- М.- 1983. 12 е.- Деп. в ВИНИТИ, № 5010.

A4. Гуляев Ю. В., Дворянкин В. Ф., Страхов В. А., Телегин A.A., Фишер Л. Ф., Яременко Н. Г. Получение и исследование двойной гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающей на длине влоны 1,5 мкм // Тез. докл. Всесоюз. конф. ВОЛС-3 (Москва, 1981). -М.: 1981. С. 37.

А5. Гуляев ЮВ., Дворянкин В. Ф., Кяргинская Л. Г., Страхов В. А., Телегин A.A., Фишер Л. Ф., Чусов И. И., Яременко Н. Г. Получение методом жидкостной эпитаксии ДГС на основе InxGai. xAsyP!.y (X = 1,5 мкм) и исследование их люминесцентных и фотоэлектрических свойств // ЖТФ.- 1982. Т. 52, № 6. С. 1244−1246.

А6. Gulyaev Yu.V., Dvoryankin V.F., Michaleva L.F., Strachov V.A., Telegin A.A., Yaremenko N.G. Luminescence and photoelectric study of the DH InP.

InxGaixAsyPiy at the A,=l, 5 mkm // Proceedings of the 9th USSR-Japan Electronics Symposium on Properties of Compound Semiconductors and Their Applications to Devices. (Moscow, 9−10 decern., 1982).- M.- 1982. P. 27−31.

A7. Гуляев Ю. В., Дворянкин В. Ф., Кяргинская Л. Г., Телегин А. А., Фишер Л. Ф., Чусов И. И., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Люминесцентные и фотоэлектрические свойства ДГС InGaAsP/InP на длину волны 1,5 мкм // Тез. докл. III Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 7−9 июня 1982 г.).-Одесса, 1982. Т. 2. С. 43−44.

А8. Петров В. И., Прохоров В. А., Рычкова О. В., Страхов В. А., Юнович А. Е., Яременко Н. Г. Люминесценция эпитаксиальных двойных гетероструктур InP/InGaAsP в растровом электронном микроскопе // Тез. докл. Всесоюз. симпоз. РЭМ-84 (Звенигород, 1984 г.). 1984, С. 17.

А9. Петров В. И., Прохоров В. А., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Исследование инфракрасной катодолюминесценции полупроводниковых соединений AInBv и твердых растворов на их основе // Изв. АН.- сер. физическая.-1984. Т. 48, № 9. С. 1739−1743.

А10. Петров В. И., Прохоров В. А., Рычкова О. В., Страхов В. А., Юнович А. Е., Яременко Н. Г. Исследование эпитаксиальных двойных гетероструктур InGaAsP-InP методами катодолюминесценции в РЭМ и фотолюминесценции // Изв. АН, сер. физическая.- 1984. Т. 48, № 12. С. 2404−2407.

All. Страхов В. А., Яременко Н. Г., Телегин А. А., Оганджанян В. А., Карачевцева М. В., Михалева Л. Ф., Петров В. И., Прохоров В. А. Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпитаксиальных слоев на люминесцентные свойства гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих на длине волны X = 1,5 мкм // ФТП.- 1985. Т. 19, № 4. С. 601−608.

А12. Петров В. И., Дворянкин В. Ф., Карачевцева М. В., Страхов В. А., Телегин A.A., Шабалин A.B., Яременко Н. Г. Катодолюминесцентные исследования слоев в гетероструктурах InGaAsP/InP на длины волн 1,21, 5 мкм // Тез. докл. на Всесоюз. симпозиуме «РЭМ-86» (Звенигород, 1986). 1986.-С. 25.

А13. Петров В. И., Дворянкин В. Ф., Карачевцева М. В., Страхов В. А., Телегин A.A., Шабалин A.B., Яременко Н. Г. Катодолюминесцентные исследования гетероструктур InGaAsP/InP // Изв. АН, сер. физическая.-1987. Т. 51. № 3. С. 447−451.

А14. Карачевцева М. В., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах InGaAsP/InP // Тез. докл 1 Российской конф. по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10−14 сент. 1993 г.) 1993. Т. 1. С. 77.

Al 5. Карачевцева М. В., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP // ФТП.- 1994. Т. 28, № 6. С. 1027−1031.

А16. Al 1 736 310 SU Н 01 № 33/00. Светодиод торцевого типа / Воробьев АЛ., Карачевцева М. В., Страхов В. А., Яременко Н. Г. (ИРЭ АН СССР).-№ 4 763 289/25- Заявл. 30.11.89 // Изобретения (Заявки и патенты).- 1992.

Al7. Карачевцева М. В., Страхов В. А., Шкердин Г. Н., Яременко Н. Г. Диаграмма направленности и квантовая эффективность торцевых светодиодов на основе гетероперехода InGaAsP/ InP // Тезисы доклада на X Всесоюзной конференции Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах (Минск, 27−29 мая, 1986 г.). -Минск.:1986. Т. 1. С. 124−125.

Al8. Карачевцева М. В., Карапетян А. Р., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Эффективность вывода излучения планарных и торцевых диодов на основе гетероструктур InP/lnGaAsP // Тез. докл. на Республиканской конференции по актуальным проблемам физики (г. Дилижан, Армения, 1985).- 1985. С. 203.

AI9. Карачевцева M.B., Страхов В. А., Федотова JI.A., Яременко Н. Г. Влияние эффекта многопроходности на характеристики торцевых светодиодов из гетероструктур InGaAsP/InP.- М., 1987. — 25 с. (Препринт АН СССР, ИРЭ АН СССР: № 3 (462)).

А20. AI 1 455 373 SU 4 Н Ol L 33/00. Светодиод торцевого типа / Карачевцева М. В., Страхов В .А., Яременко Н. Г. (ИРЭ АН СССР, М.).- № 4 049 232/3125- Заявл. 04.04.86 // Изобретения (Заявки и патенты).- 1989. № 4.

А21. Гуляев Ю. В., Карачевцева М. В., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Торцевые светодиоды InGaAsP/InP на длину волны X = 1,5 мкм. // ЖТФ.- 1989. Т. 59, № 6. С. 76−81.

А22. Игнатьев A.C., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Немцев Г. З., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Механизмы уширения экситонной линии фотолюминесценции структур InxGaixAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами // Тез. докл. 1 Российской конф. по физике полупроводников (Нижн. Новгород, 10−14 сент. 1993 г.) 1993. Т. 1. С. 54.

А23. Игнатьев A.C., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Немцев Г. З., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Ширина экситонной линии низкотемпературной фотолюминесценции структур InxGai. xAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами // ФТП.- 1994. -Т. 28, №. 1. С. 125−132.

А24. Karachevtzeva M.V., Ignat’ev A.S., Mokerov V.G., Nemtzev G.Z., Strakhov V.A., Yaremenko N.G. Temperature investigation of photoluminescense in InxGaixAs/GaAs quantum well structures // International Symposium «Nanostructures: physics and technology» (St.Peterburg, Russia, 20−24 June, 1994).- St.Peterburg.- 1994.

A25. Карачевцева M.B., Игнатьев A.C., Мокеров В. Г., Немцев Г. З., Страхов.

B.А., Яременко Н. Г. Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa, xAs/GaAs с квантовыми ямами // ФТП.- 1994. Т. 28, № 7.

C. 1211−1218.

А26. Мокеров В. Г., Галиев Г. Б., Гук A.B., Слепнев Ю. В., Федоров Ю. В., Яременко Н. Г. Фотолюминесценция однородно и 5-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентациями (100), (111)А и (111)В // Тезисы доклада на III Всероссийской конф. по физике полупроводников (Москва, 1997г).

А27. Мокеров В. Г., Федоров Ю. В., Гук A.B., Яременко Н. Г., Страхов В. А. Фотолюминесценция двумерного электронного газа в метаморфных N-InAlAs/InGaAs/InAlAs-гетероструктурах на подложках GaAs (100) // Доклады АН.- 1998. Т. 362, № 2. С. 194−197.

А28. Мокеров В. Г., Федоров Ю. В., Гук A.B., Галиев Г. Б., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП.-1998. Т. 32, № 9. С. 1060−1063.

А29. Карачевцева М. В., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Краевая фотолюминесценция сильно легированного InxGaixAsiyPy (А, = 1,2мкм) // ФТП.- 1999. Т. 33, № 8. С. 907−912.

А30. Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А., Яременко Н. Г. Фотолюминесцентные исследования амфотерного поведения кремния в арсениде галлия // Докл. АН.- 1999. Т. 367, № 5. С. 613−616.

А31. Яременко Н. Г., Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А., Шкердин Г. Н. Фотолюминесценция двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с AlAs-барьером // Тез. докл. Международн. конф. Оптика, оптоэлектроника и технологии (Ульяновск, 17−21 июня 2002 г.).-2002.-С. 17.

А32. Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А., Шкердин Г. Н., Яременко Н. Г. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким разделяющим AI As-слоем // ФТП.- 2003. Т. 37, № 5. С. 599−603.

АЗЗ. Яременко Н. Г., Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А. Температурные исследования фотолюминесценции модулированно-легированных структур AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Радиотехника и электроника.- 2005. Т. 50, № 9. С. 1184−1188.

А34. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В., Страхов В. А. Фотолюминесцентная диагностика полупроводниковых транзисторных структур на основе арсенида галлия и его соединений // Успехи современной радиоэлектроники.- 2005. № 12. С. 63−69.

А35. Яременко Н. Г., Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А. Экситон-экситонное взаимодействие в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при интенсивном оптическом возбуждении // Доклады АН.- 2006. Т. 409, № 6. С. 759−763.

А36. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В.,. Страхов В. А. Фотолюминесцентная.

3 5 диагностика наноструктур на основе полупроводников, А В // Тез. докл. IV Международной конф. «Нанотехнология — производству» (Фрязино, 28−30 нояб. 2007 г.).- 2007. С. 88−89.

А37. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В.,. Страхов В. А. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием // Известия ВУЗов.- Электроника.- 2008. № 1. С. 10−19.

А38. Яременко Н. Г., Галиев Г. Б., Карачевцева М. В., Мокеров В. Г., Страхов В. А. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111)Аи (111)В // Доклады АН.- 2008. Т. 409, № 64. С. 483−487.

А39. Федоров Ю. В., Щербакова М. Ю., Гнатюк Д. Л., Яременко Н. Г., Страхов.

B.А. НЕМТ на структурах In0,52Alo, 48As/In0,53Gao, 47As/Ino, 52Alo, 48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники.- 2010. № 2−1. С. 191−197.

А40. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В., Страхов В. А. Резонансный захват неравновесных носителей тока в наногетероструктурах n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Тез. докл. на VIII Международной конф. «Нанотехнология — производству» (Фрязино, 4−6 апреля 2012 г.).- 2012.

C. 71−72.

А41. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В., Страхов В. А. Резонансный захват дырок в модулированно-легированных структурах N-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Доклады АН.- 2011. Т. 437, № З.-С. 321−326. А42. Яременко Н. Г., Карачевцева М. В., Страхов В. А. Фотолюминесцентная спектроскопия односторонне легированных структур и-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Изв. вузов. Электроника.- 2012. № 1 (93).- С. 3−13. А43. Яременко Н. Г., Галиев Г. Б.,. Васильевский И. С, Климов Е. А., Карачевцева М. В., Страхов В. А. Определение концентрации двумерных электронов в 5-легированных псевдоморфных транзисторных структурах InGaAs/GaAs методом фотолюминесцентной спектроскопии // Радиотехника и электроника. -2013. Т. 58, № 3. С. 1−8.

Апробация результатов: Материалы диссертации докладывались и обсуждались на Международных, Всероссийских и региональных конференциях и семинарах: Международной конференциии по полупроводниковым лазерам (г. Брайтон, Англия, 1980) — Всесоюзной конференции «ВОЛС-3» (г. Москва, 1981 г.) — The 9th USSR-Japan Electronics Symposium on Properties of Compound Semiconductors and Their Applications to Devices. (Moscow, 1982) — III Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г. Одесса, 1982) — Всесоюзном симпозиуме «РЭМ-84» (г. Звенигород, 1984 г.) — X Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г. Минск, 1985 г.) — Республиканской конференции молодых ученых по актуальным проблемам физики (г. Дилижан, Армения, 1985. г.) — IV Всесоюзной конференции «Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах» (г. Минск, 1986 г.) — Всесоюзном симпозиуме «РЭМ-86» (г. Звенигород, 1986 г.) — 1-ой Российской конференции по физике полупроводников (г. Нижний Новгород, 1993 г.) — Международном симпозиуме «Nanostructures: physics and technology» (Санкт-Петербург, 1994 г.) — Ill Всероссийской конференции по физике полупроводников (г. Москва, 1997 г.) — Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (г. Ульяновск, 2002 г.) — IV Международной конференции «Нанотехнология — производству» (г. Фрязино, 2007 г.) — III Международной научно-техническая конференции «Информационные технологии в науке, технике и образовании» (г. Пицунда, Абхазия, 2007 г.) — VIII Международной конференции «Нанотехнология — производству» (г. Фрязино, 2012 г.).

В заключение я хочу сердечно поблагодарить своих коллег по работе и друзей, чья доброжелательность и поддержка повлияли на мое решение написать этот труд и помогли его завершить. Я благодарна Юрию Васильевичу Гуляеву, который был руководителем моей кандидатской диссертации, соавтором ряда работ и на протяжении всей моей работы в институте оказывал поддержку в решении научных и жизненных проблем. Я благодарю сотрудников моей группы, своих постоянных соавторов В. А Страхова и М. В. Карачевцеву, внесших большой вклад в представленную работу и ставших мне близкими друзьями за много лет совместной деятельности. Хочу выразить большую благодарность Г. Н. Шкердину за консультации при проведении расчетов и дружескую поддержку, В. В. Проклову, который неоднократно брал на себя труд по рецензированию наших отчетов и статей и сделал немало полезных замечаний при обсуждении данной диссертационной работы.

Я благодарна сотрудникам технологического отдела ФИРЭ В. Ф. Дворянкину, A.A. Телегину и Л. Г. Кяргинской, вместе с которыми мы решали задачу по созданию светодиодов на длину волны 1,55 мкм.

С огромной благодарностью я вспоминаю ушедшего из жизни В. Г. Мокерова, многолетнее сотрудничество с которым всегда было плодотворным и интересным. Значительная часть результатов, вошедших в диссертацию, выполнена на структурах, выращенных в его отделе либо еще в составе ИРЭ, либо позже, в руководимом им Институте СВЧ полупроводниковой электроники. Особая благодарность Г. Б. Галиеву и Ю. В. Федорову, благодаря которым мы имели возможность работать с прекрасными структурами, отвечающими требованиям современной электроники.