Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Неравновесные электронно-дырочные процессы в кристаллических диэлектриках с ионным типом связи

Диссертация: Неравновесные электронно-дырочные процессы в кристаллических диэлектриках с ионным типом связи
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Создание лазеров стимулирует глубокий интерес к детальному изучению свойств кристаллов с примесью редкоземельных ионов. Для получения многочастотной генерации (на нескольких межмультиплетных переходах) наиболее удобными редкоземельными ионами являются ионы с большим числом излучательных переходов, такие как НоЪ*и Ег3+. Кроме того, системы активированные эрбием, находят применение в качестве… Читать ещё >

Содержание

  • I. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Создание элементарных возбуждений при воздействии на диэлектрик высокоэнергетического излучения. '
    • 1. 2. Механизмы собственной рентгенолюминесценции ионных кристаллов
    • 1. 3. Механизмы возбуждения примесного свечения
    • 1. 4. Проводимость ионных диэлектриков
      • 1. 4. 1. Неравновесная проводимость диэлектриков при высокоэнергетическом возбуждении
      • 1. 4. 2. Подвшшость свободных носителей в диэлектрических кристаллах. 2?
      • 1. 4. 3. Свойства релаксированных и нерелаксированных носителей в ЩГК
    • 1. 5. Радиационное десоектообразование в системах с автолокализутощимися и неавтолокализутощимися экситонами. 2>
    • 1. 6. Физические свойства исследованных соединений. Ъ
      • 1. 6. 1. Электронные свойства КВ#~ .3>
      • 1. 6. 2. Оптические свойства МgO
      • 1. 6. 3. Электропроводность Mcj
      • 1. 6. 4. Люминесценция и электропроводность чистых и активированных редкоземельными ионами монокристаллов CdFg
      • 1. 6. 5. Фотопроводимость и лтошшесценция PSM0O
    • 1. 7. Постановка задачи
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Способы регистрахщи неравновесной проводимости
    • 2. 2. Экспериментальная установка для исследования неравновесной проводимости и люминесценции широкозонных материалов при импульсном рентгеновском возбуждении. 5&
      • 2. 2. 1. Генератор рентгеновских импульсов прямоугольной формы
      • 2. 2. 2. Азотный криостат и вакуумная система
      • 2. 2. 3. Схема регистрации спектров и кинетики люминесценции
      • 2. 2. 4. Регистрация рентгенопроводимости
    • 2. 3. Методика определения параметров неравновесных носителей
      • 2. 3. 1. Расчет числа генерированных носителей
  • 3. ВЛИЯНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ШШЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ НА РЕНТГЕНО-. ПРОВОДИМОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 3. 1. Исследование РП монокристаллов Мд/ъ и ЩГК
      • 3. 1. 1. Создание и разрушение объемного заряда в M3 °F под действием рентгеновского излучения. $ |
      • 3. 1. 2. Неравновесная проводимость щелочно-галоидных кристаллов при рентгеновском возбуждении
    • 3. 2. Рентгенопроводимость Мд 0 при шлпульсном 98 воздействии
    • 3. 3. Обсуждение результатов
      • 3. 3. 1. Параметры неравновесных носителей в ЩГК
      • 3. 3. 2. Параметры неравновесных носителей в PlcjQ. II
      • 3. 3. 3. Рентгенопроводимость в кристаллах с различным! механизмами радиационного дефектообразования. | |
      • 3. 3. 4. Особенности накопления объемного заряда в Мд/^ и MgO при рентгеновском облучении
  • 4. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЖШЕОЦЕЩШ И НЕРАВНОВЕСНОЙ ПРОВОДИМОСТИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdFz И PSPI0O4.|
    • 4. 1. Исследование люминесценции и электропроводности чистых и активированных РЗЭ монокристаллов CdFz
      • 4. 1. 1. Рентгенолюминесценция Cc/F2 и Cdfz'.TR3>!
      • 4. 1. 2. Спектш поглощения CdFг<�ТЯг+
      • 4. 1. 3. Стационарная проводимость ColFz: ErM
      • 4. 1. 4. Проводимость фтористого кадмия при импульсном рентгеновском воздействии
    • 4. 2. Оптические свойства молибдата свинца
      • 4. 2. 1. Фото- и рентгенолюминесценция P8IA0D
      • 4. 2. 2. Температурная зависимость выхода РЛ Р8Мо0{. .. |
      • 4. 2. 3. Поляризация люминесценции Р8М0О4 при рентгеновском возбуздении
      • 4. 2. 4. Влияние термической обработки на оптические свойства
    • 4. 3. Неравновесная проводимость Р^МоО^ при рентгеновском импульсном возбуццении. l
      • 4. 3. 1. Кинетика неравновесной проводимости. |
      • 4. 3. 2. Анизотропия свойств неравновесной проводимости монокристаллов Р8М0О
    • 4. 4. Исследование спектров люминесценции монокристаллов CaWO* при рентгеновском возбуждении.|
    • 4. 5. Обсуждение результатов.|
      • 4. 5. 1. Активаторная люминесценция CcIF2 -ТЯъ при возбух-дении рентгеновскшли импульсами
      • 4. 5. 2. Взаимосвязь процессов электропереноса и люминесценции в монокристаллах CJbiW*
      • 4. 5. 3. Рентгенолюминесценция молибдата свища./
      • 4. 5. 4. Поляризация РЛ P8Nо Of и модель излучающего центра
      • 4. 5. 5. Взаимосвязь рентгенолюминесценции и неравновесной проводимости РШ0О
      • 4. 5. 6. Механизм неравновесной проводимости Р&М0О

Неравновесные электронно-дырочные процессы в кристаллических диэлектриках с ионным типом связи (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Основные проблемы радиационной физики ионных кристаллов определяются как общими задачами физики твердого тела, так и специфическими проблемами, вытекающими из особенностей диэлектриков и их роли в современной науке и технике [6J .

Для получения обстоятельной информации необходимо исследовать и сопоставить различные неравновесные физические процессы, протекающие в момент облучения и их релаксацию к равновесному состоянию. Процессы взаимодействия излучения с тверда! телом приводят к глубоким изменениям электрических и оптических 1 свойств исследуемых объектов. Наиболее доступными и интересными проявлениями этих изменений являются люминесценция и неравновесная проводимостьбольшой интерес представляет также изучение возможной взаимосвязи этих явлений. В этом аспекте наиболее удобными объектами исследования являются диэлектрики: во-первых, они прозрачны в широком оптическом диапазоне, что облегчает исследование объемной люминесценцииво-вторых, протекающие в них процессы с участием неравновесных носителей не маскируются высокой концентрацией свободных электронов. Изучение процессов создания и движения электронов проводимости (е") и дырок (е+) дает ключ для детального исследования многих оптических и электрических явлений в ионных кристаллах [69] .

Очевидные трудности в теоретической интерпретации механизмов взаимодействия излучения с твердым телом стимулируют настоятельную необходимость накопления экспериментальных данных для возможно более широкого класса веществ. При этом, наряду с простыми объектами, ставшими классическими, такими как щелочно-га-лоидные кристаллы (ЩЕК), целесообразно распространение исследований на друтие структуры, которые мозтут отличаться по механизму взаимодействия, например широкозонные окислы металлов и кис-лородосодержащие соединения и др. £б] .

Соединения с шеелитоподобной структурой и, в частности, молибдат свинца относятся к классу полярных кристаллов [il]. Характерной особенностью этих соединений является зависимость их оптических свойств от электрических, механических и акустических воздействий. Кристаллы молибдата свинца обладают акустической активностью, что определяет их использование в качестве акустооптических дефлекторов [II, 147|, устройств получения и обработки оптической информации [49, 185] - кроме того, они используются в качестве активного тела лазеров, в том числе с непосредственным возбуждением рабочей примеси электрическим разрядом [во]. Несмотря на широкое практическре использование, этот кристалл остается малоисследованным, нет единого мнения относительно модели излучающего центра, неизвестны параметры неравновесных носителей.

В данной работе установлено, что неравновесная проводимость Р&М0О4 осуществляется дырками, обладающими невысокой подвижностьювпервые проведены исследования спектра и кинетики люминесценции в области сильного температурного тушения, исследована поляризация люминесценции PSM0O4, возбуждаемой рентгеновскими лучами и установлен ранее неизвестный факт — температурная зависимость конфигурации излучающего состояния. Полученные данные позволили уточнить модель излучающего центра и внесли ясность в электронные процессы, происходящие в РSMoOf. при рентгеновском воздействии.

Создание лазеров стимулирует глубокий интерес к детальному изучению свойств кристаллов с примесью редкоземельных ионов. Для получения многочастотной генерации (на нескольких межмультиплетных переходах) наиболее удобными редкоземельными ионами являются ионы с большим числом излучательных переходов, такие как НоЪ*и Ег3+ [29, 99]. Кроме того, системы активированные эрбием, находят применение в качестве источника света для интегральных волоконнооптических систем [172], а также в квантовых счетчиках [lI9]. Монокристаллы Сс/Ег, активированные редкоземельными ионами, обнаруживают явление электролюминесценции [12, 95, 124, 168]. В настоящей работе проведено исследование электропроводности, спектрального состава и кинетики люминесценции монокристаллов Со1Рг: Ег + и СоIFz^m при возбуждении рентгеновскими импульсами. Установлено, что в CdF? осуществляются два типа электронной проводимости, один — описанный в литературе и обусловленный примесью трехвалентных редкоземельных ионов, другой — обусловленный возбуждением электронной системы самой матрицы. Обнаружены четыре излучательных перехода иона ЕгМ, ранее в матрице CdFг не наблюдавшихся. Этот факт позволяет предположить, что применение для возбуждения лазерных переходов высокоэнергетического излучения позволит повысить их эффективность.

Использование ионных кристаллов в качестве диэлектрических подложек при изготовлении полупроводниковых приборов, диэлектрических слоев конденсаторов [182], диктует необходимость исследования их радиационной устойчивости, поскольку в настоящее время, в связи с развитием радиационной технологии, все актуальнее становится вопрос о радиационном воздействии на аппаратуру и ее отдельные элементы. При этом важно знать, как изменится свойства диэлектрика в момент воздействия ионизирующей радиации, восстановятся ли его свойства по окончании радиационного воздействия. Не менее существенно также найти пути уменьшения влияния радиации, неблагоприятно сказывающейся на работоспособности аппаратуры. В этом аспекте особый интерес представляет исследование МдО, как материала, обладающего высокой стойкостью к радиационным повреждениям и находящего применение в изделиях электронной техники.

В работе установлено, что в монокристаллах МдО, в отличие от ЩГК, наблюдается увеличение тока неравновесной проводимости при возрастании дозы, поглощенной образцом. Этот факт объясняется особенностью МдО как системы, в которой не наблюдается автолокализации экситонов. Установлено, что примесь железа в.

MtjO подавляет неравновесную проводимостьвозрастания тока неравновесной проводимости при облучении образцов с примесью железа не происходит.

Монокристаллы щелочно-галоидных соединений давно уже стали модельными объектами физики твердого тела. Исследования, проведенные на ряде щелочно-галоидных соединений (, KCt, KBh и) позволили исследовать влияние примесных и радиационных дефектов на характеристики неравновесной проводимости. В [21,28] установлено, что при высокой плотности возбуяще-ния в ЩГК наблюдается своеобразный вид проводимости, названный авторами высокоэнергетической. Характерными особенностями высокоэнергетической проводимости являются малая инерционность и то тс возрастание проводимости в момент облучения в 10 раз. В данной работе при возбуждении рентгеновскими импульсами получено возрастание проводимости монокристаллов КВг в момент возрг, А о действия рентгена в 10+10 раз, с инерционностью 10 с. Таким образом показано, что наряду с сильноточными ускорителями электронов, использовавшимися в [28], рентгеновские трубки дают возможность получать ценную информацию сравнительно доступными методами.

При исследовании электропроводности диэлектриков неизбежно встает вопрос о возникновении в диэлектрике объемного зарядана основании результатов данной работы выделен ряд кристаллов, в которых образование объемного заряда при одновременном воздействии электрического поля и импульса рентгеновского излучения либо незначительно, либо образующийся объемный заряд разрушается уже при комнатной температуре. Установлено, что при воздействии рентгеновского излучения на монокристаллы, помещенные в электрическое поле, в них образуется объемный заряд, сохраняющийся при комнатной температуре продолжительное время. При «стирании» его рентгеновским излучением во внешней цепи возникает электрический сигнал. Совокупность этих двух фактов позволила предложить устройство для записи и воспроизведения рентгеновского изображения [10] .

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установлена взаимосвязь процессов излучательной рекомбинации и неравновесной проводимости в монокристаллах Co/Fz и Р8Мо0{, обусловленная тем, что свободные носители в этих кристаллах образуются в результате термического распада центров, ответственных за собственную люминесценцию. В качестве этих центров в Р&М0О4 могут выступать экситоны, электронная компонента которых локализована на молибдатной группе, а в случае Со/Рг автолокализованные экситоны. Для Моу0 связи неравновесной проводимости с полосами люминесценции, лежащими в области 200−7-800 нм, не обнаружено.

2. Тетрагональный кристалл PSM0O4 обнаруживает анизотропию свойств неравновесной проводимости, возбуждаемой рентгеновским излучением. Различие проводимости по основным кристаллографическим направлениям увеличивается с ростом температуры в интервале 300+500 К.

3. С помощью поляризационных измерений установлен факт изменения с повышением температуры конфигурации излучающего центра, ответственного за собственную люминесценцию PSM0D4. Переориентация на 90° происходит в интервале температур 85+180 К.

4. Различие механизмов радиационного дефектообразования в монокристаллах KBh и МдО проявляется в неравновесной проводимости. По мере накопления поглощенной дозы рентгеновского излучения неравновесная проводимость M (j0 возрастает, а в случае КЕ>г и других ЩШ — уменьшается.

I. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЖСТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

I.I Создание элементарных возбуждений при воздействии на диэлектрик высокоэнергетического излучения.

Рентгеновское излучение с максимальной энергией не превышающей 50 кэВ, взаимодействуя с диэлектриками создает в основном фотоэлектроны, максимальная энергия которых практически равна энергии возбуждающих рентгеновских квантов.

Процессы потери энергии этими электронами, связанные с каскадным созданием вторичных электронов и разменом их энергии, изучены еще недостаточно. Следуя [4] эти процессы можно представить себе следующим образом. Пока энергия быстрых электронов превосходит энергию ионизации внутренних оболочек атомов кристалла, основным каналом потерь энергии для них является столкновение с электронами внутренних оболочек, приводящее к ионизации. Этот процесс сопровождается лавинным размножением электронов и продолжается до тех пор, пока энергия электронов в лавине не упадет ниже потенциала ионизации внутренних оболочек атомов решетки. Длительность этого процесса 10″ ^ с [4]. В дальнейшем процесс потери энергии и размножения электронов происходит за счет столкновений с электронами валентной зоны, образовавшиеся при этом электроны и дырки в свою очередь возбуждают вторичные частицы и процесс лавинного размножения свободных электронов и дырок продолжается. Различие этих двух процессов состоит в том, что при ионизации внутренних оболочек структура кристалла не влияет на характер процесса, а при взаимодействии с валентными электронами характер процесса существенно зависит от строения кристалла. Это затрудняет интерпретацию экспериментальных данных и теоретический анализ протекающих явлений, т.к. состояние внешних электронов в атоме кристаллической структуры описывается более сложным образом, чем в изолированном атоме или молекуле flOl] .

При ионизации атомов решетки электрон теряет энергию порциями порядка 10 эВ на одно столкновение, при этом скорость релаксации энергии равна Ю^-кГО16 эВ/с [28]. Когда энергия электрона падает ниже порогового значения потенциала ионизации, единственным возможным каналом потерь энергии остается термоли-зация в результате взаимодействия с фононами, при которой потеря энергии электроном в одном столкновении составляет 0,001*0,01 эВ и скорость релаксации энергии уменьшается до IO^+IO^ эВ/с [28]. Общая длительность генерационного этапа оценивается [4] тп величиной 10 с.

Энергия излучения может пойти не только на генерацию электронно-дырочных пар, но и на создание бестоковых возбужденийэкситонов. Как показано в [73] экситоны играют существенную роль в процессах люминесценции и дефектообразования, но если рассматривать процесс электропереноса, то эффектом образования экситонов можно пренебречь, предполагая, что рентгеновское излучение создает лишь электронно-дырочные пары [4]. Эта точка зрения основана на том, что в конце концов экситоны рекомбини-руют с образованием либо кванта собственной (экситонной) люминесценции либо радиационных дефектов и тогда, энергия затраченная на образование экситонов может быть учтена соответственно в потерях энергии на люминесценцию или в потерях энергии на радиационное дефектообразование. Экситоны могут также распадаться (диссоциировать) с образованием электронно-дырочных пар [б?]. В таком случае, не задаваясь специально целью исследования процессов дефектообразования или люминесценции, можно не различать электроны и дырки, образованные непосредственно, в акте ионизации атома или в результате распада экситона. К тому же, число генерированных электронно-дырочных пар как правило в несколько раз превышает число созданных экситонов [67,44,66], поэтому при рассмотрении процессов переноса заряда можно, в первом приближении, пренебречь процессами образования экситонов.

При воздействии на диэлектрик ионизирующего излучения наблюдается также эмиссия фотоэлектронов, а ионизация внутренних оболочек атомов приводит к появлению вторичного рентгеновского излучения со спектром, характерным для данного элемента (рентгеновская флюоресценция) кроме того, в работе [104,105] методами термои фотостимулированной люминесценции исследованы рентгеновские экситоны в ЩПС. Энергия люминесценции этих экситонов лежит в области 20+60 эВ.

Схема процессов, протекающих в диэлектрике при воздействии рентгеновского излучения, представлена на рис. 1. Эта схема, не претендующая на полноту охвата всех процессов и явлений, позволяет заключить, что энергия рентгеновского излучения, поглощенная в диэлектрике, расходуется на дефектообразование, на возбуждение цецтров свечения (как собственных, так и примесных), на усиление колебаний кристаллической решетки. Часть энергии покидает диэлектрик в виде рассеянного рентгеновского излучения, рентгеновской флюоресценции, эмиссии фотоэлектронов, рекомбина-ционного излучения рентгеновских экситонов и люминесценции собственной или примесной. На каящой стадии процесса поглощения рентгеновского излучения диэлектриком возможны энергетические потери, переводящие часть поглощенной энергии в тепло.

Как видно из схемы, представленной на рис. 1, существует два канала снятия возбуждения центров свечения: излучательный и безызлучательный. Безызлучательное снятие возбуждения в свою.

Рис. I. Схема процессов, протекающих в диэлектрике при воздействии рентгеновского излучения. очередь может протекать двумя способами: либо посредством внут-рицентровых безызлучательных переходов (внутренняя конверсия), либо путем выброса носителя в соответствующую зону [47]. В последнем случае свободные носители могут дать вклад в процесс электропереноса и тогда будет наблюдаться взаимно обратное соотношение мелщу числом излученных квантов люминесценции и числом носителей, принимающих участие в процессе электропроводности.

Основные результаты работы:

1. Разработана методика экспериментального исследования неравновесной проводимости, возбуждаемой импульсом рентгеновского излучения. Предложен способ определения типа и параметров неравновесных носителей на основе исследования вольтамперных характеристик РП. Выполнен расчет числа электронно-дырочных пар генерированных рентгеновским импульсом в образце.

2. Установлено, что в монокристаллах Co/f^'^осуществляется два типа проводимости: стационарная, инициированная примесными ионами и неравновесная, возникающая в момент воздействия рентгеновского излучения. Определена энергия связи электрона с кулоновским центром, образованным примесным ионом tir, равная 0,46−0,05 эВ. Энергия активации неравновесной проводимости определена равной 0,0560, 002 эВ, что близко к величине энергии активации безызлучательных процессов в этом кристалле: 0,059± 0,002 эВ. Этот факт, а также совпадение областей температурного тушения РЛ и нарастания тока РП, позволяет предположить, что свободные электроны, участвующие в неравновесной проводимости, образуются за счет безызлучательного распада центров люминесценции. Установлено, что электроны термически активируются с одного локального уровня, находящегося в запрещенной зонепредполагается, что этот уровень обусловлен Vkцентрами, образованными в матрице CclFz рентгеновским излучением.

3. В спектре РЛ Co (Fz! зарегистрированы четыре линии излучения иона ранее в матрице CcfF^ не наблюдавшиеся и соответствующие переходам:. s^^lvz J Z?>s/z-> hyz (Л^Обнм);

4. Исследованы спектрально-кинетические и поляризационные свойства РЛ Pf> Mofy в полосе свечения 5104−515 нм в интервале температур 85*300 К. Установлен факт изменения степени поляризации люминесценции и преимущественного направления колебаний электрического вектора в области температур: 85*180 К, что может быть связано с изменением конфигурации излучающего центра. Впервые проведено исследование характеристик РЛ Р^НоО^ в области сильного температурного тушенияустановлено, что при Т=295К спектр РЛ имеет гауссову форму с максищумом в районе 5104−515 нм полушириной 0,6 эВ. Кривая затухания РЛ при Т=295 К обнаруживает две компоненты — «быструю», с rt< 5 не и «медленную», следующую гиперболическому закону спада с 115 не. Спектральный состав обеих компонент одинаков.

5. Установлено, что неравновесная проводимость PiftoOj осуществляется дырками, совершающими перескоки по ионам P.

6. Обнаружена и исследована анизотропия неравновесной проводимости P^MoQ/ по основным кристаллографическим направлениям. Установлено, что температурная зависимость тока РП в направлении оси ^ описывается экспонентой с Еа =0,1*0,12 эВ в температурном интервале 180*500 К, а в перпендикулярном направлении двумя экспонентами: ?qi=0,I±0,0I эВ (180*300 К), £чг=0,22±-0,02 эВ (300*500 К), что приводит к возрастанию различия величин тока РП по основным кристаллографическим направлениям с повышением температуры.

7. Неравновесная проводимость, возбуждаемая рентгеновским излучением, определяется концентрацией центров захвата и цент ров рекомбинации (как радиационного, так и примесного происхождения, а также собственной разупорядоченностыо решетки), при этом РП систем с автолокализующим! ся экситонами при возрастании поглощенной дозы уменьшается (происходит образование радиационных дефектов), а РП MtjO с возрастанием поглощенной дозы увеличивается (происходит заполнение имевшихся ловушечных центров).

8. Сопоставление процессов накопления объемного заряда в и M.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей работе получены данные о неравновесной проводимости и люминесценции, возникающих в диэлектриках под действием импульса рентгеновского излучения. Исследованы: форма импульса, вольтамперные характеристики, зависимость от температуры, поглощенной дозы рентгеновского излучениявыяснено влияние примесных и собственных дефектов кристаллической структуры на характеристики неравновесной проводимости.

На основании проведенного комплексного исследования характеристик неравновесной проводимости и люминесценции для монокристаллов Cclfzyi Р8М0О4 установлена взаимосвязь рентгенопроводимости с рентгенолюминесценцией основы. Следует отметить, что взаимосвязь люминесценции и проводимости, как выяснилось, имеет весьма слошшй характер, поэтому для каждого кристалла необходимо проводить самостоятельное исследование.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.В., Богданова Т. И., Кольнер Л. Б. Исследование фотопроводимости монокристаллов CdFz~PЪЭ в кн.: Труды
  2. П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явле-. ниям в полупроводниках, Киев, 1982, с. 13.
  3. И.Б., Малкин Б. З., Столов А. Л. Кубические центрыг ъ+иона Ьг в кристаллах типа флюорита.- ФТТ, 1971, т.13, вып.9, с. 2566−2570.
  4. Акустические кристаллы /п.ред. Шаскольской М.И.- М.: Наука, 1982.- 632 с.
  5. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-гаяоидных кристаллов.- Рига: Зинатне, 1979.- 252 с.
  6. З.А., Веретенников А. И., Козлов О. В. Детекторы импульсного ионизирующего излучения.- М.: Атомиздат, 1978.176 с.
  7. Э.Л. Важнейшие задачи радиационной физики ионных кристаллов.- В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 45−49.
  8. Ю.М., Суржиков А. П., Погребняк А. Д., Суржиков В. П. Неударная генерация радиационных дефектов в анионной под-решетке Мд 0 .- Томск, 1979.- II е.- Рукопись представлена- Томским политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 21 авг. 1979, Гг 2252−79.
  9. Ю.М., Оуржиков А. П., Погребняк А. Д., Суржиков В. П. Образование радиационных дефектов в кристаллах МдО при высоких плотностях возбуждения.- ЖТ£, 1980, т. 50, вып. I, с. 222−224.
  10. Ю.М., Оуржиков А. П. Неударная генерация анионных пар Френкеля в кристаллах Mj 0 при высоких плотностях возбуждения наносекундными импульсами ускоренных электронов.-Вопросы атомной науки и техники, 1982, вып. 3/22, с. 26−27.
  11. А.с. 1 022 089 (СССР) Способ запоминания и воспроизведения скрытого рентгеновского изображения и устройство для его осуществления /Г.М.Захаров, Г. В. Ягов.- Заявл. 19.06.81, JS 3 309 047/Е8−25- Опубл. в Б.И., 1983, В 21.
  12. Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения.- М.: Мир, 1981, — 526 с.
  13. Д.И., Новоселецкий Н. Е., Филоненко В. В. Стимулированное излучение в электролюминесцентных пленках Co|F2:lR.-Письма в S3®, 1974, т. 20, вып. 8, с. 568−571.
  14. А.Г., Гаванин В. А., Зайдель И. Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы.- М.: Энергия, 1976.- 344 с.
  15. П.А., Буланый М. Ф., Коджеспиров Ф. Ф. Приставка к радиоспектрометру для измерения фотопроводимости полупроводников.- В кн.: Материалы и приборы радиоэлектроники. Новосибирск, 1982, с. 148−153.
  16. С.Г., Анненков Ю. М., Сигаев Г. И. Особенности электропереноса в облучаемых электронами образцах щелочно-галоид-ных монокристаллов.- ФТТ, 1978, т. 20, вып. 8, с. 2475−2477.
  17. Р. Фотопроводимость твердых тел.- М.: И.Л., 1962,558 с.
  18. С.П. Импульсная рентгеновская техника.- М.: Энергия, 1981.- 120 с.
  19. Д.И., Таванов Э. Г. Пикосекундный кошонент проводимости ионных кристаллов при облучении электронными пучками большой плотности.- Письма в Ж, 1975, т.1, вып. II, с. 531−534.
  20. Д.И., Семин Б. Н., Таванов Э. Г., Шкатов В. Т. Свечение и проводимость неидеальной вырожденной электронно-дырочной плазмы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении.- Изв. АН СССР, сер. физич., 1976, т.40, вып. II, с. 2404−2409.
  21. Д.И., Месяц Г. А., Наминов В. Л., Таванов Э. Г. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронными и рентгеновскими пучками средней плотности.-Докл. АН СССР, 1982, т. 265, вып. 5, с. III3-III6.
  22. Я.А., Калдер К. А., Куусманн И. Л., Лутцик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в кристаллах Ид 0 в вакуумной ультрафиолетовой области спектра.- Письма в ЖЭТ&-, 1975, т. 22, вып. 2, с. 83−85.
  23. Ш., Каипов Б., Тавшунский Г. А. Свечение кристаллов CdF, в поле-лучей Со Журнал прикл. спектр., 1970, т. 13, вып. 3, с. 542−545.
  24. А.Н., Винчелл Г. Оптические свойства искусственных минералов.- М.: Мир, 1967.- 526 с.
  25. Н.А., 1Удыменко Л.Ф., Лисица М. П., Хомченко B.C. Спектры излучения пленок Col ' Еи3>+при электрическом воздействии.- Докл. АН УССР, сер. А, физ-мат. и техн. науки, 1977, вып. 4, с. 359−362.
  26. А.А., Воробьев С. А. Электронные явления в твердыхдиэлектриках и действие на них механических напряжений: В 2-х т.- Томск, 1983.- T. I, 216 е.- Звукопись представлена Томским политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 31 марта 1983, Л 2333−83.
  27. Ю.К., Зверев Г. М., Мешков Б. Б., Смирнов А. И. Исследование оптического и парамагнитного резонансного спектров Ег3+в СУР2 ,-ФТТ, 1964, т. 6, вып. 9, с. 2799−2808.
  28. Высокоэнергетическая электроника твердого тела /Д.И. Вайс-бурд, Б. Н. Семин, Э. Г. Таванов и др.- Под ред. Д.И. Вайс-бурда.- Новосибирск: Наука, 1982.- 224 с.
  29. П., Каррас X., Кётитц Г., Леман Р. Спектроскопические свойства активированных лазерных кристаллов.- М.:Наука, 1966.- 207 с.
  30. Ф.Л., 1Удовских В.А., Данильченко Н. Т., Ершов Н. Н. Об исследовании кинетики затухания и спектров флуоресценции кристаллофосфоров в рентгеновском наносекундном диапазоне.-Письма в Ю, 1980, т. 6, вып. 15, с. 9II-9I6.
  31. .С., Научитель М. А. Фотолюминесценция минералов группы шеелита.- В кн.: Конституция и свойства минералов. Вып. 9.- Киев: Наукова думка, 1975, с. 98−105.
  32. .С. Спектры люминесценции минералов.- М.: БИМС,. 1981, — 153 с.
  33. Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа.-. М.: Наука, 1981.- 174 с.
  34. В.В., Розно А. Г. Неравновесная объемная электризация ионных кристаллов.- В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 65−68.
  35. Ф.А., Орса В. Н., Залесский И. Е. Импульсный флуо-рометр для.исследования кинетики люминесценции в диапазоне1. А 910 -гЮ е.- Шнек, 1980.- 10 е.- Рукопись представлена редколл. Журнала прикл. спектроск. Деп в ВИНИТИ II дек.1980, ft- 42−81.
  36. А.Н., Эварестов Р. А. Электронная структура кубических окислов и дефектов в них.- В кн.: Точечные дефекты, и люминесценция в кристаллах окислов. Рига, 1981, с. 3−22.
  37. Н.Н., Захаров Г. М., Никитинская Т. И., Никулин Н. М., Рейтёров В. М. Механизм рентгенолюминесценции кристаллов фтористого магния, активированных марганцем и кобальтом.-Опт. и спектроскопия, 1978, т. 44, вып. 4, с. 740−742.
  38. Г. М., Никулин Н. М., Погарский М. А. Схема формирования прямоугольных рентгеновских импульсов.- Ленинград, 1976, — 8 с, — Рукопись представл. Ленингр. политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 12 янв. 1977, В 890−77.
  39. Г. М., Никитинская Т. И., Никулин Н. М. Радиационная проводимость фтористого магния при импульсном рентгеновском возбуждении.- ФТТ, 1978, т. 20, вып. 8, с. 2473−2475.
  40. Н.Г. Экситонные и электронно-дырочные процессы во фторидах кальция, стронция, бария и магния при высокоэнергетическом возбуждении: Автореф. дисс.. канд. физ-мат. наук.- Л., 1982.- 16 с.
  41. Г. М., Смирнов А.И. Спин-решеточная релаксация иона
  42. Бгг+в монокристаллах CcAFz, и Ся1^.фтТ, 1964, т. 6, вып. I, с. 96−100.
  43. Э.Р., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б., Ооовик Т. А. Фотонное умножение в кристаллах и явление радиолюминесценции.- В кн.: Радиационная физика, вып. 4, Рига, 1966, с. 71−83.
  44. К.А., Малышева А. Ф. Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристаллофосфорах на основе СаFz и SьР^ Опт. и спектроскопия, 1971, т. 31, вып. 2, с. 252−258.
  45. К.А., Кярнер Т. Н., Лущик Ч. Б., Малышева А.Ф* Миле-нина Р. В. Коротковолновая люминесценция кристаллов Мд 0 Журнал прикл. спектроскопии, 1976, т. 25, вып. 4, с.639−644.
  46. Као К., 2уанг В. Перенос электронов в твердых телах: В 2-х частях.- М.: Мир, 1984, Ч.1.- 352 с.
  47. Р.А., Лийдья Г. Г. Низкотемпературная люминесценция чистых и активированных кристаллов KI при возбуждении в экситонной полосе.- ФТТ, 1969, т. II, вып. 6, с. I64I-I649.
  48. .И., Переломова Н. В., Бондаренко B.C. Анизотропия распространения объемных акустических волн в PtfMoOj
  49. В кн.: Новые материалы для радио-, опто- и акустоэлектроники. Красноярск, 1982, с. 27−38.
  50. Н.И., Иванов С. А., Пеликс Е. А. Импульсные рентгеновские аппараты.- Обз. инф.: ТС-4 Аналитические приборы и приборы для научных исследований.- М.: Машиностроение, 1980, вып. I.- 44 с.
  51. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.- М.: Мир, 1975,396 с.
  52. И.Л., Лущик Ч. Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1976, т. 40, вып. 9, с. 1785−1792.
  53. И.Л., Фэльдбах Э.Х. Краевая катодолюминесценция кристаллов M
  54. И.Л., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экоитонов в ионных кристаллах.-Труды Ш АН ЭССР, 1976, т. 46, с. 5−80.
  55. Й.Л., Маароос А. А., Фэльдбах Э. Х. Экситоны в МдО и Со. О, их распад и релаксация.- В кн.: Тезисы докладов
  56. У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 376−377.
  57. Т.Н. Термическая стабильность дырочных центров и дырочная люминесценция Mq 0, Са 0 и Sh 0 с различными примесями.- Труды Ш АН ЭССР, 1977, т. 47, с. 93−110.
  58. Т.Н. Фото- и термостимулированная люминесценция легированной разными примесями окиси магния.- Труды Ш АН ЭССР, т. 49, с. 172−184.
  59. Т.Н., Малышева А. Ф., Маароос А. А. Термостимулированная люминесценция монокристаллов Njfl в широком интервале температур.- Труды Ш АН ЭССР, 1979, т. 50, с. 35−53.
  60. Т.Н., Малышева А. Ф., Маароос А. А., Мгарк В. В. Термоти температур 4,2*600 К.- ФТТ, 1980, т. 22, вып. 4, о. II78-II83.
  61. В.И., Афонин В. П. Расчет спектральной интенсивности излучения рентгеновских трубок с анодами прострельного типа.- Заводская лаборатория, 1983, т. 49, вып. 2, с. 26−29.
  62. К.Л. Взаимосвязь между физическими параметрамистимулированная люминесценция монокристалловобласщелочно-галоидных кристаллов, — Докл. АН СССР, 1983, т. 273, вып. 3, с. 605−607.
  63. Г. Г., Плеханов В. Г. Поляризованное свечение неактивированных кристаллов Опт* и спектроскопия, 1974, т. 36, вып. 5, с. 945−949.
  64. А.А. Оптические спектры электронных центров окраски. Томск, 1983.- 9с.- Скопись представл. Томским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 12 июля 1983, № 4328−83.
  65. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Эланго М. А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах.-ФТТ, 1964, т. 6, вып. 8, с. 2256−2262.
  66. Ч.Б. Физические процессы в люминесцирующих ионных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1965, т. 29, вып. I, с. 10−18.
  67. Ч.Б., Соовик Т. А. Некоторые проблемы физики неорганических сцинтилляторов.- Труды ША АН ЭССР, 1966, т. 34, с. 68−88.
  68. Ч.Б., Вале Г. К., Эланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1967, т. 31, вып.5, с. 820−828.
  69. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F -центров в бездефектных участках ионных кристаллов.- ФТТ, 1968, т. 10, вып. 9, с. 2753−2759.
  70. Ч.Б. Электронные возбуждения и ионные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1971, т. 35, вып. 7, с. I305-I3II.
  71. Ч.Б., Лийдья Г. Г., Лущик Н. Е., Васильченко Е. А. Экси-тонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1973, т. 37, вып. 2, с. 334−340.
  72. Ч.Б., Куусманн И. Л., Кярнер Т. Н., Лздцик Н. Е. Электронные возбуждения и люминесценция окиси магния.- Труды Ш АН ЭССР, 1977, т. 47, с. 59−92.
  73. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.- УФН, 1977, т. 122, вып. 2, с. 223−251.
  74. Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов.- Труды Ш АН ЭССР, 1978, т.48, с.24−63.
  75. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Тапиров М. М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-H -пар в щелочно-галоидных кристаллах.- Труды Ш АН ЭССР, 1983, т. 54, с. 5−37.
  76. .И., Морозов A.M., Романова Н. Г. Спектры поглощения и люминесценции монокристаллов молибдата свинца.- Опт. и спектроскопия, 1963, т. 14, вып. 2, с. 312−315.
  77. В.П. Защита от ионизирующих излучений.- М.: Энер-гоатомиздат, 1982.- 296 с.
  78. Е.З. Измерение фотопроводимости полупроводников на сверхвысоких частотах.- Изв. ВУЗов, физика, 1966, т.3,с.83−89.
  79. В.М., Никогосян В. Р., Партамян Х. В. Возбуждение рабочих примесей в лазерных кристаллах при электрическом разряде, — Квант, электроника, 1982, т.9, вып. ГО, с.2081−2082.
  80. А.Я., Ткаченко Е. В., Петров А. Н., Габриелян В. Т., Карагезян С. М. Природа разупорядочения и электрофизические свойства PgMoQj .- Свердловск-Кировакан, 1979, — 17 е.- рукопись представл. Уральским ун-том. Деп. в ОНШТЭХИМ 14 окт. 1979, 13 3277/79.
  81. А.Я., Ткаченко Е. В., Федорова Л. М. Дефектная структура и механизм переноса в Изв. АН СССР, сер. неорганические материалы, 1980, т. 16, вып. II, с.2025−2029.
  82. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллох.- Иркутск- Восточно-Сибирское книжн. издательство, 1977, — 208 с.
  83. С.И. Исследования по электронной теории кристаллов.-М-Л.: ГЙТТЛ, 1951.- 256 с.
  84. В.Г., Лийдья Г. Г. Автолокализация катионных экситонов в галоидных солях свинца.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1974, т. 38, вып. 6, с. 1304−1306.
  85. В. Г. О температурной зависимости поляризации люминесценции автолокализованных экситонов в .- Опт. испектроскопия,.1975, т. 39, вып. 5, с. 980−981.
  86. Н.С., Ефрюшина Н. П., Гава С. А. Определение микроколичеств лантаноидов по люминесценции кристаллофосфоров.
  87. Киев: Наукова думка, 1976, — 213 с.
  88. Ю.М. Физика диэлектриков.- Киев: Вшца школа, 1980.400 с.
  89. Рентгенотехника: В 2-х т. /под ред. В. И. Клюева.- М.: Машиностроение, 1980.- T.I.- 432 с.
  90. Е.Г. Проявление статического эффекта Яна-Теллера в собственной люминесценции кристаллов со структурой шеелита.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1979, т. 43, вып. 6, с. II86−1193.
  91. Е.Г. Фотопроводимость и люминесценция в кристаллах со . структурой шеелита.- ©-ТТ, 1981, т.23, вып.8, с. 2514−2516.
  92. Е.Г. Аномальная проводимость молибдатов кадмия и кальция с центрами окраски.- ФТТ, 1983, т.25, вып.1, с. 16−19.
  93. В.В., Хвостов В. А. К определению длины диффузии носителей тока в высокоомных полупроводниках.- Укр. физич. журнал, 1970, т. 15, вып. 9, с. 1558−1560.
  94. М.И. Парамагнитные центры окраски в молибдатах и вольфраматах с шеелитоподобной структурой.- Москва, 1974.16 е.- Звонись представл. редколл. Журнала физической химии. Деп. в ВИНИТИ 24 мая 1974, В 1619−74.
  95. .С., Дубовик М. Ф., Азаров В. В., Кольнер Л. Б. электролюминесценция и полупроводниковые свойства монокристаллов СсИ~2 9 активированных редкоземельными ионами.- Опт. и спектроскопия, 1967, т. 22, вып. 6, с. 981−983.
  96. A.M. Теория дефектов в твердых телах: В 2-х т,-М.: Мир, I978.-T.I.- 569 с.
  97. B.C. О кинетике фотостимулированной проводимости.
  98. В кн.: Люминесценция и электропроводность кристаллов с цен-. трами окраски.-Иркутск, 1981, — с.201−206.-рукопись представл. Иркутским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 28 янв. 1982. В 981−82.
  99. В.А., Зимкина Т. М., }Еукова И.И. Исследование энергетической структуры Mcjfl методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.- ФТТ, 1968, т. 10, вып. 10, с. 3073−30 801.
  100. А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела.- М.: Наука, 1977.- 551 с.
  101. М.Я. Электронные и дырочные центры в кристаллах с шеелитоподобной структурой по данным ЭПР.- Труды ин-та геологии и геофизики СО АН СССР, 1981, с. 87−128.
  102. Р.А., Котомин Е. А., Ермошкин А. Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкозонных твердых телах.-Рига: Зинатне, 1983.- 287 с.
  103. М.А. Рентгеновские возбуждения ионных кристаллов и их роль в создании радиационных дефектов.- Труды Ж> АН ЭССР, 1970, т.38, с. 28−49.
  104. Г. В. Измерительный комплекс для исследования электрических и оптических явлений в диэлектриках при рентгеновском возбуждении.- В кн.: Аппаратура и методы рентгеновскогоанализа. Вып. 30.- Л.: Машиностроение, 1983, с. II7-I23.
  105. Ahrenkiel R.K., Brown F.G. Electron hall mobiliti in the alkali halides. Pbys. Rev., 1964, v. AI36, N I, p.223--231.
  106. Albert J. P ., Jouani n 0″, Gout 0. Electronic energy hands in the fluorite structure, Ca3?2 and Od^.- Phys. Rev., 1977, V. BI6, N 10, p. 4619−4629.
  107. Benci S., Schianchi G. Recombination luminescence in pureand rare earth doped CdF2.- J.Lum., 1976, v. II, N 5−6, p. 549−555.
  108. Berezin A.A. On hte Anderson transition in electronic color centers system in alkali hahide crystals.- Z. Natur-forsch., 1982, v. 37A, N 6, p. 6I3−6I4.
  109. Bernhardt Hj. Near-Edge absorption of lead molybdate crystals.-Phys. stat. sol., 1977, v. A40, N I, p. 257−264.
  110. Bernhard Hj. Studies of the colour centers of lead molybdate crystals.- Phys. stat. sol., 1978, v. A45, N I, 1. P. 355−557.113″ Bernhard Hj. Defect electron centres in lead molybdate crystals.- Phys. stat. sol., 1979, v. A52, N I, p. 223−229.
  111. Bernhard Hj., Scbnell R. Modulation-spectroscopic investigations of defect centres in PbMoO^ crystals.- Phys. stat. sol., 1981, V. A64, N I, p. 207−214.
  112. Brower W.S., Fang P.H. Dielectric constants of PbMoO. and
  113. CaMoO^.- Phys. Rev", 1966, v. 149, N 2, p. 646.118″ Brown E.G. Conduction by polarons in ionic crystals.- In" Point defects in solids/ Ed by J.H. Crawford, Jv., L.M. Slifkin.- N-Y-London, Plenum Press, 1972, p.49I-549.
  114. Byer N.E., Ensign Т.О., Mularie W.M., Stokowski S.E. IRQC parameters for Er^+ occupying sites of and С^ц symmetry in CdFg.- J.Appl. Phys., 1973″ v.44, И 4, p.1733--1743.
  115. Chen Y., Sibley W.A. Study of ionization-induced radiation damage in MgO.- Phys. Rev., 1967, v.154, N 3, p.842−850.
  116. Chen YKolopus J.L., Sibley W.A. Luminescence of the S^-center in MgO.- Phys. Rev., 1969, v.186, Ж 3, p.865--870.
  117. Chen Y., Trueblood D.L., Schow O.E., Tohver H.ID. Color centers in electron irrdiated MgO.- J.Phys.Cs Solid State Phys., 1970, v.3″ N 12, p.2501−2508.
  118. Cho E., Toyozawa X. Exciton-phonon interaction and optical spectra self-trapping, zero-phonon line and phonon sidebands.- J .Phys.Soc. Japan, 1971″ v.30, Ш 6, p. I555-- 1574.
  119. Dallacasa V", Paracchini C. Impact ionization in rare earth doped CdP2 crystals.- Radiat. Eff., 1983, v.72, N 1−4,p. 265−269.
  120. Day H.R. Irradiation-induced photoconductivity in magnesium oxide.- Phys .Rev., 1953″ v. 91. N 4, p.822−827.
  121. Defects in insulating crystals /Ed. by V.M.lOuehkevich and K.K.Shvarts.- Riga: Zinatne, Berlin ets.: Springer, 1981.-774p.
  122. Garbarczuk J., Krukowska Fulde В., Langer Т., Langer J.M.
  123. Determination of the barrier height in metal-CdP^ Schott-ky diodes" — J.Phys.Dj Appl.Phys., 1978, v. II, N 2, p. LI7-L2I.
  124. Henderson В., Wertz J.E. Defects in the alkaline earth oxides with applications to radiation damage and catalysis London, Taylor 8s Francis, 1977*- 159 p.
  125. Hersh H. Proposed exitonic mechanism of color centre formation in alkali halides.- Phys.Rev., 1966, v.148, N 2, p. 928−932.
  126. Hirth H., Todheide-Haupt U. Electron drift mobility in
  127. KOI.- Phys. Stat, sol., 1969, v. 31, N I, p.425−433.
  128. Hossain M.D. Dielectric propertiens of titanium and gadolinium doped MgO single crystals.- Appl.Phys., 1982, v. A29, N I, p.29−32.
  129. Hughes A.E., Henderson B. Color centers in simple oxides.-In: Point defects in solids /Ed. by J.H.Crawford, Jr., L.M.Slifkin.- U-Y-London, Plenum Press, 1972, p.381−490.
  130. Ikezawa M., Kojima T. Luminescence of alkali halide crystals induced by UV-light at low temperature.- J.Phys.Soc. Japan, 1969, v. 27, N 6, p. I55I-I563.
  131. Kappers L.A., Kroes R.L., Hensley E.B. F+ and-centers in magnesium oxide.- Phys.Rev., 1970, v. BI, N 10, p.4T5I--4157.
  132. Kappers L.A., Dravnieks P., Wertz J.E. Electron spin resonance and optical studies of the double-hole (Y°) centrein MgO.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1974, v.7, И 7, P. I387-I399.
  133. Kathrein H., Freund P. Electrical conductivity of magnesium oxide crystal below 1200 K.- J.Phys.Chem Solids, 1983, v. 44, N 3, p. 177−186.145″ Khosla R.P. Electrical properties of semiconducting
  134. Lushchik C., Lushchik A*, Vasil*chenko E. Excitons and point defect creation in alkali halides.- Ins Defects in1insulating crystals /Ed. by V.M.Tuchkevich and K.K.Shvarts.-Rigai Zinatne, Berlin etc." Springer, 1981, p. 323−342.
  135. Mallard W.C., Crawford J.H., Jr. Thermo stimulated currents and thermoelectric opwer in irradiated MgO.- Solid St.
  136. Comm., 1969, v. 7, Я 24, p. 1767−1770.155* Michel D", Charles D. Influence des impuretes sur la con-ductivite cationiqie dans l’oxyde de magnesium monocris-tallin.- J. Solid State Chem., 1980, v. 31″ N 3″ p.377−385.
  137. Moser F., Matz D., Lyu S. Infrared optical absorption in semiconducting CdF2: X crystals.- Phys.Rev., 1969, v. 182, N 3, p. 808−814.
  138. Murray R.B., Keller F.J. Recombination luminescence from Vk+e centers in potassium iodide.- Phys.Rev., 1965, v.137, N 3″ P. 942−948.
  139. Nishimura H., Ohigashi Ch", Tanaka X., Tomura M. Resonance luminescence lines of free excitons in alkali iodide single crystals.- J.Pbys.Soc. Japan, 1977″ v.43, IT I, p. 157−163.
  140. Orlowski B.A., banger J.M. Band structure of CdF2 from photoemission measurements.- Acta phys. pol., 1983, V. A63, Ж I, p. Ю7−1Ю.
  141. Overhof H. Energy bands of potassium halides (Green's function method).- Phys.stat.sol., 1971″ V. B43″ N 2, p.575' -582.
  142. Pantelides S.T., Mickish, Kunz A.B. Electronic structure and properties of magnesium oxide.- Phys.Rev., 1974, v. BIO, N 12, p. 5203−5212.
  143. Paracchini C., Schianchi G. Electronic conduction in rare earth doped CdF^ insulating crystals.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1982, v. 15, N 20, p. L627-L630.
  144. Paracchini C. Electron impact processes in CdF2: Gd crystals.- Phil.Mag., 1982, v. B46, N 4, p. 391−405.
  145. Point defects in solids /Ed. by J.H.Crawford, Jr., L.M.Slifkin.- N-Y-Londont Plenum Press, 1972.- 556 p.
  146. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.J. Electronic band structure of the alkali halides. I. Experimental parameters.- Phys.Rev., 1975″ v. BII, N 12, p. 5179−5189.
  147. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsegent 110 replacement Proc.Phys.Soc., 1966, v. 87, N 555, p. 245−262.
  148. Pooley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides.- J.Phys.Cs Solid State Phys., 1970, v. 3"1. N 8, p. 18X5−1824.
  149. Pouradier J.F., Grimouille G. Electroluminescence of 0dF2jHo5+/Au diodes.- J. Luminescence, 1981, v. 24/35″ N2, P. 9X3−916.
  150. Pouradier J.F., Grimouille G. Growth of semiconducting CdF2: Ho^+ crystals and study of their optical and transport properties.- Phys.stat.sol., I981, v. BI06, N 2, p. 657−665.
  151. Prener J.S., Kingsley J.D. Mechanism of the conversion of CdP2 from a insulator to a semiconductor.- J.Chem.Phys., 1963, v. 38, N 3, p. 667−671.
  152. Rachko Z.A., Valbis J.A. Luminescence of free and relaxed excitons in MgO.- Phys.stat.sol., 1979, v. B93, N I, p. I6I-I66.
  153. Robertson J. Electronic structure of Sn02, Ge02, РЪ02, Te02 and MgP2.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1979, v. 12, H 22, p. 4769−4772.
  154. Schink H.K. Measurement of screened voltages by electron-beam-induced conductivity (EBIC).- Electronics lett., 1983, v. 19, N 5, p. 177−178.
  155. Schmitt K., Sivasankar V.S., Jacobs P.W.M. Emission and decay time studies on Pb2+ centers in Or, RbBr and RbCl .- J.Lumin., 1982, v. 27, N 3, p. 3X3−326.
  156. Schmitt K., Jacobs P.W.M., Stillman M.J. Moments analysisof the optical absorption and magnetic circular dichroism2+in the A band Pb T centers in KBr and RbCl.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1983, v. 16, N 3″ P. 603−613.
  157. Schmitt K., Sivasankar V., Jacobs P.W.M. Optical absorp2+tion and magnetic circular dichroism of Pb centers in KBr: lineshape calculation, — J.Phys.C: Solid State Phys., 1983, v. 16, N 3, p. 615−624.
  158. Seager C.H., Emin D. High-temperature measurements of electron Hall mobility in the alkali halides.- Phys.Rev., 1970, v. B2, If 8, p. 5421−3431.
  159. Sibley W.A., Chen Y. Radiation damage in MgO.- Phys.Rev., 1967, v. 160, N 3, p. 712−716.
  160. Sibley W.A., Pacey O.E. Color centers in MgPg.- Phys.Rev., 1968, v. 174, N 4, p. 1076−1082.
  161. Treffe F*, Carles C. Application de 1*interaction acousto--optique dans les к 1*analyse ultrarapide d’un spectre lumineux.- Rev. Phys. Appl., 1980, v. 15, N 8, p*I409-I4I3″
  162. Tsang K.L., Chen X., O’Dwyer J.J. High field conduction and dielectric breacdown in nominally pure and nickel-doped MgO crystals at high temperatures.- Phys.Rev., 1982, V. В26, N 12, p. 6909−6917.
  163. Izalmona A. Luminescence from X-ray irradiated CdF2 and BaF2.- J .Phys*Soc* Japan, I973t v* 34, N 4, p. 1108*
Заполнить форму текущей работой

На отлично!