Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Физико-химические основы синтеза низковольтных катодолюминофоров

Диссертация: Физико-химические основы синтеза низковольтных катодолюминофоров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на XXI11 Всесоюзной конференции по люминесценции (Кишинев, 1976 г.), Всесоюзном совещании по технологии, процессам, аппаратам и качеству люминофоров и особо чистых веществ (Старополь, 1980 г.), ХХУ11 Всесоюзном совещании по люминесценции (Эзерниеке, 1980 г.), Всесоюзном совещании «Синтез, свойства… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Современное состояние исследований и производства люминофоров для низковольтных катодолюминесцентных дисплейных
    • 1. 1. Особенности низковольтной катодолюминесценции
      • 1. 1. 2. Преобразование энергии при катодном возбуждении
      • 1. 1. 3. Электронно-возбужденная проводимость
      • 1. 1. 4. Особенности низковольтной катодолюминесценции и требования, предъявляемые к низковольтным люминофорам
    • 1. 2. Люминесцентные и физико-химические свойства титатната стронция, активированного празеодимом
      • 1. 2. 1. Люминесценция структуры SrTi03: PrJ, А
      • 1. 2. 2. Особенности структуры БгТЮз
        • 1. 2. 2. 1. Кристаллическая структура SrT
        • 1. 2. 2. 2. Зонная структура
      • 1. 2. 3. Дефектная ситуация в титанате стронция
        • 1. 2. 3. 1. Плоские дефекты
        • 1. 2. 3. 2. Примесные центры в БгТЮз
      • 1. 2. 4. Электрические свойства SrT
        • 1. 2. 4. 1. Зависимость электропроводности от концентрации легирующей добавки
        • 1. 2. 4. 2. Электропроводность полупроводникового титаната стронция
      • 1. 2. 5. Люминесценция редкоземельных ионов в перовскитных оксидах
  • Выводы
    • 1. 3. Способы синтезы, электрические и люминесцентные свойства галлата цинка, активированного марганцем
    • 1. 4. Краткие сведения о способах получения и люминесцентных свойствах люминофора на основе оксида цинка
      • 1. 4. 1. Способы синтеза ZnO: Zn-люминофора
      • 1. 4. 2. Люминесцентные и электрические свойства
  • ZnO:Zn- люминофора
    • 1. 5. Способы синтеза, электрические и люминесцентные свойства (ZnMg)O
    • 1. 6. Краткие сведения о способах получения и люминесцентных свойствах люминофора на основе оксида иттрия
      • 1. 6. 1. Методы и способы синтеза
      • 1. 6. 2. Точечные дефекты в оксиде иттрия
      • 1. 6. 3. Электропроводность
      • 1. 6. 4. Влияние примесей на люминесценцию европия
      • 1. 6. 5. Сравнение с другими типами красных редкоземельных люминофоров
  • Выводы
  • 2. Методическая часть
    • 2. 1. Характеристика исходных веществ
    • 2. 2. Методы исследования
      • 2. 2. 1. Измерения яркости катодолюминесценции
      • 2. 2. 2. Измерение спектров излечения
      • 2. 2. 3. Определение цветовых координат
    • 2. 3. Измерение гранулометрического состава
    • 2. 4. Измерение термостимулированной люминесценции
    • 2. 5. Измерение зависимости яркости свечения от температуры
    • 2. 6. Методика получения электронно-микроскопических снимков
    • 2. 7. Рентгенофазовый анализ
    • 2. 8. Методика измерения послесвечения
    • 2. 9. Методика мгновенного фиксирования ЭДС
    • 2. 10. Измерение удельного электрического сопротивления
    • 2. 11. Измерение спектров возбуждения фотопроводимости
    • 2. 12. Измерение фотоэлектрической поляризации (ФЭП)
    • 2. 13. Измерение спектров радикало-рекомбинационной люминесценции (PPJI)
  • 3. Исследование физико-химических свойств и разработка технологии люминофора на основе титаната стронция
    • 3. 1. Особенности синтеза и кинетики формирования структуры SrTi03: Pr3+, Al
    • 3. 2. Уточнение состава шихты и условий термообработки
    • 3. 3. Дефектное равновесие системы SrTi03, Al
    • 3. 4. Исследование оптических свойств системы SrTi03: Pr, А
    • 3. 5. Исследование процессов передачи энергии в системе SrTi03: Pr3+, А
      • 3. 5. 1. Анализ возможных типов дефектов в структуре SrTi03: Pr3+, А
    • 3. 6. Реализация модели и разработка низковольтного люминофора SrTi03: Pr3+, А
    • 3. 7. Выводы
  • 4. Исследование физико-химических свойств и разработка технологии люминофора получения люминофора на основе галлата цинка
    • 4. 1. Исследование люминесценции активированного марганцем галлата цинка
    • 4. 2. Исследование влияния условий синтеза на парамерты низковольтной катодолюминесценции ZnGa204: Мп
    • 4. 3. Выводы
  • 5. Исследование физико-химических свойств и разработка технологии люминофора на основе оксида цинка
    • 5. 1. Исследование катодолюминесценции оксида цинка
    • 5. 2. Формирование люминофора при термообработке смеси (ZnO+ZnS)
    • 5. 3. Влияние некоторых примесей на люминесценцию оксида цинка и его удельное электрическое сопротивление
    • 5. 4. Исследование влияния модифицирования поверхности люминофора диоксидом кремния
    • 5. 5. Исследование физико-химических свойств и низковольтной люминесценции твердых растворов (ZnMg)
    • 5. 6. Исследование люминесцентных свойств (ZnMg)O
    • 5. 7. Выводы
  • 6. Изучение физико-химических свойств и разработка технологии получения люминофора на основе оксида иттрия
    • 6. 1. Дефектная ситуация в оксиде иттрия
    • 6. 2. Влияние примесей на светотехнические параметры люминофора Y203: Еи
    • 6. 3. Изучение влияния размера и структуры частиц. на светотехнические параметры люминофора Y203: Еи
    • 6. 4. Исследование влияния минерализаторов на светотехнические параметры люминофоров У20з: Еи
    • 6. 5. Разработка люминофора с субмикронным размером частиц
    • 6. 6. Изучение влияния состава основания люминофора на его свойства
    • 6. 7. Влияние размеров ОКР на эффективность люминофора
    • 6. 8. Изучение влияния модифицирование поверхности на физико-химические свойства люминофора
    • 6. 9. Выводы

Физико-химические основы синтеза низковольтных катодолюминофоров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

1.1. Актуальность проблемы. Успешное развитие различных областей техники, связанных с использованием люминесценции, наряду с разработкой новых люминесцентных материалов, требует постоянного улучшения качества уже известных люминофоров, что в свою очередь вызывает необходимость углубленного изучения их свойств и поиска новых способов их получения. Средства отображения информации, использующие явление низковольтной катодолюминесценции, в настоящее время интенсивно развиваются и, для разработки нового поколения дисплейных устройств (вакуумные люминесцентные индикаторы (ВЛИ), дисплеи с полевой эмиссией электронов (ДПЭ)), необходимо дальнейшее повышение яркости, светоотдачи и срока службы люминофоров. Такие специфические условия работы низковольтных дисплейных устройств как низкая энергия (20 — 1000 эВ) возбуждающих электронов, высокая плотность анодного тока (до 4−5 мА/см) предъявляют ' ряд особых требований к низковольтным (НВК) люминофорам, а именно: достаточно высокая проводимость, высокая эффективность 1 люминесценции при возбуждении в поверхностных областях зерна люминофора, стойкость к облучению потоком электронов большой плотности, устойчивость по отношению к технологическим операциям отжига в различных средах.

Анализ работ отечественных и зарубежных исследователей показывает, что практически все достижения в разработке эффективных низковольтных катодолюминофоров связаны с изменением свойств уже известных светосоставов, путем модифицирования поверхности или легирования приповерхностных областей. Подавляющее, большинство работ посвящено исследованиям люминофоров на основе первого НВКлюминофора на основе оксида цинка и люминофоров на основе сульфидных соединений, тогда как к наиболее стабильным матрицам относятся кислородсодержащие соединения щелочноземельных и редкоземельных элементов, однако число работ, посвященных 6 комплексному изучению физико-химических условий формирования эффективных НВК-люминофоров на основе кислородсодержащих соединений, ограничено. В настоящее время для успешного применения люминофоров в полноцветных низковольтных дисплейных устройствах следует увеличить светоотдачу в 1,5 — 2,0 раза. Столь значительное повышение эффективности требует всесторонних физико-химических исследований механизма формирования, как зерна люминофора, так и приповерхностных областей, в которых протекают важнейшие процессы поглощения и передачи энергии при возбуждении медленными электронами. Несмотря на значительное количество исследований процессов, протекающих на поверхности и в приповерхностных областях, исследований, посвященных определению взаимосвязи их параметров с технологическими параметрами получения люминофоров крайне мало. Также недостаточно исследований, позволяющих выявить основные физико-химические параметры объемных областей кристалла, оказывающих определяющее влияние на эффективность НВК-люминесценции. Поэтому комплексное изучение физико-химических ' условий формирования эффективных НВК-люминофоров на основе кислородсодержащих соединений является актуальной научной и практической задачей. 1.2. Цель работы и задачи исследований.

Цель работы — выявление факторов, определяющих эффективность катодолюминесценции, возбуждаемой электронами низких энергий, построение модели НВК-люминофора, системное и комплексное исследование физико-химических и оптических свойств некоторых кислородсодержащих люминофоров на всех стадиях синтеза и использование результатов исследований на практике.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

— выбрать соединения с прогнозируемой высокой эффективностью в отношении низковольтной люминесценции, стойкостью в условиях 7 эксплуатации и технологии изготовления низковольтных дисплейных устройств;

— изучить зависимость основных параметров катодолюминесценции от условий возбуждения в широком диапазоне энергий возбуждающих электронов;

— установить факторы, оказывающие определяющее влияние на эффективность катодолюминесценции при условиях, соответствующим рабочим, в низковольтных дисплейных устройствах;

— исследовать влияние воздействий потока электронов различной плотности на поверхность люминофора и определить механизм этого воздействия;

— изучить адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности люминофора, протекающие при бомбардировке медленными электронами, и отжиге на воздухе и в вакууме;

— изучить кинетику и процессы образования люминофоров на основе кислородсодержащих соединений щелочноземельных и редкоземельных элементов при разных условиях их синтеза;

— изучить влияние примесных и собственных дефектов на люминесцентные свойства изучаемых люминофоров;

— изучить влияние технологических параметров при синтезе люминофора на их физико-химические (фазовый состав, размер кристаллитов, проводимость и т. п.) и люминесцентные свойства. Научная новизна.

1.Впервые проведено комплексное изучение влияния условий синтеза на электрические свойства и катодолюминесценцию в интервале ускоряющих напряжений ЗВ — ЮкВ для электропроводных добавок и люминофоров на основе ряда кислородсодержащих соединений щелочноземельных и редкоземельных элементов;

2. Изучены процессы деградации яркости люминофоров на оксидной основе при эксплуатации их в низковольтных катодолюминесцентных устройствах с привлечением химических и люминесцентных методов исследований.

3. Показано, что основной причиной спада яркости в процессе облучения люминофоров потоком электронов является диспропорционирование приповерхностных областей кристалла под действием остаточных газов и их радикалов, а также диффузии анионных вакансий вглубь кристалла и обогащения приповерхностных областей металлом (катионами).

4.Установлен механизм действия защитного модифицирующего покрытия, заключающийся в исключении прочных форм адсорбции. Предложены способы модифицирования поверхности, уменьшающие адсорбционную активность люминофоров на оксидной основе, значительно увеличивающие срок службы люминофоров и их устойчивость к отжигу в окислительной и восстановительной атмосферах.

5.Впервые исследована термостимулированная люминесценция (TCJI) после возбуждения люминофоров на оксидной основе электронами низких энергий (60−100 эВ). При этом обнаружено существование пиков TCJI у оксида цинка и твердых растворов (ZnMg)O, обусловленных кислородом, адсорбированным на поверхности.

6.Установлено, что на эффективность низковольтной люминесценции значительное влияние оказывают проводимость, величина «мертвого» слоя на поверхности люминофора, размеры областей когерентного рассеивания и количество межблочных границ. Показано, что максимальная эффективность как низковольтной, так и высоковольтной катодолюминесценции достигается при размерах ОКР, равных и более, чем двойная длина свободного пробега носителей тока в веществе-основании люминофора.

7. Впервые проведена экспериментальная оценка толщины «мертвого» слоя в системе твердых растворов Y2O3 — Gd203 и предложена технология его регулирования.

8. Исследовано влияние собственных и примесных дефектов на НВК люминесценцию кислородсодержащих соединений, построены 9 энергетические диаграммы собственных и примесных энергетических уровней некоторых соединений.

9. Впервые изучено влияние легирования приповерхностных слоев широкозонных люминофоров на эффективность НВК люминесценции элементами с переменной валентностью. Показано, что при ускоряющих напряжениях, при которых коэффициент вторичной эмиссии меньше единицы, легирование сопровождается увеличением проводимости и яркости НВК люминесценции.

10. Впервые зарегистрировано сенсибилизирующее действие скандия в диапазоне концентраций 1*10−6 — 1*10″ 4 мол.% на люминесценцию европия в оксиде иттрия и меди в диапазоне концентраций 1*10'6 — 1*10″ 5 мол.% - на самоактивированную люминесценцию оксида цинка. При этом установлено, что при больших концентрациях медь способствует образованию мелких ловушек с энергией термической активации 0,05 эВ и конкурирующих центров излучения с максимумом 730 нм.

Практическая значимость полученных результатов заключается в создании научных, технологических и практических основ синтеза на основе широкозонных кислородсодержащих соединений низковольтных катодолюминофоров, отвечающим по качеству всем современным требованиям, предъявляемым приборами, использующими явление низковольтной катодолюминесценции.

Определены основные физико-химические факторы, влияющие на эффективность НВК люминесценции.

Развиты представления о механизме возбуждения и передачи энергии при низковольтной катодолюминесценции.

Изучены причины изменения свойств поверхности кислородсодержащих люминофоров в процессе облучения электронами и показано, что основной причиной деградации яркости в низковольтном приборе является нарушение стехиометрии поверхностных слоев, диффузия анионных вакансий вглубь кристалла и обогащение поверхности катионами.

Установлен механизм действия защитной пленки и разработаны методы модифицирования поверхности, позволившие значительно увеличить яркость, срок службы люминофоров и устойчивость их параметров к технологическим операциям отжига экранов дисплейных устройств.

В результате проведенных исследований внедрены в промышленное производство:

1. Технология первого отечественного низковольтного катодолюминофора КС-505- 2.

2. Технология производства люминофора К-56.

3. Технология электропроводных добавок ЭД-1 и ЭД-4.

4. Технология люминофора красного цвета свечения для дисплейных ЭЛТ КДЦ-612.

5. Технология люминофора красного цвета свечения для проекционных ЭЛТ КПЦ-612.

Разработаны способы синтеза низковольтных катодолюминофоров: насыщенного зеленого (ZnGa204:Mn), голубого (ZnMgO), красного ((YGd)203:Eu и SrTi03: Pr, Al) цветов свечения с высокой эффективностью. Основные положения, выносимые на защиту.

1. Теоретические основы технологии получения низковольтных катодолюминофоров. Экспериментальные исследования влияния на оптические и электрические свойства люминофоров: линейных размеров областей когерентного рассеяния (ОКР) рентгеновских лучей и соотношения размеров ОКР и диффузионной длины носителей токаразмеров и количества межблочных границсобственных и примесных одномерных и двумерных дефектов кристаллической структурытемновой и возбужденной проводимости объемных и приповерхностных областей частиц люминофоратолщины «мертвого» слояадсорбционной способностихимического состава и способа нанесения модифицирующего покрытия.

2. Физическая модель НВК-люминофора и физико-химические закономерности, лежащие в основе синтеза эффективных низковольтных.

11 катодолюминофоров, заключающиеся в необходимости удовлетворения следующих физико-химических параметров:

— размеры ОКР не меньшие двойной длины свободного пробега электронов в основании люминофора при минимальной концентрации плоских и линейных дефектов;

— темновая или возбужденная проводимость приповерхностных областей кристалла в интервале (10″ 5 — 10″ 9) Ом'^см" 1, абсолютная величина которой определяется ускоряющим напряжением, применяемым в дисплейном устройстве;

— наличие на поверхности люминофора островной или сплошной структуры, выполняющей роль запорного слоя для диффузии анионных вакансий вглубь кристалла и препятствующей тем самым диспропорционированию химического состава приповерхностных областей.

3. Механизм спада яркости в процессе облучения люминофора потоком электронов в дисплейных вакуумных устройствах, заключающиеся в стимулированном электронами и радикалами остаточных газов восстановлении приповерхностных областей и развивающегося вследствие этого тушения люминесценции.

4. Механизмы защитного действия модифицирующего покрытия, заключающиеся в уменьшении адсорбционной способности поверхности люминофоров, исключении прочных форм адсорбции и создании запорного слоя, препятствующего диффузии вглубь кристалла анионных вакансий.

5. Способ управления проводимостью приповерхностных областей НВК люминофоров путем легирования их элементами переменной валентности.

6. Технология получения кислородсодержащих люминофоров с субмикронными размерами частиц и эффективностью НВК люминесценции не ниже эффективности люминофоров полученных традиционными методами с применение метода горения для синтеза.

7. Использование определенного матричного состава основания люминофора в зависимости от назначения и типа прибора.

8. Механизм, уменьшения яркости свечения НВК дисплеев после длительного перерыва в работе и медленного увеличения после включения, заключающийся в физической адсорбции во время перерыва и десорбции стимулированной электронным потоком остаточных газов.

9. Механизм, увеличения яркости НВК люминесценции метатитаната стронция, активированного празеодимом при легировании его алюминием, заключающийся в увеличении размеров ОКР за счет ликвидации слоев SrO и уменьшения плотности линейных и плоских дефектов, сопровождающийся увеличением длины свободного пробега носителей тока и образованием ассоциированных центров свечения.

10. Способ легирования титаната стронция, активированного празеодимом металлами, позволяющий увеличить яркость НВК люминесценции в 10−50 раз.

11. Способы синтеза низковольтного катодолюминофора на основе самоактивированного оксида цинка и обоснованная технология его производства.

12.Способ синтеза НВК люминофора на основе оксида иттрия и обоснованная технология его производства.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на XXI11 Всесоюзной конференции по люминесценции (Кишинев, 1976 г.), Всесоюзном совещании по технологии, процессам, аппаратам и качеству люминофоров и особо чистых веществ (Старополь, 1980 г.), ХХУ11 Всесоюзном совещании по люминесценции (Эзерниеке, 1980 г.), Всесоюзном совещании «Синтез, свойства, исследование и технология люминофоров для отображения информации» (Ставрополь, 1982 г.), У1 Всесоюзном совещании «Физика, химия и технология люминофоров (Ставрополь, 1989 г.), У11 Всесоюзномеждународном совещании «Физика, химия и технология люминофоров».

Ставрополь, 1992 г.), Третьей региональной конференции по микроэлектронике (Нижний Новгород, 1996 г.), Пятой международной.

13 конференции по изучению и технологии дисплейных люминофоров (Сан Диего, Калифорния, 1999 г.), Российской научно-практической конференции «Химия редких и редкоземельных элементов и современные материалы» (Томск, 2001 г.), Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2002 г.), Международной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск, 2002 г.), Второй Всероссийской конференции «Химия поверхности и нанотехнология», (Санкт-Петербург-Хилово), Втором Семинаре СО РАН-УрО РАН «Новые неорганические материалы и химическая термодинамика» (Екатеринбург, 2002 г.), международном симпозиуме SID-2003 (Балтимор, США, 2003 г.), международном семинаре «Display Optics 2004», международной конференции «Нанотехнологии — производству -2005» .

По материалам диссертации опубликовано 67 научных работы, включая 8 изобретений.

Личный вклад автора. Изложенные в диссертации результаты получены автором лично и в соавторстве с сотрудниками ВНИИ Люминофоров и особо чистых веществ, Московского Химико-Технологического института им. Д. И. Менделеева, LTD «SAMSUNG», Ленинградского завода «Красный Химик» и Северо-Кавказского государственного технического университета.

Основная часть научных исследований проведена по инициативе, при личном участии и под руководством автора. Участие автора состояло в постановке задач и целей исследований, проведении эксперимента разработке экспериментальных методик, проведении расчетов, обсуждении и интерпретации полученных результатов. Все работы по практическому применению результатов исследования проведены под руководством и личным участием соискателя.

6.9 Выводы:

1 Построена энергетическая модель люминофора Y203: Eu, отображающая основные каналы передачи энергии от основы к иону активатора. Установлена корреляция между интенсивностью низковольтной катодолюминесценции и концентрацией однозарядных вакансий кислорода.

2 Показано, что определяющее влияние на передачу энергии возбуждения центрам свечения оказывают ОКР. Для достижения максимальной эффективности катодолюминесценции их линейные размеры должны превосходить диффузионную длину носителей заряда в люминесцентном материале.

3 Фазовые неоднородности препятствуют эффективной миграции электронных возбуждений по кристаллу люминофора.

4 Легированием приповерхностных областей оксида иттрия РЗ ионами переменной валентности позволяет увеличить электронную проводимость и интенсивность низковольтной люминесценции.

5 Одной из причин деградации кислородсодержащих люминофоров в условиях продолжительной электронной бомбардировки экранов является десорбция кислорода из поверхностного слоя, приводящая к образованию кислородных вакансий.

6 Модифицирующие покрытия химическими соединениями, у которых расстояние между катионом и анионом меньше, чем у. оксида иттрия замедляют процесс деградации люминофора в условиях статического вакуума.

7 Метод горения обеспечивает получение люминофора с субмикронными размерами частиц и светоотдачей на уровне его крупнодисперсного аналога.

Заключение

и выводы.

В настоящей работе были решены задачи прогнозирования свойств и рассмотрены особенности физико-химических параметров ряда кислородсодержащих люминофоров, что позволило сформулировать некоторые общие правила формирования эффективных катодолюминофоров для низковольтных дисплеев:

1. Фактором эффективности HBKJI является размер ОКР. Его минимальное значение, которое обеспечивает максимальную светоотдачу катодолюминесценции при прочих равных условиях, должно превосходить двойную диффузионную длину носителей заряда.

2. Соединения, образованные на основе твердых растворов с ограниченной растворимостью не могут являться матрицами эффективных НВК люминофоров.

3. Причиной деградации люминофора в экранах низковольтных приборов является образование под действием адсорбированных на активных центрах поверхности люминофора остаточных газов и продуктов их взаимодействия с электронным лучом, образование избыточного количества анионных вакансий на поверхности, диффузия их внутрь кристалла.

4. Модифицирующее покрытие должно обеспечивать минимальную адсорбционную активность поверхности, выполнять роль буферного слоя, препятствующего диффузии собственных и примесных дефектов через приповерхностные области кристалла.

5. Эффективными модифицирующими покрытиями, замедляющими процесс деградации люминофора. в условиях статического вакуума для низковольтных катодолюминесцентных приборов, могут являться химические соединения, у которых расстояние между катионом и анионом меньше, чем у основы люминофора.

При исследовании конкретных соединений:

1. Разработаны физическая и энергетическая модели люминофоров SrTi03: Pr3+ SrTi03: Pr3+, Al, отображающие основные каналы передачи энергии от основы иону празеодима, а также предложен механизм влияния кристаллического окружения на метастабильность 4f состояний Рг3+.

2. Доказано существование двух типов центров свечения — с непрямой и прямой активацией. Первый стимулирует эмиссию в основном при переходе электронов из 'D2 (617 и 710 нм) терма, обусловленную фундаментальным поглощением О 2р Ti 3d t2g, второй — переходы электронов из 3Р группы.

3 3 3 3 уровней и возбуждается в активаторной полосе: JH4->T2 (450 нм), JH4->T,+ 'l6 (475 нм) и 3Н4-«3Р0 (490 нм).

3. Функция алюминия и обусловленных его присутствием кислородных вакансий в процессе формирования основы люминофора заключается в снятии внутренних напряжений в решетке титаната стронция. Следствием чего является подавление характерных для SiTiC^ дефектных плоскостей SrO и уменьшение межатомных расстояний, что приводит к эффективной передаче энергии от основы — центрам свечения.

4. Экспериментально доказано, что ассоциация PrSr* и MeTi', а также уменьшение расстояния Рг — О ' при наличии кислородных вакансий, создают благоприятное кристаллическое поле вокруг иона Рг3+, в котором вероятности 4f переходов перераспределяются в пользу 'Ог —> 3Н4 (617 нм) -наиболее результативного в данной среде излучательного перехода.

5. Экспериментально установлено, что создание дополнительного числа вакансий кислорода повышает степень их объединения в подзону, что понижает концентрацию локальных состояний V0″, являющихся центрами безизлучательной рекомбинации, и облегчает процесс захвата электрона возбужденным ионом Рг4+.

6. Проведенный анализ дефектного равновесия показал, что вакансии кислорода являются основным дефектом, управляющим растворимостью.

3″ Ь 2 избыточного диоксида титана, а также расстоянием.

PrJT — О, и формирующимся при внедрении акцепторной примеси (А1 или Ga) или понижении парциального давления кислорода при синтезе.

7. На основании построенных моделей разработаны технологические рекомендации и получены образцы высокоэффективного НВК люминофора SrTi03: Pr3+, Al, с уникальными яркостью — более 500 Кд/м2 (Ua = 300 В, j = 100 мкА/см) и цветовыми координатами X = 0.690 и Y = 0.310.

8. В результате комплексного изучения люминесценции и фотоэлектрических свойств галлата цинка предложена модель центров излучения, образованных ионами марганца в галлате цинка. Согласно этой модели, излучение происходит при переходе электронов с уровней.

2+ возбужденного состояния на уровни невозбужденного состояния иона Мп. При возбуждении в фундаментальной области люминесценция протекает по механизму Адировича.

9. Впервые проведенное исследование TCJ1 после возбуждения электронами низких энергий позволило обнаружить высвечивание с уровней, образованных физически адсорбированными ионами.

Ю.Примесь меди в оксиде цинка создает два канала безызлучательной рекомбинации: большое число мелких уровней захвата электронов и конкурирующий центр излучения с максимумом 730 нм с низкой энергией активации тушения люминесценции.

11. При введении в оксид цинка оксида магния происходит образование твердых растворов, что сопровождается увеличением ширины запрещенной зоны, удельного сопротивления, глубины залегания носителей тока смешение максимума спектра излучения в коротковолновую сторону и уменьшение яркости НВК люминесценции.

12. Причинами уменьшения яркости в ряду твердых растворов (ZnMg)O являются уменьшение размеров ОКР и числа анионных вакансий.

13. Легированием приповерхностных областей оксида иттрия РЗ ионами переменной валентности позволяет увеличить электронную проводимость и интенсивность низковольтной люминесценции.

14.

Введение

в состав люминофора собственных или примесных дефектов, имеющих донорный характер, увеличивает интенсивность низковольтной люминесценции, в том случае, если это способствует образованию.

9 5 2 свободных электронов в концентрации от 10″ до 10″ см" .

15. Метод горения обеспечивает получение люминофора с субмикронными размерами частиц и светоотдачей на уровне его крупнодисперсного аналога.

16. По результатам исследований для низковольтных катодолюминесцентных дисплейный устройств разработаны методы синтеза ряда люминесцентных материалов, из которых пять марок внедрены в промышленное производство.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.В. Катодолюминесценция, В 2 ч. Ч. I, II, /А.В. Москвин. -М. —Л.: Гостехтеоиздат, 1949. 409 с
  2. Leverenz H.W. Luminescence of solids 1950. -N-Y, p.587.
  3. Garlik F.J. Cathodoluminescence./ Garlik F.J. // Advances in electronics. -1950. -V.4.-№ 2.- P. 151−184.
  4. В.Л. Свечение активированных кристаллов / Левшин В. Л // УФН. 1951. — Т.43. — Вып. 3. — С. 426−484.
  5. В.Л. Изучение явлений люминесценции и развитие ее применения в Советском Союзе / Левшин В. Л // УФН. 1958. — Т. 64.-Вып. I. — С. 55−92.
  6. В.Л. Замечания о понятиях «Выход», «средняя длительность» и «закон затухания» и их применение / Левшин В. Л //Оптика и спектроскопия. 1961. — Т. II. — Вып. 3. — С. 363−368.
  7. Фок В. М. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров / Фок В. М М. Наука, 1964. — 284 с.
  8. Garlik G.F.J. Kathodoluminescence / Garlik G.F.J // Proceedings of the Institute of Radio Engineers. 1955. — V. 43. — № 12. — P. 1907−1911.
  9. Schon M. Le modeles des bandes dons les sulfures phosphorescents cristallins / Schon M // J.Phis.Radium. 1956. — V. 17. — № 8−9. P. 689−693.
  10. Schon M. Bemerkung zur Breite Emissionsbanden von Sulfidphosphoren / Schon M // Ann.Phisik. 1948. — V. 3. — P. 343−344.
  11. Klasens H.A. On the nature of fluorescent centers and traps in zinc sulfide / Klasens H. A // J. Electrochim. Soc. 1953. — V. 100. — № 2. — P. 72−80.
  12. Schon M. Zur Kinetik des Leuchtens von Sulfidephosphoren mit mehreren Aktivatoren / Schon M // Ann. Physik. 1948. — V. 3. — P. 333−342.
  13. Lembe J. Les modeles de centers luminogenes dans les sulfures / Lembe J., Klick G // J. physique Radium. 1956. — V. 17. — № 8−9. — P. 663−666.
  14. Gross G.E. dependence of the forbidden gap and luminescence groundstates of (ZnCd)S:Ag on the concentration of CdS / Gross G. E // Phys.Rev. -1959. V. 116. — № 6. — P. 1478−1480.
  15. M.K., Природа инфракрасной люминесценции (CdSe=1.2mkm) в монокристаллах и ее связь с фотопроводимостью / Шуйкман М. К., Ермакович И. Б., Беленький Г. Л. // Физика Твердого Тела. 1968. — Т. 10. — Вып. 6. — С. 1769−1772.
  16. Г. М., Спектроскопия кристаллов / Зверев Г. М М. Наука. -1975. с. 184.
  17. Prener J.S. Theorie des centers luminogenes du type douneur-accepteur associes / Prener J.S., Williams F. E // J. Physique Radium. 1956. — V. 17. № 8−9. — P. 667−672.
  18. Apple E.F., Associated douneur-accepteur luminescent centers in zinc sulfide phosphors / Apple E.F., Williams F. E // J.Electrochem. Soc. 1959. -V. 106.-№ 3.-P. 224−230.
  19. Э.И. К кинетике последовательных реакций / Адирович Э. И //Докл. АН СССР. 1948. — Т. 61. — № 3. — С. 467−470.
  20. Э.И. Элементарный закон затухания кристалло-фосфоров и явление холодной вспышки (дисс. на соискание ученой степени доктора физ.мат. наук) / Адирович Э. И // Труды ФИАН СССР. 1950. -Т. 5. — С. 387−498.
  21. Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждениях, — Излучательная рекомбинация полупроводниковых кристаллах / Воронов Ю. В // Тр. ФИАН СССР. 1973. — Т. 68. — С. 3−94.
  22. И.С. Электронно-оптические телевизионные трубки. / Катаев И. С. М., Знание. — 1936. — 152 с.
  23. Khrenberg W. The penetration of electrons into Luminescent materials / Khrenberg W., Franks J // Proc. Phys. Soc.- 1953. V.66. Pt. 1 2. № 408. P. 1057- 1066.
  24. Young J.R. Penetration of electrons and ions in aluminium / Young J. R // J. Appl. Phys. 1956. — V. 27. — № 1. — P. 1- 4.
  25. А.Я., Махов А. Ф. Поглощение и пробеги электронов в твердом теле / Вятский А. Я., Махов А. Ф // Физика Твердого Тела. -1960. Т. 2. — Вып. 5. — С. 887−893.
  26. Н.С. Оптические процессы в полупроводниках / Панков Н. С М., Мир.1 973.-275 с.
  27. И.М. О пробеге киловольтных электронов в твердых телах / Бронштейн И. М., Фрайман Б. С. // Физика Твердого Тела. 1961. — Т. 3. -Вып. 4.- С. 1122−1124.
  28. Kanter Н. Electron scattering by thin foils for energies below 10 keV / Kanter H. // Phys. Rev. -1961. V. 121. — № 2. — P. 461 -471.
  29. О.Ф. О проникновении электронов в твердые тела. 1 Интенсивность электронного пучка. Поперечные пробеги электронов / Махов О. Ф // Физика Твердого Тела. 1960. — Т. 2. — Вып. 9. — С. 21 612 171.
  30. Aldeu E.D., Electron penetration and scattering in phosphors / Aldeu E.D., Rollers L. R // Phys. Rev. -1951. V. 83. — № 3. — P. 684 -685.
  31. Электронномикроскопические исследования микродефектов и треков заряженных частиц в ионных кристаллах // Радиационная физика Шварц К. К., Экманис Ю. А. Рига- 1967, «Зинатне» — Т. 5. — С. 259−295.
  32. А.О. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела / Шульман А. О. Фридрихов С. А М., Наука, 1977 — 551с.
  33. Комолов, С. А Длина свободного пробега медленных электронов в тонких пленках CdS / Комолов С. А., Герасимов Н. Б // Физика Твердого Тела. 1978. — Т. 20. — Вып. 12. — С. 3567−3569.
  34. К.В. Физика полупроводников / Шалимова К. В М.: Энергия. 1971.-311 с.
  35. В.В. Диффузионные смещения экситонов и электронов в кристалле сульфида кадмия / Кременко В. В., Матюшин Э. В // Физика Твердого Тела. 1964. — Т. 8. — Вып. 2. — С. 409−413.
  36. Gergely G. On the range of energy propagation in phosphors / Gergely G // Phys. Status Solidi. -1961. V. 1. — № 3. — K49 — K52.
  37. Gergely G. Surface recombinationand diffusion proceses in cathodoluminescence electron bombardment induced conductivity / Gergely G // J. Phys. Chem. Solids. 1960. — V. 27. — № 1 -2. — P. 112 -116.
  38. Mark P. Ambipolar diffusion of free carrier in insulating CdS crystals / Mark P // Phys. Rev. 1965. — V. 136. — № 1 A. — P. 203 — 210.
  39. .П. Особенности поверхностной люминесценции окиси цинка / Дмитриев Б. П., Вескер Л. И., Кронгауз В. Г // Сб. трудов ВНИИЛ «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». -1973.-Вып. 8.-С. 54−58.
  40. Ю.М. Влияние быстрых электронов на запасенную светосумму при катодолюминесценции / Попов Ю. М // Оптика и спектроскопия. -1959 Вып. 7 — С. 697−702.
  41. Leeuw D.M. Method for analysis of saturation effects of cathodoluminescence in phosphors: applied to Z^SiO^Mn and Y3Al50i2: Tb / Leeuw D.M., Hooft G. W // J. Luminescence. 1983. — V. 29. — № 3.-P. 275−300.
  42. Bril A. On the saturation of fluorescence with cathode-ray excitation / Bril A //Physica.- 1949.-V. 15. -№ 3−4. P. 361 -379.
  43. Ю.М. Особенности катодолюминесценции при больших плотностях возбуждения / Попов Ю. М // Изв. АН СССР. 1961. — Т. 25. — № 3. — С. 405 -408.
  44. Gergely G. The influence of excitation conditions on the dead voltage of phosphors / Gergely G // Acta Phys. Hung. 1961. — V. 12. — P. 253 — 255.
  45. Dowling P.H. Saturation of voltage effects in cathodoluminescence / Dowling P.H., Sewell J. E // J. Electrochem. Soc. 1953. — V. 100. — № 1. -P. 22−23.
  46. Определение потенциала начала свечения катодолюминофоров / Суховой Н. М., Вескер Л. И., Лихачева Л. П., Ведехин А. Ф // Сб. трудов ВНИИЛ «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». -1975.-Вып. 13.-С. 103 105.
  47. Properties of ZnO contaning phosphors under low voltage cathode ray excitation / Hiraki M., Kagami A., Hase Т., Narita K., Mimura Y. // J. Luminescence. 1976. — V. 2912/13. — № 3. — P. 986 — 991.
  48. .В. Функции возбуждения низковольтной катодолюминесценции / Абалдуев Б. В., Градек К. К // Электрон. Техника. Сер. 4. 1973. — Вып. 7. — С. 3 — 7.
  49. Н.П. Барьерная катодолюминесценция и некоторые возможности ее использования / Сощин Н. П // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1971. — Т. 35. — № 7. — С. 1487 -1490.
  50. Brown Т.В. Brightness of cathodoluminescence of low current densities and low voltage / Brown T. B // J. Opt. Soc. America. 1937. — V. 27. — P. 186 -192.
  51. Gergely G. On the voltage dependence о cathodoluminescence / Gergely G // Acta Techn. Acad. Scient. Hung. 1961. — V. 33. — № 1 -2. — P. 135 — 141.
  52. В.Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках / Киселев В. Ф., Крылов О. В М.- Наука, 1979.-236 с.
  53. А.Д. Установка для измерения скорости поверхностной рекомбинации полупроводников методом катодолюминесценции / Корнифский А. Д, Мусатов А. Л // Приборы и техника эксперимента. -1963.-№ 1.-С. 163 165.
  54. Т.Н. Функции возбуждения люминесценции кристаллофосфоров электронами энергий 100 500 эВ / Трофимова Т. И // Труды ФИ АН ЭССР. — 1969. — Т. 35. — № 5. — С. 175 — 195.
  55. Wachter P. Anregung ven Zinkoxid durch langsame Elektronen / Wachter P HZ. Phys.-1961.-B. 161.-№ l.-P. 63 -73.
  56. Shrader R.K. Excitation of zinc oxide phosphors by low-energy electrons / Shrader R. K, Kaisel S. F // J. Opt. Soc. America. 1954. — V. 44. — № 2. — P. 135 — 139.
  57. Narita K. Behaior of phosphors under low voltage cathode ray excitation / Narita K, Kagami A, Mimura Y // J. Luminescence. 1980. — V. 127. — № 8.-P. 1784- 1789.
  58. Pennerbaker W.B. Low-energy cathodoluminescence of ZnO: the ZnO plasma display / Pennerbaker W. B, O’Hanlon // J. Appl. Phys. 1974. — V. 45. — № 3. — P. 1315- 1322.
  59. Kargoninsky Y. An electron energy less spectroscopy study of the conductivity of polar ZnO substances / Kargoninsky Y // Surface Science. -1980.-V. 94.-№ 1. L167 -L170.
  60. Kiyoshi Morimoto, Trends in vacuum fluorescents displays / Kiyoshi Morimoto, Thomas L. Pykoss // SAM Techn. Pap. Ser. 1982. — N8. — P. 69 -76.
  61. Д. Элементарные возбуждения в твердых телах / Пайнс Д М.- Мир. 1965. -262 с.
  62. .В. Низковольтные катодолюминофоры / Абалдуев Б. В // Электронная промышленность. 1982. — Вып. 5−6. — С. 81 — 87.
  63. Schon M. Uber die Stralungslosen Ubegange der Elektronen in Gitter der Krystallphosphoren / Schon M // Techn. Wiss. Abhandl. Osram-Ges. -1953.-V. 6.-P. 549−568.
  64. Ozawa, L. Cathodoluminescence theory and applications. / Ozawa L VCH Publishers- New York. — 1990. — 134 P.
  65. Garlick, G. F. J. The kinetics and efficiency of cathodoluminescence / Garlick G. F. J. // Brit. J. Appl. Phys. 1962. — V. 13. — P. 541 — 547.
  66. Kingsley, J. D. The efficiency of cathode-ray phosphors. Correlations with other properties / Kingsley J. D. and Ludwig G. W // J. Electrochem. Soc.-1970.-V. 117.-P. 353−361.
  67. Gergely, G. Surface recombinations and diffusion processes in cathodoluminescence and electron bombardment-induced conductivity / Gergely, G // Phys. Chem. Solids. 1960. — № 17. — P. 112 — 116.
  68. Robbins, D. J. On predicting the maximum efficiency of phosphor systems excited by ionizing radiation / Robbins D. J // J. Electrochem. Soc. 1980. -V. 127.-P. 2694−2707.
  69. Phillips, M. L. F. Proc. SPIE, / Phillips M. L. F 2408. 1994. — P. 201 -203.
  70. McKittrick J., Hoghooghi В., Dubbelday W., Kavanagh K., Kinsman K., Shea L., and Sluzky E // Mater. Res. Soc. Proc, 1994. 348. — P. 519 — 521.
  71. Morehead, F. Comment on «Random-walk model of energy transfer in cathodoluminescence / Morehead F // Phys. Rev. 1978. — B. 17. — P. 3432 -3436.
  72. Ohno, K. The synthesis and particle growth mechanism of bright green phosphor YAG: Tb / Ohno K. and Abe T // J. Electrochem. Soc. 1994. — V. 141.-P. 1252−1255.
  73. Yoo J. S. and Lee J. D // Asia Display, 1995, p. 647 649.
  74. , B.C. Действие излучений на полупроводники / Вавилов В. С -М.- Физматгиз. 1963. 264 с.
  75. , В.А. Изменение проводимости сернистого кадмия при облучении его электронами / Архангельский В. А, Бонч-Бруевич А. М // Докл. АН СССР. 1951. — Т. 77 — № 2. — С. 229 — 232.
  76. , В.А. Кинетика начальных стадий релаксации наведенных явлений в кристаллофосфорах и полупроводниках / Архангельский В. А, Бонч-Бруевич A.M., Толстой Н. А. // Изв. АН СССР. 1951. — Т. 15. — № 6. — С. 695 — 706.
  77. Ли Чжин-цзень. Зависимость наведенной проводимости от энергии электронов в слоях сульфида и селенида кадмия при бомбардировке медленными электронами / Ли Чжин-цзень // Физика Твердого Тела. -1959.-Т. 1. -Вып.1. С. 77−81.
  78. Кот, М. В. Поперечная катодопроводимость кристаллов в тонких слоях некоторых соединений типа AHBVI / Кот М. В, Симашкович А. В // Радиотехника и электроника. 1962. — Т. 7. — № 9. — С. 1672 — 1679.
  79. , Б.В. Некоторые особенности низковольтных катодолюминофоров / Абалдуев Б. В // Электрон. Техника. Сер.4. -1972.-Вып. 1.-С. 12−15.
  80. Низковольтные катодолюминофоры и особенности их исследования / Галактионов С. С., Турецкая З. И., Воробьев А. Н., Ткачев А. В. // Труды МХТИ им. Д. И. Менделеева. 1981. — № 120. С. 63 — 93.
  81. Klein С.A. Bangap dependence and related features of radiation of ionization energies in semiconductors / Klein C. A // J. Appl. Phys. 1968. -V. 39. — № 4. — P. 2029−2038.
  82. .В. Низковольтная катодолюминесценция / Абалдуев Б. В // Обзоры по электронной технике. М.- 1977. — Вып. 1. Сер. 4. -Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 32 с.
  83. , А.Ф. Изменение электропроводности катодолюминофора ZnO:Zn в процессе обезгаживания / Ведехин А. Ф., Лукьянченко Н. Н., Суховой Н. М II Сб. трудов ВНИИЛ «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». 1974. — Вып. 10. — С. 116−118.
  84. Низковольтная котодолюминесценция и ее применение / Абалдуев Б. В. //: тезисы докл. 25 совещания по люминесценции АН СССР (Львов 20 -23 сентября 1978 г.). Львов. ГУ. 1978.-С. 233.
  85. , Ю.В. О нагревании и тепловом излучении люминофора при возбуждении электронным пучком / Воронов Ю. В, Тимофеев Ю. П. // Журнал прикладной спектроскопии. 1964. — Вып. 1. — С. 15 — 20.
  86. A new red-emitting phosphor SrTi03: Pr3+ for low voltage electron exitation /Toki H, Sato Y, Tamura K, Kataoka F, and Itoh S. // In Proceedings of the Third International Display Workshop. Japan. 1996 V. 2. — P. 519 -520.
  87. Itoh, S. A new red-emitting phosphor SrTi03: Pr3+ for low voltage electron exitation / Itoh S, Toki H, Tamura K. and Kataoka F // Jpn. J. Appl. Phys. -1999.-V. 38.-P. 6387−6391.
  88. Yamamoto, H. Luminescence of rare-earth ions in perovskite-type oxides: from basic research to applications / Yamamoto H, Okamoto S, Kobayashi H // J. Lumin. 2002. — V. 100 — P. 325−332.
  89. Louie, S. G. Local field effects in the optical spectrum of silicon / S. G. Louie, J. R. Chelikowski, and M. L. Cohen. // Phys. Rev. Lett. 1975. — V. 34.-P. 155−157.
  90. Groot M. F., Faber J., Michiels J. J. M., Czyzyk M. Т., Abbate M., and Fuggle J. C. // Phys. Rev. 1993. — В 48. — P. 2074−2078.
  91. Van Benthem, K. French R. H. Bulk electronic structure of SrTi03: Experiment and theory / Van Benthem K. and Elsasser C, French R. H // J. Appl. Phys. 2001. — V. 90. — № 12. — P. 6156−6154.
  92. Chan, N. H. Nonstoichiometiy in SrTi03 / Chan N. H, Sharma R. K, and Smyth D. M // J. Electrochem. Soc. 1981. — V. 128, № 8. — P. 1762−1769.
  93. Gandy W. Optical transmission of heat-treated strontium titanate / Gandy W // Phys. Rev. 1959. — В 113. — P. 795−799.
  94. , Г. А Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Смоленский, Г. А, Боков В. А, Исупов В. А, Крайник Н. Н, Пасынков Р. Е, Шур М. С. М.- Наука. 1971. — 230 с.
  95. Rushman, D. F. The effective permittivity of two-phase system / Rushman D. F., Strivens M. A // Proc. Phys. Soc. (London). 1947. — В 59. — P. 1011−1014.
  96. , Г. А. Новые сегнетоэлектрики / Смоленский Г. А // ДАН СССР.- 1950.-Т. 70.-С. 405.
  97. Roth R. S. Classification of perovskite other AB03 type compounds / Roth R. S // J. Res. Nat. Bur. Stand. — 1957. — V. 58. — P. 75−83.
  98. Riami, L. Electron paramagnetic resonance of trivalent gadolinium ions in strontium and barium titanate / Riami L., De Mars G. A // Phys. Rev. -1962. -V. 127.-P. 702−706.
  99. , Г. А. Сегнетоэлектрические свойства некоторых титанатов и цирконатов двухвалентных металлов, имеющих структуру типа перовскита / Смоленский Г. А // ЖТФ. 1950. — Т. 20. — С. 137 140.
  100. Sawaguchi, Е. Microscopic examination of SrTi03 at low temperatures / Sawaguchi E., Kikuchi A., Kodera J // J. Phys. Soc. Japan. 1963. — V. 18. -P. 459−466.
  101. Kahn, H. Electronic energy bands in strontium titanate / Kahn H., Leyendecker A. J//Phys. Rev.- 1964.-V. 135.№ 5A.-P. 1321−1325.
  102. Mattheis, L. F. Energy bands for KNiF3, SrTi03, KMo03 and KTa03 / Mattheis L. F. // Phys. Rev. 1972. -V. 34. — P. 4718−4727.
  103. Cardona M. Optical properties and band structure of SrTi03 and BaTi03 / Cardona M //Phys. Rev. 1965. -V. 140, 2A. — P. 651−658.
  104. Veith, H. Die leitfahigkeit von barium titanat unter sauerstoff bei holen temperaturen / Veith H. // Zt. angew. Phys. 1965. -V. 20. — № 1. -P. 1619.
  105. Kosek, F. On high temperature conductiving of BaTi03 / Kosek F. and Arend H //Phys. Stat. Sol. 1967. — V. 24. — № 1. — P. 69−71.
  106. Long, S. A. Ti-rich nonstoichiometric ВаТЮз. High temperature electrical conductivity measurements / Long S. A. and Blumenthal R. N // J. Amer. Ceram. Soc. 1971. — V, 54. — № 2. — P. 515−522.
  107. Seuter, M. J. H. Defect chemistry and electrical transport properties of barium titanate / Seuter M. J. H // Philips Res. Rep, Suppl. 1974. — V. 3. -№ 1.-P.3−5.
  108. Daniels, J. Defect chemistry and electrical conductivity of doped barium titanate ceramics / Daniels J. and Hardtl К. H // Philips Res. Rep. 1976. -V.31.-P. 489−497.
  109. Eror, N. G. Nonstoichiometric disorder in single crystalline BaTi03 at elevated temperatures / Eror N. G. and Smyth D. M // J. Solid State Chem. -1978.-V. 24.-P. 235−238.
  110. Walters, L. C. Formations of point defects in strontium titanate / Walters L. C. and Grace R. E // J. Phys. Chem. Solids. 1967. — V. 28. — P. 239−244.
  111. Yamada, H. Point defects in reduced strontium titanate / Yamada H. and Miller G. R. // J. Solid State Chem. 1973. — V. 6. -№ 1. — P. 169−177.
  112. Ueda, I. Oxidation phenomena in semiconducting BaTi03 / Ueda I, Ikegami S // J. Phys. Soc. Japan. 1965. — V. 20. — № 2. — P. 546−550.
  113. Mac Chesney, J. B. Factors and mechanisms affecting the positive temperature coefficient of resistivity of barium titanate / Mac Chesney J. B, Pol ler J. F // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. — V. 48. — № 1. — P. 81−90.
  114. Ashida, T. The effect of additives and of ambient atmosphere during heating on the electrical resistivity of semiconducting BaTi03 / Ashida Т., Toyoda H // Japan J. Appl. Phys. 1966. -V. 5. — № 2. — p. 269−274.
  115. Chan, N. H. Defect chemistry of BaTi03 / Chan N. H. and. Smyth D. M // J. Electrochem. Soc. 1976.-V. 123.-№ 8-P. 1584−1592.
  116. Relations between concentrations of imperfections in crystalline solids. / Kroger F. A. and Vink H. J // Solid State Physics, F. Seitz and D. Turnbull: Editors. Academic Press, New York. 1956. — V. 3. — P. 307−435.
  117. Kahn, M. Influence of grain growth on dielectric properties of Nb-doped SrTi03 / Kahn M //J. Amer. Ceram. Soc. 1971 — V. 54. — № 3 — P. 455 458.
  118. Wernicke, R. Defect chemistry and electrical conductivity of doped barium lantana ceramics. Part IV. The kinetics of equilibrium restoration in barium titanate ceramics / Wernicke R // Phillips Res. Rep. 1976. — V. 31. № 6. -P. 526−530.
  119. Paladino, A. E. Oxygen ion diffusions in single crystal SrTi03 / Paladino A. E., Rubin L. G., and Waugh J. S // J. Phys. Chem. Solids. 1965. -V. 26. -№ 2.-P. 391−398.
  120. Paladino, A. E. Oxydation kinetics of single crystal SrTi03 / Paladino A. E // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. -V. 48. — P. 476−480.
  121. Perluzzo, G. Hall mobility in strontium titanate at high temperatures / Perluzzo G. and Destry J // Can. J. Phys. 1976. -V. 54. — P. 1482−1484.
  122. Gerthsen, P. Mobility determinations from weight measurements in solid solutions of (Ba, Sr) Ti03 / Gerthsen P., Hardtl К. H. and Csillag A // Phys. Stat. Sol. 1972.-V. 13-A.-P. 127−131.
  123. Ihrig, H. On the polaron nature of the charge transport in BaTi03 / Ihrig H // J. Phys. 1976. — V. 9. — P. 3469−3475.
  124. Anderson, J. S. Surface and Defect Properties of Solids / Anderson J. S. and Tilley R. J. D // The Chemical Society London. 1974. -V. 3. — P. 1−56.
  125. Tilley, R. J. D. An electron microscope study of perovskite related oxides in the Sr-Ti-0 system / Tilley R. J. D // J. Solid State Chem. 1977. — V. 21. -P. 293−301.
  126. Tilley R. J. D. Inorganic Chemistry / Tilley R. J. D // Int. Rev. Sci. Series I, Bulterworths. London. — 1972. -V. 10. — P. 279−313.
  127. Stone, F. S. Reactivity of Solids / Stone F. S. and Tilley R. J. D / (J. S. Anderson, Eds.) / Chapman and Hall, London. 1972. — P. 262−266.
  128. Hyde, B. G. Cation diffusion in metal oxides / Hyde B. G / /Nature. 1974. -V. 250.-P. 411−412.
  129. Samara, G. A. Pressure and temperature dependence of the static dielectric constants and Raman spectra of Ti02 (rutile) / Samara G. A. and Peercy P. S. //Phys. Rev.- 1973.-V. 7.-P. 1131−1148.
  130. , M. В Phase transitions in tungsten trioxide at low temperatures/ Lefkowitz, Dowell M. B, and Shields M. A //J. Solid State Chem. 1975. -V. 15.-№ l.-P. 24−39.
  131. Jonker, G. H. Some aspects of semiconducting barium titanate / Jonker G. H // Sol. State Electron. 1964. -V. 7. — P. 895−905.
  132. Heywang, W. Barium titanate as a semiconductor with blocking layers / Heywang W//Sol. State Electron. 1961. — V. 3.-№ 1. — P. 51−66.
  133. Heywang, W. Derverlanf des komplexen widerstandes von ВаТЮз kaltleiter abs bestatigung des sperrschicht / Heywang W // Zt. f. angew. Phys. 1963.-V. 16, -№ l.-P. 1−12.
  134. Heywang, W. Resistivity enomaly in doped barium titanate / Heywang W // J. Amer. Ceram. Soc. 1964. — V. 47. — № 3. — P. 484−489.
  135. Ueda, I. Oxidation phenomena in semiconducting BaTi03 / Ueda I, Ikegami S // J. Phys. Soc. Japan. 1965. — V. 20. -№ 3. — P. 546−561.
  136. Berglund, C. N. Electron transport in single domain, ferroelectric barium titanate / Berglund C. N, Baer W. S // Phys. Rev. 1967. — V. 157. — № 2-P. 358−369.
  137. Jonker, G. H. Halogen treatment of barium titanate semiconductors / Jonker G. H // Mat. Res. Bull. 1967. — V. 2. — P. 401 -407.
  138. Mac Chesney, J. B. Factors and mechanisms affecting the positive temperature coefficient of resistivity of barium titanate / Mac Chesney J. B, Pol ler J. F // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. — V. 48. — № 1. — P. 81−94.
  139. Brauer, H. Zur frage der oberflachenterme in ВаТЮз kaltleitern / Brauer H // Zt. f. angew. Phys. — 1967. — V. 23. — № 2. — P. 373−375.
  140. Kirkpatrick, E. S. Strong axial electron paramagnetic resonance spectrum of Fe3+ in SrTi03 due to nearest-neighbor charge compensation / Kirkpatrick E. S., Muller K. A., and Rubins R. S //Phys. Rev. 1964. -V. 135.-№ 3.-P. 486−502.
  141. Wertz, J. E. Doubly-associated cation-vacancy centers in magnesium oxide / Wertz J. E. and P. V. Auzins // J. Phys. Chem. Solids. 1967. — V. 28. — P. 1557−1576.
  142. Henderson, P. P. Some studies of Cr3+ ion and Mn4+ ions in magnesium oxide / Henderson P.P. and Hall Т. P. P // Proc. Phys. Soc. 1967. — V. 90. -P. 511−519.
  143. Von Waldkirch, Analysis of the Fe3±V0 center in the tetragonal phase of strontium titanate / Von Waldkirch, Muller K. A., and Berlinger W // Phys. Rev. 1972. — V. 80. — P. 4324−4341.
  144. Siege, 1E. Structure of transition-metal-oxygen-vacancy pair centers / Siegel E., Muller К. A // Phys. Rev. 1977. — В19. — P. 109−120.
  145. Newman D. J. Theory of lanthanide crystal fields / Newman D. J. // Adv. Phys.-1971.-V. 20.-P. 197−212.
  146. Schirmer, O. F. Electron-spin resonance and optical identifications of Fe4±V0 in SrTi03 / Schirmer O. F., Berlinger W., and Muller К. A // Solid State Commun. 1975. — V. 16. — P. 1289.
  147. Примесные центры в керамике титаната бария, легированного редкоземельными ионами / Корниенко С. М., Быков И. П., Глинчук М. Д., Лагута В. В., Белоус А. Г., Ястрабик Л // ФТТ. 1999. — Т 41. — Вып. 10. -С. 1838−1842.
  148. С. Н., Chadi D. J. //Phys. Rev. 1998. -B57. — P. 13 961−13 984.
  149. Controlled-valency semiconductors / Verwey E. J. W., Haaijman P. W., Romeijn F. C., Van Osterhout G. W. // Phillips Res. Rep. 1950. — V. 5. -P. 173−189.
  150. Verwey E. J. W. New ceramics materials / Verwey E. J. W // Bull. Soc. Chim. France. -1949.- D. P. 122−128.
  151. И. Т. Терморезисгоры./ Шефтель И. Т М, Наука. 1973. 250 с.
  152. Пат № 923 350. ФРГ / Haayman P. W., Dam R. W., Klassens. А. Н. -1955.
  153. Sauer, Н. A. Positive temperature coefficient of resistance thermistor materials for electronic application / Sauer H. A, Flaschen S. S // Proc. Electr. Corp. Symp. 7 th. Washington. 1956. — D. C. — P. 41−52.
  154. Электрофизические и радиоспектроскопические исследования титаната бария с добавлением окислов трехвалентных элементов / Ротенберг Б. А, Данилюк Ю. JI, Гиндин Е. И, Прохватилов В. Г. // ФТТ. 1965. -Т.7.-С. 3048−3061.
  155. Данилюк, Ю. JI, Магнитное исследование валентных состояний ионов титана и некоторых примесных ионов в титанате бария / Данилюк Ю. Л Кандидатская диссертация, ЛЭТИ, Л. — 1967.
  156. , Б. А. О природе возникновения полупроводниковых свойств в легированном титанате бария / Ротенберг Б. А, Данилюк Ю. Л // Изв. АН СССР, Сер. Физ. 1967. — Т. 31. — С. 1824−1829.
  157. Sauer, Н. A. Processing of positive temperature coefficient thermistors / Sauer H. A, Fisher J. R // J. Amer. Ceram. Soc. 1960. — V. 43. — p. 297 308.
  158. Johnston, W. D. LaxBai. xTi03 system / Johnston W. D, Sestrich D // J. Inorg. Nucl. Chem. 1961. -V. 20. — P. 32−43.
  159. Kainz J. Die dielektrischen eigenschaften des systems barium-strontium-lanthan-titanat / Kainz J // Ber. Deutsch. Keram. Ges. 1958. — V. 35. — P. 69−75.
  160. А. И, Лейкина Б. Б, Дедегкаев Т. Т.// Электронная техника, сер. 4. 1969. — № 4, (20). — С. 83−89.
  161. , А. Ф. Зондирование кристаллической решетки ВаТЮ3 редкоземельными ионами / Яценко А. Ф., Рабкин JI. М // Изв. АН СССР, Сер. Физ. 1960.-Т. 24.-С. 1314−1317.
  162. Makishima, S. Luminescence of Sm3+ in BaTi03 matrix / Makishima S., Hasegawa K., Shionoya S //J. Phys. Chem. Solids. 1962. — V. 23. — P. 749−754.
  163. Takeda, T. Electron spin resonances in reduced BaTi03 / Takeda Т., Watanabe A //J. Phys. Soc. Japan. 1966. — V. 21. — P. 267−270.
  164. , Ю. И. Электрические свойства поликристаллического титаната бария, модифицированного лантаноидами / Гольцов Ю. И., Богатин А. С., Прокопало О. И // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1967. — Т. 31.-С. 1821−1827.
  165. Текстер-Проскурякова, Г. Н. Полупроводниковые титанаты бария-стронция с положительным температурным коэффициентом сопротивления / Текстер-Проскурякова Г. Н., Шефтель И. Т // ФТТ. -1963.-Т. 5.-С. 3463−3471.
  166. Ikegami, S. Semiconductive single crystals of BaTi03 reduced in hydrogen atmosphere / Ikegami S., Ueda I. // J. Phys. Soc. Japan. 1964. — V. 19. -P. 159.
  167. Zitkova, J. The elektron paramagnetic resonance in reduced BaTi03 crystals / Zitkova J., Zdansky K., Sroubek Z // Czech. J. Phys. 1967. — В17. — P. 636−649.
  168. Sroubek, Z. The paramagnetic resonance of an F center in nonstoichiometric ВаТЮз / Sroubek Z., Zdansky К // Czech. J. Phys. 1963. — B13. — P. 309 317.
  169. Nomura, S. Direct-current resistance of barium titanate and its solid solutions in ceramic materials / Nomura S, Sawada S // J. Phys. Soc. Japan.- 1950. -V. 5. P. 227−231.
  170. Berglund, C. N. Optical absorption in single domain, ferroelectric barium titanate / Berglund C. N, Braun H. J // Phys. Rev. 1967. — V. 164. — P. 790−802.
  171. FrederiKse, H. P. R. Electronic transport in strontium titanate / Frederkse H. P. R, Thurber W. R, Hosier W. R // Phys. Rev. 1964. — V. 134, 2A. -p. 442−449.
  172. Tufte, O. N. Electron mobility in semiconducting strontium titanate / Tufte O. N., Chapman P. W. // Phys. Rev. 1967. — V. 155. — P. 786−793.
  173. Saburi O. Properties of semiconducting barium titanates / Saburi О // J. Phys. Soc. Japan. 1959. — V. 14. — P. 1159−1170.
  174. Gerthsen, P. Hardtl К. H. Halbleitereigenschaften des BaTi03 im polaronenbild / Gerthsen P, Groth R, Hardtl К. H //Phys. Stat. Sol. 1965. -V. 11.-P. 33−38.
  175. Reik, H. G. The small polaron problem with an application to optical and DC data of refused barium titanate / Reik H. G, Heese D // Phys. Stat. Sol.- 1967. -V. 24.- P. 281−289.
  176. , Э. В. Поляронный механизм проводимости в ВаТЮз / Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г., Старов Э. Н // Изв. АН СССР, Сер. Физ.-1971.-Т. 35.-С. 1961−1974.
  177. Keller, S. P. Optical spectra of rare earth activated BaTi03 / Keller S. P. and Pettit G. D//J. Chem. Phys. 1959. -V. 31. — P. 1272−1278.
  178. Yamamoto, H. Vibronic structure in luminescence spectra of rare earth ions in БгТЮз, ВаТЮз and other perovskites / Yamamoto H., Makishima S., Shionoya S //J. Phys. Soc. Japan. 1967. -V. 23. — P. 1321−1329.
  179. Chivian, J. S. The photon avalanche. A new phenomenon in Pr3+ based infrared quantum counter Chivian J. S, Case W. E, Eden D. D // Appl. Phys. Lett. — 1979. — V. 35. — № 2. — P. 124−133.
  180. Koch M. E, Kueny A. W, Case W.E. // Appl. Phys. Lett. 1990. — 56 (12). -p. 1083−1089.1. Л I
  181. Piper, W. W. Cascade fluorescent decay in Pr doped fluorides: achievement of a quantum yield greater than unity for emission of visible light / Piper W. W, deLuca J. A., Ham F. S // J. Lumin. — 1974. — V. 8. — № 2. — P. 344−354.
  182. Bowlby, В. E. Applications of the Judd-Ofelt theory to the praseodymium ion in laser solids / Bowlby В. E, Bartolo В .D. // J. Lumin. 2002. — V. 100.-№ l.-P. 131−139.
  183. Judd, B. R. Optical absorption intensities of rare-earth ions / Judd B. R // Phys. Rev. 1962. — V. 127. — P. 750−779.
  184. Зависимость силы линий электрических дипольных f f переходов отл 1энергии мультиплетов иона Рг в YAIO3 / Дунина Е. Б, Каминский А. А, Корниенко А. А, Курбанов К, Пухов К. К. // ФТТ. 1990. — Т. 32. № 5.-С. 1568−1579.
  185. Sharma, К. K. NMR Measurement of the hyperfine constant of an exited state of an impurity ion in a solid / Sharma К. K, Erickson L. E // Phys. Rev. Lett. 1980. — V. 45. — P. 294−299.
  186. Macfarlane R. M, Shelby R. M, in: Kaplyanskii A. A, Macfarlane R. M. (Eds.), Spectroscopy of Solids Containing Rare Earth Ions, North Holland, Amsterdam.- 1987.-P. 51−56.
  187. Shelby, R. M. Optically detected nuclear resonance of exited and ground states of YP04: Pr3+ / Shelby R. M., Burum D., Macfarlane R. M // Opt. Commun. 1984. — V. 52. — P. 283−297.
  188. R.W., Cone R.L., Macfarlane R.M. / Phys. Rev. 1995. — B52. -P. 3963−3980.
  189. Macfarlane R.M., Konz F., Sun Y., Cone R. L. // J. Lumin. 2000. — 86. -P. 311−321.
  190. Okuno Т., Suemoto Т.//J. Lumin. -1996. -66/67.-p. 179−185.
  191. Luminescence properties of (La, Pr)2Ti207 / Diallo P. Т., Boutinaud P., Mahiou R., Cousseins J. C. // Journal of Alloys and Compounds. 1998. -V. 277.-P. 307−310.
  192. Hoffmann, C.W. Compaund formation and Mn2± activated luminescence in the binary systems R2 and R2-Ga203 / Hoffmann C.W., Brown J. J // J. Inorg.Nucl. Chem. 1968.- V. 30. — № 1 — P. 63 — 79.
  193. Панах-Заде, С.А. К изучению взаимодействия окиси галлия с окислами никеля, кобальта, меди, цинка и кадмия / Панах-Заде С. А. Плющеев В.Е., Варфоломеев М. В. // Ж.Н.Х. 1970. — Т. 15. — Вып. 6. — С. 1702 -1703.
  194. Wanmaker, W.L. Luminescence of gallats / Wanmaker W.L., ter Vrudt J. W // J. Electrochem. Soc. 1969.- V. 116. — № 6 — P. 871 — 872.
  195. Wanmaker, W.L. Luminescence of same gallium containing compounds / Wanmaker W.L., ter Vrudt J. W // Philips Res. Reports. 1969/ - V. 24. — P. 201 -209.218. Патент № 4 100 454 США.
  196. Патент № 160 869 Голландии.1. A I220.. The Luminescence of Mn -Activated ZnGa204 / S.H.M. Poori, D. Ceiln, A. Meijerink, G. Blaase // J. Electrochem. Soc. 1997. — V. 144. — № 6. — P. 2179−2183.
  197. Su-Hua Yang, Improvement of Cathodoluminescence for ZnGa204 Phosphor by Second Fired Process / Su-Hua Yang, Meiso Yokoyama // J. Appl.Phys. 1997. — V. 36. -Pt. 1. — № 8. — P. 5146 — 5150.
  198. Sampath, S.K. Electronic structure of spinel oxides: zinc aluminate and zinc gallate / S.K. Sampath, D.G. Kanberet, Ravindra Pandey // J. Phys. Condens.Matter. -1999. -Nil.- P.3635 3644.
  199. Atomistic Simulation of Spinel Oxides: Zinc Aluminate and Zinc Gallate / Ravindra Pandey, Julian D. Gale, Suresh K. Sampath, Jose M. Recio // J. Amer. Ceram. Soc. 1999. — V. 82. — № 12. — P. 3337 — 3341.
  200. Oxygen Vacancy Effect of ZnGa204: Mn Powder Phosphor / Jeong-In Han, Yong-Kuy Park, Sung-Hoo Ju, Min-Gi Kwak Jong-Keun Han. // IDW. -1996.-PH 2−2.-P. 25−28.
  201. Photoluminescence Caracteristics of ZnGa204: Mn Phosphors codoped with Ag, Cu, and Al / Yong-Kuy Park, Jeong-In Han, Min-Gi Kwak, Sung-Hoo Ju, Jong-Keun Han // IDW. -1996. -PH 1−2. P.73 — 76.
  202. Kaisel, S.F. Luminescent screen for use with very low-velocity electrons / Kaisel S.F., Clark C. B // J. Opt. Soc. America. -1954. V. 44. — № 2 — P. 134- 135.
  203. Ptahul, A. Preparation and properties of ZnO-phosphors / Ptahul A. // J. Electrochem. Soc. 1962. — V. 109. — № 6. — P. 502 — 507.
  204. Riehl, N. Uber den Aufbau des lumineszierenden Zinkoxyds / Riehl N., OrtmanH// Z. Elekrochem. 1956. — В 60.-N 2.-P. 149−151.
  205. Gobrecht, H. Zum Leuchmechnismus von Zinkoxydphosphoren / Gobrecht H., Hahn D., Schettler К // Z.Phys. -1954. V. 139. — № 4. — P. 365 — 371.
  206. , Я.М. Люминесценция окиси цинка, полученной термическим разложением некоторых солей / Зеликин Я. М., Успенкская Е. М // Оптика и спектроскопия. 1965. — Т. 1. — Вып. 5. — С. 880 — 882.
  207. Патент № 52−153 884 Япония.
  208. , Л.И. Исследование процессов, происходящих при синтезе люминофора ZnO:Zn из сульфида цинка / Вескер Л. И, Гаврилов В. В, Кинжибало Л. Н. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1980. — Т. 16. — № 5. -С. 464 — 469.
  209. Изучение процессов происходящих при нагревании на воздухе осажденного сульфида цинка / Дибин Ю. П, Гаврилов В. В, Кинжибало Л. Н, Вескер Л. И. // Сб. трудов ВНИИЛ «Люминофоры, синтез и исследование». -1977. -Вып. 16. С. 58 — 63.
  210. , К.В. Кристаллическая структура окиси цинка, полученной окислением тонких слоев / Шалимова К. В, Дмитриев В. А, Сатыбаев Н. М. //Кристаллография. 1970.-Т. 15.-Вып. 1. — С. 200 — 201.
  211. Брюквин, В. А. Исследование окисления сульфида цинка в области полиморфного превращения сфалерита в вюрцит / Брюквин В. А, Буровой И. А, Цветов Ю. В // Изв. АН СССР, металлы. 1966. — № 3. -С. 55−66.
  212. Shrader, R.K. Cathodoluminescence emission spectra of zinc-oxide phosphors / Shrader R. K, Loverens N. W // J. Opt. Soc. America. -1947. -V. 37. № 11 — p. 939 — 940 (Lett).
  213. , И.К. Электролюминесценция окиси цинка в зависимомти от термической обработки / Верещагин И. К, Таслюк Н. С // Изв. ВУЗов, Физика. 1968. — № 6. — С. 114 -117.
  214. П.С. О механизме взаимодействия сульфида и окисла цинка / Кондрашев П. С, Розовский А. Д. // Кинетика и катализ. 1973. -Т. 19.-№ 1.-С. 264.
  215. , С.С. Исследование механизма образования активированного цинком люминофора ZnO в присутствии ZnS / Галактионов С. С, Вескер Л. И. // Изв. АН СССР. Неорг. мат. 1981. — Т. 17.-№ 10.-С. 1801 — 1803.
  216. Heilang, G. Electronic processes in Zinc Oxide / Heilang G, Mollwo E, Steckman F // Adv. Solid State Phys. 1958. — V. 8. — P. 191.
  217. Mollwo, E. Uber den Zuzammenhand swischen der elektrischen dunkellsitfahigkeit under grunen Leuchmechnismus von Zinkoxydphosphoren / Mollwo E. // Z.Phys. -1961. V. 162. — № 5. — P.557 -569.
  218. , Я.М. О природе полос люминесценции окиси цинка в видимой области спектра / Зеликин Я. М. // Вестник ЛГУ. Сер. физич. -1965.-Вып. 2. № 10.-С. 51−60.
  219. , В.А. Спектры возбуждения фото- и термолюминесценции монокристаллов окиси цинка / Никитенко В. А, Терещенко А. И // Журнал прикладной спектроскопии. -1964. -Вып. 1- С. 15 — 20.
  220. , А.И. Спектры возбуждения фотолюминесценции монокристаллов окиси цинка / Терещенко А. И // Тр. МИИТ. 1978. -Вып. 619.-С. 87−91.
  221. Schirmer, O.F. The yellow luminescence of zinc oxide / Schirmer O. F, Zwingel D // Solid State Commun. 1970. — V. 8. — № 19. — P. 1559 — 1563.
  222. , А.И. Исследование процессов фотовозбуждения и люминесценции окиси цинка / Терещенко А. И // Автореф.дис. к. ф-м.н. -ТГУ.- 1982. 18 с.
  223. Lehmann, W. Zinc oxide and zinc-cadmium oxide phosphors / Lehmann W // J. Electrochem. Soc. 1968. — V. 115. — № 5. — P. 538 — 540.
  224. , В.В. О низкотемпературной люминесценции окиси цинка в красной части спектра / Осико В. В. // Оптика и спектроскопия. 1959. -Т. 7. — Вып. 6. — С. 770 — 775.
  225. , Ю.М. О природе центров желто-оранжевой люминесценции окиси цинка / Гербштейн Ю. М., Зеликин Я. М // Оптика и спектроскопия. 1969. -Т. 27. — Вып. 3. — С. 515 — 516.
  226. Влияние LiOH и легирования литием на структуру и свойства монокристаллов цинкита / Никитенко В. А., Малов М. М., Казанджиев С. А. Кузмина И. П // Изв АН СССР. Неорг. мат. 1975. — Т. 11. — № 10. -С. 818−821.
  227. , В.А. Термодинамический анализ собственных дефектов в монокристаллах окиси цинка с отклонениями от стехиометрии / Никитенко В. А., Пасько П. Г. // Изв АН СССР. Неорг. мат. 1977. — Т. 13. -№ 11.-С. 2026−2030.
  228. Gobrecht, Н. Die Abkilingung von Kalzinalframat und Zinkoxyd -phosphoren bei Elektronenstrhlnregung / Gobrecht H., Hahn D., Daniwann H // Z.Phys. -1952. B. 132. — № 3. -P. 239 — 255.
  229. Soni, R.S. Luminescence of ZnO- phosphor in green and red regions / Soni R.S., Diwan P. S., Sivaraman S. R // Indian J/Pure and Appl. Phys. 1980. V. 18. -№ 4.-P. 292−294.
  230. , Г. А. Люминесценция и электрические свойства окиси цинка / Коновалов Г. А // Тр. Сибирского ФТИ. — 1953. Вып. 32. — С. 32 — 52.
  231. , Ф.И. Люминесценция электронного полупроводника окиси цинка / Вергунас Ф. И., Коновалов Г. А // ЖЭТФ.- 1952. — Т. 23. — Вып. 6.-С. 712−719.
  232. Г. В. Рентгенографическое изучение состояния твердых растворов бинарной системы окислов цинка и магния / Соболева Г. В // Сб. Диффузионные процессы в металлах. Тула. — 1974. — С. 159 — 165.
  233. Gobrecht, H. Die Abkilingung von Kalzinalframat und Zinkoxyd -phosphoren bei Elektronenstrhlnregung / Gobrecht H, Hahn D, Daniwann H // Z.Phys. -1952. B. 132. — № 3. — P. 239 — 255.
  234. Dindle R. Luminescent transitions associated with divalent copper impurities and green emission from semiconducting zinc oxide / Dindle R. // Phys. Rev. Lett. 1969. -V. 23. — № 11. — P. 579 — 581.
  235. Kuhnert, R. Vibronic structure of the green photoluminescencendue to copper impurities in ZnO / Kuhnert R, Helbig R // J. Luminescence. 1981. -V. 26.-№ 12.-P. 203−206.
  236. Robbins, D.J. The optical properties of copper in zinc oxide / Robbins D.J. Bishop S.G., Deen P.J. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1981. — V. 14. — № 20.-P. 2847−2858.
  237. Investigation of the last decay of the green fluorescence in ZnO (Cu) crystals / Kammrmager R, Wittwer V, Kuseariech N, Luchner K. // Solid State Commun. 1976. — V. 19. — № 5. — P. 462 — 464.
  238. Van Vechten, J.A. Isotop shift at substitutional Cu in ZnO / Van Vechten J. A // Phys. Rev. B: Solid State. 1976. — V. 13. — № 2. — P. 946 — 949.
  239. Muller, I.J. Optical and electrical spectroscopy of zinc oxide crystals simultaneously doped copper and donors / Muller I.J. // Phys. State Solidi: B. 1976. — V. 76. — № 2. — P. 525 — 532.
  240. Fine structure and Zeeman effects of the exited state of the green emiting copper center in zinc oxide / Broser I. J, Germer R. K, SchulsH.-J, Wissnevski E. // Solid State Electron. 1978. — V. 21. — № 11 -12. — P. 1597- 1602.
  241. The luminescence in zinc oxide / West C, Robbins D. J, Dean P. J, Hager W //Physica 1983. — V. 116. — № 1 -3. — P. 492 — 499.
  242. , К.В. К изучению термолюминесценции монокристаллов окиси цинка / Шалимова К. В, Никитенко В. А. // Журнал прикладной спектроскопии.- 1974.-Т. 22.-Вып. 6.-С. 667−670.
  243. Hahn, D. Kristallstorungen und Lumineszenz am Beispiel des Systems ZnO / Hahn D., Nink R // P.T.B. Mitteilungen. 1968. — V. 68. — № 2. — P. 81 -86.
  244. Naenhout Van der Vorst, The green luminescence at ZnO / Naenhout Van der Vorst, F. Van Craeynest // Phys. State Solidi. 1965. — V. 9. — № 3. -P. 249−252.
  245. Heyland, G. Energiumzats bei Leitfahigkeitsanderanderungen durch Electronenbestrahlung in ZnO / Heyland G // Phys. Verhandl. 1951. — N 5. -P. 98.
  246. Yehev, N.J. Interpretation of the green luminescence of ZnO / Yehev N.J., Cochev D.K., Kynev K.D. // Bulgar J. Phys. 1975. — V. 11. — № 3. — P. 247 -249.
  247. Wada, T. Electron spin resonance and cathodoluminescence in ZnO / Wada Т., Kikuta M // J. Ciyst. Growth. // 1963. V. 59. — № 1 — 2. — P. 363 -369.
  248. , В.А. Влияние условий обработки образцов оксида цинка на концентрацию собственных дефектов и связанные с ними люминесцентные свойства / Тарала В. А. // Автореф. Дис. к.х.н. -СевКавГУТУ. 2001. — 23 с.
  249. , Т.П. Масс-спектрометрический метод исследования дефектности ZnO / Панасюк Г. П., Данчевская М. Н., Кобозев Н. И // Ж.Ф.Х. 1967. — Т. 61. — Вып. 3. — С. 691 — 695.
  250. Electrical properties of ZnO singl crystals annealed in zinc atmosphere / Ziegler N., Heirich A., Opperman H., Stover G // Crys.Res. and Technol. // 1983.-V. 18.-№ 9.-P. 1165- 1169.
  251. Hagamark K. I, Chacka L.C. // elertrical transport properties of Zn doped ZnO / Hagamark K. I, Chacka L.C. // J. Solid State Chem. 1975. — V. 15. -№ 3. — P. 261−270.
  252. Электропроводность легированных порошков окиси цинка / Бромберг А. В, Емельянов О. Н, Григорьева И. К, Кутузова Е. П. // Тр. ВНИИ ИРЕА. -1981. Вып. 43. — С. 144 — 150.
  253. Hoffman, В. Uber die Anderung der Lumineszenzausbeute und der elektrischen Leitfahigkeit von ZnO durch Absorption von Sauerstoff / Hoffman B, Mollwo E. // Z. Anger. Phys. 1962. — V. 14. — № 12. — P. 734 — 738.
  254. , Г. В. Об элементарных поверхностных реакциях, сопровождающих адсорбцию атомарного кислорода на пленках окиси цинка / Малинова Г. В, Мясников И. А. // Кинетика и катализ. 1970. -Т. П. — Вып. 6.-С. 1499−1504.
  255. De Geest, W.F. Contribution to the conduction mechanisms in powder zinc oxide layers / De Geest W. F, Beels R, Tondeleir W // Internat. Cong. Photogr. Sci, Tokyo. 1967. — Sec.S. — P. 11.
  256. , В.Я. О механизме электропроводности полупроводниковых пленок ZnO / Сухарев В .Я, Любашина Н. Е // Ж.Ф.Х. 1983. — Т. 57. -Вып. 2. — С. 405 — 409.
  257. , Х.С. Влияние термообработки на электропроводность и вольтамперные характеристики окиси цинка / Валеев Х. С, Квасков В. Б // Электронная техн. Сер. 6. 1973. — Вып. 4. — С. 29 — 32.
  258. Kynev, R. Influence of adsorbed oxygen on the temperature dependece of zinc oxide luminescence / Kynev R, Yechev N. // Bulgar J. Phys. 1975. -V. 11. — № 3. — P. 250 — 259.
  259. , И.В. Влияние адсорбции газов на люминесценцию ZnO / Таганцев И. В, Теренин А. Н // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1957. — Т. 21.- № 4.-С. 525−527.
  260. , И.В. Тушение и разгорание люминесценции окиси цинка под действием обсорбированных и капиллярно-конденсированных паров и газов / Таганцев И. В. // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1961. — Т. 25. — № 4.-С. 464−466.
  261. , Ю.П. Фотодесорбция кислорода с окиси цинка / Солоницын Ю. П // Ж.Ф.Х. 1958. — Т. 32. — Вып. 9. — С. 2142 — 2148.
  262. Влияние адсорбциии углекислого газа на люминесценцию окиси цинка / Данчевская М. Н., Ивакин Ю. Д., Зеликин Я. М., Бердников C.JI. // Ж.Ф.Х.- 1977.-Т. 51.- Вып. 9.-С. 2355−2356.
  263. , C.JI. О влиянии пятиокиси ванадия на люминесценцию окиси цинка / Бердников C.JI., Зеликин Я. М // Оптика и спектроскопия. 1965.-Т. 19.- Вып. 4.-С. 611−615.
  264. Panday, K.N. Photoluminescence in ZnO: Ag, Cl phosphors / Panday K.N., Baracrina S., Kanary P // Indian J .Pure Appl. Phys. 1973. — V. 11. — № 3. -P. 227−228.
  265. , Л.И. Влияние дифузионно введенных примесей металлов на люминесценцию ZnO:Zn / Вескер Л. И., Кузнецов В. Б // Сб. трудов ВНИИЛ «Люминесцентные материалы и особо чистые вещества». -1974.-Вып. 10.-С. 42−46.
  266. Влияние некоторых примесей на электропроводность поликристаллической окиси цинка / Вищанас Ю. К., Гайдялис В. И., Монтримас Э. А., Сувейздис Э. М // Сб. «Электрофотография и магнитография», Вильнюс, 1965. — С. 26 -35.
  267. Pfahul A. Properties of the ZnO-phosphors doped with Li, Ni and Cu / Pfahul, A. // J. Electrochem. Soc. 1963.- V. 110. — № 5 — P. 381 — 384.
  268. Smith, A.L. Zinc-magnesium gulfide phosphors / Smith A. L // J. Electrochem. Soc. 1952.- V. 99. — № 4 — P. 155 — 158.
  269. , Ю.П. Исследование фазового состава и люминесцентные свойства систем окислов цинка и магния, активированных хромом /
  270. Ю.П., Кондрашев Ю. Д., Марковский Л. Я. // Ж.Н.Х. -1961.-Т. 6. № 11. -С. 2550−2557.
  271. Диаграммы состояния силикатных систем / Торопов Н. А., Борзаковский В. П., ЛапинВ.В., Курцева Н. Н // Справочник. Вып.1. -Двойные системы. — Л. Наука. 1969. — С. 138 — 140.
  272. Г. В. Рентгенографическое изучение состояния твердых растворов бинарной системы окислов цинка и магния / Соболева Г. В. // Сб. Диффузионные процессы в металлах. Тула. 1974. — С. 159- 165.
  273. Sarver, J.F. Phase equilibria and manganense activated fluorescence in system Zn3(P04)2 Mn3(P04)2 / Sarver J.F., Katuck F.L., Hummel F. A // J. Electrochem. Soc. — 1959.- V. 106. — № 11 — P. 960 — 963. .
  274. , С.А. Рентгенографическое исследование локального порядка в системе MgO ZnO / Чудинова С. А., Шиврин О. Н // Ф.Т.Т. -1972. -Т. 14.- Вып. 5.-С. 1514−1519.
  275. , Л.Я. Разработка катодолюминофоров на основе некоторых окислов металлов / Марковский Л. Я., Сапожников Ю. П // Сб.тр. ГИПХ. 1960. — Вып. 43. — С. 93 — 95.
  276. , Ю.Д. Рентгенографическое исследование некоторых окисных и сульфидных систем / Кондрашев Ю. Д., Омельченко Ю. А // Ж.Н.Х. 1964. — Т. 9. — Вып. 4. — С. 937 — 943.
  277. Физико-химические свойства окислов.// Справочник. Под редакцией Г. В. Самсонова. М., Металлургия. 1969. С. 267.
  278. Hoffmann, C.W. Compaund formation and Mn2± activated luminescence in the binary systems R2 and R2-Ga203 / Hoffmann C. W, Brown J. J // J. Inorg.Nucl. Chem. 1968.- V. 30. — № 1 — P. 63 — 79.
  279. Jagannathan, R. Photoluminescence studies on Eu3+ dopped yttrium based phosphors / Jagannathan R, Rao R.P. // Bull. Electrochem. 1989. — V. 5. -№ 6 — P462−466.
  280. Фам Тхн Минь Чау. Оптимизация процесса синтеза люминофора Y203: Eu / Фам Тхи Минь Чау // Автореф. Дис. к.х. наук. Одесса, 1991.
  281. Синтез нанокристаллических ферритовых порошков из гидротермальных и сверхкритических растворов / А. А. Бурухин, Б. Р. Чурагулов, Н. Н. Олейников, П. Е. Мескин. // Ж. Неорганической химии.- 2001. Т. 46. — № 5 — С. 735−741.
  282. Goldburt, E.T. Highly effective cathodophosphors and screens for displays with average and high-voltage autoelectronic issue / Goldburt E. T // J. Sci. and Technol. В. 1999 — V. 17. — № 2. — P 117−124/
  283. Zhang Wei-ping, Manufacturing and properties nanosaize the luminescent materials activated by rare earth elements / Zhang Wei-ping, Yin Min // Chin. J. Luminescence. 2000. -V. 21. — № 4. — P. 314−319.
  284. Золь-гель люминофоры на основе диопсида / Погребисская О. П, Попович Н. В., Галактионов С. С., Саркисов П. Д // Стекло и керамика. -2000.- № 11.-С. 5−8318. Патент 6 036 886 США.
  285. Kiwan Jang, Optical Properties of Eu3+ in Yttrium Oxide Crystals Prepared by a Forced Hydrolysis Method / Kiwan Jang, Kyounghee Lee // J. of the Physical Soc. of Japan. 1999. — V. 68. — № 8. — P. 2825−2827.
  286. Патент № 1 357 068 Великобритании.321. Патент 63−146 981 Япония.3+
  287. Suchow Lawrence, The role of Ga203 in the preparation of У20з: Еи phosphor from the oxides / Suchow Lawrence, Flynn Vincent J., Jaffe Philip M // J. Mater. Sci. 1972 — V. 7. — № 2 — P. 211−214.323. Патент № 3 368 980 США.324. Патент № 5 055 226 США.
  288. Stone, G.D. Ph. D. thesis / Stone G.D. // Arizona State University. 1968. -48 p/
  289. Defects induced enhancement of Eu emission of yttria (Y203:Eu:3+) / R. Jagannathan, T.R.N.Kutty, M. Kottasamy, P Jeyagopal // Japan. J. Appl. Phys. 1994. -V. 33 — Pt. 1 — № 11 — P. 6207−6212.
  290. Steinberg, M. A study of oxygen adsorption on Y203 / Steinberg, M, Eyal A. // Appl. Surfas Sci. -1981. -V.8. № 4. — P431−439
  291. , А.Ю. Заряженный кислород на поверхности икислов иттрия и лантана / Логинов А. Ю, Тунина Е. В, Топчиева К. В. // Ж. физ.химии.1974.-Т. 48. № 6ю — С. 1553−1555.
  292. Use of termoelectronic emission for study point defects in refractory oxides / Rifflet J. C, Odier P, Anthony A.M., Loup J.P. // J. Amer. Ceram. Soc.1975. -V. 58. № 11−12. — P. 493−497.
  293. , B.C. Исследование образования и превращения точечных дефектов в монокристаллах Y203 / Вайнер B.C., Венгер А. И. // Физика Твердого Тела. 1977. — Т. 19. — № 2. — С. 528−532.
  294. Deposition and characterization of thin film cathodoluminescent Y203: Eu / Sean L. Jones, Paul H. Holloway, W. J Thomes, K-G.Chp, D. Kumar, R Singh // Appl.Phys.Lett. 1998. — V. 75. — P 405−407.
  295. Boisson, M, Calculs d’energie de faute d’empalement dans ie sesquoxydeyttrium / Boisson M, GaboriaudR.J. //J. phys. Lett. 1977 — V. 38. — № 8. -P. 177−181.
  296. Forest, H. Random substitution of Eu3+ for Y3+ in Y203: Eu:3+ / Forest H, Ben G // J. Electrochem.Soc. -1971. V. 118. — № 12. — P. 1999−2001.
  297. Luminous characteristics and 89-static NMR in red phosphor, Eu doped Y203 / Toshie Harazono, Etsuzo Yokota, Hiroshi Uchida, Tokuko Watanabe // Bull. Chem.Soc. Jpn. 1998. — V. 71. — № 4.- P. 825−829
  298. Gaboriaud, R.J. Self-Diffusion of Yttrium in Monocrystalline Yttrium Oxide / R.J. Gaboriaud // J. Solid State Chem. 1980. — V. 35. — № 2. — P. 252−261.
  299. Tallan, N.M. Electrical properties and defect structure of Y203 / Tallan N. M, Vest R.W. // J. Am. Ceram. Soc. 1966. — V. 49. — № 8. -. 401−404.
  300. V.B., Schmalzried H. / Z. Physik Chem. 1964. -V. 43 — P. 30.
  301. Termoelectronic emission, electrical conductivity, and Hall effect for defects study at high temperature (T=1250 K) in refractory oxides / Odier Ph., Baumard J.F., Panis D., Anthony A. M // J. Solid State Chem. 1975. — V. 12.-№ 3−4.-P. 324−328.
  302. Ching, W.Y. Electronic and optical properties of yttrium oxide / Ching W.Y., Xi Yong-Nian // Phys. Rev. Lett. 1990. — V. 65, № 7. — P. 895−898.
  303. Технология производства и исследование люминофоров / Смирдова Н. И., Манаширов О. Я., Семихова Е. П., Ефрюшина Н. Г // Труды ВНИИ люминофоров. Ставрополь. — 1981. — Вып.20. — С. 66−74.
  304. , A.M. Материалы 3 Всесоюзного симпозиума по люминесценции. / Гурвич, A.M., Катомина Р. В., Михалев А. А. // ВНИИ люминофоров. Ставрополь. 1980. — С. 39−44.
  305. Ropp, R. C Energy transfer in Tb3+ and Eu3+ activated Y203 / Ropp R.C. // J.Opt. Soc. Amer. — 1967. — V. 57. — N 9. — P. 213−216.
  306. Соотношение интенсивностей полос спектров люминесценции ионовii 1 I
  307. Sm и Ей в некоторых кристаллофосфорах / Ефрюшина Н. П., Полуэктов Н. С., Смирдова Н. И., Жихарева Е. А. // Ж. прикл. Спектроскопии. 1977. — Т. 26. — № 1. — С. 71−74.
  308. Faria, S. Multiple Action of YV04 / S. Faria, D.T.Palumbo // J. Electrochem. Soc. 1970. — V. l 17. — № 2. — P.234 -236.358. Патент № 3 418 246 США
  309. Ino Chan-xin, Zhang Wei-pin // International Conference on Luminescence., Berlin -1981.
  310. J.E. Mathers. International Conference Analysis and Application of Rare Earth Materials. // Keller (Norge). 1972.364. Патент 3 360 674 США.
  311. P. Laveant. / Revue de Chimie Minerale. 1973. -t.10, p. 329.
  312. Влияние примесей некоторых p- и /-элементов на люминесценцию европия оксиде иттрия / Смирдова Н. И., Манаширов О. Я., Р. А. Лях, Беляева Л. Н. // Украинский химический журнал. 1984. — Т. 50. — № 1. -С. 5−9.
  313. Datta R.K. Luminescent behavior of bismuth in rare-earth oxides / Datta R. K//J. Electrochem. Soc. 1973.-V. 114.№ 10.-P. 1137−1143.
  314. Martin J. Fuller. The Quenching of Y203: Eu luminescence by Cerium / Martin J. Fuller. // J. Electrochem. Soc. 1981 — 128. — № 6. — P. 830−835.
  315. Kim Anh Т., Energy transfer between Tb3+ and Eu3+ in Y203 crystals / Kim Anh Т., Ngoc Т., Thu Nga P // J. Luminescence 1988. — V. 38. — № 4. — P. 215−221.
  316. R. Mays. Measured data. Sandi National Laboratories 1997.
  317. L.E. Shea. PhD dissertation. Material Science Program. San Diego, CA. 1997.
  318. M. L. F. Phillips, Proc. SPIE- Int. Soc. Opt. Eng. 1995. — 2408, 200.
  319. J. D. Weiss. Measured data. Sandi National Laboratories 1997.
  320. Okamoto, H. S. Enhancement of characteristic red emission from SrTi03: Pr3+ by Al addition / Okamoto H. S., Kobayashi H., Yamamoto H. // J. Appl. Phys. 1999. — V. 86. — P. 5594−5598.
  321. , Г. А., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Смоленский Г. А., Крайник Н. Н М. Наука. 1968. — 134 с.
  322. Ruddlesden S. N., Popper P. The compound Sr3Ti207 and its structure / Ruddlesden S. N., Popper P // Acta Crystallogr. 1958. — V. 11.№ 1ю — P. 54−59.
  323. Photoluminescence characteristics of SrTi03: Pr3+, Ga3+ single crystal / Byun J, Lee Y, Jang B, Yu Y, Ryou S. and Kyungsoo // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2000. — V. 621. — № 2. — P. 461−466.
  324. Synthesis of SrTi03: Al, Pr phosphors from a complex precursor polymer and their luminescent properties / Park J. K, Ryu H, Park H. D, Choi S. // J. of European Ceram. Soc. 2001. -V. 21. — № 2ю — p. 535−543.
  325. Synthesis of SrTi03: Pr, Al by ultrasonic spray pyrolysis / Kim К. H, Park J. K, Kim С. H, Park H. D, Chang H, Choi S. Y // Ceramics International. -2002.-V. 28.-№ l.-P. 29−36.
  326. Levin, E. M. Phase Diagrams for Ceramists / Levin E. M, Robbins C. R, and McMurdie H. F // Supplement American Ceramic Society, Columbus, Ohio.-1969.-624 p.
  327. Температурное изменение интенсивностей полос излучения SrAl120i9: Pr / Родный П. А, Мишин А. Н, Михрин С. Б, Потапов А. С. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28. — Вып. 23. — С. 39−43.
  328. Исследование парамагнитных центров титана и хрома в твердых растворах на основе титаната-цирконата свинца / Быков И. П, Глинчук М. Д, Грачев В. Г, Мартынов Ю. В, Скороход В. В // ФТТ. 1991. -V. 33. № 12.-С. 3459−3466.
  329. Feng, Т. Anomalous photoelectronic processes in SrTi03 / Feng T // Phys. Rev. 1982. — B. 25. — P. 627−640.
  330. Leonelli R, Brebner J. L. / Phys. Rev. 1982. — В 33. — p. 8649−8653.
  331. , А. А. Спектроскопия кристаллов / Каплянский, A. A. // сб. науч. Тр, — 1985.-255 с,-С. 65.
  332. Mizuno М, Yamada Т, Noguchi T.//J. Ceram. Soc. Japan, vol. 85, No. 1, p. 24−29.
  333. Shea L. E, McKittrick J. and Phillips M. L. F. Predicting and modeling the low-voltage cathodoluminescent efficiency of oxide phosphors // J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145, № 9, p. 3165 — 3174.
  334. H., Okamoto S., Mitsumine S. / Proceedings of the Sixth International Display Workshops. 1999. — p. 805.
  335. A.B., Емельянова O.A., Башкина Н. Ф. Исследование электропроводности промышленных образцов окиси цинка. // Сб. тр. ИРЕА. 1980. — Вып.42. — С. 112 — 118.
  336. Е.Н., Шерстнев Л. Г. Изменение яркостных и вторично-эмиссионных свойств экранов на основе белой телевизионной смеси в процессе срока службы. // Электронная техника, Сер.4, 1968, Вып.З. С. 204 -210.
  337. А.О., Акмаева Т. А., Большаков А. Ф. и др. Синтез и катодолюминесценция твердых растворов (Yl-4Lax)202S (Eu), возбуждаемая медленными электронами // Неорг. Мат., 1993, Т.29, № 3, С.390−393.
  338. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под ред. Самсонова Г. В., Металлургия, 1978, с. 223.
  339. Э.Э., Ормонт Б. Ф. Об использовании метода спектров диффузного отражения в фазовом анализе полупроводниковых систем. // Изв. АН СССР. 1965. — т.1. — № 6. — с. 1335 — 1339.
  340. О.М. Бор дун. Люминесценция донорно-акцепторных пар в соединениях окиси иттрия и скандия. // Журнал прикладной спектроскопии, 2001, Т. 68, № 2, С. 232−234.
  341. О.М. Бор дун. Влияние кислородных вакансий на спектры люминесценции тонких пленок Y2O3 // Журнал прикладной спектроскопии? 2002, Т. 69, № 3, С. 371−374.
  342. В. Н. Абрамов, А. Н. Ермошкин, А. И. Кузнецов. Оптические свойства и электронная энергетическая структура Y2O3 и Sc203. / Физика т.т. -1983. Т. 25. — № 6.-С. 1703−1710.
  343. О.М. Термодинамика в физической химии / Полторак О. М. М.: Высшая школа. 1991. 319 с.
  344. L.C. Van Ulters.// J. Electrochem. Soc. 1960 — V. 114, -.№ 5 — P. 1048
  345. , D.J. // J. Electrochem. Soc. 1980. — V.127. — № 8. — P. 26 942 697.400. Патент № 4 690 832 США.
  346. M. Okumura, M. Tamatami, N. Matsuda, A.K. Alberrarel // Proc. IDW 97. -1997.-p. 629.
  347. Ф.Д. Изв. АН СССР. Сер. Техн. И физ. Мат. Наук. 1956. — V. 1.-С.З.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!