Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Плазменные источники распыляющих ионов на основе открытых разрядов низкого давления в магнитном поле с холодным катодом

Диссертация: Плазменные источники распыляющих ионов на основе открытых разрядов низкого давления в магнитном поле с холодным катодом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Общепризнанная перспективность использования газоразрядной плазмы в технологии тонких пленок связана с низкотемпературными процессами выращивания тонких пленок. Однако несмотря на принципиальные несомненные достоинства широко распространенной газоразрядной техники нанесения пленок, у неё существует ряд недостатков: высокое давление газа в рабочем объеме ~1 Паневозможность управления током… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК И СВОЙСТВ РАЗРЯДОВ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ
    • 1. 1. Свойства и характеристики разрядов с полым холодным катодом, особенности генерирования распыляющих ионов
    • 1. 2. Эмиссионные свойства плазмы разрядов
    • 1. 3. Принципы конструирования плазменных источников ионов
    • 1. 4. Принципы конструирования планарных магнетронов
    • 1. 5. Выводы
  • ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ОТКРЫТОГО РАЗРЯДА С ПОЛЫМ КАТОДОМ
    • 2. 1. Электродная структура и характеристики разряда с широкой апертурой отражательного катода
    • 2. 2. Эмиссионные свойства плазмы открытого разряда
    • 2. 3. Влияние пристеночного слоя на устойчивость проникающей плазмы в канале ускоряющего электрода
    • 2. 4. Выводы
  • ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ, ОПРЕДЕЛЯЕМЫХ ВЛИЯНИЕМ СТРУКТУРЫ АНОДНЫХ ЭЛЕКТРОДОВ
    • 3. 1. Свойства магнетронного разряда с центральным анодом
    • 3. 2. Инжекция ионного пучка в планарный магнетрон
    • 3. 3. Выводы
  • ГЛАВА IV. ГЕНЕРАТОРЫ РАСПЫЛЯЮЩИХ ИОНОВ С ОТКРЫТЫМИ РАЗРЯДАМИ
    • 4. 1. Широкоапертурный источник ионов

Плазменные источники распыляющих ионов на основе открытых разрядов низкого давления в магнитном поле с холодным катодом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие промышленной технологии получения тонких пленок в вакууме повышает требования к технике выращивания и стимулирует создание нового, эффективного и надежного оборудования с параметрами лучшими, чем у общеизвестных конструктивных решений. Технологическим требованиям выращивания тонких пленок наилучшим образом удовлетворяют газоразрядные устройства с различными видами разрядов, основанные на распылении мишеней в вакууме ускоренными ионами.

Общепризнанная перспективность использования газоразрядной плазмы в технологии тонких пленок связана с низкотемпературными процессами выращивания тонких пленок. Однако несмотря на принципиальные несомненные достоинства широко распространенной газоразрядной техники нанесения пленок, у неё существует ряд недостатков: высокое давление газа в рабочем объеме ~1 Паневозможность управления током распыляющих мишень ионов без изменения параметров разрядатрудности распыления составных мишенейтрудность воспроизведения режимов горения разряда при переходе от одного распыляемого материала к другому, связанная с непостоянством эмиссионных свойств мишенейблизость газового разряда к ростовой поверхности подложек, ведущая к нежелательному их нагреву до сравнительно высоких температур 523−573 К.

При распылении мишеней ионным пучком становится возможным: выращивание тонких пленок в условиях вакуума 10″ 4-—10″ 5 Паисключение бомбардировки поверхности роста быстрыми заряженными частицамиустранение влияния на структуру и свойства наращиваемых пленок электрических и магнитных полей, инициирующих поджиг и обеспечивающих устойчивое горение разрядалегкость реализации режимов роста пленок с высокой адгезией на холодных подложках при независимом управлении комплексом параметров процесса напыления, в перспективе возможно, решение проблемы создания автоматизированного производства тонких пленок с заданными свойствами.

В то же время недостаточная эффективность используемых газовых разрядов для получения ионных пучков, ограниченность информации об электрических и эксплуатационных характеристиках технологических плазменных ионных источников повышенной надежности, недостаточная конструкторская и технологическая проработка распыляющей мишени газоразрядной техники приводят к ориентации производства (особенно серийного) на менее прогрессивные и более энергои материалоемкие мало эффективные технологии.

Тенденция развития технологии выращивания тонких пленок, сложившаяся к началу настоящей работы, сводилась к узким направлениям применения ионных пучков. Информация об их технологических применениях или практически отсутствовала, или относилась к условиям не типичным для промышленных процессов.

Выполненные исследования плазменных ионных источников и принципиально новых режимов выращивания тонких пленок, в частности распылением ионным пучком, обозначили важные физико-технические задачи, встающие при создании эффективного и надежного корпускулярно-пучкового оборудования, решение которых оказалось необходимым для существенного расширения технологических возможностей газоразрядной техники в производстве изделий функциональной электроники на тонких пленках.

Общепризнанная перспективность использования ионных источников в технологии выращивания тонких пленок способствовала созданию новой и существенной доработке и совершенствованию известной газоразрядной техники распыления мишеней в вакууме. Физико-технические задачи разработки газоразрядных источников ионов независимо от их назначения принципиально подобны, однако требования к решению этих задач в случае создания электровакуумного оборудования с источниками ионов, использующих разряды с холодными катодами, значительно выше.

В связи с этим для промышленного внедрения они должны обладать параметрами, превосходящими параметры обычно применяемых ионных источников на основе разрядов с накаленными катодами, развитие которых достигло определенного совершенства. Отсюда следует необходимость всестороннего исследования более экономичных способов получения плотной газоразрядной плазмы в разрядах с холодными катодами и эффективного извлечения из плазмы ионов, а также выяснения характера взаимосвязи электродных структур с параметрами плазмы и разряда, выявление особенностей и условий роста тонких пленок распылением ионным пучком.

Создание эффективной, повышенной надежности с рекордно высокими параметрами новой техники и технологии выращивания тонких пленок (металлов, оксидов, нитридов, карбидов, металлооксидов с высокотемпературной сверхпроводимостью, алмаза) распылением ионными пучками является актуальной задачей. Это положение неоднократно подчеркивалось в решениях конференций и симпозиумов, включено в перечень приоритетных фундаментальных направлений развития науки, техники и технологий Российской Федерации (Пр-577 и 278 от 30.03.2002), отражено в региональной программе «Бурятия: Наука и техника» (1997;2002) и федеральной программе «Социально — экономического развития Республики Бурятия» (1999;2001).

Целью настоящей работы является создание электровакуумного оборудования с плазменными источниками заряженных частиц технологического назначения, которое необходимо для выращивания тонких пленок широкого состава и расширения областей и объемов применения прогрессивной корпускулярно-пучковой технологии. Для достижения поставленной цели необходимо выполнение комплекса физических исследований, осуществление технических и технологических разработок, к важнейшим из которых можно отнести следующие:

1. Исследование открытых разрядов низкого давления с осциллирующими электронами в системе с полым и дисковым катодами, с центральным анодом, инициируемых вспомогательным отражательным разрядом либо инжекцией быстрых ионов.

2. Разработка эффективных газоразрядных генераторов стационарной эмитирующей заряженные частицы плазмы с параметрами, достаточными для получения тока эмиссии ионов 0,2 А, при токе разряда до 2 А (при токах > 2 А разряд переходит в дугу с катодным пятном). Создание на их основе технологических, повышенной надежности, источников заряженных частиц различного назначения.

3. Разработка электровакуумных установок с плазменными ионными источниками, в которых наиболее полно реализуются технологические процессы выращивания тонких пленок распылением ионными пучками.

4. Определение принципиально новых режимов выращивания тонких пленок нитридов распылением ионными пучками и исследование закономерностей физико-химических превращений при наращивании тонких пленок из частиц, выбиваемых с мишеней ускоренными ионами.

5. Исследование свойств тонких пленок нитридов, выращенных с использованием ионных пучков.

Методы исследований основаны на использовании комплексного подхода при решении поставленных задач, включающего теоретические оценки основных процессов, экспериментальное построение простых физических моделей исследуемых явлений, позволяющих создание новых электровакуумных установок.

Основная часть исследований и разработок по теме диссертации имела целевую практическую направленность и выполнялась в рамках госбюджетных работ отдела физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра СО РАН.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

— получена новая экспериментальная информация о характеристиках и свойствах низковольтных разрядов низкого давления с осциллирующими электронами в нескольких специфических модификациях электродных структур, обеспечивающих предельно высокие плотности эмитирующей плазмы в тлеющем режиме горения разрядов, применительно к источникам заряженных частиц;

— выявлены особенности зажигания магнетронного разряда низкого давления пучком ионов, продольно инжектируемым в магнетрон, показано, что доминирующими факторами зажигания такого вида разряда являются ионно-электронная эмиссия и распыление катода магнетрона ионным пучком;

— экспериментально обнаружено, что устойчивость плазмы, проникающей в широкую апертуру извлекающего электрода из разряда с полым катодом, нарушается при достижении некоторых критических соотношений между размерами плазменных образований и приэлектродных слоев, отделяющих их от стенок, при этом внешним фактором распада проникающей плазмы служит определенная разность потенциалов, прикладываемая между эмиттерным катодом и извлекающим электродом;

— проведено экспериментальное исследование различных режимов выращивания тонких пленок оксидов и нитридов распылением ионными пучками, обобщены закономерности ростовых процессов, разработаны способы получения тонких пленок с использованием ионных пучков и различных вариаций методик выращивания пленок ионными пучками совместно с магнетронным разрядом.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Устойчивое существование стационарной системы «проникающая плазма-ионный слой» в апертуре извлекающего электрода возможно в том случае, если отношение радиуса границы плазмы к радиусу апертуры в извлекающем электроде больше (равно) некоторой определенной величины ?>0,54 г — радиус границы плазмы в канале ускоряющего электрода, И. — радиус апертуры ускоряющего электрода), слабо зависящей от давления.

2. Технологические источники заряженных частиц на основе разрядов низкого давления с холодным полым катодом обладают совокупностью факторов, обуславливающих возможность их использования для выращивания тонких пленок распылением ионным пучком и компоновки их в конструкции промышленных технологических вакуумных установок. Результаты технологических испытаний позволяют эксплуатацию в промышленности электровакуумных установок принципиально нового типа с планарными магнетронами и ионными источниками.

3. Пробой межэлектродного вакуумного промежутка планарного магнетрона при напряжении >103 В, ведущий к зажиганию тлеющего разряда низкого давления <2−10″ 1 Па, обусловлен предпробойными вторичными эмиссионными процессами на катоде магнетрона (ион-но-электронной эмиссией, распылением катода), инициируемыми пучком ионов, продольно инжектируемым в магнетрон. Принцип совместного действия на мишень магнетронного разряда и ионного пучка существенно расширяет технологические возможности планарных магнетронов.

Практическая ценность работы обусловлена тем, что:

1. Результаты исследования устойчивости плазмы в канале извлекающего электрода способствуют пониманию процессов отбора ионов в условиях проникающей плазмы, протекающих в источниках ионов с открытым разрядом.

2. Результаты исследования разрядов в целом привели к созданию нового типа эффективных технологических плазменных источников заряженных частиц с улучшенными предельными электрофизическими параметрами повышенной надежности и ресурса. Источники заряженных частиц стали основой создания электровакуумной установки технологичел ского назначения, нашедшей широкое использование в производстве тонких пленок и расширившей область применения прогрессивной корпус-кулярно-пучковой технологии.

Технологические плазменные источники заряженных частиц используются в серийных вакуумных установках ВУП-4 и ВУП-5 и внедрены в: ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт «Техномаш» (Москва), научно-исследовательский институт Вакуумного электронного машиностроения (Ижевск).

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы из 117 наименований. Работа содержит 125 страниц основного текста, в котором имеется 52 рисунка и 4 таблицы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на VIII международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», (Харьков, 1997) — II научно-практическом симпозиуме «Вакуумные технологии и оборудование», (Харьков, 1998) — IX Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике», (Иваново, 1998) — IV Российской конференции «Высокие технологии в промышленности России», (Москва, 1998) — Международной конференции «Передовые технологии на пороге XXI века», (Москва, 1998) — международном конгрессе «Радиационная физика, Сильноточная электроника и Модификация материалов», (Томск, 2000). По теме диссертационной работы опубликовано 12 печатных работ в центральной печати и трудах конференций и симпозиумов, получен патент на изобретение.

Основные положения диссертации изложены в публикациях автора (см. в списке литературы [42-—44,45,46,78,89,97,103,105,106]).

Личный вклад автора заключается в проведении экспериментов и анализе полученных результатов диссертационного исследования, а так.

ЗАКЛЮЧЕНИНЕ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.П. Техника нанесения тонких плёнок распылением ионным пучком (обзор) // ПТЭ. 1990. № 4. С. 26−42.
  2. А.П. Выращивание тонких плёнок высокотемпературных проводников распылением ионным пучком (обзор) // ПТЭ. 1993. № 2. С. 11−27.
  3. Источники заряженных частиц с плазменным эмиттером / Под ред. П. М. Щанина. Екатеринбург: УИФ Наука, 1993. 148 с.
  4. Физика и техника источников заряженные частиц на основе дугового разряда (тематический выпуск) / Под ред. С. П. Бугаева. Известия вузов. Физика. 1994. Т. 37. № 3.
  5. A.A., Кузмяк М., Новиков Д. Л. и др. Ионный источник протонного ускорителя на 1МэВ // ПТЭ. 1964. № 1. С. 34−36.
  6. А.П., Мохосоев М. В. К вопросу снижения напряжения горения разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях // ЖТФ. 1984. Т.54. Вып. 11. С. 2276−2277.
  7. М.Ю., Осипов И. В., Ремпе Н. Г. Параметры плазмы в отражательном разряде с полым катодом // ЖТФ. 1992. Т.62. Вып. 10. С. 165−169.
  8. Ю.Е. Плазменные источники электронов. М.: Атомиз-дат, 1977. 144 с.
  9. А.П. Двойной слой в апертуре кольцевой катодной полости//ЖТФ. 1987. Т. 57. Вып. 9. С. 1837−1839.
  10. А.П. Ионный ток на плоский катод в ячейке Пеннинга с кольцевой полостью // ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 1. С. 205−207.
  11. A.C. Расширение рабочего диапазона давлений тлеющегоразряда с полым катодом // ЖТФ. 1984. Т. 54. Вып. 2. С. 241−246.
  12. О.В. Электрический зонд в плазме. М.: Атомиздат, 1969. 292 с.
  13. М.А., Крейндель Ю. Е., Новиков A.A. и др. Плазменные процессы в технологических электронных пушках. М: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
  14. А.П., Мохосоев М. В. Ячейка Пеннинга с кольцевой полостью как эмиттер компенсированного ионного пучка // ЖТФ. 1982. Т.52. Вып.8. С.1677−1678.
  15. С.П., Крейндель Ю. Е., Щанин П. М. Электронные пучки большого сечения. М.: Энергоатомиздат, 1984. 112 с.
  16. А.П. Источники распыляющих ионных пучков на основе разрядов с холодным катодом (обзор) // ПТЭ. 1996. № 4. С.3−14.
  17. Н.В., Крейндель Ю. Е., Шубин O.A. Источник мощных электронных и ионных пучков импульсно-периодического действия // ПТЭ. 1991. № 3. С. 130−134.
  18. Н.В., Никулин С. П. Исследование ионно-эмиссионных свойств анодной плазмы контрагированной дуги низкого давления // Тез. Докл. IX симпозиума по сильноточной электронике. М., 1992. С. 24−25.
  19. М.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972. 304 с.
  20. М.Д., Плешивцев Н. В., Семашко H.H. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М.: Энергоатомиздат, 1986. 248 с.
  21. М.Ю., Литвинов Е. А. О возможности быстроперемен-ных электрических полей для увеличения ионной эмиссии плазменных источников.// Тез. докл. I Всесоюзного совещания по плазменной эмиссионной электронике. Улан-Удэ, 1991. С. 67−70.
  22. В .Я., Попов A.A. Ионный эмиттер на основе объемного разряда с холодными электродами // Тез. Докл. VII Всесоюзного симпозиума по сильноточной электронике. Томск, 1988. Ч. 1. С. 107−109.
  23. А.П. Техника распыления ионными пучками. Улан-Удэ: БНЦ СО РАН, 1996. 120 с.
  24. В.А., Крейндель Ю. Е., Троян O.E. Инициирование разряда низкого давления с холодным полым катодом в генераторах плазмы для ПИЭЛ // Источники электронов с плазменным эмиттером. Новосибирск: Наука 1983. С. 5−14.
  25. В.А., Крейндель Ю. Е., Семенов А. П. Характеристики магнетронного разряда при стимулированной разрядом термоэмиссии катода // ТВТ. 1988. Т. 26. № 5. С.1005−1007.
  26. А.П. Генерирование сильноточных ионных пучков в источниках ионов на основе разрядов с холодным катодом // ПТЭ. 1993. № 5. 128−133.
  27. А.П., Мохосоев М. В. Точечный эмиттер с термоплазменным катодом // Докл. АН СССР. 1985. Т. 282. № 4. С. 888−889.
  28. А.П. Некоторые особенности магнетронного разряда с полым катодом//ЖТФ. 1987. Т.57. Вып. 1. С.180−182.
  29. А.П., Нархинов В. П. Плазменный эмиттер на основе тлеющего разряда в электродной структуре сетчатого и пластинчатого катодов большой площади // ПТЭ. 1996. № 3. С. 98−102.
  30. А.П., Нархинов В. П., Широкоапертурный плазменный эмиттер // Патент RU 2 096 857 С 1. МКИ 6 Н 01 j 37/077, 15/02, 1/30. БИ. 1997. № 32.
  31. А.П., Нархинов В. П. Плазменный источник электронов с радиально сходящимся пучком // ПТЭ. 1993. № 2. С. 131−136.
  32. Оке Е.М., Щанин П. М. Дугоплазматрон с холодным катодом ивспомогательным магнетронным разрядом // Источники электронов с плазменным эмиттером. Новосибирск: Наука, 1983. С. 70−74.
  33. JI.H. Вакуумные машины и установки. Л., «Машиностроение» (Ленинградское отделение), 1975. 336 с. с ил.
  34. .С., Минайчев В. Е. Основы конструирования вакуумных систем. М, «Энергия», 1971. 248 с.
  35. A.C. // Тез. докладов I Всесоюзного совещания по плазменной эмиссионной электронике. Улан-Удэ: Изд-во БНЦ СО АН СССР, 1991. С. 77.
  36. N.V., Mesyats G.A., Radkovskii G.V., Bersenev V.V. // Surface and Coating Technology, 1997. V.96. № 1. P. 81.
  37. H.B., Никулин С. П., Радковский Г. В. // ПТЭ. 1996. № 1. С. 93.
  38. А.П. Плазменный источник ионов // ПТЭ 1984. № 5. С. 23−24.
  39. . А.П. Устройство распыления ионным пучком в вакуумном универсальном посту (ВУП-4) // ПТЭ. 1986. № 2. С. 220−221.
  40. В.Л., Груздев В. А., Осипов Н. В., Ремпе Н. Г. Источники электронов с плазменным эмиттером на основе отражательного разряда с полым катодом // Известия вузов. Физика. 1992. Т. 35. № 5. С. 15−23.
  41. Н.В., Оке Е.М, Юшков Г. Ю. и др.// Источники заряженных частиц с плазменным эмиттером. Екатеринбург: УНФ «Наука», 1993. С. 79.
  42. А.П., Шаданов A.B., Шулунов В. Р. Генератор объемной газоразрядной плазмы с электродной структурой squirrel cage type. // Труды украинского вакуумного общества. Харьков: 1997. Т.З. С. 466−467.
  43. Semyonov А. Р, Shadanov A.V., Shulunov V.R. A Plasma Source of Charged Particles with a Squirrel Cage-Type Electrode Structure //
  44. Proceedings 1th International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials. Tomsk: Institute of High Current Electronics SD RAS. 2000. Vol. 2. P. 170−172.
  45. Патент RU 2 175 469 CI, Н05Н1/00, 1/24. Генератор объёмной газоразрядной плазмы/ А. П. Семёнов, A.B. Шаданов, В. Р. Шулунов. Заявл. 23.03.2000.
  46. А.П., Шаданов A.B., Шулунов В. Р. Газоразрядный источник широких пучков заряженных частиц // Сб. докл. 4-го Международного симпозиума: Вакуумные технологии и оборудование. Харьков: Украина. 2001. С. 175−177.
  47. Н.И. Формирование ионного потока в многоапертур-ном ионном источнике // Известия вузов. Радиофизика. 1984. Т. 27. № 8. С.1056−1064.
  48. A.B., Николаев А. Г., Оке Е.М. и др. Источник ионов газа на основе стационарного контрагированного дугового разряда с холодными катодами // Тез. Докл. IX симпозиума по сильноточной электронике. М., 1992. С. 40−41.
  49. С.П., Крейндель Ю. Е., ГЦанин П.М. Техника получения высокоэнергетичных электронных пучков с большим поперечным сечением (обзор) // ПТЭ. 1980. № 1. С. 7−24.
  50. A.B., Николаев А. Г., Оке Е.М. и др. Генератор плазмы на основе стационарного дугового контрагированного разряда для плазменных источников заряженных частиц // ПТЭ. 1993. № 3. С. 144−148.
  51. Ю.Е., Мартене В. Я., Съедин В. Я. и др. Электронная пушка непрерывного действия с плазменным катодом большой площади //ПТЭ. 1982. № 4. С. 178−180.
  52. В.А., Крейндель Ю. Е., Мартене В. Я. Катод типа металл -плазма-металл с большой эмиттирующей поверхностью // Известия АН СССР. Сер. Физическая. 1979. Т.43. № 9. С. 1883−1886.
  53. Aston G., Wilbur P.J. Ion extraction from a plasma // J. Appl. Phys. 1981. Vol. 52. № 4. P. 2614−2626.
  54. B.C., Мартене В. Я., Проскуровский Д. И. Влияние уменьшения площади эмиссии на параметры плазменного эмиттера большой площади // Тез. Докл. IX симпозиума по сильноточной электронике. М., 1992. С. 44−45.
  55. А.П., Нархинов В. П. Сильноточный тлеющий разряд в электродной структуре стержневых катодов с полым анодом // ЖТФ. 1993. Т.63. № 8. С.17−24.
  56. Н.В., Емлин Д. Р., Радковский Г. В. // ПТЭ. 2000. № 2. С. 113−118.
  57. Chapin J.S. The planar magnetron // Vacuum Technology, 1974. v25. № 1, p.37−40.
  58. А.Ф., Пащенко П. В. Конструкции магнетронных распылительных систем (обзор) // Техника средств связи. Сер. ТПО. М. 1992. Вып. 1,2. С. 6−27.
  59. .С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
  60. В.Е., Одиноков В. В., Тюфаева Г. П. Магнетронные распылительные устройства (магратроны). Обзоры по электронной технике. Сер. Технология, организация производства и оборудование, 1979, вып. 8, 56 с.
  61. .С., Сырчин В. К. Магнетронные системы ионного распыления материалов. ПТЭ, 1978, № 4, с.7−19.
  62. .С., Неволин В. К., Сырчин В. К. Исследование магне-тронных систем ионного распыления материалов. Физика и химия обработки материалов, 1978, вып. 2, с. 33−39.
  63. Kay Е. Magnetic field effects on an abnormal truncated glow discharge and their relation to sputtered thin film growth. J. Appl. Phys., 1963, vol. 34, № 4, p. 760−768.
  64. Hosokawa N., Tsukada Т., Misumi T. Self-sputtering phenomena in high-rate coaxial cylindrical magnetron sputtering. J. Vac. Sci. Technol, 1977, vol. 14, № 1, p.143−146.
  65. Tsukada Т., Hosokawa N., Kobayashi H. Increase of substrate temperature in high rate coaxial cylindrical magnetron sputtering. Jap. J. Appl. Phys., 1978, vol. 17, № 5, p. 787−796.
  66. .С., Сырчин В.К, Тимофеев П. А. Исследование равномерности нанесения тонкопленочных слоев в магнетронных системах ионного распыления материалов. Физика и химия обработки материалов, 1979, вып. 3, с. 108−112.
  67. Tsukada Т., Hosokawa N., Kobayashi Н. Increase of substrate temperature in high rate coaxial cylindrical magnetron sputtering. Jap. J. Appl. Phys., 1978. Vol. 17. № 5. P.787−796.
  68. Thornton J.A. Magnetron sputtering: basic physyes and application to cylindrical magnetrons. J. Vac. Sci. Technol., 1978, vol. 15, № 2, p. 171.
  69. Thornton J.A. End-effects in cylindrical magnetron sputteringsources. J. Vac. Sci. Technol., 1979, vol. 16, № 1, p. 79−80.
  70. Model S-500 Sputter gun. Vacuum, 1975, vol. 25, № 5, p. 214
  71. Fraser D.B., Cook H.D. Film deposition with the sputter gun. J. Vac. Sci. Technol., 1977, vol. 14, № 2, p. 147−151.
  72. Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets. Physical Review, 1969, vol. 184, № 2, p.383−416.
  73. Mullay J.R. Crossed fields discharge device for high rate sputtering. -Research/Devel., 1971, vol. 22, № 2, p. 40−44.
  74. В.И. Применение ионно-плазменных процессов в производстве изделий электронной техники. Обзоры по электронной технике. Сер. Технология, организация производства и оборудование, 1979, вып. 11,(671).-44 с.
  75. А.П. Технологические плазменные источники ионов для реализации процессов выращивания тонких пленок распылением ионным пучком // Техника средств связи. 1992. Сер. ТПО. Вып. 1−2. С. 67−74.
  76. А.П., Белянин А. Ф., Бесогонов В. В. Газоразрядный источник ионов и область его применения // Техника средств связи. 1990. Сер. ТПО. Вып. 3. С.29−32.
  77. А.П., Шулунов В. Р. Условия образования эмитирующей плазмы в открытом разряде с полым катодом и ее эмиссионные свойства. // Вопросы атомной науки и техники. 1998. Серия. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Вып.6(7), 7(8). С. 139−142.
  78. С. М. Сборник задач и расчетов по физической электронике. Киев: Изд-во КГУ, 1964. 344 с.
  79. Ю.Е., Никулин С. П. Параметры системы плазма-слой в электродной полости разряда низкого давления // ЖТФ. 1988. Т.58. Вып. 6. С. 1208−1209.
  80. В.Д. Физические основы электронной техники: Учебник для вузов. М.: Высш. Школа, 1979. 448 е., ил.
  81. Т.А., Соболев В. Д. Физические основы электровакуумной техники. М.: Высшая школа, 1967. — с. 318.
  82. .С. Получение тонкопленочных слоев с помощью маг-нетронной системы ионного распыления. Зарубежная радиоэлектроника, 1978, вып. 4, с. 87−105.
  83. Van Vorous Т. Planar magnetron sputtering: a new industrial coating technique. Solid State Technol, 1976, vol. 19, № 12, p.62−66.
  84. Maniv S., Westwood W. Effect of H2 on an argon discharge for Planar magnetron sputtering. J. Vac. Sci. Technol., 1980, vol. 17, № 1, p. 403−406.
  85. JI., Майер Д. Основы анализа поверхности тонких плёнок. М.: Мир, 1989. 344 с.
  86. Wasa К., Hayakawa S. Sputtering in crossed electromagnetic Field. -IEEE Trans on parts, mater. And pack., 1967, vol.3, № 3, p.70−76.
  87. Patent 4,716, 340 USA. Рге-ionization aided sputter gun/ K. J. Lee, A. Musset. Dec. 29.1987. 315/111.41 (H01 j 7/24).
  88. Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. 592 с.
  89. .А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. -М.: Энергоатомиздат, 1990. 184 с.
  90. Г. А., Проскуровский Д. И. Импульсный электрический разряд в вакууме. Новосибирск: Наука, 1984, 256 с.
  91. А.Ф., Пащенко П. В. Конструкции магнетронных распыляющих систем (обзор) // ТСС 1992 сер. ТПО. Вып 1, 2. с.6−27.
  92. А.Ф., Пащенко П. В., Семенов А. П., Бесогонов В. В., Солдатенков A.B. // Техника средств связи. 1990. Сер. ТПО. Вып. 5. С. 42−49.
  93. А.П., // Сибирский физико-технический журнал. 1993. Вып.6. С. 68−72.
  94. А.П. // Тез. докл. III межрег. совещ.: Тонкие плёнки в электронике. Йошкар-Ола: 1992.4.1. С.34−38.
  95. А.П., Шулунов В. Р., Белянин А. Ф., Спицын Б. В. Устройство на основе планарного магнетрона и ионных источников // Вопросы атомной науки и техники. 1998. Серия. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Вып. 4(5), 5(6). С.31−33.
  96. А.П. Техника нанесения тонких плёнок распылением ионным пучком (обзор) ПТЭ. 1990. № 4. С. 26−42.
  97. А.П., Белянин А. Ф., Халтанова В. М., Тер-Маркарян A.A. Особенности строения тонких плёнок, сформированных распылением ионным пучком // Техника средств связи. Сер.ТПО. 1988. Вып. 1. С. 25−31.
  98. А.П., Мохосоев М. В., Халтанова В. М., Бальжинов С. А., Корсун В. П. Тонкие плёнки молибдата свинца // Доклады АН СССР. 1988. Т.298. № 3. С. 681−683.
  99. А.П., Белянин А. Ф., Мохосоев М.В, Тер-Маркарян A.A. // Техника средств связи. Сер.ТПО. 1984. Вып. 1. С. 66−75.
  100. А.П., Смирнягина H.H., Белянин А. Ф. О выращивании тонких плёнок УВа2Сиз07.х распылением ионным пучком, извлекаемым из разряда с холодными электродами // Письма в Журнал технической физики. 1991. Т. 17, вып. 19. С. 59−63.
  101. А.Ф., Пащенко П. В., Семенов А. П., Шулунов В. Р. О двух типах планарных магнетронов // Материалы IV Российской конференции: Высокие технологии в промышленности России. М.: 1998. С.31−39.
  102. . С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких плёнок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 328 с.
  103. Semyonov А.Р., Belyanin A.F., Shulunov V.R., Semyonova I.A. Gasdischarge ion source for serial vacuum facilities VUP-4 and VUP-5 //th
  104. А.П., Белянин А. Ф., Шулунов В.P., Семенова И. А. Модификация вакуумных постов газоразрядными ионными источниками // Материалы IV Российской конференции: Высокие технологии в промышленности России. М.: МГУ. 1998. С.40−48.
  105. X., Фиедлер О., Хехт Г. и др. Исследование тонких плёнок, полученных методом ионного распыления // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и плёнок. Новосибирск: Наука, 1975. Ч. 2. С. 380−390.
  106. J. М. Е. Ion beam techniques in thin film deposition // Solid State Technol. 1987/ Vol. 30. № 4/ Р/ 129−134.
  107. Thin films processes // J. L. Vossen and W. Kern (eds.). New York: Academic press, 1978.
  108. Varitimos Т.Е., Tustison R.W. Ion beam sputtering of ZnS thin films //Thin Solid Films. 1987. Vol. 151. № 1. P. 27−33.
  109. Varasi M., Misiano C., Lasaponara L. Deposition of optical thin films by ion beam sputtering // Thin Solid Films. 1984. Vol. 117. № 3/ Р/ 163−172.
  110. Специальный физический практикум, ч.2, изд.З. Изд-во Моск.125ун-та, 1977 г ., 376 е., 192 ил.
  111. С. И., Каримов Р. Г., Крейндель Ю. Е., Морошкин В. В ПТЭ, 1986, № 2, с. 155−158.
  112. Е. М., Ибадов С. Изв. АН СССР. Сер. Физ., 1968, т.32 с. 1262−1268.
  113. В. Н., Гречаный В. Г., Метель А. С. ПТЭ, 1984, № 2, с 146−148.
  114. H.H., Крейндель Ю. Е., Щанин П. М. ЖТФ, 1983, т. 53 № 3, с. 1846−1848.
  115. И. Е. Основы теории электричества. М.: Наука, 1976 616 с.
  116. ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
  117. ТИ «ТЕХНОМАШ» профессор Житковский В. Д. бря2002г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы аспиранта Бурятского научного центра СО РАН Шулунова Вячеслава Рубиновича
  118. Разработанный с участием Шулунова В. Р. технологический плазменный источник заряженных частиц использован в специальном варианте промышленной установке ИОН-1, совмещающей применение методов магнетронного распыления и распыления ионным пучком.
  119. Начальник лаборатории «Ионно-плазменной технологии и вакуумных процессов» ОАО ЦНИТИ «Техномаш» к.х.н., ст.н.с
  120. Старший научный сотрудник, к.т.н.1. Ст.н.сотр. -елянин А.Ф.1. Пащенко П. В. Петухов К.Ю.жМММ. Липанов1. АКТвнедрения ионного источника на основе тлеющего разряда с холодным катодом
  121. Заведующий отдела прочности1. ИПМ УрО РАН, ктн1. И.Н. Бурнышев
  122. Старший научный сотрудник ИПМ УрО РАН, ктн1. В .В. Бесогонов
Заполнить форму текущей работой

На отлично!