Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе

Диссертация: Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основании всесторонних исследований различными методами (в т.ч. на атомно-силовом микроскопе) влияния процессов обработки на морфологию поверхности Si пластин выбраны способы подготовки подложек для технологии изготовления структур КНИ и оптимизированы их параметры. Представлен процесс уменьшения уровня максимальных неровностей поверхности Si пластин в 1,4 раза по сравнению с исходными… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Подготовка пластин 81, используемых при производстве структур КНИ
    • 1. 1. Перспективы производства структур КНИ
      • 1. 1. 1. Особенности структур КНИ
      • 1. 1. 2. Методы формирования структур КНИ
    • 1. 2. Получение структур КНИ методом сращивания полупроводниковых пластин
    • 1. 3. Роль процессов химической обработки в микроэлектронике
    • 1. 4. Влияние поверхностных загрязнений подложек на результаты технологических процессов
      • 1. 4. 1. Классификация загрязнений
      • 1. 4. 2. Источники загрязнений на поверхности пластин
      • 1. 4. 3. Выбор процесса химической обработки
    • 1. 5. Способы очистки поверхности пластин от загрязнений.,
      • 1. 5. 1. Жидкостная химическая обработка
      • 1. 5. 2. Тенденции развития существующих методов жидкостной химической обработки
      • 1. 5. 3. Сухие методы обработки поверхности
    • 1. 6. Контроль качества подготовки поверхности пластин
    • 1. 7. Выводы и постановка задачи
  • Глава 2. Оборудование и методика проведения эксперимента
    • 2. 1. Подготовка подложек
      • 2. 1. 1. Химическая обработка методом погружения структур в растворы
      • 2. 1. 2. Сушка структур
      • 2. 1. 3. Химическая обработка аэрозольно-капельным распылением растворов
      • 2. 1. 4. Химическая обработка с применением мегазвуковой энергии
      • 2. 1. 5. Кистевая химическая обработка
      • 2. 1. 6. Процессы химического травления
    • 2. 2. Методики контроля 81 пластин и структур КНИ
    • 2. 3. Выводы
  • Глава 3. Причины, влияющие на загрязнение поверхности 81 пластин в процессе получения структур КНИ
    • 3. 1. Анализ состояния поверхности подложек, используемых для производства структур КНИ и ИС
    • 3. 2. Выявление основных источников механических загрязнений поверхности полупроводниковых пластин
      • 3. 2. 1. Влияние среды чистых производственных помещений на загрязнение 81 пластин
        • 3. 2. 1. 1. Влияние загрязнения поверхности полупроводниковых пластин в чистых производственных помещениях
        • 3. 2. 1. 2. Влияние чистоты технологических растворов на привносимые загрязнения поверхности пластин
        • 3. 2. 1. 3. Влияние параметров ЧПП на поверхностные привносимые загрязнения подложек
        • 3. 2. 1. 4. Влияние расположения 81 пластин в кассете на поверхностные загрязнения
      • 3. 2. 2. Влияние оборудования на загрязнение поверхности 81 пластин
      • 3. 2. 3. Влияние персонала на загрязнение поверхности 81 пластин
      • 3. 2. 4. Влияние чистоты используемых производственных материалов на загрязнение поверхности пластин
        • 3. 2. 4. 1. Определение влияния чистоты химических растворов на загрязнение поверхности подложек
        • 3. 2. 4. 2. Определение загрязнений поверхности исходных полупроводниковых пластин
      • 3. 2. 5. Влияние технологического процесса химической обработки на уровень загрязнений пластин
        • 3. 2. 5. 1. Влияние операции сушки пластин 81 на загрязнения поверхности
    • 3. 3. Анализ влияния факторов технологического процесса химической обработки на загрязнение поверхности Si пластин
    • 3. 4. Влияние процессов подготовки на контактную разность потенциала поверхности подложек
    • 3. 5. Выводы
  • Глава 4. Разработка процессов подготовки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ
    • 4. 1. Влияние химической обработки на уровень остаточных загрязнений поверхности Si пластин
    • 4. 2. Воздействие раствора NH4OH/H2O2/H2O на поверхность Si пластин
    • 4. 3. Обработка Si пластин в водных растворах HF
    • 4. 4. Влияние процессов сушки Si пластин после проведения жидкостной обработки на уровень загрязнений
    • 4. 5. Влияние химической обработки на шероховатость поверхности
  • Si пластин
    • 4. 6. Разработка процессов подготовки Si пластин
      • 4. 6. 1. Разработка способов уменьшения уровня остаточных загрязнений в процессе проведения химической обработки
      • 4. 6. 2. Разработка процесса химической обработки аэрозольно-капельным распылением растворов
      • 4. 6. 3. Разработка процесса химической обработки с использованием растворов на основе 8-оксихинолина
    • 4. 7. Выводы
  • Глава 5. Исследование структур КНИ, полученных с использованием разработанных процессов подготовки подложек
    • 5. 1. Использование разработанных процессов подготовки подложек для получения структур КНИ
    • 5. 2. Технологический маршрут изготовления структур КНИ сращиванием подложек и отслаиванием части приборного слоя
    • 5. 3. Исследование характеристик структур КНИ, полученных сращиванием подложек и отслаиванием части приборного слоя
    • 5. 4. Исследование поверхности рабочего слоя структур КНИ, полученных сращиванием Si пластин
      • 5. 4. 1. Влияние на поверхность образцов боковых сил трения зонда
      • 5. 4. 2. Сравнение характеристик поверхности образцов пластин полученных разными методами
    • 5. 5. Лабораторный процесс формирования островковых структур КНИ
    • 5. 6. Выводы

Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы.

Развитие микроэлектроники происходит в направлении решения задач увеличения сложности, плотности компоновки элементов и повышения быстродействия ИС. Важной проблемой является повышение устойчивости ИС к внешним факторам (температуре, радиационным воздействиям и т. д.), приводящим к изменению параметров функционирования приборов. Использование структур «кремний на изоляторе» (КНИ), что позволяет значительно уменьшить паразитные связи между элементами ИС и подложкой, а также увеличить устойчивость ИС к воздействиям дестабилизирующих факторов. Структуры КНИ позволяют обеспечить технологические и экономические преимущества при получении ИС и элементов микроэлектромеханических систем, производимых по данным технологиям, перед альтернативными приборами, изготавливаемыми на обычных подложках, а также получить изделия, которые невозможно реализовать с использованием других методов получения. В настоящее время одним из перспективных направлений производства структур КНИ являются технологии, использующие методы сращивания полупроводниковых пластин, позволяющие получать структуры с изолированным слоем монокристаллического кремния толщиной от 0,1 мкм до десятков мкм с использованием методов утонения рабочей пластины.

Одной из основных операций в процессе получения структур КНИ методами сращивания подложек является химическая обработка полупроводниковых пластин. Процесс химической обработки подложек в общем случае можно представить в виде последовательных технологических операций очистки в химических реагентах, отмывки в воде и сушки. Подготовка поверхности пластин является определяющим этапом не только с точки зрения качества изготовляемых структур КНИ, но и работоспособности созданных на их основе элементов. Загрязнения и геометрические несовершенства поверхности являются основными причинами брака при проведении операций термического сращивания полупроводниковых пластин для получения структур КНИ. Проблемы уменьшения количества загрязнений и улучшения морфологии поверхности подложек необходимо решать и для производства ИС, особенно с топологическими нормами менее 1,0 мкм. Поэтому тема диссертационной работы актуальна как с точки зрения развития передовых технологий производства структур КНИ, так и с точки зрения производства традиционных микроэлектронных изделий.

Цель работы.

Основной целью диссертационной работы является:

— исследование и разработка процессов подготовки пластин, предназначенных для получения структур КНИ и апробация их в реальном технологическом маршруте,.

Для достижения поставленной цели необходимо:

— провести анализ основных технологических факторов, влияющих на качество структур КНИ;

— определить влияние уровня и вида загрязнений поверхности 81 пластин на качество структур КНИ, получаемых сращиванием подложек;

— провести моделирование дефектности приборного слоя 81 в структурах КНИ в зависимости от уровня, типа загрязнений и рельефа поверхности исходных подложек;

— проанализировать факторы, влияющие на уровень загрязнений поверхности полупроводниковых пластин в технологическом процессе;

— провести анализ и сравнить морфологию поверхности 81 пластин после различных процессов подготовки исходных подложек;

— разработать технологические процессы подготовки поверхности 81 пластин, предназначенных для изготовления структур КНИ;

— разработать технологический маршрут изготовления структур КНИ с использованием новых процессов подготовки подложек и исследовать характеристики полученных образцов.

Научная новизна.

Исследовано влияние процессов подготовки поверхности подложек на параметры структур КНИ. Установлена корреляция между уровнем загрязнений на поверхности сращиваемых подложек и размерами пор в приборном слое структур КНИ.

На основе проведенного анализа поверхностных загрязнений построена модель влияния механических загрязнений поверхности пластин Si на дефектность структур КНИ.

Проведены исследования различными методами (в т.ч. на атомно-силовом микроскопе) влияния процессов обработки на морфологию поверхности Si пластин. Установлена связь между дефектами морфологии поверхности и параметрами процессов.

Обнаружено и объяснено влияние многократного циклического изменения скорости вращения подложек в процессе очистки на уровень поверхностных механических загрязнений с позиции изменения толщины граничного слоя жидкости на поверхности подложек под действием сил инерции.

Впервые проведены комплексные исследования процесса подготовки поверхности Si пластин в растворах на основе 8-оксихинолина и определены основные закономерности нелинейного влияния состава раствора на чистоту поверхности подложек.

Практическая ценность.

Разработан новый технологический процесс обработки Si пластин диаметром 100 и 150 мм с использованием аэрозольно-капельного распыления растворов H2S04/H2025 NH4OH/H2O2/H2O, предназначенный для подготовки поверхности к проведению термического сращивания. В результате снижен уровень механических загрязнений до 15 частиц на поверхности подложек диаметром 150 мм, уменьшена неровность поверхности подложек в 1,6 раза по сравнению со стандартными методиками обработки.

Разработан новый состав раствора на основе 8-оксихинолина и режимы подготовки подложек с применением мегазвукового воздействия, позволяющие снизить уровень металлических примесей на поверхности подложек.

Разработан технологический маршрут получения структур КНИ методами сращивания пластин с Использованием предложенных процессов подготовки подложек, позволяющих снизить дефектность рабочего слоя структуры.

Разработана технологическая схема лабораторного процесса получения составных островковых структур КНИ, являющаяся основой для биполярной технологии.

Изготовлены образцы структур КНИ, предназначенные для производства ИС с повышенной радиационной и термической устойчивостью, а также датчиков и элементов микроэлектромеханических систем специального назначения. Полученные результаты подтверждены соответствующими актами внедрения.

Положения выносимые на защиту.

1. Модель влияния поверхностных загрязнений подложек на качество формируемых структур КНИ.

2. Результаты комплексных исследований влияния различных факторов технологического процесса химической обработки на уровень загрязнений и морфологию поверхности пластин.

3. Технологические режимы подготовки поверхности подложек методом аэрозольно-капельного распыления растворов Н2804/Н2029 МН40Н/Н202/Н20.

4. Новый состав раствора на основе комплексообразователя 8-оксихинолина для химической обработки подложек с использованием мегазвукового воздействия на обрабатываемую пластину.

5. Технологический маршрут изготовления структур КНИ, включающий разработанные процессы подготовки подложек.

6. Изготовленные образцы структур КНИ, полученные сращиванием подложек и удалением части приборного слоя, обладающие повышенной устойчивостью к температурным, радиационным воздействиям.

Апробаиия результатов работы.

Результаты, представленные в диссертационной работе, докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. Третья международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика-97» (Москва, МИЭТ, 1997 г.);

2. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика-98» (Москва, МИЭТ, 1998 г.);

3. Всероссийская научно-техническая конференция «Новые материалы и технологии, НМТ-98» (Москва, МАТИ, 1998 г.);

4. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика-99» (Москва, МИЭТ, 1999 г.);

5. Научно-техническая конференция «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления, Датчик-99», (Гурзуф, 1999 г.);

6. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика-2000» (Москва, МИЭТ, 2000 г.);

7. Международная научно-техническая конференция «Микроэлектроника и информатика-ХХ1 век» (Москва, МИЭТ, 2000 г.).

Публикации.

По материалам, изложенным в диссертации, опубликовано 13 работ, включая оригинальные статьи в отечественных периодических изданиях и тезисы докладов на конференциях. Результаты работы вошли составной частью в НТО по НИР «Теоретические и экспериментальные физико-химические исследования процессов формирования многослойных структур типа „кремний на изоляторе“ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения» (№ гос. регистрации 1 200 008 756, 2000 г.).

Структура и объем диссертаиии.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Материал диссертации изложен на 187 страницах машинописного текста, включая 57 рисунков и 12 таблиц.

Список литературы

состоит из 191 наименования.

5.6 Выводы.

— Разработан технологический маршрут получения структур КНИ методами сращивания пластин и отслаивания части приборного слоя с использованием предложенных процессов подготовки подложек. Разработана технологическая схема лабораторного процесса получения составных островковых структур КНИ. Применение разработанных процессов подготовки подложек позволило улучшить параметры получаемых структур. Уменьшено количество пор в процессе проведения сращивания 81 пластин.

— Изготовлены опытные образцы структур КНИ. Исследования тестовых образцов показали возможность использования полученных структур КНИ для производства ИС с повышенной радиационной и термической устойчивостью, а также датчиков и элементов микроэлектромеханических систем специального назначения. Полученные результаты подтверждены соответствующими актами внедрения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате анализа литературных источников определены перспективные направления развития технологии производства структур КНИ. Сформулированы требования к качеству подложек, выбраны базовые методы подготовки.

Установлена корреляция между величиной загрязнений на поверхности сращиваемых подложек и размерами пор в приборном слое структур КНИ. На основе проведенного анализа построена модель влияния механических загрязнений поверхности пластин Si на дефектность структур КНИ.

На основании всесторонних исследований различными методами (в т.ч. на атомно-силовом микроскопе) влияния процессов обработки на морфологию поверхности Si пластин выбраны способы подготовки подложек для технологии изготовления структур КНИ и оптимизированы их параметры. Представлен процесс уменьшения уровня максимальных неровностей поверхности Si пластин в 1,4 раза по сравнению с исходными образцами за счет проведения последовательных операций термического окисления и стравливания слоя Si02.

Обнаружено влияние многократного циклического изменения скорости вращения подложек на уровень поверхностных механических загрязнений. Разработаны новые режимы процесса химической обработки аэрозольно-капельным распылением растворов H2SO4/H2O2, NH4OH/H2O2/H2O, применение которых позволило уменьшить количество остаточных загрязнений до 15 частиц на поверхности подложек диаметром 150 мм и в 1,6 раза снизить уровень максимальных неровностей поверхности подложек по сравнению с применением стандартных процессов обработки.

На основе теоретического расчета и экспериментальных исследований разработан состав химического раствора и технологический процесс подготовки подложек с использованием 8-оксихинолина. Впервые проведены комплексные исследования процесса подготовки поверхности Si пластин в растворах на основе 8-оксихинолина в результате которых разработан новый состав раствора на и режимы подготовки поверхности подложек с применением мегазвуковой энергии (0,005% 8-оксихинолина в 0,45%-ом водном растворе ЫН4ОН).

Разработан технологический маршрут получения структур КНИ методами сращивания 81 пластин и отслаивания части приборного слоя с использованием предложенных процессов подготовки подложек. Разработана технологическая схема лабораторного процесса получения составных островковых структур КНИ. Применение разработанных процессов подготовки подложек позволило улучшить параметры получаемых структур. Уменьшено количество пор в процессе проведения сращивания 81 пластин.

Изготовлены опытные образцы структур КНИ. Исследования тестовых образцов показали возможность использования полученных структур КНИ для производства ИС с повышенной радиационной и термической устойчивостью, а также датчиков и элементов микроэлектромеханических систем специального назначения. Полученные результаты подтверждены соответствующими актами внедрения.

Таким образом, в результате проделанной автором работы исследованы и разработаны процессы подготовки подложекулучшены параметры структур КНИ, полученных сращиванием 81 пластин на основе разработанных технологических маршрутов.

В заключение я выражаю глубокую благодарность к.т.н. С. П. Тимошенкову за плодотвороное сотрудничество, помощь в проведении исследований и постоянное внимание к моей работе. Я благодарен профессору М. А. Королеву за полезные консультации. Пользуясь случаем, я хотел бы поблагодарить всех сотрудников кафедры ОХиЭ за участие в обсуждении широкого круга вопросов, связанных с данной работой и, прежде всего профессора В. З. Петрову за сотрудничество и полезные замечания и предложения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Chesters S. A fractal-based method for describing surface texture 11 Solid state technology. Vol. 34. No. 1. Jan. 1991. P. 73−76.
  2. ЮЛ., Круглов И. И. Полупроводниковые приборы со структурой кремний на изоляторе: состояние и перспективы изготовления // Обзоры по ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 6. (1473). 1989 г.
  3. Warmerdam L. High-voltage SOI for single-chip power // Semiconductor European. Vol. 21. No. 6. Jul. 1999. P. 19−20.
  4. Singer P. IBM introduces SOI process // Semiconductor international. Vol. 21. No.10. Sep. 1998. P. 46.
  5. Lu X., Lyer K.S.S., Ни С., Cheung W.N. Ion-cut silicon-on-insulator fabrication with plasma immersion ion implantation // Appl. Phys. Lett. 71 (19). 10 Nov. 1997. P. 2767−2769.
  6. Lu X., Lyer K.S.S., Liu J., Ни С., Cheung W.N. Separation of plasma implantation of oxygen to form silicon on insulator // Appl. Phys. Lett. 70 (13). 31 Mar. 1997. P. 1748−1750.
  7. Kamgar A., Clemens J.T. Isolations path to SOI technology // Solid State Technology. Vol. 42. No. 10. Oct 1999. P. 113−116.
  8. Turner R. Euro directions in microsystems // Semiconductor European. Vol. 20. No. 11. Nov. 1998. P. 23−24.
  9. Bruei М. Application of hydrogen ion beam to silicon on insulator material technology // Nuclear instruments and methods in physics research. B. 1996. P. 313−319.
  10. И.А. Исследование и разработка конструкции и технологии КНИ-элементов интегральных микросистем на основе рекристаллизованного поликремния // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. МИЭТ. 1999.
  11. Tong Q.-Y., Gosel М. Wafer bonding and layer splitting for microsystems // Adv. Mater. No. 17. 11. 1999. P. 1409−1425.
  12. Maszara W.P. Silicon on — insulator by wafer bonding: A review // Journal of the electrochemical society. Vol.138. No. 1. Jan. 1991. P. 341−347.
  13. Н.И., Ермолаева А. И. Формирование структур КНИ методом сращивания кремниевых пластин через слой стекловидного диэлектрика // Микроэлектроника. Том 23. Вып. 6. 1994. С. 55−61.
  14. Нага Т., Kakizaki Y., Kihana Т., Oshima S.5 Kitamura Т. Ion implantation and annealing condition for delamination of silicon layers by hydrogen ion implantation // Journal of the electrochemical society. Vol. 144. No. 4. Apr. 1997. P. 178−181.
  15. B.B., Козлов B.A., Ломасов B.H. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Обзор // Физика и техника полупроводников. Том 34. Вып. 2. 2000. С. 140−142.
  16. Tong Q.-Y., Gutjahr К., Hopfe S. Gosele U. Layer splitting process in hydrogen-implanted Si, Ge? SiC substrates // Appl. Phys. Lett. 70 (11). 17 Mar. 1997. P. 1390−1392.
  17. Lu X.9 Cheung W.N., Strathman M.D. Hydrogen induced silicon surface layer cleavage //Appl. Phys. Lett. 71 (13). 29 Sep. 1997. P. 1804−1806.
  18. Прокопьев Е. П. Тимошенков С.П., Суворов A.JI. и др. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Институт теоретической и экспериментальной физики. 2000. С. 2−11.
  19. Vogt Н., Burbach. G. Silicon-on-insulator development in Europe 11 Solid state technology. Vol. 34. No. 2. Feb. 1991. P. 79−83.
  20. Г .Я., Зайцев H.A. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС // «Микрон-принт». Москва. 1999.
  21. Н.К., Минкин M.JL, Сухопаров А. И. Организационно-технические аспекты создания призводства СБИС уровня технологии 0,8−1,2 мкм на кремниевых пластинах диаметром 150 мм // Труды Proceeding 2А. Вып. 2. 1997.
  22. Sievert W. New standards improve chemistry between device makers, suppliers // Semiconductor magazine. Vol. 1. Iss. 3. Mar. 2000. P.30−34.
  23. К.А., Кармазинский A.H., Королев M.A. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах // «Советское радио». Москва. 1971. С. 377.
  24. Burkman D. Optimizing the cleaning procedure for silicon wafers prior to high temperature operations // Semiconductor International. Vol. 14. No. 14. Jul. 1981. P. 104−116.
  25. Bansal I., Particle contamination during chemical cleaning and photoresist stripping of silicon wafer // MICRO. Vol. 2. No. 8. Aug/Sep. 1984. P. 35−40.
  26. Ю.Л., Круглов И. И. Автоматизация производства полупроводниковых приборов // Обзоры по ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 4(1556). 1990.
  27. Kern W. The evolution of silicon wafer cleaning technology // Journal of the electrochemical society. Vol. 137. No. 6. Jun. 1990. P. 1887−1890.
  28. X. Статистические методы повышения качества // «Финансы и статистика». Москва. 1990.
  29. Т.И. Прецизионная литография // ЦНИИ «Электроника». Москва. 1986 г. С. 55−60.
  30. В.М., Ушаков В. И., Каракеян В. И., Минкин M.JL, Гребенкин В. З. Генерация аэрозолей оборудованием микроэлектроники и аспекты создания технологической среды требуемой чистоты // Обзоры по ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 2 (1466). 1989 г.
  31. С.М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов // «Энергия». Москва. 1970. С. 5.
  32. К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития // «Наука». Москва. 1986. С. 7−53.
  33. И.Д., Докучаев Б. П., Колмогоров Г. Д., Чистота в производстве полупроводниковых приборов и ИС // «Энергия». Москва. 1975. С. 6−11.
  34. Ю.А. Разработка и исследование способов снижения привносимого аэрозольного загрязнения манипуляционным оборудованием микроэлектроники // Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, Москва. МИЭТ. 1990.
  35. В.З., Ханова Н. А., Гребенькова В. И., Шутова Р. Ф., Борисов А. Г. Химия в микроэлектронике, часть 1 //МИЭТ. 1995. С. 26.
  36. В.Н. Точность как фактор развития электронного производства // «Электронная промышленность». No. 11−12. 1993. С. 69−74.
  37. У. Микролитография // «Мир». Москва. 1990. С. 352−369.
  38. Bruel М., Aspar В., Maleville. С., Moriceau Н. Unibond SOI wafers achieved by smart-cut process // Electrochemical society proceedings. Vol. 23. 1997. P. 2−10.
  39. Я. Основы технологии СБИС // «Радио и связь». Москва. 1985. С. 337−340.
  40. В.В. Эффективность применения в производстве кислотного процессора «Mercury МР» // Тезисы доклада 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-97». С. 167−168.
  41. Lysarht P. S. Addressing Си contamination via spin-etch cleaning // Solid state technology. Nov. 99. Vol. 42. No. 11. P.63−70.
  42. Syverson D. An advanced dry/wet cleaning process for silicon surfaces // FSI International. Technical report dry cleaning/rinsing/drying. TR 369. Jun. 1. 1991. P. 3−7.
  43. В.Ф.Киселев, О. В. Крылов Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках// «Наука». Москва. 1979. С. 3−10.
  44. А.Д.Зимон. Адгезия пленок и покрытий // «Химия». Москва. 1977. С. 12−16.
  45. Elliot D.J. Contamination control using a nitrogen-purged microenvironment 11 Solid state technology. Vol. 36. No. 11. Nov. 1993. P. 75−76.
  46. А.А.Балыченко, В. И. Беклемышев и др. Процессы удаления алюминия с поверхности кремниевых пластин. // Микроэлектроника. Том 20. Вып. 4. 1991. С. 410.
  47. Б.Г.Грибов. Материалы для электроники: состояние и перспективы развития // Электронная промышленность. No. 11−12. 1993. С. 30−36.
  48. Fernandes N. Emerging markets for wafer-cleaning technologies // Solid state technology. Nov. 99. Vol. 42. No. 11. P.36−38.
  49. Ю. Проектирование технологии очистки в процессе изготовления СБИС // Гл. 1. Технология прецизионной очистки. Всесоюзный центр переводов. No. М-35 457. 1984. С. 1−63.
  50. Braun Е. A. Photoresist stripping faces low-k challenges // Semiconductor international. Oct 99. Vol. 22. No. 12. P.64−74.
  51. Deal B.B.5 McNeilly M.A., Kao D.B., deLarios J, M. Vapor phase wafer cleaning and integrated processing: technology for the 1990's // Proceeding Institute of Environmental Sciences. 1990.
  52. Grudner M. Wet chemical treatments of Si surfaces: Chemical composition and morfology // Solid State Technology. Vol. 34. No. 2. Feb. 1991. P. 69−75.
  53. Энциклопедический словарь // «Электроника». 1991. С. 362−363.
  54. Talasek R.T. Optimized Methods for high-volume chemical usage in the semiconductor industry // Semiconductor fabtec. Eighth edition. P. 131−132.
  55. Тимошенков С. П5 Калугин В. В. Очистка пластин кремния в процессах полупроводникового производства // Оборонный комплекс научно-техническому развитию России. No. 2. 2000. С. 39−44.
  56. Skidmore К. Cleaning techniques for wafer surfaces // Semiconductor International. Vol. 10. No. 8. Aug. 1987.
  57. McHatton C., Gumbert C.M. Eliminating backgrind defects with wet chemical etching//Solid state technology. Vol. 41. No. 11. Nov. 1998. P. 85−90.
  58. А. П. Агрегат для химической подготовки поверхности, содержащий ряд ванн с автооператором // Подольский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени механический завод им. Калинина. Авторское свидетельство СССР No. 304 629. 1969.
  59. Was ritten by the semiconductor equipment assessment program, Hot processing with vapor phase cleaning // Semiconductor international. Vol. 22. No. 12. Oct. 1999. P. 98−102.
  60. Was ritten by the semiconductor equipment assessment program. Spin processing for frontside application // Semiconductor international. Vol. 22. No. 12. Oct 1999. P. 104−106.
  61. Hattory T. Environmentally friendly single-wafer spin cleaning // Solid state technology. Vol. 42. No. 11. Nov. 99. P. 73−80.
  62. Lester M.A. Clean approaches for dual-damascene // Semiconductor international. Vol. 22. No. 9. Aug. 1999. P. 51.
  63. Ohmi T. Total room temperature wet cleaning of silicon surfaces // Semiconductor International. Vol. 19. No. 8. Jul. 1996.
  64. Hall R.M., Rosato J.J. Improving rinse efficiency with automated cleaning tools // Semiconductor International. Vol. 19. No. 11. Nov. 1996.
  65. Christenson K., Smith M., Werho D. Removing metallic contaminants in RCA-2 clean as a function of blend ratio and temperature // Microcontamination. Vol. 12. No. 6. Jun. 1994.
  66. Couteau T. Dilute RCA cleaning chemistries // Semiconductor international. Vol. 21. No. 11. Oct. 1998. P.95−100.
  67. Meuris M., Merteus P.W., Opdebeeck A. The IMEC clean: a new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. Vol. 38. No. 7. Jul. 1995. P. 109.
  68. Parekh В., Zanka J. Point-of-use purification in DHF bath // Solid State Technology. Vol. 39. No. 7. Jul. 1996.
  69. Mayer A., Shwartzman S. Megasonic cleaning: A new cleaning and drying system for use in semiconductor processing // Journal of electronic materials. No. 6. 1979.
  70. Hall B.W. Megasonic jet cleaner apparatus // U. S. Patent. No. 181.985. Aug. 28. 1980.
  71. Bushanina A.A., Dai F. Megasonic cleaning // Semiconductor international. Vol. 20. No. 8. Aug. 1997.
  72. Hall R.M. Investigating particle, metallic deposition in megasonic wafer cleaning //MICRO. Vol. 14. No. 7. July/August. 1996. P. 81−90.
  73. А.И. Курносов, B.B. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов // «Судостроение». 1965. С. 20−24.
  74. Burggraaf P. Water cleaning: brush and high-pressure scrubbers // Semiconductor International. Vol. 4. No. 7. Jul. 1981.
  75. Walter A. E. Paczewski R. M. Using an enclosed process chamber for FPD chemical cleaning // MICRO. Vol. 14. No. 5. May. 1996.
  76. Kristenson К. K. Benefits and challenges of centrifugal spray processor technology // Solid State Technology. Vol. 40. No. 12. Dec. 1997.
  77. Hymes D. J., Malic I. J. Using double-sided scrubbing systems for multiple general fab application //MICRO. Vol. 14. No. 9. Oct. 1996.
  78. Hunt J.R. Sentrifugal wafer processor // U. S. Patent. No. 4.571.850. Feb. 25. 1986
  79. Singer P. Wafer cleaning: making the transition to surface engineering // Semiconductor International. Vol. 18. No. 10. Oct. 1995. P. 88.
  80. Wolke K. Marangoni wafer drying avoids disadvantages // Solid State Technology. Vol. 39. No. 8. Aug. 1996. P. 87−90.
  81. Britten J. A. A moving-zone Marangoni drying process for critical cleaning and wet processing // Solid State Technology. Vol. 40. No. 10. Oct. 1997. P. 143−148.
  82. Werbaneth P., Meyer J. FeRAM plasma etch for volume production // Semiconductor European. Vol. 21. No. 5. May. 1999. P. 23−26.
  83. Lester M.A. Researchersn develop non-contact technique for cleaning wafers // Semiconductor international. Vol. 22. No. 10. Sep. 1999. P. 52.
  84. Sargent J. Transition in the post-etch wafer-cleaning market and technologies // Solid State Technology. Vol. 40. No. 5. May. 1997.
  85. Fazlin F. Plasma treatment for improvement wire bonding // Solid State Technology. Vol. 39. No. 10. Oct. 1996.
  86. Weygand J. F. Cleaning silicon wafers with an argon/nitrogen cryogenic aerosol process // MICRO. Vol. 15. No. 4. Apr. 1997. P. 47−54.
  87. Wu J. J. Wafer cleaning with cryogenic argon aerosol // Semiconductor International. Vol. 19. No. 8. Aug. 1996.
  88. Lester A. M. A new clean method: photoreactive cleaning // Semiconductor international. Vol. 22. No. 12. Oct. 1999. P. 60.
  89. Lester M. A. Laser post-CMP cleans // Semiconductor international. Vol. 21. No. 11. Oct 1998. P.48.
  90. Lester M.A. Laser technique cleans polymers // Semiconductor international. Vol. 22. No. 4. Apr. 1999. P. 54.
  91. Lester M.A. Post clean treatment for metal layers // Semiconductor international. Vol. 21. No.10. Sep. 1998. P. 56.
  92. Chu P.K. Plasma doping: progress and potential // Solid state technology. Vol. 42. No. 10. Oct. 1999. P.77−82.
  93. Patrick R., Baldwin S., Williams N. Closed-loop bias voltage control for plasma etching // Solid state technology. Vol. 43. No.2. Feb. 2000. P.59−66.
  94. Osborne N. Rust W.5 Laser A. Understanding ion induced damage // Semiconductor European. Vol. 22. No. 7. Jul. 2000. P. 21−23.
  95. Moslehi M.M., Davis C.J. Singl-wafer processing tools for agile semiconductor production // Solid state technology. Vol 37. No. 1. Jan. 1994. P. 35−45.
  96. Ю.Н., Федоров B.A. Лабораторный практикум по курсу Методы исследования состава, структуры и электрофизических свойств материалов электрической техники // МИЭТ. Москва. 1995. С. 3−82.
  97. Beck E.S. Avoiding the pitfalls of surface analysis // Solid state technology. Oct. 1997. Vol.40. No. 10. P.169−178.
  98. А.И., Голубская И. Э., Чистяков Ю. Д. Методы исследования и контроля чистоты поверхности // МИЭТ. 1989.
  99. В.В., Тихонов А. Н. Автоматизированный растровый электронный микроскоп эффективное средство технологического контроля в МЭ // Микроэлектроника. 1982.
  100. В.А., Баранов В. В. и др. Методы контроля параметров твердотельных структур СБИС // «Бестпринт». Минск. С. 8−50.
  101. Braun А.Е. Defect detection overcomes limitations // Semiconductor international. Vol. 22. No. 12. Oct. 1999. P. 44−52.
  102. Vollrath W. Optical microscopy at sub-ОД mem resolution: fiction or vision // Semiconductor international Vol. 22. No. 12. Oct. 1999. P. 52−60.
  103. В.Я., Брюхин B.H., Федотов В. П. Контроль технологических сред в производстве ИС // Электронная промышленность. 1985.
  104. В.И. Комплексная оценка качества МДП-структур по напряжению микропробоя // Электронная промышленность. 1985.
  105. Под ред. Зандерны А. Методы анализа поверхности // Москва. 1979.
  106. Яминский И. В, Работы ученых МГУ в области туннельной спектроскопии и наноэлектроники // Электронная промышленность. No.10. 1993. С. 25−28.
  107. И.В. Сканирующая туннельная микроскопия // Электронная промышленность. No.10. 1993. С. 62−63.
  108. В.А., Емельянов А. В. и др. Наноэлектроника как перспектива развития микроэлектроники // Электронная промышленность. No. 11−12. 1993. С. 42−46.
  109. Eggleston С. М, Higgins S.R., Patrisia. Scanning Probe Microscopy of Environmental Interfaces // American Chemical Society. Vol. 32. Iss. 19. Oct. 1998. P. 456−459.
  110. В.К. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии // Учебное пособие. МИЭТ. 1996. С. 3−8.
  111. Christenson. К.К. Particle removal in solution of dilute HF // FSI International. Chaska. Minnesota. To be presented at SPWCC. Mar. 1996. P. 1−8.
  112. Christenson. K.K. The use of centrifugal force to improve rinsing efficiency // FSI International. Technical report wet cleaning/rinsing. TR 400. Dec. 10. 1993. P. 3−7.
  113. Suemitsu М, Kaneko Т. and Miyamoto N. Low temperature silicon surface cleaning by HF etching/ultraviolet ozone cleaning (HF/UVOC) method optimization of the HF treatment // Japanese Journal of Applied Physics. Vol.28. No. 12. Dec. 1989. P. 2421−2424.
  114. Е.В. и др. Автоматический измеритель поверхностного потенциала кремниевых пластин // Тезисы доклада конф. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 1, Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники. 1989. С. 22.
  115. Сулакова Л.5 Новиков С., Корункова О. Физико-химические исследования современных предварительно очувствленных пластин // «Полиграфия». No. 2. 1998. С. 81−82.
  116. Sammary table surface analytical techniques. Auger electron energies // сайт фирмы Charles Evens http://www.cea.com.
  117. Davis E., Palmberg P.W. at al Handbook of Auger electron spectroscopy // «Physical Electronics Industries». Minnesota. 1976.
  118. В.Д. и др. Влияние подготовки поверхности кремния на качество подготовки термически выращенных слоев двуокиси кремния // ЭТ. Сер. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 10(102). С.112−117.
  119. Ю.С. и др. Влияние химических обработок на гетерогенность поверхностного потенциала кремния // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Вып. 25. Киев. 1975. С. 40−44.
  120. Е.П., Тимошенков С. П., Калугин В. В. Технология КНИ структур // Петербургский журнал электроники. No. 1(22). 2000. С. 8−27.
  121. Berthold A., Jacoby В., Vellekoop M.J. Waer-to-Wafer Fussion Bounding of Oxidized Silicon to Silicon at Low Temperatures. Sensors and Actuaters // A68 (1998). P. 410−413.
  122. Bruel M. Smart-Cut Technology: Basic Mechanisms and Applications NATO // Advanced Research Workshop: Perspectives. Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices. Kiev. Oct. 1998. P. 9.
  123. Tong Q.-Y., Lee T.-H., Reiche M., Ramm J., Beck E. The role of surface chemistry in bonding of standart silicon wafers // J.Electrochem.Soc. Jan. 1997. Vol. 144.No. LP. 384−389.
  124. Lin S.T., Jenkins W.C. Effect of Total Dose Radiation FET’s Fabricationin UNIBOND SOI // Material Proceedings 1996 IEEE International SOI Conference. Oct. 1996. P. 94−95.
  125. P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов // «Наукова думка». Киев. 1972. С. 89.
  126. Harper J.G., Bailly L.G. Flexible Material Handling Automation in Wafer Fabrication // Solid State Technology. Vol. 27. No. 7. Jul. 1984. P.89−98.
  127. Wang J.J., Balazs M.K. Analytical Technique Provides Dopants Comparison in FabAir and on Wafers // Semiconductor International. Vol. 22. No. 10. Oct. 1999.
  128. H.A., Жарковский E.M., Концевой Ю. А., Сахаров Ю. Г. Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией для изделий микроэлектроники // Обзоры по ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 4 (1304). 1987.
  129. С.А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем // «Советское радио». Москва. 1975.
  130. ЮЛ., Круглов И. И. Совершенствование чистых производственных помещений для изготовления полупроводниковых приборов // Обзоры по ЭТ. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 1 (1424). 1989.
  131. В .Я., Брюнин В. Н., Федотов В. П. Контроль технологических сред в производстве ИС // Электронная промышленность. Вып. 141. No. 3. 1985.
  132. СТП ЩИ 14.1.12−98. Система технологической подготовки производства. Гигиена электронная. Требования к условиям производства и проверка их соблюдения // Стандарт предприятия. ОАО «Ангстрем».
  133. С.П., Калугин В. В. Загрязнение поверхности пластин кремния в комнатах различного класса чистоты // Тезисы доклада на Всероссийской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии, НМТ-98». С. 284.
  134. Parikh M. Kaempf U. A Technology for Wafer Cassette Transfer in VLSI Manufacturihg // Solid State Technology. Vol. 27. No. 7. Jul. 1984. P. l 11−115.
  135. Jansen R. The crystal cell FAB a design innovation for semiconductor manufacturing facilities // Semiconductor fabtec. Eighth edition. P. 93−98.
  136. Duffalo J.M., Monkowski J.R. Particulate Contamination and Device Performance // Solid State Technology. Vol. 27. No. 3. Mar. 1984. P.109−111.
  137. П.А. Экспертные системы электроннык консультанты технолога в производстве СБИС (современное состояние, проблемы, перспективы) // Микроэлектроника. Том 20. Вып. 4. 1991. С. 323.
  138. С.П., Калугин В. В. Исходная дефектность пластин Si в процессе изготовления структур КНИ // Тезисы доклада 3-ей Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика-XXI век». Москва. С. 203−204.
  139. М.И. Воздействие электростатических зарядов на полупроводниковые приборы и интегральные схемы в технологии, при испытаниях и эксплуатации // Обзоры по ЭТ. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 2(1348).
  140. С.П., Прокопьев Е. П., Дягилев В. В. Движение и залечивание пор на границе сращивания пластин кремния // Электроника. No. 5. 1998. С. 39−45.
  141. Moriceau H. Cleaning and polishihg as key steps for Smart Cut SOI process // Proceedings. IEEE International SOI Conference. Oct. 1996.
  142. ПЛ., Чаплыгин Ю. А., Тимошенков С. П. Перспективы развития технологии кремний на — изоляторе // Электроника. No. 5. 1998. С. 5−10.
  143. В.З., Кошелев Н. И., Ермолаева А.И? Тимошенков С. П. Технология структур кремний на — изоляторе и многослойных кремниевых структур // Электроника. No. 5. 1998. С. 30−34.
  144. М.М., Енишерлова К.JIКошелев Н.И., Ермолаева А. И. Многослойные кремниевые структуры для силовой электроники и микроэлектроники // Электроника. No, 5. 1998. С. 45−53.
  145. Christenson К. The effects of increased chemical temperature in a centrifugal spray processor // Technical report. No. TR 399. Oct. 24.1994. P. 3−7.
  146. Nguyen V. Optimization of the thin-oxide etch process on 150 mm and 200 mm wafers in the Mercury multi-position spray processing system // Technical report No. TR 405. Oct. 24. 1994. P. 3−8.
  147. Puri S., Medeiros J. Particle removal by ultra-dilute ammonia // European semiconductor. Vol. 22. No. 3. Mar. 2000. P. 35.
  148. Christenson K.9 Smith S. The effects of SC-1 dilution and temperature variations on etch rate and surface haze//Technical report No. 1060-TRS-0897. 1995.P. 1−7.
  149. Kern W. Purifying Si and Si02 surfaces with hydrogen peroxide // Semicondactor International. Vol. 7. No. 7. Apr. 1984.
  150. Smith S. Christenson K., Werho D. Metal removal of the RCA-1 chemistry as a function of blend ratio and temperature // Technical report No. 1121-TRS-l 198. 1995. P. 1−7.
  151. Mattox D. M. Surface cleaning in thin film technology // Thin Solid Films. No. 53. 1978. P. 81−96.
  152. Christenson K. HF last performance in centrefugal spray processors // Technical report No. TR 378. Oct. 11. 1991. P. 3−7.
  153. И.В. Управление процессами жидкостной химической подготовки пластин с помощью Z- и редокс-потенциалов // Тезисы третьей Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика-2000». С. 155−156.
  154. М.А., Кузнецова JIM. Свойства органических соединений // Справочник под. ред. Потехина A.A. «Химия. Ленинградское отделение». 1984. С. 404.
  155. В.В., Васильева И. В. Выбор состава комплексообразующего раствора для химической очистки кремниевых пластин // Тезисы доклада на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-2000». Москва. С. 35.
  156. Под ред. В Л. Стефанюка. М. Искусственный интеллект: применение в химии // «Мир». 1988. С. 428.
  157. Ю.С. и др. Контроль результатов химических обработок кремния безконтактными методами // Микроэлектроника. No. 1. 1980. С. 82−85.
  158. A.B. Исследование возможности производственного контроля качества отмывки поверхности кремния методом Кельвина // Электронная техника. Сер. Материалы ЭТ. Вып.1. 1981. С. 30−31.
  159. A.C. Абсорбция и адсорбция на поверхности полупроводников // Обзоры по ЭТ. Сер. Микроэлектроника. Вып. 58(127). 1969. С. 201.
  160. Абессонова JI. H Влияние толщины окисла на характеристики структуры Si Si02 // Тезисы доклада конференции. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 1. 1989. С. 17.
  161. Александров Е. В Дигностика и контроль физико-химического состояния поверхности кремниевых пластин методом контактной разности потенциалов // Тезисы доклада конференции. Сер. 3. Микроэлектроника. Вып. 1. 1989.
  162. Furuhawa. М. Silicon-to-Silicon direct bonding method // J.Appl.Phys. Vol. 60. No. 8. 1986. P. 2987−2989.
  163. S. Технология прямого соединения кремниевых пластин и ее применение // J. Inst. Electron, and Commun. Eng. Jap. Vol. 70. No 6. 1987. P. 593″ 595.
  164. Lestic A., Muller R. S. Low-temperature silicon-silicon bonding with oxides. FIELD // Acts polytechn. seand. Elec. End. Sr. No 63. 1988. P. 151−153.
  165. Kanda Y., Matsuda K., Murayama C., Sugaya J. The mechanism of field-assisted silicon-glass bonding // Sensors and Actuators. Vol. A21-A23. 1990. P.939.
  166. Jeung Sang Go, Young-Ho Cho. Experimental evaluation of anodic bonding process based on the Taguchi analysis of interfacial fracture toughness // Sensors and Actuators. Vol. 73. 1999. P. 52−57.
  167. Carison D.E. Ion depletion of glasses at a blocking anode: I. Theory and experimental results for alkali silicate glass // J. Am. Ceram. Soc. Vol.57. 1974. P. 291.
  168. Anthony T. R. Anodic bonding of imperfect surfaces // J. Appl. Phys. Vol.54. No. 5. 1983. P. 2419−2428.
  169. C.A., Калугин B.B. Анодное соединение элементов микроэлектромеханических приборов // Тезисы доклада Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика 99». Москва. 1999. С. 62.
  170. Tong Q.-Y., Gosele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology // Wiley. New York. 1988.
  171. В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем // Известия вузов. Электроника. No. 5. 1998. С. 22−29.
  172. П.А., Баранова Е. К., Баранов И. В., Бударагин В.В., Литвинов
  173. B.Л., Шемардов С. Г. Применение ионной имплантации водорода в КНИ-технологии // Электроника. No. 5. 1998. С. 17−22.
  174. .Г., Шокин А. Н. Создание скрытых изолирующих слоев в кремнии на основе имплантации протонов // Электронная промышленность. No. 6. 1992.1. C. 22−24.11р≤>ректор МТТЯЭТ (ТУ)1. Бархогкин В.А.2000 п
  175. Зш. генерального директора по разработке новой техники и маркетингу, «центра проектирования1. ШЩМЭ и «Микрон12 000 г1. АКТ
  176. Изготовленные микросхемы удовлетворяютпредъявленным. требованиям, что еетдет-едьетвует о целесообразности использования структур КНИ для изготовления ИС специального назначения.
  177. Настоящий акт не является основанием для взаимных финансовых расчетов.
  178. Представители МИЭТ (ТУ) Представитель1. Н ОАО НИИМЭ и «Микрон"1. Зав. кафедрой ОХиЭ$ | < Руководитель работу
Заполнить форму текущей работой

На отлично!