Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния

Диссертация: Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Уникальные возможности нейтронного легирования для создания полупроводниковых материалов связаны с получением точно задаваемой флюенсом нейтронов концентрацией и высокой однородности пространственного распределения (в случае слабого поглощения нейтронов) трансмутационных примесей. Повышенный интерес к технологии нейтронного легирования появился после того, как было показано преимущество… Читать ещё >

Содержание

  • 1. НЕЙТРОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (обзор)
    • 1. 1. Физические основы нейтронного трансмутационного легирования полупроводников на ядерных реакторах
    • 1. 2. Нейтронное легирование кремния
    • 1. 3. Нейтронное легирование германия
    • 1. 4. Нейтронное легирование твердых растворов Эа-х-хСех
    • 1. 5. Исследования отжига нейтронно-легированного кремния
    • 1. 6. Выводы к главе 1
  • 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Образцы твердых растворов 3±-1хСех для нейтронного легирования
    • 2. 2. Нейтронное облучение твердых растворов Зд.1×6ех
    • 2. 3. Отжиг облученных образцов
    • 2. 4. Измерение электрофизических параметров
    • 2. 5. Измерение времени жизни носителей тока
    • 2. 6. Измерение фотоэлектрических параметров
    • 2. 7. Емкостная спектроскопия глубоких уровней
    • 2. 8. Автоматизация эксперимента
  • 3. КИНЕТИКА ВОССТАНОВИТЕЛЬНОГО ОТЖИГА НЕЙТРОННО-ЛЕГИРОВАННОГО (НЛ) КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Влияние исходных параметров кремния и способа отжига на кинетику отжига НЛ
    • 3. 2. Экспериментальные результаты по изохронному и изотермическому отжигу НЛ Б!
    • 3. 3. Влияние флюенса и спектра нёйтронов на кинетику отжига HJI S
    • 3. 4. Представление кинетики высокотемпературного восстановительного отжига HJI Si в рамках теории эффективной среды
    • 3. 5. Выводы к главе 3
  • 4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НЛ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Si^xGex В ОБЛАСТИ СОСТАВОВ СО СТОРОНЫ КРЕМНИЯ
    • 4. 1. Определение электрофизических параметров НЛ твердых растворов SiixGex
    • 4. 2. Зависимость компенсации НЛ твердых растворов SI! xGex от состава
    • 4. 3. Термическая энергия ионизации примеси Ga в НЛ твердых растворах SiixGex
    • 4. 4. Неоднородности распределения трансмутационных примесей в твердых растворах SiixGex и их проявление в электрофизических и гальваномагнитных свойствах
    • 4. 5. Выводы к главе 4
  • 5. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НЛ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Six-xGex В ОБЛАСТИ КВАНТОВ С ЭНЕРГИЙ 0.01*1.34 эВ
    • 5. 1. Примесная фотопроводимость
    • 5. 2. Рекомбинационные свойства НЛ твердых растворов SiixGex
    • 5. 3. Оптическая ширина запрещенной зоны в НЛ твердых растворах SI! xGex
    • 5. 4. Глубокие центры в НЛ твердых растворах SixxGex
    • 5. 5. Выводы к главе 5
  • 6. P-N СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НЛ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
  • Sii-xGex
    • 6. 1. Получение р-n структур на основе HJI твердых растворов Si! xGex
    • 6. 2. Электрофизические свойства р-n структур на основе HJI твердых растворов SiixGex
    • 6. 3. Фотоэлектрические свойства р-n структур на основе HJI твердых растворов SiixGex
    • 6. 4. Выводы к главе 6

Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Нейтронное легирование на ядерных реакторах является наиболее разработанным разделом радиационной технологии полупроводников. К основным задачам радиационной технологии полупроводников можно отнести как исследование механизмов воздействия радиации на полупроводниковые материалы и приборы с целью прогнозирования их поведения в условиях радиационного воздействия, так и исследование влияния облучения как технологического приема для получения полупроводниковых материалов и структур с заданными свойствами путем целенаправленного введения примесей или дефектов.

Уникальные возможности нейтронного легирования для создания полупроводниковых материалов связаны с получением точно задаваемой флюенсом нейтронов концентрацией и высокой однородности пространственного распределения (в случае слабого поглощения нейтронов) трансмутационных примесей. Повышенный интерес к технологии нейтронного легирования появился после того, как было показано преимущество нейтронно-легированного (НЛ) Л* по указанным параметрам над обычной технологией /85/. Особенностью нейтронного легирования кремния является введение лишь одной донорной примеси — 31 Р. В следующем по практическому использованию нейтронного легирования материале — Се, вводятся три трансмутационных примеси: основная — акцептор

71 73 77

Са, а также доноры Ая и «Уе. Процессы нейтронного легирования $ 1 и Се к настоящему времени хорошо изучены /29, 43/.

В связи с большим практическим и научным интересом к твердым растворам например, с созданием быстродействующих транзисторов с граничной частотой свыше 100 Ггц /83/, представляет интерес проблема их нейтронного легирования. Особый интерес здесь связан с возможностью получения в результате нейтронного легирования материала различного типа проводимости в зависимости от состава твердого раствора. Эта возможность связана с трансмутационными превращениями как Si, так и в этом материале при нейтронном облучении. Теоретически возможно получение и диодных структур путем нейтронного легирования твердых растворов Л'^х^х с градиентом состава. В связи с этим представлялось интересным исследовать электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных {НЛ) твердых растворов 81.хОех. При этом попутно следовало решить некоторые задачи, связанные с исследованием отжига НЛ Л" .

Цель работы заключалась в исследовании электрических и рекомбинационных свойств НЛ твердых растворов Л/.^С"^ (лс<18 ат.%) в зависимости от состава и его градиента.

Для достижения поставленных целей необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать кинетику процессов отжига дефектов в НЛ Л" ;

2. Провести исследование гальваномагнитных свойств НЛ твердых растворов Лу. хСвх и их зависимости от уровня трансмутационного легирования;

3. Изучить фотоэлектрические свойства НЛ твердых растворов

4. Исследовать возможность получения диодных структур на основе твердых растворов 8ц. хСех методом нейтронного трансмутационного легирования твердых растворов с переменным составом.

В соответствии с основными результатами исследований электрических и рекомбинационных свойств НЛ твердых растворов

8ц.хСех со стороны кремния, сведенными в Заключении, сформулированы следующие

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Кинетика процессов восстановления свойств нейтронно-легированного А* на завершающей стадии описывается теорией эффективной среды, где одна из фаз является восстановленной матрицей, а вторая — структурно нарушенной областью материала, возникшей в процессе нейтронного легирования.

2. В твердых растворах ¿-^(ге* (х < 0.1) поведение термической энергии ионизации изолированной примеси Са (?/) с увеличением содержания германия (х) может быть аппроксимировано линейной зависимостью ?/= ?/(0) — д?]/дх'х, где дгг/дх = 1 мэВ/ат.%, а величина термической ионизации ?/(0) совпадает с оптическим значением для кремния.

3. Энергии ионизации и сечения захвата носителей для глубоких двухзарядных донорных уровней 8е в нейтронно-легированных твердых растворах ^^(/е* со стороны &* составляют: Ег =ЕС ~ 0,27 ±0,02 эВ, <�у&bdquo- =6−10~16 см2 (150< Т, К <200), Е2 =Ес — 0,49 ±0,03 эВ, а&bdquo- =2−10~16 см2 (230< Т, К <300), что соответствует известным данным для 5Х,

4. Исследование неоднородности локального распределения удельного сопротивления нейтронно-легированных твердых растворов Л/-х^ех в приповерхностной области позволяет оценивать величину неоднородности распределения состава х исходного твердого раствора.

5. Нейтронное легирование твердых растворов З^яСте* позволяет получать материал с высокооднородным распределением примеси и направленно регулировать компенсацию и термическую энергию ионизации основной примеси Ga при изменении состава х и флюенса нейтронов. 6. Нейтронное легирование твердых растворов SiijGex с градиентом содержания Ge позволяет получать диодные структуры с локализацией р-п перехода в области состава дс=0.68 ат.%.

Тематика исследований, вошедших в диссертационную работу, соответствовала планам научно-исследовательских работ ПИЯФ им Б. П. Константинова.

Диссертация содержит 111 страниц машинописного текста, 40 рисунков, 2 таблицы и список литературы из 91 наименования.

3. Результаты исследования показывают, что применение метода нейтронного легирования к твердым растворам * с переменным содержанием Се вдоль оси образца дает возможность получения р-п структур, в которых р-п переход локализуется в области образца с де0,68 ат.%.

— 136

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Главные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Установлено, что традиционно используемые методы многократного изохронного и изотермического отжига на одном образце могут приводить к результатам, отличным от результатов, полученных с использованием методики однократного отжига на разных образцах. Различие может быть объяснено термообработкой образца при температурах 400 -500 °С, как на соответствующих стадиях отжига, так и в процессе циклов нагрева и охлаждения

2. Показано, что восстановление основных параметров на завершающей стадии отжига нейтронно-легированного кремния (проводимости и подвижности) может быть описано в рамках теории эффективной среды, где одна из фаз является восстановленной матрицей, а вторая — структурно нарушенной областью, возникающей в процессе нейтронного легирования.

3. Установлено, что в НЛ твердых растворов в пределе х 0 термическая энергия активации изолированной примеси галлия 8/(0) совпадает с оптической. Зависимость изменения обеих этих энергии с составом при х <0.1 может быть линейно аппроксимирована с коэффициентомдъг/дх = 1 мэВ, который примерно вдвое меньше скорости изменения с составом ширины запрещенной зоны твердого раствора 1-хСех.

4. Измеренное продольное Ар\ и поперечное Ар±магнитосопро-тивление НЛ твердых растворов возрастают пропорционально (цН)2, причем квадратичная по зависимость нарушается с усилением проявления неоднородности материала. Отношение

Ар\/Ар± возрастает с уровнем легирования при увеличении флюен-са или содержания <7е при х>8 ат. %, а также при х->х0, где хо=0.68 ач.% соответствует полной компенсации введенных трансмутацией примесей. Наиболее однородное распределение удельного сопротивления и концентрации основных носителей заряда имеет место при нескольких процентах Се. При больших х однородность ухудшается из-за роста компенсации. Однородность сильно компенсированного НЛ твердого раствора оказывается выше, чем при других способах легирования, когда донорная и акцепторная примеси вводятся независимо.

5. Найден фактор усиления © влияния неоднородностей состава Ъх на неоднородность удельного сопротивления, который зависит от компенсации, а через нее — от состава. С его помощью определены неоднородности состава бдс исходного .хСех, полученного электронно-лучевой зонной плавкой: при малых х неоднородность состава «2% и слабо возрастает с х вплоть до х «8 ат.%. При дальнейшем увеличении содержания Се начинается резкий рост Ъх, отражающий ухудшение гомогенности твердого раствора при сравнимом содержании обеих компонент.

6. В процессе нейтронного легирования в 57]. хСех вводится глубокий двухзарядный донорный центр Бе, рекомбинационные параметры уровней которого (энергетическое положение в зоне и сечения захвата носителей тока) в пределах точности измерений совпадают с известными для уровней ве в кремнии. Измеренная из данных по БЬТБ концентрация трансмутационного 5е позволила рассчитать значение среднего макроскопического сечения захвата тепловых нейтронов для изотопа 7*

— 1387. Показано, что нейтронное легирование твердого раствора 81]. хСех с переменным содержанием Се вдоль оси образца позволяет получать р-п структуры, в которых р-п переход локализуется в области образца с х=0,68 ат.%. Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств полученных структур, в результате которого определены их выпрямляющие свойства и область спектральной фоточувствительности.

В целом установлено, что нейтронное легирование твердых растворов &-*1хСех с постоянным составом (х) позволяет улучшать однородность материала и направленно регулировать компенсацию, термическую энергию ионизации основной примеси и энергию активации классического (8/) транспорта при изменении х и флю-енса нейтронов. Использование же образцов с градиентом состава в области значений дг"0,7 ат.%, позволяет получать в ходе нейтронного легирования р-п структуры.

Содержание работы отражено в следующих публикациях:

1. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Саидов М. С., Юсупов А., Атабаев И. Г. Нейтронное легирование сплава 311хСех в области составов со стороны кремния. // Письма в ЖТФ, 1984, т.10, вып.8, с.495−498.

2. Евсеев В. А., Саидов М. С., Юсупов А., Атабаев И. Г., Забродский А. Г., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А. Нейтронно-легированный сплав 3±-1-хСех. // Сборник тезисов Всесоюзной конференции «Радиационная физика полупроводников и родственных материалов». Ташкент, 1984, с. 137.

3. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Саидов М. С., Юсупов А., Юрова Е. С., Федоров В. В. Электрические свойства НЛ сплава SiixGex в области составов со стороны кремния. // ФТП, 1986, т.20, вып.11, с. 2042;2050.

4. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Саидов М. С., Юсупов А., Юрова Е. С., Федоров В. В. Электрические свойства нейтронно-легированного сплава SiixGex в области составов со стороны кремния. // ФТП,

1986, т.20, вып.11, с.2050; 2060.

5. Evseev V.A., Zabrodskii A.G., Konopleva R.F., Chekanov V. A., Saidov M.S., Yusupov A., Atabaev I.G. Neutron-doped alloy SiixGex. // Cryst. Latt. Def. and Amorphous Mat. ,

1987, v.13, N3−4, p.163−168.

6. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Юсупов А. Влияние состава на фотоэлектрические свойства нейтронно-легированных твердых растворов SiixGex (11,2>х, ат%>0,8). // Материалы докладов 7 Координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний. Баку, 1988, с. 62.

7. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Юсупов А., Саидов М. С., Атабаев И. Г., Сирожов У. Фотоэлектрические свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si! xGex в ИК области спектра. // Тезисы докладов Всесоюзной научной конференции,• Ташкент 23−26 октября 1989 г., Ташкент, ФАН УзССР, 1989, с.101−102.

8. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А. Получение p-i-n структур путем нейтронного легирования твердых растворов SiixGex и их фотоэлектрические свойства. // Тезисы доклада 11 Научной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ашхабад, 1991, с. 178.

— 1409. Забродский А. Г., Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Юсупов А., Сирожов У., Тангинбергенов И. У. Трансмутационное легирование твердых растворов Si-ixGex в области составов со стороны кремния. //Электронная техника, сер. Материалы, 1991, вып. 7, с. 68−73.

10. Евсеев В. А., Коноплева Р. Ф., Пустовойт А. К., Чеканов В. А. О некоторых особенностях отжига нейтронно-легированного кремния. //Кристаллография, 1992, т. 37, вып. 5, с. 12 321 236.

11. Евсеев В. А., Забродский А. Г., Коноплева Р. Ф., Чеканов В. А., Юсупов А., Тангинбергенов И. У. Фотоэлектрические свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si! xGex. // Препринт ПИЯФ, 1994, № 2011, Гатчина, 20 с.

12. Zabrodskii A.G., Yevseev V.A., Chekanov V.A., Konopleva R.F., Kurjatkov V.V., Prokof’eva T.I., Yusupov A., Tangir-begenov I. Modification of electric properties of Si! xGex semiconductors solid solution by neutron transmutation doping. // J. Of Advanced Materials- 1996, 3, 2, p.114−118.

13. Забродский А. Г, Коноплева Р. Ф., Евсеев В. А., Чеканов В. А., и др. Модификация электрических свойств полупроводниковых твердых растворов Si! xGex методом нейтронного легирования. //Перспективные материалы, 1997, № 2, с.35−39.

— 141 В заключение считаю своей приятной обязанностью выразить глубокую признательность научным руководителям — руководителю группы Радиационной физики твердого тела ПИЯФ РАН доктору физ.-мат. наук Р. Ф. Коноплевой и заведующему Лабораторией неравновесных процессов в полупроводниках ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН доктору физ.-мат. наук А. Г. Забродскому за плодотворное и систематическое обсуждение результатов работы, практическую помощь и постоянное внимание. Благодарю своих ближайших коллег, проявивших интерес к работе и высказавших ряд полезных замечаний.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Абдйнов A. ILL, Атаев P.P. О влиянии флуктуаций состава на фотоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора Cd2Hg! xTe. /ФТП, 1984, т. 18, вып. 9, с. 1085−1086.
  2. М.В., Забродский А. Г., Тимофеев М. П. Термическая ионизация из неэквивалентных состояний азота в 6H-SiC. /Письма в ЖТФ, 1985, т.11, в.11, с.1018−1023.
  3. У.А., Симонов В. А., Масачутов B.C. и др. О возможности легирования кремния с использованием фотоядерных реакций. -В кн. Кристаллизация тонких пленок. Ташкент, ФАН, 1970, с. 133−135.
  4. Ю.М., Воронов И. Н., Гринштейн n.M., Мороховец М. А. Исследование кинетики отжига радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами. /ФТП, 1982, 16, 5, с.931−934.
  5. А.П., Бабушкина H.A., Братковский A.M. и др. Физические величины. Справочник Под ред. И. С. Григорьева и Е. З. Мейлихова. М., Энергоатомиздат, 1991, 1232 с.
  6. А.И., Смирнов Л. С. О взаимодействии разупорядоченных областей и окружения в полупроводниках. /ФТП, 1973, т.7, вып. II, с. 2227−2229.
  7. А.И., Смирнов Л. С. Резонансное рассеяние носителей заряда на разупорядоченных областях в полупроводниках. В кн. Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, БГУ, 1972, с. 237.
  8. П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника (Справочник). Киев, Наукова думка, 1975, 704 с.
  9. К., Виртц К. Нейтронная физика. Пер. с англ. под ред. Л. А. Микаэляна и В. И. Лебедева, М., Атомиздат, 1968,456 с.
  10. Ю.Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М., Мир, 1964, 350 с.
  11. A.B., Васильев Г. Я. и др. Методика измерения плотности потока и флюенса нейтронов в реакторе ВВР-М. /Препринт ЛИЯФ, 1981, № 701, Ленинград, 19 с.
  12. Э.П., Гринштейн n.M., Гучетль Р. И. и др. Исследование кинетики отжига радиационных дефектов в кремнии, облученном высоко энергетичными гамма-квантами. /ДАН СССР, 1986, 289, 3, с.610−613.
  13. Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962,558с.
  14. H.H., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. М., Воениздат, 1982,208с.
  15. Н. А. Нейтроны. М., Наука, 1971, 551 с.
  16. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л. С. Смирнова. Наука, Новосибирск, 1980, 294 с.
  17. Ф.М., Забродский А. Г., Зарубин Л. И. и др. Полупроводниковая термометрия на область низких и сверхнизких температур. /ФТП, 1979, т. 13, 4, с. 741−745.
  18. В.Л., Гаджиев А. Р., Шкловский Б. И., Шлимак И. С., Эфрос А. Л. Прыжковая проводимость твердых растворов германия с кремнием. /ФТП, 1974, т. 8, вып. 12, с. 2577−2384.
  19. П., Миз Дж. Влияние изохронного отжига на удельное сопротивление трансмутационно-легированных образцов кремния, выращенного методом зонной плавки или методом Чохральского. В кн. /47/ с 167−185.
  20. А.Г. Изменение компенсации нейтронно-легированного сплава Ш1^Сгех с составом. /ФТП, 1981, 15, N 11, с.2273−2275.
  21. А. Г. Экспериментальное определение степени компенсации нейтронно-легированного германия. /Письма в ЖЭТФ, 1981, 33, N 5, с. 258−261.
  22. А.Г., Алексеенко М. В. Исследование кинетики нейтронного легирования: характеризация материала и определение ядерно-физических постоянных. /ФТП, 1993, т. 27, вып. 11−12, с. 2030−2051.
  23. А.Г., Алексеенко М. В. О влиянии спектра реакторных нейтронов на кинетику нейтронного легирования и выход трансмутационных примесей в германии. /ФТП, 1994, т. 28, в. 1, с. 168−173.
  24. ЗО.Зеегер К. Физика полупроводников. М., Мир, 1977, 615 с.
  25. М.Г., Хуцивишвили Э. В. -- Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси, 1985, 176 с.
  26. Л. Введение в нейтронную физику. Пер. с англ. Под ред. В. П. Ковалева, М., Атомиздат, 1965, 350 с.
  27. Крамер-Агеев Е.А., Лавренчик В. Н., Самосадский В. Т., Протасов В. П. Экспериментальные методы нейтронных исследований. М., Энергоатомиздат, 1990, 272 с.
  28. Дж., Флеминг П., Уэстбрук Р. и др. Исследование электрических характеристик TJI кремния. В кн. /47/, с. 145 169.
  29. И.Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев, Наукова думка, 1974, 200 с.
  30. Р.Ф., Литвинов В. Л., Ухин. H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Москва, Атомиздат, 1971, 176 с.
  31. Р.Ф., Остроумов В. Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. Москва, Атомиздат, 1975, 128 с.
  32. Дж., Боргуэн Я. Дефектообразование в полупроводниках. В кн. Точечные дефекты в твёрдых телах. М., Мир, 1979, с. 78−97.
  33. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., Сов. Радио, 1974, 328 с.
  34. Ларк-Горовиц К. Бомбардировка полупроводника нуклонами. — В кн.: Полупроводниковые материалы, М., И.Л., 1954, с. 62−94.
  35. Н., Шкловский Б. И. Уровень протекания в слабо легированном полупроводнике. — /ФТП, 1979, т.13, в.9, с. 1763−1770.
  36. Н., Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Энергия активации прыжковой проводимости в слабо легируемых полупроводниках. /ФТП, 1979, т. 13, вып. II, с. 2192−2209.
  37. Миз Дж. Процесс НТЛ новая • реакторная технология. -В кн. /47/, с. 10−20.
  38. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., Мир, 1977, 562 с.
  39. В.Н. Исследования электрофизических свойств кремния. Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы, 1978, Вып.5−6, с.211−221.
  40. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, 662 с.
  41. Нейтронное трансмутационное ядерное легирование полупроводников. Под редакцией Дж. Миза. М., Мир, 1982, 264 с.
  42. К. «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии». М., 1984, с.363−364.
  43. A.A., Рыбкин С. М. Влияние экранирования на ре-комбинационные сечения при наличии кулоновского барьера. /ФТП, 1964, т. 9, с. 3742−3746.
  44. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963, 469 с.
  45. JI.C., Соловьев С. П., Стась В. Ф., Харченко В. А. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, Наука, 1981, 180 с.
  46. X. Эффекты атомных смещений при НТЛ. В кн.: /47/ с. 123−144.
  47. H.A. Фотоэлектрические свойства Si с примесью Se. /ФТП, 1974, т. 8, вып. 9, с. 1777−1780.
  48. В.И. Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний. Докторская диссертация физ.-мат. наук, Баку, 1972 г.
  49. В.Ф. Медленные нейтроны. М., Госатомиздат, 1963, 372 с.
  50. H.A., Модель разулорядоченных областей в кремнии, создаваемых быстрыми нейтронами. /ФТП, 1972, т. 6, вып. 5, с. 931−934.
  51. К.Г. Программирование измерительных систем реального времени. М., Энергоатомиздат, 1980, 256 с.
  52. В.И. Новые материалы. Состояние, проблемы, перспективы. Москва, «МИСИС», 1995, с. 118.
  53. Э.С., Веселкова A.A., Неймарк К. Н. Кремний и германий, вып.2, М., 1970, 122 с.
  54. Е., Мартин Дж. HTJI-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. В кн /47/, с.38−48.
  55. В.А., Смирнов Б. П., Соловьев С. П., Фетисов Г. А. и др. Влияние термообработки на электрические свойства радиадионно-легированного кремния. Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1971, 7, 12, с. 2142−2145.
  56. Шик А. Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. /Письма в ЖЭТФ. 1974. т.20, в.1, с. 14−16.
  57. Шик А. Я. Фотопроводимость случайно-неоднородных полупроводников. /ЖЭТФ, 1975, т.68(5), с. 1859−1867.
  58. В.И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников, М., Наука, 1979, 426 с.
  59. И.С., Эфрос А. Л., Янчев И. Я. Исследование роли флуктуаций состава в твердых растворах GeSi. /ФТП, 1977, т. 11, вып. 2, с. 225−261.
  60. Юз Р., Шварц М. Атлас нейтронных сечений, М., Атомиздадт, 1959, 343 с.
  61. Braunstein R., More A. R., Herman F. Intrinsic Optical Absorption in Germanium-Silicon Alloys. /Phys. Rev., 1958, v. 109, p. 695−703.
  62. Cleland J.W. Transmutation dopping and recoil effect in semiconductors exposed to thermal neutrons. In Proc. Intern. School Phys. Enrico Fermi -corse XVIII. Radiation damage in solids. Ed Bellington D. S, N.-Y., Acad. Press, 1962, p. 384−397.
  63. Cleland J.W., Lark Horovitz K., Pigg J.C. Transmutation prodused germanium semiconductors. /Phys. Rev., 1950, v. 78, p.814−815.
  64. Cohen M.H., Jortner J. Effective medium theory for the Hall effect in disordered materials. /Phys. Rev. Lett., 1973, v.30, N 15, 696−698.
  65. Crawford J.H., Cleland J.W. Nature of bombarded damages and energy levels in semiconductors. /J. Appl. Phys., 1959, 30, N8, 1204−1213.
  66. Fisher D.W., Rome J.J. Additional structure in infrared exitation spectra of group-Ill acceptors in silicon /Phys.Rev. B, 1983, v.27, N 8, p. 4826−4832.
  67. Gossik B.R. Disordered regions in semiconductors bombarded by fast neutron. /J.Appl.Phys., 1959, 30,8, 1214−1218.
  68. Jang R., Cleland W., Wood R., Abragam M. Radiation Damage in Neutron Transmutation Doped Si. /J. Appl. Phys., 1978, v. 49, N 9. p.4752−4760.
  69. Kirkpatrick S. Classical Transport in Disordered Media: Scaling and Effective-Medium Theories. /Phys. Rev. Lett., 1971, v.27, N 25, 1722−1725.
  70. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors. /J. Appl. Phys., 1974, v. 45, 7, p, 3023−3032.
  71. Logan R.A., Rowell J.M., Trumbore F. A. Phonon spectra of Ge-Si alloys. /Phys.Rev. 1964, v. 136A, p.1751−1763.
  72. Long D., Myers J. Weak Field Magnitoresistans in p-typeSilicon. /Phys. Rev., 1958, v. 109, N4, p. 1098−1102.-149
  73. B.S. «High speed silicon-germanium electronics,» Scientific American, 1994, vol. 270,3,p.42−47.
  74. Mughabhab S.F., Devadeeman M., Holden N.E. Neutron cross section. BNL-325, 4th ed., N.-Y., 1981, p.32−1 32−6.
  75. Neutron transmutation dopping in semiconductors. Proc. 2-Nd Intern. Conf., Columbia, Missouri, 1978, Ed. J.M. Meese, N.-Y. London, Plenum Press, 1979, 371 p.
  76. Senes A., Sifze G. Semiconductor Silicon. / The Electrochem. Soc., 1977, p. 135−141.
  77. Shnoller M. Breakdown behaviour of rectifiers and thyristor made from striation-free silicon. IEEE Trans. /Electron Divices, 1974, v. ED-21, № 5, p.313−314.
  78. Sweinler H.C. Some consequences of thermal neutron capture in silicon and germanium. /J. Appl. Phys., 1959, v. 30, p.1125−1126.
  79. Tanenbaum M., Mills A.D. Preparation of Uniform Resistivity n—Type Silicon by Nuclear Transmutation. /J. Electronical Soc., 1961, v.108, 32, p.171−183.
  80. Thomas M. C., Covington D. C. Impurity conduction in transmutation doped germanium during decay of radioactive products. /J. Appl. Phys., 1975, v. 46, 10, p. 4541−4544.
  81. Vuong T.H.H., Nicholas R.J. Advanced DC transport and infrared absorption in epitaxial n-In. /J. Phys. C, 1985, v.18, 20, p.4021−4035.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!