Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Рентгеноструктурные исследования фазовых переходов в полупроводниковых соединениях GeTe и CuI в условиях высоких давлений до 50 ГПа и сдвиговых деформаций

Диссертация: Рентгеноструктурные исследования фазовых переходов в полупроводниковых соединениях GeTe и CuI в условиях высоких давлений до 50 ГПа и сдвиговых деформаций
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Применение высоких давлений для исследования свойств значительно расширяет область поиска новых материалов, а сочетание пластической деформации и полиморфного превращения открывает новые возможности в этом направлении. Как отмечалось выше, к настоящему времени опубликовано большое количество работ по соединениям типов AmBv и AnBVI. Изучались также и соединения типов AIVBVI и АФ1, однако поведение… Читать ещё >

Содержание

  • I. Обзор литературных данных по аппаратам высокого давления с алмазными наковальнями
    • 1. 1. Механизмы юстировки и перемещения наковален
    • 1. 2. Механизмы создания нагрузки
      • 1. 2. 1. Пружинно-рычажные АКВД
      • 1. 2. 2. Гидравлические (пневматические) АКВД
      • 1. 2. 3. Зажимные АКВД
    • 1. 3. Наковальни, прокладки, передающие давление среды
    • 1. 4. Измерение давления в АКВД
  • II. Методика эксперимента
    • 2. 1. Сдвиговые камеры
    • 2. 2. Загрузка образца и нагружение камеры
    • 2. 3. Измерение давления и оценка деформации
    • 2. 4. Получение дифракционной картины
  • III. Фазы ОеТе в условиях пластической деформации и высоких давлений до 56 ГПа
    • 3. 1. Обзор литературных данных
      • 3. 1. 1. Фазовые переходы в соединениях типа IV-VI при изменении температуры и постоянном давлении
      • 3. 1. 2. Фазовые переходы в соединениях типа IV-VI при изменении давления и постоянной температуре
      • 3. 1. 3. Фазовые превращения в веТе при высоком давлении и комнатной температуре
      • 3. 1. 4. Постановка задачи
    • 3. 2. Экспериментальные данные

Рентгеноструктурные исследования фазовых переходов в полупроводниковых соединениях GeTe и CuI в условиях высоких давлений до 50 ГПа и сдвиговых деформаций (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Успешное развитие современной техники невозможно без поиска новых и совершенствования известных материалов, к которым предъявляются все более жесткие требования. В настоящее время одним из главных направлений научно-технического прогресса в области материаловедения является получение материалов с заранее заданными свойствами, что стало возможным благодаря использованию высокоэнергетического воздействия на вещество, к которому относятся лазерная, ионнопучковая и импульсная обработка, а также высокое давление. Успехи в области экспериментальных методов физики твердого тела и техники открыли возможность исследования веществ в условиях высоких давлений. Было показано, что во многих веществах под действием давления происходят фазовые превращения.

Следует отметить, что пластическая деформация оказывает существенное влияние на кинетику и особенности фазовых превращений под давлением. Под действием пластической деформации может изменяться гистерезис фазового превращения. В то же время большие пластические деформации приводят к необратимым изменениям структуры твердого тела: образованию аморфного и ультрадисперсного состояния, к аномальной диффузии при образовании твердых растворов и синтезе интерметаллических соединений и т. д.

Выяснение кристаллохимических закономерностей при изменении термодинамических параметров наиболее эффективно осуществляется на примере ряда соединений, обладающих общими свойствами. При этом нередко удается обнаружить наиболее устойчивую кристаллическую структуру для соединений данного класса в заданном интервале давлений и температур. Особенно успешным оказалось исследование фазовых переходов с изменением кристаллической структуры в соединениях с одинаковой концентрацией валентных электронов. Такие соединения можно сопоставить с изоэлектронной им группой элементов в периодической системе, что значительно облегчает расшифровку структур. Наглядным примером аналогии в свойствах и смены структурных типов при переходах служит хорошо известное в настоящее время исследование поведения при высоких давлениях элементов IV группы и симметрично расположенных соединений типов AinBv и AnBVI.

Применение высоких давлений для исследования свойств значительно расширяет область поиска новых материалов, а сочетание пластической деформации и полиморфного превращения открывает новые возможности в этом направлении. Как отмечалось выше, к настоящему времени опубликовано большое количество работ по соединениям типов AmBv и AnBVI. Изучались также и соединения типов AIVBVI и АФ1, однако поведение бинарных соединений GeTe (А1^^) и Cul (АФ1) при повышении давления еще недостаточно изучено. В связи с этим данная работа посвящена изучению влияния пластической деформации на фазовые превращения в соединениях GeTe и Cul рентгеноструктурным методом порошка в условиях одновременного воздействия «высокое давление + сдвиг» .

Цель и задачи исследования

.

Целью данной работы является нахождение в диапазоне давлений до 50 ГПа наиболее устойчивых кристаллических структур новых фаз высокого давления в соединениях GeTe (AIVBVI) и Cul (АШ1) и выявление кристаллохимических особенностей их образования.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить ряд задач:

1. Разработать методику съемки рентгенограмм образцов, находящихся в условиях негидростатического нагружения и сдвиговых деформаций в камере высокого давления с алмазными наковальнями.

2. Разработать методику определения давления, при котором были получены рентгенограммы.

3. Определить кристаллические структуры новых фаз высокого давления соединений GeTe и Cul по их порошкограммам.

4. На основе анализа и обобщения полученных данных выявить кристаллохимические особенности образования новых фаз высокого давления соединений GeTe и Cul в условиях негидростатического нагружения и сдвиговых деформаций.

Научная новизна работы.

1. В GeTe получены новые фазы высокого давления и расшифрованы их кристаллические структуры: фаза GeTe-III, имеющая кристаллическую структуру типа GeS (пр. гр. Pbnm), в условиях негидростатического нагружения в интервале давлений 19.2 — 38 ГПа и сдвиговых деформацийфаза GeTe-IV, имеющая кристаллическую структуру типа CsCl (пр. гр. РтЗт), в условиях негидростатического нагружения в интервале давлений 38 ГПа и более и сдвиговых деформаций.

2. В Cul получена новая фаза высокого давления и расшифрована ее кристаллическая структура: фаза CuI-VIII, имеющая кристаллическую структуру типа ZnTe-III (пр. гр. Cmcm), в условиях негидростатического нагружения в интервале давлений 17 ГПа и более и сдвиговых деформаций. Обнаружено, что в условиях негидростатического нагружения в интервале давлений 38 ГПа и более и сдвиговых деформаций в Cul возможна реализация кристаллической структуры типа CdTe-IV (пр. гр. Сшсш), более близкой к структуре типа NaCl по сравнению со структурой типа ZnTe-III.

3. Выявлены особенности поведения GeTe и Cul в условиях негидростатического нагружения и сдвиговых деформаций: обнаружено, что в пределах существования ромбической структуры (пр. гр. Cmcm) фазы высокого давления Cul в зависимости от степени ромбического искажения могут реализовываться два типа кристаллических структур (ZnTe-III-тип (Cul-VIII) и CdTe-IV-тип (Cul-VIII')) — обнаружено, что пластическая деформация снижает давления фазовых переходов в GeTe: NaCl-тип -> GeS-тип — на 15 ГПа, GeS-тип -> CsCl-тип — на 5 ГПа.

Практическая значимость работы.

1. На основании анализа кристаллических структур в изоэлектронных рядах соединений AIVBVI и АФ1 предсказаны и реализованы структуры наиболее устойчивых фаз в соединениях GeTe (AIVBVI) и Cul (АФ1) в условиях высоких давлений до 50 ГПа и сдвиговых деформаций. Структурные характеристики исследованных фаз являются справочными данными и могут быть использованы при проведении различных кристаллохимических расчетов.

2. Результаты работы используются в лекционном курсе на кафедре кристаллографии и кристаллохимии геологического факультета МГУ.

3. Разработанная аппаратура и методики экспериментов могут быть использованы для поиска и синтеза новых материаловдля моделирования процессов, происходящих при эксплуатации изделий на основе сверхтвердых материаловдля моделирования процессов, происходящих в глубинных слоях планеты.

Основные защищаемые положения.

1. Особенности методики определения давления (в интервале 0 -60 ГПа), при котором были получены дебаеграммы от образцов, находящихся в камере высокого давления с алмазными наковальнями. Особенности заключаются в: регистрации кривой распределения давления по диаметру образца, что позволяет выявить двухфазные области в образцесравнении значений давления, полученных по методу внутреннего стандарта (NaCl) и люминесценции рубина, для определения зоны образца, дающей основной вклад в интенсивность дифракционных пиков. Абсолютная ошибка измерения давления по данной методике составляет 0.2−0.3 ГПа в диапазоне до 10 ГПа и 0.5 -1 ГПа в диапазоне 10−60 ГПа.

2. Реализация наиболее устойчивых фаз в GeTe в условиях негидростатического нагружения до давлений 56 ГПа и сдвиговых деформаций при 298 К.

3. Расшифровка кристаллических структур новых фаз GeTe по дебаеграммам высокого давления (фаза GeTe-III со структурой типа GeS при 19.2 ГПа, фаза GeTe-IV со структурой типа CsCl при 38 ГПа).

4. Реализация наиболее устойчивых фаз в Cul в условиях негидростатического нагружения до давлений 38 ГПа и сдвиговых деформаций при 298 К.

5. Расшифровка кристаллических структур новых фаз Cul по дебаеграммам высокого давления (фаза Cul-VIII со структурой типа ZnTe-III при 25 ГПа и структурой типа CdTe-IV при 38 ГПа).

I. Обзор литературных данных по аппаратам высокого давления с алмазными наковальнями.

Как уже упоминалось ранее, для получения материалов с заданными свойствами необходимы методы эффективного воздействия на вещество, одним из которых является высокое давление. Необходим также контроль структуры и фазового состава вещества, что достигается рентгеноструктурными методами исследования. В связи с этим встает проблема создания специальных аппаратов, способных обеспечить данные требования.

Ранее рентгеноструктурные исследования при высоких давлениях выполнялись на аппаратах с твердосплавными наковальнями Бриджмена. В этих аппаратах рентгеновские лучи пропускались через зазор между наковальнями перпендикулярно направлению прилагаемого усилия. В качестве контейнера для образца и передающей давление среды использовались бор и гидрид лития. Впервые это было использовано в работе [1]. Среди наиболее успешных в этом направлении можно также отметить работу [2]. В России подобные работы были выполнены в ИФВД РАН [83].

Алмаз благодаря своим уникальным физико-механическим свойствам является удобным материалом для создания аппаратов высокого давления. Он практически прозрачен для ИК, видимого, УФ излучений. Достаточно хорошо пропускает рентгеновское излучение. Поэтому вполне естественно, что в связи с потребностью в переходе к более высоким давлениям исследователи обратились к алмазам.

Lawson и Tang [4] были первыми, кто использовал алмаз в качестве материала для сосуда высокого давления: в 1950 г. они изготовили миниатюрный аппарат типа поршень-цилиндр из монокристалла алмаза массой 3 карата, предназначенный для рентгеноструктурных исследований. Однако об этом использовании алмаза для получения высоких давлений забыли до 1959 г., когда Jamieson, Lawson и Nachtrieb [5] из Чикагского университета и Weir с сотр. [6] из Национального бюро стандартов предложили два различных варианта аппаратов с алмазными наковальнями, причем независимо и почти одновременно. Джемисона и его коллег интересовали рентгеноструктурные исследования при высоких давлениях, и они сконструировали аппарат, в котором направление рентгеновского пучка составляло угол 90° с направлением прилагаемого к наковальням усилия. Вейра и его коллег интересовали исследования пропускания в инфракрасном диапазоне и они приняли геометрию, в которой пучок излучения совпадал с направлением прилагаемого к наковальням усилия.

Наиболее известные конструкции алмазных камер высокого давления (АКВД) подробно описаны в обзорах: Jayaraman [7, 8]- Jephcoat, Мао, Bell [9]- Dunstan, Spain [10, 11]- Еремец [12]. На основании этих данных в конструкции АКВД можно выделить две основные системы: механизмы юстировки и перемещения наковаленмеханизмы создания нагрузки.

Основные результаты и выводы.

Задачей проведенного цикла исследований являлось выяснение влияния высокого давления и сдвиговых деформаций на кристаллические структуры соединений ОеТе (А1УВУ1), Си1 (А1ВУП) — изо-электронных аналогов элементов Уй и 1Уй групп соответственно.

Выполненный рентгеноструктурный анализ показал, что в условиях высоких давлений и сдвиговых деформаций при комнатной температуре ОеТе и Си1 испытывают обратимые фазовые переходы с изменением кристаллической структуры.

Экспериментальные данные, полученные для каждого из изучаемых соединений, могут быть систематизированы следующим образом:

1. В камере высокого давления с алмазными наковальнями проведено рентгеноструктурное исследование соединений ОеТе (до 56 ГПа) и Си1 (до 38 ГПа) непосредственно в условиях высоких давлений и сдвиговых деформаций при комнатной температуре.

2. Разработана методика уточнения давления (в интервале 0 — 60 ГПа), при котором были получены рентгенограммы. Методика основана на сравнении значений, полученных методами внутреннего стандарта (КаС1) и люминесценции рубина. Абсолютная ошибка измерения давления по данной методике составляет 0.2 — 0.3 ГПа в диапазоне до 10 ГПа и 0.5 — 1 ГПа в диапазоне 10−60 ГПа.

3. Разработана методика юстировки сдвиговой камеры высокого давления с алмазными наковальнями относительно первичного пучка рентгеновского излучения.

4. Для ОеТе в условиях высокого давления и сдвиговых деформаций получены две новые фазы и расшифрованы их кристаллические структуры: 1) ромбическая фаза со структурой типа ОеБ (пр. гр. РЬпт).

— в интервале давлений 19−38 ГПа- 2) кубическая фаза со структурой типа CsCl (пр. гр. Рш 3 m) — при давлениях выше 38 ГПа.

5. Для Cul при давлении более 16 ГПа получена фаза высокого давления CuI-VIII. Обнаружено, что в условиях негидростатического нагружения до давлений более 38 ГПа и сдвиговых деформаций в Cul возможна реализация кристаллической структуры типа CdTe-IV, более близкой к структуре типа NaCl по сравнению со структурой типа ZnTe-III. Таким образом, в пределах существования ромбической структуры фазы высокого давления Cul в зависимости от степени ромбического искажения могут реализовываться два типа кристаллических структур: ZnTe-III-тип (CuI-VIII) и CdTe-IV-тип (CuI-VIII').

6. Обнаружено, что пластическая деформация снижает давления фазовых переходов в GeTe: NaCl-тип GeS-тип — на 15 ГПа, GeS-тип CsCl-тип — на 5 ГПа.

7. Установлено, что в GeTe при повышении давления наблюдается последовательность фазовых переходов, характерная для соединений типа AIVBVI: a-GeTe-тип -" NaCl-тип -" GeS-тип -> CsCl-тип.

8. Установлено, что в Cul при повышении давления наблюдается следующая последовательность фазовых переходов: CuI-III (пр. гр. F43m) -> CuI-IV (R 3 m) -> Cul-V (P4/nmm) CuI-VIII (CuI-VIII') (Cmcm).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jamieson J.C., Lawson A.W. X-ray diffraction studies in the 100 kbar pressure range. // J. Appl. Phys., 1962, v.33, p.776.
  2. Перес-Альбуэрне (Perez-Albuerne E.A.), Форсгрен (Forsgren K.F.),. Дриккамер (Drickamer H.G.). Установка для рентгеновских измерений при очень высоких давлениях. // ПНИ, 1964, № 1, с. ЗЗ 37.
  3. Bridgman P.W. The Physics of High Pressure, Bell, London, 1952.
  4. A.W., Tang T.Y. // Rev. Sci. Instrum., 1950, v.21, p.815.
  5. Jamieson J.C., Lawson A.W., Nachtrieb N.D. New device for obtaining
  6. X-ray diffraction patterns from substances exposed to high pressure. // Rev. Sci. Instrum., 1959, v.30, p. 1016.
  7. Weir C.E. et al. // J. Res., 1959, v.63 A, p.55.
  8. Jayaraman A. Diamond anvil cell and high-pressure physical investigations. // Reviews of Modern Physics, 1983, v.55, p.65 108.
  9. A. (Jayaraman А.) Сверхвысокие давления (обзор). // Приборы для научных исследований, 1986, т.57, с. 3 25.
  10. А.Р., Мао Н.К., Bell P.M. In Hydrothermal Experimental Techniques ed. by Ulmer G.C., Barnes H.L., Wiley-Interscience, John Wiley & Sons, New York, 1987, pp.469 505.
  11. Dunstan D.J., Spain I.L. The technology of diamond anvil high-pressure cells: I. Principles, design and construction. // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1989, v.22, pp.913 923.
  12. Spain I.L., Dunstan D.J. The technology of diamond anvil high-pressure cells: II. Operation and use. // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1989, v.22, pp.913 -923.
  13. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996.
  14. Сильвера (Silvera I.F.), Вийнгаарден (Wijngaarden R.J.). Аппарат высокого давления с алмазными наковальнями и криостат для оптических исследований при низких температурах. // ПНИ, 1985, № 1, с. 133.
  15. Пьермарини (Piermarini G.J.), Блок (Block S.). Камера сверхвысокого давления с алмазными наковальнями и величины давлений фазовых переходов в некоторых полупроводниках. // ПНИ, 1975, № 8, с. 31 -38.
  16. Мао Н.К., Bell P.M. // Carnegie Inst. Washington Yearbook, 1978, v.77, p.904.
  17. Huber G., Syassen K., Holzapfel W.B. Pressure dependence of 4f levels in europium pentaphosphate up to 400 kbar. // Phys. Rev. В, 1977, v. 15, p. 5123 -5128.
  18. B.H., Стишов C.M. Получение статических давлений до 100 ГПа с помощью алмазных наковален. // ПТЭ, 1987, № 2, с. 173 -176.
  19. Т.Н., Демишев Г. Б., Дюжева Т. И., Лосев В. Г., Кабалкина С. С. Алмазная камера давления до 28 ГПа для рентгеноструктурных исследований. // ПТЭ, 1984, № 2, с. 194 .197.
  20. .А., Литвин Ю. А., Кропачев В. Д., Холдеев О. В. Аппарат с прозрачными наковальнями-окнами для оптических и рентгеновских исследований при высоких давлениях. И ПТЭ, 1984, № 5, с. 178 180.
  21. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996, p.61.
  22. LeToullec R., Pinceaux J.P., Loubeyre P. The membrane diamond anvil cell: a new device for generating continuous pressure and temperature variations. // High Pressure Research, 1988, v. l, pp.77 90.
  23. LeToullec R., Loubeyre P., Pinceaux J.P. Single crystal X-ray diffraction with a synchrotron source in MDAC at low temperature. // High Pressure Research, 1992, v.8, pp.691 696.
  24. Chervin J.C., Canny В., Gauthier M., Pruzan Ph. Micro-Raman at variable low-temperature and very high pressure. // Review of Scientific Instruments, 1993, v.64, pp.203 206.
  25. Chervin J.C., Canny В., Besson J.M., Pruzan Ph. A diamond anvil cell for IR microspectroscopy. // Review of Scientific Instruments, 1995, v.66, pp.2595−2598.
  26. Бассетт (Bassett W.A.), Такахаши (Takahashi Т.), Стук (Stook P.W.). Рентгеноструктурные и оптические исследования кристаллических материалов при давлениях до 300 кбар. // ПНИ, 1967, № 1, с. 40 45.
  27. Меррилл (Merrill L.), Бассетт (Bassett W.A.). Миниатюрная камера высокого давления с алмазными наковальнями для рентгено-структурного исследования монокристаллов. // ПНИ, 1974, № 2, с. 157.
  28. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996, p.58.
  29. Bassett W.A., Takahashi T. In Advances in High Pressure Research ed. by Wentorf R.H. (Jr.), Academic, New York, 1974, v.4, p. 165.
  30. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996, p.51.
  31. Seal M. Diamond anvils. // High Temp. High Pressures, 1984, v. 16, p.573 — 579.
  32. Мао H.K., Bell P.M. Technique of operating the diamond-window pressure cell: considerations of the design and functions of the diamond anvils. // Carnegie Institute Washington Yearbook, 1977, v.76, pp.646 -650.
  33. A. (Ruoff A.L.), Хуай Ся (Hui Xia), Хуань Ло (Huan Luo), Вора Й.(УоЬгаУ.К.) Рентгеноструктурные исследования при давлении 416 ГПа, сравнимом с давлением в центре Земли. // ПНИ, 1990, № 12, сс. 111 -115.
  34. Onodera A., Furuno К., Yazu S. Synthetic diamond as a pressure generator. // Science, 1986, v.232, № 4756, pp.1419 1420.
  35. Ruoff A.L., Brister K.E., Weir S.T., Vohra Y.K. Megabar Pressures with Synthetic Diamonds. // High Pressure Science and Technology, Proceedings of the XI AIRAPT International Conference, Киев, Наукова думка, 1989, v.4, pp.71 76.
  36. Van Valkenburg A. // Conference Internationale Sur-les-Hautes Pressions, Le Creusot, Saine-et-Loire, France, 1965.
  37. A.P., Мао H.K., Bell P.M. The static compression of iron to 78 GPa with rare-gas solids as pressure-transmitting media. // J. of Geo-phys. Res., 1986, v.91, pp.4677 4684.
  38. В.А., Циок О. В. Фазовая диаграмма и вязкость системы глицерин-вода при высоком давлении. // Физика и техника высоких давлений, 1991, т. З, с. 74 79.
  39. Piermarini G.J., Block S., Barnett J.S. Hydrostatic limits in liquids and solids to 100 kbar. // Journal of Applied Physics, 1973, v.44, pp.5377 -5382.
  40. LeSar R., Ekberg S.A., Jones L.H., Mills R.L., Schwalbe L.A., Schiferl D. Raman spectroscopy of solid nitrogen up to 374 kbar. // Solid State Commun., 1979, v.32, pp.131 134.
  41. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996, p. 186.
  42. Eremets M.I. High Pressures Experimental Methods, Oxford University Press, 1996, p.210.
  43. Forman R.A. at al. Pressure measurement made by the utilization of ruby sharp-line luminescence. // Science, 1972, v. 176, p.284.
  44. Барнетт (Barnett J.D.), Блок (Block S.), Пьермарини (Piermarini G.J.). Оптическая система для точного измерения давлений в ячейке с алмазными наковальнями люминесцентным методом. // ПНИ, 1973, № 1, с. З 12.
  45. Piermarini G.J. at al. Calibration of the pressure dependence of the Ri ruby fluorescence line to 195 kbar. //J. Appl. Phys., 1975, v.46, p.2774.
  46. Mao H.K. at al. Specific volume measurements of Cu, Mo, Pd, and Ag and calibration of the Ri fluorescence pressure gauge from 0.06 to 1 Mbar. //J.Appl. Phys., 1978, v.49, p.3276.
  47. Мао H.K., Xu J., Bell P.M. Calibration of the ruby pressure scale to 800 kbar under quasihydrostatic conditions. // J. of Geophys. Res., 1986, v.91, pp.4673 -4676.
  48. Heinz D.L., Jeanloz R. The equation of state of the gold calibration standard. // J. Appl. Phys., 1984, v.55, pp.885 893.
  49. Bell P.M., Xu J., Mao H.K. In Proceedings of the Fourth Topical Conference on Shock Waves in Condensed Matter ed. by Gupta Y.M., Plenum, New York, 1986.
  50. Гетгель (Goettel К.), Мао (Мао H.K.), Белл (Bell P.M.). Получение статических давлений более 2.5 Mbar в аппарате с алмазными наковальнями. // ПНИ, 1985, № 7, с. 127.
  51. В.Д., Коняев Ю. С., Кузнецов А. И., Эстрин Э. И. Алмазная камера для исследования влияния деформации сдвига на структуруи свойства твердых тел при давлении до 43 ГПа. // ПТЭ, 1984, № 5, с. 178.
  52. И.А., Бланк В. Д., Коняев Ю. С. Алмазная камера для деформации сдвигом твердых тел при давлении до 86 ГПа. // ПТЭ, 1987, № 2, с. 176.
  53. Blank V.D., Zerr A. Yu. Optical chamber with diamond anvils for shear deformation of substances at pressures up to 96 GPa. // High Pres. Research, 1992, v.8, p.567.
  54. В.Д., Воронцов A.A., Серебряная Н. Р., Церр А. Ю. Применение рентгенодифракционного метода порошка для исследования фазовых превращений при высоких давлениях и сдвиговой деформации. // Физика и техника высоких давлений, 1992, т.2, с. 82.
  55. В.Д., Буга С. Г. Автоматизированная оптическая установка высокого давления со сдвиговой алмазной камерой. // ПТЭ, 1993, № 1, с.205 216.
  56. В.Д., Богуславский Ю. Я., Еремец М. И. и др. Эффект самомультипликации давления при фазовом переходе в квазигидростатических условиях. // ЖЭТФ, 1984, т.87, с.922 926.
  57. Ю.Я. О напряженном состоянии упругопластической осесимметричной прослойки при фазовом переходе. // ФТТ, 1991, т. ЗЗ, С.2689 2694.
  58. Boguslavsky Yu. Ya., Blank V.D. et all. Pressure self-multiplication and self-demultiplication effect in an elastic-plastic substance at the structural phase transition. // High Pressure Research, 1994, v. 12, p. 145 159.
  59. В.Д. Диссертация на соискание степени доктора физико-математических наук, ИФВД РАН, 1991, с.58.
  60. Wiedemeier H., von Schnering H.G. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS and SnSe. // Zeitschrift fur Kristallographie, 1978, v.148, p.295.
  61. Wyckoff R.W.G. Crystal Structure, John Wiley, vol.1, 1963, p.89.
  62. T., Iwasaki H. // Acta Crystallogr. B, 1983, v.39, p.158.
  63. Shubert K., Fricke H. Kristallstruktur von GeTe. // Z. Naturforsch., 1951, v.6a, p.781.
  64. Shubert K., Fricke H. Zur Kristallchemie der B-Metalle. II. Diskussion und Untersuchung trigonal verzerter NaCl-strukturen. // Z. Metallkunde, 1953, v.44, p.457.
  65. Samara G.A., Drickamer H.G. Effect of pressure on the resistance of PbS and PbTe. // J. Chem. Phys., 1962, v.37, p. l 159.
  66. A.A., Кузин H.H., Дроздова А. Д., Верещагин Л. Ф. Изменение электрического сопротивления PbS, PbSe и PbTe под давлением до 200 ООО кг/см2. //ДАН СССР, 1963, т. 152, с. 1079.
  67. Kafalas J.A., Mariano A.N. High-pressure phase transition in SnTe. // Science, 1964, v, 143, p.952.
  68. Chattopadhyay T., Werner A., von Schnering H.G., Pannetier J. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds. // Revue de Physique Appliquee, 1984, v. 19, p.807.
  69. С.И., Шелимова Л. Е. Фазовый переход в SnTe при 75К. //ФТТ, 1965, т.7,с.2544.
  70. Muldawer L. New studies of the low temperature transformation in SnTe. // Physics of IV-VI Compounds and Alloys ed. by Rabii S., Gordon and Breach, 1974, p. 193.
  71. Iizumi M., Hamaguchi Y., Kamatsubara K., Kato Y. Phase Transition in SnTe with Low Carrier Concentration. // J. Phys. Soc. Japan, 1975, v.38, p.443.
  72. Valassiades O., Economou N.A. On the Phase Transformation of SnTe. // Physica Status Solidi (a), 1975, v.30, p.187.
  73. Wiedemeier H., Siemers P.A. The thermal expansion and high temperature transformation of GeSe. // Zeitschrift fur Anorganic und Allgemeine Chemie, 1975, v.411, p.90.
  74. Wiedemeier H., Siemers P.A. The thermal expansion of GeS and GeTe. // Zeitschrift fur Anorganic und Allgemeine Chemie, 1977, v.431, p.299.
  75. Л.Е., Абрикосов H.X., Жданова В. В. Система Ge-Te в области соединения GeTe. // ЖНХ, 1965, т. 10, с. 1200.
  76. Т.Б., Заславский А. И. Исследование фазового превращения и структуры a-GeTe. // Кристаллография, 1967, т. 12, с. 37.
  77. Chattopadhyay Т., Baucherle J.X., von Schnering H.G. Neutron diffraction study on the structural phase transition in GeTe. // J. of Physics C: Solid State Physics, 1987, v.20, p. 1431.
  78. Bridgman P.W. The compression of forty-six substances to 50 000 kg/cm2. II Proc. Am. Acad. Arts Sci., 1940, v.74, p.21.
  79. Bridgman P.W. The compression of thirty-nine substances to 100 000 kg/cm2. // Proc. Am. Acad. Arts Sci., 1948, v.76, p.55.
  80. Mariano A.N., Chopra K.L. Polymorphism in some IV-VI compounds induced by high pressure and thin-film epitaxial growth. // Applied Physics Letters, 1967, v. 10, p.282.
  81. С.С., Верещагин Л. Ф., Серебряная Н. Р. Фазовый переход в теллуриде германия при высоком давлении. // ЖЭТФ, 1966, т.51, с. 1358.
  82. С.С., Серебряная Н. Р., Верещагин Л. Ф. Исследование а<→{3 перехода в сплавах GeTe-SnTe при высоком давлении. // ФТТ, 1967, т.9, с. 3208.
  83. С.С., Серебряная Н. Р., Верещагин Л. Ф. Фазовые переходы в соединениях IV-VI групп при высоких давлениях. // ФТТ, 1968, т. Ю, с. 733.
  84. Н.Р. Фазовые переходы в сплавах (Pb, Sn, Ge) Te в интервале давлений 0−15 ГПа при комнатной температуре. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1991, т.27, с. 1611.
  85. Wakabayashi I., Kobayashi Н., Nagasaki Н., Minomura S. The effect of pressure on the lattice parameters. Part I. PbS and PbTe. Part II. Gd, NiO and a-MnS. // J. Phys. Soc. Japan, 1968, v.25, p.227.
  86. В.Б., Тимофеев Ю. А., Виноградов Б. В., Яковлев Е. Н. Р-Т диаграммы халькогенидов свинца (Р < 35 ГПа, Т = 4.2 300К).
  87. Fujii Y., Kitamura К., Onodera A., Yamada Y. A new high-pressure phase of PbTe above 16 GPa. // Solid State Communications, 1984, v.49, p.135.
  88. Maclean J., Hatton P.D., Piltz R.O., Crain J., Cernik R.J. Structural studies of semiconductors at very high pressures. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 1995, v.97, p.354.
  89. С.Г., Зломанов В. П., Новоселова А. В. О фазовой диаграмме германий-теллур. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1969, т.5, с. 1171.
  90. Goldak J., Barrett C.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe. // J. Chem. Phys., 1966, v.44, p.3323.
  91. С.Г., Зломанов В. П., Новоселова А. В. О полиморфизме теллурида германия. // ДАН СССР, 1968, т. 182, с. 832.
  92. Shimada М., Dachille F. Cristallization of Amorphous GeTe Under Pressure. // Inorganic Chemistry, 1976, v. 15, p. 1729.
  93. Ю.А., Виноградов Б. В., Бегоулев В. Б., Яковлев Б. Н. Сверхпроводимость теллурида германия при давлении до 70 ГПа. //ФТТ, 1986, т.28, с. 2841.
  94. Hein R.A., Gibson J.W., Mazelsky R., Miller R.C., Hulm J.K. Superconductivity in germanium telluride. // Phys. Rev. Lett., 1964, v. 12, p. 320.
  95. Khvostantsev L.G., Sidorov V.A. Thermoelectric properties of GeTe at high hydrostatic pressure up to 8.5 GPa and its valence-band structure. // Physica Status Solidi (b), 1983, v. l 16, p.83.
  96. Khvostantsev L.G., Sidorov V.A., Shelimova L.E., Abrikosov N.Kh. Phase transitions in GeTe at hydrostatic pressure up to 9.3 GPa. // Physica Status Solidi (a), 1982, v.74, p. 185.
  97. Jl.Г., Сидоров В. А., Шелимова Л. Е., Абрикосов Н. Х. В сб. Стабильные и метастабильные фазовые равновесия в металлических системах, М., Наука, 1985, с. 29.
  98. Leger J.M., Redon A.M. Phase transformations and volume of the IV-VI GeTe semiconductor under high pressure. // J. Phys. Condens. Matter, 1990, v.2, p.5655.
  99. Serebryanaya N. R., Blank V. D., Ivdenko V. A. GeTe-phases under shear deformation and high pressure up to 56 GPa. // Phys. Letters A, 1995, v.197, p.63.
  100. Redon A.M., Leger J.M. The rhombohedral-cubic transition in the IV-VI semiconductor GeTe under high pressure. // High Pressure Res., 1990, v.4, p.315.
  101. W.A., Takahashi Т., Мао H.K., Weaver J.S. Pressure-induced phase transformation in NaCl. // J. Appl. Phys., 1968, v.39, p.319.
  102. Yagi Т., Suzuki Т., Akimoto S. New high-pressure polymorphs in sodium halides. //J. Phys. Chem. Solids, 1983, v.44, p. 135.
  103. Murata К., Onodera A., Fujii Y., Yamada Y., Yagi Т., Akimoto S. In Solid State Physics under Pressure ed. by Minomura S., KTK Scientific, Tokyo and Reidel, Dordrecht, 1985, p. 145.
  104. Onodera A., Fujii Y., Sugai S. Polymorphism and amorphism at high pressure. // Physica В & С, 1986, v. 139 & 140, p. 240 245.
  105. Chattopadhyay Т., von Schnering H. G., Grosshaus W. A., Holzapfel W. B. High pressure X-ray diffraction study on the structural phase transitions in PbS, PbSe, and PbTe with synchrotron radiation. // Physica В & С, 1986, v. 139 & 140, p. 356.
  106. Onodera A., Sakamoto I., Fujii Y., Mori N., Sugai S. Structural and electrical properties of GeSe and GeTe at high pressure. // Physical Review B, 1997−1, v.56, pp.7935 7941.
  107. Young R.A., Sakthivel A., Moss T.S., Paiva-Santos C.O. Program DBWS-9411 User’s Guide, 1995.
  108. Oxford Cryosystems. Program «Crystallographica» Tutorial Guide, 1997.
  109. Tonkov E.Yu. High Pressure Phase Transformations. A Handbook, Gordon and Breach Science Publishers, Philadelphia, 1992, v. l, pp.125, 258, 329.
  110. Phillips J.C. Ionicity of the chemical bond in crystals. // Rev. Mod. Phys., 1970, v.42, pp.317 356.
  111. С.С. Атомные радиусы элементов. // Журнал неорганической химии, 1991, т.36, с. 3015.
  112. Meisalo V., Kalliomaki М. High-pressure phases of cuprous halides. //
  113. High Temp. High Pressures, 1973, v 5, p.663.
  114. Piermarini G.J., Mauer F.A., Block S., Jayaraman A., et al. Optical microscopic, X-ray diffraction and electrical resistance studies of CuCl at high pressure. // Solid State Commun., 1979, v.32, pp.275 279.
  115. Н.Р., Попова С. В., Русаков А. П. О фазовой диаграмме CuCl. // ФТТ, 1975, т. 17, № 9, с. 2772.
  116. Skelton E.F., Quadri S.B., Webb A.W. et al. Pressure-induced disproportionation in CuBr. // Phys. Lett. A, 1983, v.94, p.441 443.
  117. Hull S., Keen D.A. High-pressure polymorphism of the copper (I) halides: A neutron-diffraction study to ~ 10 GPa. // Phys. Rev. B, 1994, v.50, № 9, p.5868 5885.
  118. Merril L. Behavior of the AB-type compounds at high pressures and high temperatures. // J. Phys. Chem. Ref. Data, 1977, v.6, p. 1205−1252.
  119. Edvards A.L., Drickamer H.G. Effect of pressure on the absorption edges of some III-V, II-VI, and I-VII compounds. // Phys. Rev., 1961, v.122, p. l 149.
  120. Van Valkenburg A. // J. Res. NBS, 1964, 68A, p.97.
  121. Miiller H., Ves S., Hochheimer H.D., et al. Pressure-induced phasetransitions and shifts in the absorption edge of CuCl. // Phys. Rev. B, 1980, v.22,p, 1052- 1057.
  122. Ves S., Glotzel D., Cardona M., Overhof H. Pressure dependence ofthe optical properties and the band structure of the copper and silver halides. // Phys. Rev. B, 1981, v.24, p.3073 3085.
  123. Batlogg В., Remeika J.P., Maines R.G. Enhanced ionic conduction and disproportionation in pure CuCl at high pressure. // Solid State Commun., 1981, v.38, pp.83 88.
  124. Blacha A., Christensen N.E., Cardona M. Electronic structure of the high-pressure modifications of CuCl, CuBr, and Cul. // Phys. Rev. В., 1986, v.33, pp.2413 -2421.
  125. Rapoport E., Pistorius C.W.F.T. Phase diagrams of the cuprous halides to high pressures. // Phys. Rev., 1968, v. 172, p.838 847.
  126. Tranquada J.M., Ingalls R.G. X-ray absorption study of CuBr at high pressure. // Phys. Rev. B, 1986, v.34, p.4267 4277.
  127. Brafman О., Cardona M., Vardeny Z. Raman-scattering study of pressure-induced phase transitions in Cul. // Phys. Rev. B, 1977, v. 15, p.1081.
  128. Moore M.J., Kasper J.S., Bundy F.P. High pressure phases of Cul. // J. Solid State Chem., 1970, v. l, p. 170 172.
  129. Klement W.-Jr., Jayaraman A. // Prog. Solid State Chem., 1966, v.3, p.289.
  130. Skelton E.F., Webb A.W., et al. Investigations of the pressure dependence of structural, chemical, electrical, and magnetic properties of cuprous chloride (CuCl). // Phys. Rev. B, 1980, v.21, pp.5289 5296.
  131. P.H., Баранова P.B. Электронографическое исследование структуры тонких пленок йодистой меди. // Кристаллография, 1961, т.6, сс.402 405.
  132. Batchelar R., Birchall T. Structure of cuprous iodide, polytype 12R. // Acta Crystallogr. B, 1982, v.38, p. 1260.
  133. Likforman A., Carre D., Etienne J., Bachet B. Structure cristalline dumonoseleniure d’indium InSe. // Acta Crystallogr. B, 1975, v.31, pp.1252- 1254.
  134. Keen D.A., Hull S. A powder neutron diffraction study of the pressure-induced phase transitions within silver iodide. // J. Phys.: Condens. Matter, 1993, v.5, p.23 32.
  135. Vereschagin L.P., White W.B., Roy R. // Science, 1962, v. 137, p.993.
  136. Jorgensen J.D., Clark J.B. Structural parameters for the suspected pressure-induced electron transition in InBi. // Phys. Rev. B, 1980, v.22, pp.6149−6154.
  137. С.С., Серебряная Н. Р., Бланк В. Д., Ивденко В. А. Кристаллическая структура Cul в условиях пластической деформации и высоких давлений до 38 ГПа. // Кристаллография, 1995, т.40, № 4, сс.650 655.
  138. Hofmann M., Hull S., Keen D.A. High pressure phase of copper (I) iodide. //Phys. Rev. B, 1995, v.51, p.12 022.
  139. V.A., Hinze E. // Ber. Bunsengesellschaft, 1966, v.60, p.1072.
  140. Yang W., Schwartz L.H., LaMori P.N. High pressure polymorphism of cuprous iodide. //J. Phys. Chem. Solids, 1968, v.29, p. 1633.
  141. Nelmes R.G., McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R. Crystal structure of ZnTe-III at 16 GPa. // Phys. Rev. Letters, 1994, v.73, p.1805.
  142. Nelmes R.G., McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R. Phase transitions in CdTe to 28 GPa. // Phys. Rev. B, 1995, v.51, p. 15 723.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!