Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров

Диссертация: Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

2 с структуры на основе высокоомных кристаллов кремния, соединений, А В, А2В6 нашли широкое применение для создания систем оптоэлектроники (фотоваракторы, устройств оптической памяти, преобразователи и усилители изображения, систем обработки оптической информации). Физические принципы создания этих устройств основаны на переходных электронных процессах в высокоомных полупроводниках. При… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции. Явление самоэкранирования
    • 1. 2. Математические модели кинетики свечения электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении прямоугольными импульсами напряжения
    • 1. 3. Емкостные свойства электролюминесцентного конденсатора с изолированными от поля электродами
    • 1. 4. Виды электролюминесцентных излучательных структур
    • 1. 5. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Механизмы выпрямления
    • 1. 6. Термоактивационные методы исследования центров захвата в широкозонных полупроводниках
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Установка для исследования оптических и электрических свойств структур на основе порошковых люминофоров
    • 2. 2. Особенности изготовления электролюминесцентных структур
    • 2. 3. Методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ СВЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ УНИПОЛЯРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ НАПРЯЖЕНИЯ
    • 3. 1. Исследование процессов скорости генерации свободных носителей полем при возбуждении электролюминесцентного конденсатора униполярными импульсами напряжения
    • 3. 2. Исследование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения
    • 3. 3. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения
    • 3. 4. Эффект выпрямления тока электролюминесцентным конденсатором с поляризационным механизмом свечения
    • 3. 5. Метод разделения сложных спектров

Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Порошковые люминофоры и электролюминесцентные структуры, на основе которых они изготавливаются, находят широкое применение для создания современных систем отображения и обработки информации (матричные экраны, кинескопы, запоминающие системы и т. д.) [1−5].

Характеристики устройств отображения информации на основе электролюминесцентных структур не уступают, а в ряде случаев превосходят (размер, контраст) приборы других типов. Разнообразие форм, форматов, высокая равномерность изображения, большой угол наблюдения обеспечивают высокую конкурентность даже тонкопленочным излучателям.

Качество и эффективность этих устройств определяется люминофорами, которые преобразуют различные виды энергии в видимое излучение. Свойства люминофоров в основном зависят от примесей, которые вводят специально для изменения спектра излучения. В процессе изготовления кристаллофосфоров образуются центры захвата, значительно снижающие квантовый выход излучения и быстродействие устройств. Большинство электролюминесцентных излучателей для систем отображения создаются на основе структур с изолированными электродами типа металлдиэлектрик-полупроводникдиэлектрикметалл (МДПДМ). Впервые теоретическое рассмотрение поляризационной люминесценции (эффекта Дестрио) на таких структурах было проведено в 70-х годах в работах Г. М. Гуро и Н. Ф. Ковтонюка [6], которые позволили проводить количественные расчеты и делать оценки эффективности и квантового выхода свечения. МДПДМ.

— 2 с структуры на основе высокоомных кристаллов кремния, соединений, А В, А2В6 нашли широкое применение для создания систем оптоэлектроники (фотоваракторы, устройств оптической памяти, преобразователи и усилители изображения, систем обработки оптической информации). Физические принципы создания этих устройств основаны на переходных электронных процессах в высокоомных полупроводниках [2,7,8]. При приложении к структуре напряжения равновесные носители зарядов отводятся полем из объема полупроводника, что приводит к возникновению переходного процесса, позволяющего, например, проводить обработку информации в реальном режиме времени. С переходными процессами связано резкое изменение емкости, общего сопротивления структуры, приводящей к высокой чувствительности к свету [2,6].

МДПДМ структуры на основе порошковых люминофоров, к которым относится электролюминесцентный конденсатор, работающий на эффекте Дестрио, имеет особенности возникновения переходных электронных процессов. Они обусловлены, во-первых, тем, что в качестве полупроводника выступает порошок люминофора, во-вторых, с большими полями, приводящими к ионизации центров свечения и образованию свободных носителей.

Согласно современным представлениям механизм электролюминесценции в таких системах связан с поляризационными явлениями, обусловленными смещением свободных носителей к границам полупроводник-диэлектрик под действием поля и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации [8]. Физические механизмы, приводящие к возникновению такого режима, а также связь скорости генерации со скоростью изменения напряжения, определяющих эффективность электролюминесценции, остаются в настоящее время не выясненными. Одной из причин, которая не дает возможность качественно и тем более количественно проводить исследования поляризационной электролюминесценции, являются устаревшие технологии изготовления порошковых электролюминесцентных структур типа МДПДМ. Они не позволяют получать идентичные структуры, что резко снижает повторяемость экспериментальных результатов исследования. Кроме того, наличие связующего в слое люминофора затрудняет исследование электрических свойств и кинетики процессов поляризации, связанной со свободными носителями.

Из этого вытекает актуальность темы по созданию новых структур на основе порошковых люминофоров, исследованию их емкостных и электролюминесцентных свойств для изучения механизмов ПЭЛ и разработке на их основе дополнительных методов контроля за качеством люминофоров.

Целью работы являлось исследование механизмов поляризационной люминесценции, процессов полевой ионизации центров свечения, разработка новых методик исследования центров локализаций свободных носителей в порошковых люминофорах, а также создание новых конструкций ЭЛК на основе порошковых люминофоров, обеспечивающих повышение точности измерений.

Первая глава является обзорной и посвящена рассмотрению теории поляризационной люминесценции. В ней дан краткий анализ современных механизмов электролюминесценции, связанной с поляризационными явлениями и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации. Проведен анализ работ и описаны основные математические модели, посвященных кинетики поляризационной электролюминесценции. Рассмотрены виды электролюминесцентных излучателей, а также электрические и емкостные свойства электро люминесцентных конденсаторов. Описаны основные механизмы выпрямления, возникающие при прохождении тока через ЭЛК. Дан краткий обзор термоактивационных методов исследования, применяемых при исследовании центров захвата порошковых люминофоров.

Во второй главе представлено описание и блок схема установки, на базе которой проводились исследования оптических, электрических, емкостных свойств структур, спектров излучения и кинетических процессов свечения. Впервые изложены особенности изготовления планарных электролюминесцентных конденсаторов. Описана методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

Третья глава посвящена исследованию кинетики процессов свечения при возбуждении электролюминесцентного конденсатора прямоугольными однополярными импульсами напряжения. На основе проведенных исследований показано, что скорость генерации свободных носителей пропорциональна скорости изменения внешнего напряжения при любом законе изменения напряжения. В результате анализа гармоник в модулированном свечении ЭЛК предложен механизм выпрямления тока. На основе исследования частотной зависимости переменной составляющей свечения ЭЛК предложен способ разделения сложных спектров на элементарные полосы.

В четвертой главе получена математическая модель и способ определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости. С помощью предложенной методики проведено исследование центров захвата различных люминофоров и обнаружены уровни локализации, не определяемые методами термовысвечивания. Впервые с помощью емкостного метода изучены явления перераспределения зарядов по уровням локализации и на основе этих измерений построена зонная схема исследованных люминофоров. Получено выражение, позволяющее рассчитывать коэффициенты перекрытия емкости МДПДМ структур на основе порошковых люминофоров.

В заключении сформулированы краткие выводы по результатам исследований, проделанных в работе. В конце диссертации приведен список цитируемой литературы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Проведенные исследования порошковых люминофоров на базе планарной структуры электролюминесцентного конденсатора позволяют сделать следующие выводы:

1. Предложен планарный ЭЛК без связующего на основе порошковых люминофоров, позволяющий повысить точность, повторяемость экспериментальных результатов исследования ЭЛ и применять емкостные методы исследования для определения параметров порошковых люминофоров.

2. На основе экспериментальных исследований кинетики свечения электролюминофоров при возбуждении униполярными импульсами напряжения показано, что скорость генерации свободных носителей в ЭЛК с поляризационным механизмом свечения пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре при любом законе изменения напряжения. Обнаруженная закономерность позволяет строить математические модели ЭЛ и исследовать эффективность в зависимости от закона изменения подаваемого напряжения, определять соотношение между скоростью генерации и скоростью выноса носителей полем из объема кристалла. В рамках предложенной модели скорости генерации получено выражение, описывающее кинетику свечения ЭЛК при возбуждении однополярными прямоугольными импульсами напряжения.

3. Проведен анализ состава гармоник волн яркости ЭЛК. На основе полученных результатов предложена математическая модель явления выпрямления тока, возникающего в ЭЛК с поляризационным механизмом люминесценции.

4. Проведено исследование зависимости спектральной плотности излучения ЭЖ от частоты приложенного напряжения. Предложена новая методика разделения сложных спектров ЭЛ на элементарные полосы.

5. Разработан емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров. Получена математическая модель емкостных свойств порошкового планарного ЭЛК без связующего.

6. Впервые параллельно методами ТВ и ТСЕ исследованы ряд электро-, фотои котодолюминофоров. Определены энергетические глубины залегания центров захвата. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и КО-5ЭО обнаружены глубокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при термовысвечивании.

7. Впервые методом ТСЕ на порошковых люминофорах проведено исследование явления переселения носителей зарядов с одних мест локализаций на другие. Обнаружено, что в люминофоре 2п8−1п переселение носителей между центрами локализаций осуществляется без перехода в зону проводимости.

8. Проведен анализ зонной схемы люминофоров по измерениям ТВ, ТСЕ и явления перезарядки примесных центров. По результатам исследований уточнена зонная схема люминофора 2п8−1п.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за предложенную тему, постоянное внимание и помощь в работе над диссертацией моим научным руководителям: кандидату физико-математических наук, доценту Денисову Борису Николаевичу и доктору физико-математических наук, профессору Горюнову Владимиру Александровичу.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И. К. Верещагина. М.:Энергоатомиздат, 1990. -168С.
  2. Н.Ф., Сальников E.H. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразователей изображений. М.:Радио и связь, 1990.-160С.
  3. В.Л. Плоские информационные экраны. Полимерные электролюминесцентные дисплеи сделали заявку на успех в XXI в.// Электронная промышленность, 1997.-№ 2.-С.31−43.
  4. М.Ф., Полежаев Б. А., Прокофьев Т. А. Многоцветный источник света на основе сульфида цинка.//ЖТФ, 1997.-Т.67.-№ 1 O.C.I 32−133.Верещагин И. К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971.-370С.
  5. В.А., Попов В. Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.
  6. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.I.Чистые кристаллы.//ФТП. 1968.Т.2. В.З.СЗОО.
  7. Ю.Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.
  8. М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в ЖТФ.- 1997.-Т.23.-N6.-С.1−4.
  9. И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971. 370С.
  10. Фок М. В. Свойства электролюминесценции как проявление отклонения системы от термодинамического равновесия.// Труды
  11. ФИАН" им. П.Н. Лебедева/Люминесценция кристаллов. М.:Наука, 1983. -T.138.-C.3−25.
  12. Прикладная электролюминесценция./Под ред. М. В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.
  13. Г. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.- 456С.
  14. Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции. И. Кристаллы с примесями.//ФТП.-1969.-Т.З, вып.5.-С636−642.
  15. Г. М., Ковтонюк Н.Ф.О временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т. З, вып.1.-С58−62.
  16. Ю.И., Гуро Г. М., Дахновец В. Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91 -95.
  17. Ю.И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Зависимость яркости поляризационной электролюминесценции от напряжения в монокристаллах ZnS.// ФТП.-1969.-Т.З, вып.10.- С.1569−1570.
  18. М.К. Исследование свойств цинк- сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах.// ЖПС.-1995.-Т.62, вып.З.-С.182.
  19. М.К. Вольт- яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур.//ЖТФ. -1996.-Т.66, вып. 10.-С. 139.
  20. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: высшая школа, 1971.-336С.
  21. Антонов -Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.- 324С.
  22. Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.-Л.: Гостехиздат, 1951. -350С.
  23. Фок M.B. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. -284С.
  24. .И., Грибковский В. П. Введение в теорию люминесценции. Минск: Изв. АН СССР, 1963.-444С.
  25. .И. Введение в современную оптику: Поглощение и испускание света квантовыми системами. Минск, 1991.- 479С.
  26. И.К. Кинетика электролюминесценции ZnSV/ЖПС, 1998.-Т.65.-№ 1.-С. 140−142.
  27. Е.Ю. Кинетика эффекта Дестрио. //Электролюминесценция/ Труды «ФИАН» им. П. Н. Лебедева. М.:Наука, 1970.-Т.50.-С.З-26.
  28. Электролюминесценция твердых тел. Труды III совещания по электролюминесценции. Киев.: Наукова Думка, 1971.-320С.
  29. В.П., Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.
  30. Ю.И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752−1757.
  31. Н.Г., Сабитов О. Ю., Бригаднов И. Ю. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках./ЛТисьма в ЖТФ, 1997.-Т.23.-№ 15.-С.7−12.
  32. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.-184С.
  33. B.C., Гохфельд Ю. И., Гуро Г. М., Ковтонюк Н. Ф. Экранирование порогового поля в кристаллах ZnS при освещении.//ФТП.- 1970. -Т.4, вып.6.- С.1176−1177.
  34. Н.Ф., Морозов В. А., Абрамов A.A. и др. Фотоваракторный эффект структур металл -диэлектрик -полупроводник -диэлектрик -металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т.18.- № 5.-С.1019−1023.
  35. JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. JL: Наука, 1972. -104С.
  36. C.JI., Полян P.A. Гибкий электролюминесцентный источник света.//Патент 20 006 878 Россия, МКИ Н 05 В 3/26/,№ 4 931 861/25.
  37. P.A., Серегин C.JL, Кокин С. М. Гибкие источники света -электролюминесцентные излучатели нового типа//Электронная промышленность, 1993.-№ 11−12.-С.66−68.
  38. Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука, 1983. -С. 122.
  39. Ю.П. Электрические и оптические свойства электролюминесцентных конденсаторов на основе ZnS-Cu.//Труды «ФИАН» им. П. Н. Лебедева, 1966.- С. 149.
  40. Фок М. В. Теория электролюминесцентных преобразователей изображения. М.: Советское радио, 1961.-52С.
  41. Е.Б., Самохвалов М. К. Выход электролюминесценции в различных условиях возбуждения тонкопленочных конденсаторов.// ЖПС, 1992.-Т.56.-№ 5−6.-С.851−853.
  42. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.
  43. Л.Я., Пекерман Ф. М., Петошина Л. Н. Люминофоры. М.-Л.: Химия, 1966.-232С.
  44. Г. А., Дудник В. П. Термолюминесцентный анализ ИК -электролюминесценции сублимированных пленок сернистого цинка. //Электролюминесценция твердых тел/Труды III совещания по электролюминесценции (Тарту, 1969 г.), 1971.-С. 190−193.
  45. Л.С., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды «ФИАН» им. П. Н. Лебедева /Люминесценция кристаллов. М.:Наука, 1983. -Т.138.-С.135−156.
  46. Антонов -Романовский B.B. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция,-1963 .-С.207−213.
  47. Антонов -Романовский В. В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.П. //Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963 .-С.213−223.
  48. Е.Г., Вертопрахов В. Н. Термостимулированные методы исследования фотопроводящих материалов.-Деп. ВИНИТИ № 349 771,1971.- 27 С.
  49. А.Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев: Наукова Думка, 1972.-200С.
  50. .В., Васюков А. Е., Жолкевич Г. А. Термостимулированная проводимость, люминесценция и емкость пленок ZnS:Cu, Cl с памятью проводимости. В кн.:Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев, 1974. -С.14−15.
  51. .В., Васюков А. Е., Жолкевич Г. А. О тунельном механизме проводимости в электролюминесцентных пленках ZnS:Cu, Cl. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Киев, 1975.-С. 132- 141.
  52. Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.
  53. Yau L.D., Chan W.W., Sah С.Т. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at cobait centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.14. № 2. P.655−662.
  54. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-562С.
  55. Carballes J.C., Lebailly J. Trapping analysis in gallium arsenide.// SolidState Communs, 1968. Vol.6.№ 3.P. 167−171.
  56. Buehler M.G. Impurity centers in p-n-junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.// Solid-State Electron, 1972. Vol. 15. № 1. P.69−79.
  57. Carballes J.C., Varon J., Ceva T. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. № 19. P.1627−1631.
  58. Sah C.T., Chan W.W., Fu H.S. e.a. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p-n-junctions.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.20. № 5. P. 193 195.
  59. Sakai K., Ikoma T. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.//Appl.Phys, 1974. Vol.5. № 2. P.165−171.
  60. Sah C.T., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carrier traps in the edge region of semiconductors junctions.// Appl.Phys.Lett., 1973. Vol.22. № 8. P.384−385.
  61. Sah C.T., Wang C.T. Experiments on the origin of processinduced recombination centers in silicon.//J. Appl.Phys., 1975. Vol.46. № 4. P. 1767−1776.
  62. Sakai K., Adachi I., Ikoma T. Thermally stimulated capacitance and thermally stimulated current in p-n- junction centers.// Japan J. Appl. Phys., 1973. Vol.12. № 11. P.1816−1817.
  63. Yau L.D., Sah C.T. Measurement of trapped-minoriti-carrier thermal emission rates from Au, Ag and Co traps in silikon.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.21. № 4. P.157−158.
  64. Yau L.D., Smiley C.F., Sah C.T. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at silver centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.13. № 2. P.457−464.
  65. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. А. В. Ржанова. М.:Наука, 1976. -280С.
  66. А .Я., Дидейкин А. Т., Козырев C.B. Фотоприемники на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник.//Фотоприемники и фотопреобразователи./Сборник науч. трудов, 1986.-С.105−130.
  67. Е.М., Захряпин A.B., Иванов О. Ю. Устройство для демонстрации электролюминесценции. //Учебный эксперимент в высшей школе.- 1998.-№ 1.-С.22.
  68. Е.М. Применение метода термостимулированной емкости для исследования центров захвата в порошковых люминофорах.// Сборник научных трудов ученых МГУ им. Н. П. Огарева. Саранск, 1999.-С22.
  69. Е.М. Планарный электролюминесцентный конденсатор и его свойства.//Тез.док. молодых ученых МГУ им. Н. П. Огарева.- г. Саранск, 1999.-С.232−233.
  70. A.M., Бабченко И. А., Горбань А. Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195−198.
  71. М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.//ФТП, 1976.-Т.10-№ 2.- С.209−233.
  72. Каталог./ Люминесцентные материалы и химические вещества. Черкассы: НИИТЭХИМ, 1983.
  73. Информационный бюллетень № 1−85. Действующая нормативно-техническая документация на люминофоры и особо чистые вещества. Ставрополь: ВНИИ люминофоров, 1985.
  74. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К. Б. Карандеева М, 1970.-250С.
  75. Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.-560С.76.3еегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, -1977.-616С.
  76. Физика и химия соединений А2В6. /Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. -624С.
  77. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. //Люминесценция и нелинейная оптика./Труды ФИАН им. П. Н. Лебедева АН СССР. М.: Наука, 1972.-Т.59.- С.3−24.
  78. В.А., Гришаев В. Я., Денисов Б. Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров.//Светотехника, 1992.-№ 3.-С.3−4.81 .Гороховатский Ю. А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.
  79. Н.П., Волокобинский Ю. М., Воробьев A.A. и др. Теория диэлектриков. М.-Л.: Энергия, 1965.-344С.
  80. Акустические кристаллы. Справочник. / Под ред. М. П. Шаскольской М.: Наука, 1982.- 632С.
  81. И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-ь300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.-С2173−2179.
  82. М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением.// Письма в ЖТФ.-1994.-Т.20,вып.6.-С.67.
  83. .М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.
  84. В.А., Денисов Б. Н., Королев А. П., Никишин Е. В. Энергетический выход фотолюминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии при периодическом импульсном возбуждении.// ЖПС, 1997.-Т.64.-№ 2.-С.269−272.
  85. Вопросы физики электролюминесценции. //Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-274С.
  86. Н.И., Свечников C.B. Кинетика электролюминесценции сублиматфосфора ZnS-Mn при импульсном возбуждении.//ЖПС-1969. -Т. 10, вып.З.- С490−493.
  87. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Cu: Co photoconductor. // Indian J. Pure and Appl.Phys., 1974. Vol. l2,№ 3 -P.185−187.
  88. А.Г., Королько Б. Н., Степанченко Э. С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошков полупроводников при 77°К.//Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№ 5. -С.1019−1021.
  89. Патент 2 075 105 Россия, МКИ5 G 02F2/02. Преобразователь спектра оптического излучения./ Лавренко Л. М., Горюнов В. А., Денисов
  90. Б.Н., Никишин Е. В., Гришаев В.Я.(Россия). Опубл. 10.03.97. Бюл.№ 7.-2С.
  91. И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции 2п8-Си.// Изв. Вузов. Физика, 1998.-Т.41.-№ 2, — С.89−92.
  92. Фок М. В. Влияние частоты возбуждающего напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов 2п8-Си.// ЖПС, 1988.-Т.48.-№ 6.-С.1014−1016.
  93. Е.М. Эффект выпрямления тока в электролюминесцентном конденсаторе с поляризационным механизмом свечения.// Актуальные вопросы естественных и технических наук: Межвузовский сборник научных трудов Саранск, 2ООО.-СВМО-С.9.
  94. Е.М., Горюнов В. А., Денисов Б. Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000,-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, № 523-В00.
  95. В.А., Левшин В. Л. Исследование перераспределения электронов по уровням захвата в возбужденных монокристаллах под действием инфракрасных лучей.//ЖПС, 1966.-Т.4,вып.З.-С.256−260.
  96. С.М. Влияние характера распределения заряженной примеси в барьерных областях электролюминофоров на яркость их электролюминесценции.//Неорганические материалы, 1997.-Т.ЗЗ.-№ 2.-С. 169−171.
  97. И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции Ъо$>-Си.Н Изв. вузов. Физ., 1998.-Т.41.-№ 2.-С.89−92.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!