Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Получение неорганических покрытий пиролитическим разложением элементоорганических соединений

Диссертация: Получение неорганических покрытий пиролитическим разложением элементоорганических соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Физико-математическая модель, описывающая процесс термораспада злементоорганических соединений, использована при разработке основ технологии получения заготовок селенида цинка оптического качества. Применение данной модели позволило сократить количество экспериментов, связанных с использованием дорогостоящих, токсичных реагентов. Внедрение её дало экономический эффект 300 тыс. ру б/год… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Анализ опубликованных работ по вопросу термического разложения крешийорганических соединений с образованием диоксида кремния
  • X. I. Исследование процесса образования диоксида кремния в разных газовых средах
    • 1. 2. Влияние исходного соединения на режимы осаждения и физичесйке характеристики диоксида кремния
    • 1. 3. Низкотемпературные методы получения диоксида кремния
    • 1. 4. Математическое моделирование процесса термораспада ЭОС
    • 1. 5. Выводы и задачи исследования
  • 2. Моделирование процесса осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана .-v./
    • 2. 1. Физико-химическая модель процесса термораспада тетраэтоксисилана
    • 2. 2. Математическая модель процесса образования неорганических покрытий из парогазовой смеси
    • 2. 3. Граничные условия
    • 2. 4. Метод решения
    • 2. 5. Определение физичебких свойств многокомпонентной парогазовой смеси
    • 2. 6. Анализ влияния константы скорости реакции термораспада тетраэтоксисилана на процесс осаждения диоксида кремния
  • 3. Определение константы скорости термического разложения элементоорганических соединений в открытой системе
    • 3. 1. Импульсная проточная система для изучения макрокинетики термораспада ТЭОС
    • 3. 2. Влияние природы поверхности на скорость реакции тершраспада этилферроцена
    • 3. 3. Температурные зависимости константы скорости термораспада элементоорганических соединения в открытой системе
  • 4. Исследование процесса осаждения диоксида кремния в реакторе проточного типа
    • 4. 1. Описание экспериментальной установки
    • 4. 2. Влияние параметров процесса на скорость осаждения диоксида кремния
    • 4. 3. Оценка плотности и структурной однородности диоксида кремния
    • 4. 4. Сравнение результатов экспериментов по наращиванию диоксида кремния с теоретическим расчетом
  • 5. Метод определения констант скоростей и механизма термораспада ЭОС
    • 5. 1. Определение кинетических констант термораспада
    • 5. 2. Определение механизма термораспада ЭОС

Получение неорганических покрытий пиролитическим разложением элементоорганических соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Процессы получения неорганических соединений из парогазовой смеси (ПГС) при термическом разложении элементоорганических соединений (ЭОС) представляют в настоящее время большой интерес в связи с возможностью получения соединений и покрытий с разными' свойствами.

Метод химического термораспада ЭОС в газовой фазе позволяет получать различные материалы, начиная от эпитаксиально выращенных монокристаллических пленок элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений и кончая диэлектриками и проводящими пленками. Этот метод обеспечивает нанесение равномерных малопористых слоев с хорошей адгезией на образцы сложной формы из самых различных материалов (металлы, пластмассы, стекло и др.), а также на пористые, сыпучие, волокнистые материалы.

К исходным веществам элементоорганических соединений предъявляются следующие требования: в своем составе они должны содержать элементы, способные образовать те или иные материалысоединения должны быть в определенной мере термои фотонестабильными, а также обладать высокой упругостью паров в диапазоне температур 293−473 К.

Преимущество метода термического разложения ЭОС в газовой фазе заключается в следующем:

— так как разложение ЭОС происходит при температурах 573−1173 К попадание в состав пленки веществ, температура конденсации которых ниже температуры осаждения, т. е. наиболее легколетучих веществ, исключается;

— высокая упругость пара ЭОС позволяет проводить процесс осаждения в инертной среде. Поэтому процесс не всегда связан с использованием высоковакуумных агрегатов, что значительно удешевляет рассматриваемый метод- - позволяет получать высокие скорости осаждения.

Процессы, осуществляемые при атмосферном давлении имеют преимущество в том, что позволяют создавать большие потоки массы рабочего вещества вблизи покрываемой поверхности, раздвигая тем самым температурный интервал кинетической области.

Сложность процесса термического разложения элементоорганиче-ских соединений из газовой фазы, протекание которого зависит от большого числа факторов, делает затруднительным нахождение оптимальных условий его осуществления, а, следовательно, приводит к большому проценту брака.

В связи с этим при проектировании промышленных реакторов возникает необходимость в разработке обобщенных принципов их расчета, позволяющих оптимизировать технологический процесс.

Цель работы. Оптимизация условий получения неорганических соединений пиролитическим распадом элементоорганических соединений из газовой фазы на основе изучения кинетики и моделирования термолиза.

При проведении работы возникает необходимость в определении кинетических характеристик процесса. Ряд элементоорганических соединений, используемых в пиролитических процессах осаждения, обладают такими физико-химическими свойствами { взрывоопасные, ядовитые), которые затрудняют определение кинетических характеристик данных процессов стандартными методиками /9−12/. В связи с этим был создан новый метод определения кинетических констант, основанный на математическом моделировании.

Исследования по получению неорганических соединений пиролитическим разложением с использованием моделирования процесса нашли свое применение в изучении кинетики термолиза алкоксипроизводных германия, бора и титана.

Найденные по данной методике кинетические константы использованы в лаборатории длазмохимии ВНИИ химических реактивов и особо чистых химических веществ при разработке плазмохимических методов получения оксидов бора, германия и титана.

На основе разработанной физико-математической модели, описывающей термораспад ЭОС в газовой фазе, было показано, что, меняя технологические параметры процесса, можно управлять распределением и толщиной образующегося слоя неорганического материала. На примере тетраэтоксисилана показана адекватность модели.

Физико-математическая модель, описывающая процесс термораспада злементоорганических соединений, использована при разработке основ технологии получения заготовок селенида цинка оптического качества. Применение данной модели позволило сократить количество экспериментов, связанных с использованием дорогостоящих, токсичных реагентов. Внедрение её дало экономический эффект 300 тыс. ру б/год.

В диссертационной работе защищаются:

— экспериментально определенные эффективные константы скорости термораспада тетраэтоксисилана, этил-, диэтил-, трет-бутил-ферроценов, бисареновых комплексов хрома, диэтилцинка, диметил-селена;

— экспериментально определенные порядок реакции и энергия активации кавдого из исследуемых соединений;

— механизм образования селенида цинка;

— физико-математическая модель процесса получения неорганических соединений из газовой фазы пиролизом элементоорганических соединений, преимущество которой заключается в учете одновременного влияния теплообмена, массообмена, газодинамики, кинетики термораспада и индивидуальных свойств каждого из исследуемых веществ;

— возможность использования физико-математической модели для установления механизма термолиза элементоорганических соединений и оптимизация процесса получения неорганических соединений из ЭОС;

— метод, основанный на математическом моделировании и использовании данных по скоростям осаждения слоев неорганических материалов, для определения эффективной константы скорости термораспада различных элементоорганических соединений.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и приложения. Объем основного текста составляет 90 страниц, 43 рисунков, 15 таблиц. Цитируемый список литературы содержит 139 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. Разработана физико-математическая модель технологического процесса образования неорганических покрытий из паровой фазы термораспадом элементоорганических соединений. Отличие данной модели по сравнению с имеющимися состоит в том, что она учитывает совместное влияние на протекание процесса теплообмена, массообмена, газодинамики, кинетики термораспада и индивидуальных свойств каждого из исследуемых веществ.

2. Определены кинетические константы термического разложения ряда элементоорганических веществ, используемых для получения неорганических покрытий (тетраэтоксисилан, замещенные ферроцены, бисареновые комплексы хрома, диэтилцинк, диметилселен).

3. Установлено, что реакция термораспада исследуемых элементоорганических соединений — первого порядка. На примере этилфер-роцена рассмотрено влияние природы поверхности на скорость реакции термораспада и сделан вывод о гомогенно-гетерогенном механизме протекания процесса с преобладанием гетерегенного фактора.

4. На основании полученных кинетических данных по термораспаду диэтилцинка, диметилселена и системы диэтилцинк — диметилсе-лен предложен механизм образования селенида цинка: лимитирующей стадией в процессе будет разложение диметилселена, диэтилцинк быстро разлагается до цинка, адсорбирующегося на поверхности.

5. На примере тетраэтоксисилана установлена адекватность физико-математической модели и возможность ее использования для объяснения механизма термораспада элементоорганических соединений из парогазовой фазы и оптимизация технологического процесса наращивания покрытий, полученных из ЭОС.

Предложенная в диссертации математическая модель была ис-зована при разработке основ технологии получения заготовок селенида цинка оптического качества. Это позволило сократить количество экспериментов, связанных с использованием дорогостоящих, токсичных материалов, что дало экономический эффект 300 тыс. руб/год.

6. Предложен метод для определения эффективной константы скорости термического разложения ЭОС, основанный на использовании данных по скорости осавдения слоев неорганических материалов и математической модели, описывающей процесс получения неорганических материалов из элементоорганических соединений.

Найденные по данному методу кинетические константы использованы в лаборатории плазмохимии ВНИИ химических реактивов и особо чистых химических веществ (ИРЕА) при разработке плазмо-химических методов получения оксидов бора, германия и титана.

УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ.

X — проточная координатаг — поперечная координатаи — продольная составляющая скорости течения газовой смеси;

X) — поперечная составляющая скорости;

— плотность парогазовой смеси (ПГС) — у — коэффициент динамической вязкости;

Н — энтальпиякоэффициент теплопроводностиср — теплоемкость при постоянном давлении;

D — коэффициент диффузии;

R — универсальная газовая постоянная;

М — молекулярный вест — температурат — температура испарителяр — общее давление ПГСк — константа скорости реакции термораспада;

— частотный факторh — зазор в канале;

Ci — весовая концентрация i-ro компонента;

Xi — мольная концентрация г-го компонента ПГС;

Re — критерий Рейнольдса;

PrT — тепловой критерий Прандтля;

Pr 9 — диффузионный критерий Прандтля;

V — скорость осаждения;

— расход газовой смеси;

ОС — степень разложения ЭОС;

Ea — энергия активации процесса термолиза ЭОСt — время;

V «травл. скорость травления.

Подстрочные индексы о — на входе в реакторп — на поверхности осажденияt — i — тый компонент газовой смеси.

Надстрочные индексы — безразмерная величина- — - среднесмешанная величина:

Остальные обозначения объясняются по мере их введения, как имеющие локальное значение.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. А., Грибов Б. Г. и др. Металлоорганические соединения в электронике. — М.: Наука, 1972. — 480 с.
  2. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. -1.: Химия, 1971, с. 37−41.
  3. К., Оксли Дж., Блочер Дж. Осаждение из газовой фазы.-М.: Атомиздат, I970.-470 с.
  4. К.В., Вихлянцев О. Ф., Грибов Б. Г. Получение окисннх пленок и использование их в электронной технике. Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы, 1974, вып. 13(250), 60 с.
  5. .Г., Домрачев Г. А. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. М.: Наука, 1981.- 322 с.
  6. Е.А., Домрачев Г. А., Фукин К. К. Влияние окислительно-восстановительных свойств системы на направление распада органических соединений металлов.-Тр. по химии и химич. технологии, 1969, № 3, с. 175−177.
  7. Ч. Валентность. М.: Мир, 1965. — 430 с.
  8. О.Д., Белозерский Н. А. и др. Изучение кинетики термического разложения твердых карбонильных соединений металлов.- ЖНХ, 1963, т.8, }Ь 8, с. 1806−1808. .
  9. Geiseler G., Kuschmiers R. Kinetik und Mechanismus des ther-mischen Zerfalls der Alkansulfahalageniede Z. fiir Physikalische Chemie. Neue Folge, 1961, Ъ.28, Щ, s. 33−50.
  10. Рогинский C.3., Яновский М. И., Газиев Г. А. Химические реакции в хроматографическом режиме. ДАН СССР, 1961, г. 140, № 5, с. II25-II27.
  11. М.Я., Купряжкина Т. Н. и др. Исследование кинетики плазмохимического синтеза оксидов повышенной степени чистоты. Тез. докл. Ш Всесоюзного совещания: Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов. М., ЙМЕТ, 1976, с. 17.
  12. Ю., Херд Д., Льюис Р. Химия металлоорганических соединений. М.: Щ, 1963. — 359 с.
  13. З.В., Вишнякова З. П. и др. Получение диэлектрических пленок двуокиси титана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1970, т. 6, № 12, с. 2207−2208.
  14. Dividse P.D. Dielectric Thin Films through rf Sputtering. -J.Appl. Phys., 1966, v. 37, № 2, p. 574−579.
  15. Balog M., Schiber M. Thin Films of Metal Oxides on Silicon by chemical vapor deposition with organometallic compounds.-J.Crust. Growth, 1972, v.17, № 12, p. 298−301.
  16. С.Ш., Столярчук В. Г. Влияние температуры подложки термообработки на структуру и некоторые свойства двуокиси титана. Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, вып. 3, с.93−97.
  17. Н.Ф., Абрамов А. А. и др. Влияние термообработки на свойства структур двуокиси титана кремний. — Электроннаятехника. Сер. Материалы, 1973, вып. 12, с. 50−54.
  18. К.А., Львов С. В. и др. Получение и структура диэлектрических окисных пленок Ti02 .-ЖПХ, 1975, т. 48, вып. II, с. 2371−2377.
  19. Г. С. Газоструйный метод получения тонких пленок. Оптикомеханическая промышленность, 1969, № 3, с. 35−37.
  20. А.А., Томилин В. И. Влияние условий пиролиза изопро-поксида алюминия на некоторые свойства пленок ai2o3 .
  21. Ж. прикл. химии, 1976, т. 49, № 8, с. 1699−1702.
  22. В.М., Свиридов В. В. и др. Получение пленок А12о3 пиролизом ацетилацетоната алюминия. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 10, с. 1780−1783.
  23. А.А., Томилин В. И. и др. Установка для получения тонких пленок ai2o^ . Приборы и техника эксперимента, 1975, т. З, № 5/6, с. 238−239.
  24. В.Ф. Влияние структуры на характер пробоя пиролитиче-ских пленок окиси алюминия. Физика твердого тела, 1970, т. 12, № 2, с. 614−616.
  25. С.П., Виданов А. И. и др. Дефектность пленок окиси алюминия, полученных термическим разложением изопропилата алюминия. Сб. научных трудов по проблемам микроэлектроники. Сер. Хим.-технологич., 1975, вып. 21, с. 11−18.
  26. Duffu М.Т., Werner Kern. Chemical Vapor Deposition of Aluminium Oxide Films from Organo-Aluminum Compounds. RCA Review, 1970, v. 31, N24, p. 754−770.
  27. H.H. О методе получения диэлектрических пленок окиси алюминия. ЖПХ, 1961, т. 34, В 10, с. 2203−2206.
  28. Л.А., Герасимова Э. А., Савицкая Я. С. К вопросу получения тонких пленок окиси алюминия. ЖПХ, 1965, т.38, № 8,с. 1862−1863.
  29. В.Ф., Ибраимов Н. С., Галкин БД. 0 структуре пиролити-чески выращенных слоев А120з • ~ ЯПХ" 1969, т. 42, № 5,с. 989−990.
  30. .А., Вишнякова З. П., Павлова З. В. Получение пленок окиси алюминия пиролитическим методом. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1972, т. 8, № I, с. 185−186.
  31. В.Ф. Получение тонких слоев окиси алюминия пироактива-ционным разложением органических соединений. ЯПХ, 1976, т.49, вып. I, с. 74−77.
  32. В.Ф. Оптические и электрические свойства некристаллических пленок А1203. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 7, с. 1224−1229.
  33. Э.В., Водзинский В. Ю., Генкина Н. А. Электрофизические свойства пленок окиси алюминия, полученных термическим разложением паров триметилалюминия. Электронная техника. Сер. Материалы, 1975, вып. 10, с. 88−91.
  34. Л.А., Герасимова Э. А., Савицкая Я. С. К вопросу получения тонких пленок окиси алюминия. ШХ, 1965, т. 38, № 8, с. 1862−1863.
  35. А.Ф., Корнеев Н. Н. и др. Авт. св. СССР, кл. С 23с II/08, $ 432 239, заявл. 12.06.72, опубл. 6.11.74.
  36. Ниппон дэнсин дэнва кося. Японск. пат., кл. I2A26, № 26 262, заявл. 18.5.61, опубл. 13.12.63.
  37. В.В., Домрачев Г. А., Фукин К. К. Продукты распада как источник слоистой структуры пленок, осажденных из паровой фазы. Тр. по химии и химич. технологии, 1969, вып. 3, с. 179−182.
  38. К.К., Мельников В. В., Домрачев Г. А. Влияние параметров процесса на скорость осавдения пленок хрома из паровой фазы при распаде бис-аренхромовых комплексов. Там же, с. 186 189.
  39. Г. Г., Дружков О. Н. и др. Исследование термического разложения бис-этилбензолхрома. Тр. по химии и химич. технологии, 1973, вып. 2(33), с. I2I-I22.
  40. Г. Г., Артемов А. Н. Термическое разложение бис-арено-вых Д комплексов хрома и молибдена.-Тр. по химии и химич. технологии, 1969, вып. 3(24), с. 169−174.
  41. Ф.С., Наумова О. Н. и др. Химический состав металлических покрытий, полученных термическим разложением бис-аре-новых комплексов хрома, молибдена и ванадия. Тр. по химиии химич. технологии, 1973, вып. 3(34), с. I09-III.
  42. Г. Г., Лузин А. С. и др. Получение защитных хромовых покрытий на стальных деталях термическим разложением бис-этилбензолхрома. Тр. по химии и химич. технологии, 1974, вып.4, с. 147−149.
  43. Г. Г., Лузин А. С., Скуридина П. Н. Получение алюминий-хромовых покрытий термическим разложением металлоорганических соединений. Тр. по химии и химич. технологии, 1973, вып.2 (33), с. 156−157.
  44. А.С., Чужко Р. К. и др. Исследование процесса осаждения хрома при термическом разложении его бис-этилбензольных комплексов в проточном реакторе. В кн.: Химия элементоорганических соединений: Межвуз. сб. Горький: ГГУ, 1976, вып. 4(48), с. 81−86.
  45. Г. В., Лазарев А. И. Модель процесса термического разложения бис-ареновых комплексов металлов. В кн.: II Всесоюзное совещание по МОС для получения металлических и окисных покрытий: Тез.докл. М.: Наука, 1977, с.12−14.
  46. Л.М. и др. Исследование процесса термораспада бис-этилбензолхрома в сильном электрическом поле. Тр. по химии и химич. технологии, 1975, вып.1 (40), с.93−95.
  47. Л.Г., Коробов А. И. и др. Применение метода термического разложения элементоорганических соединений при изготовлении резистивных элементов пленочных микросхем. Электронная техника. Сер.14. Материалы, 1969, вып.8, с.124−129.
  48. Н.М., Жук Б.В., Домрачев Г. А. Роль адсорбции в процессе термораспада 1,1 диэтилферроцена. — В кн.: II Всесоюзное совещание по МОС для получения металлических и окисных покрытий: Тез.докл. М.: Наука, 1977, с. 41.
  49. Жук Б.В., Семенов Н. Н., Домрачев Г. А. Роль адсорбции в процессе термораспада 1,1 диэтилферроцена. — Ж.общ.химии, 1978, т.48, вып. II, с.2562−2565.
  50. П.И. и др. Рост пленок а^в71 (A11- Zn, Cd, B^-s «Se) из элементоорганических соединений. ДАН, СССР, 1980, т.252, № I, с.115−119.
  51. Жук Б.В., Хамылов В. К. и др. Кристаллизация селенида цинка при реакции цинкоорганического соединения и селеноводорода. Поверхность, 1982, № 7, с. II2-II7.
  52. Manasevit Н.М., Simpson W.J. The Use of metal-organies in the preparation of semiconductor materials. J.Biectrochem.
  53. Soc, 1971, v.118, H24, p. 644−647.
  54. Blanconner P. Growth and Characteriaation of undoped ZnSeepitaxial Layers abtained by organometallic chemical vapour deposition.-Thin Solid Film, 1978, v.55, Ю, p.375−386.
  55. Е.И., Рыбинский О. А., Злобин В. А. Диэлектрики интегральных схем. М.: Энергия, 1975. — 118 с.
  56. Е.З., Пресс Ф. П. Планарная технология кремниевых приборов. М.: Энергия, 1974. — 384 с.
  57. Everstein F. Low-Temperature Deposition of Alumina-Silica Films.-Philips Res. Repts., 1066, v.21, N25, p.379−386.
  58. А.И., Качухашвили Г. С. Получение диэлектрических и резистивных пленок методом химических реакций в газовой фазе.- Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1967, вып. 7, с. 71−84.
  59. Agajanian A. Bibliography on Silicon Dioxide Films.-Solid State Technology, 1977, v.20, 161 f p.36−48.
  60. Bradley D.C., Mehrotra R.C., Wardlaw W. Structural Chemistry of the Alkoxides. Secondary Alkoxides of Silicon, Titanium and Zirconium.-J.Chem.Soc., 1952, 1812, p.5020−5023.
  61. Ю.С. и др. Скорость роста пленок двуокиси кремния в процессе термического разложения тетраэтоксисилана. ЖФХ, 1974, т. 48, вып. 3, с. 588−591.
  62. Е.Б. и др. Получение однородных пленок Si02 пиролизом тетраэтоксисилана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 2, с. 270−272.
  63. .Б., Мокеев O.K. Получение пленки двуокиси кремния методом термического разложения тетраэтоксисилана.- Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1976, вып. 3, с. 94−101.
  64. В.В. и др. Некоторые особенности осаждения и свойств пленок двуокиси кремния на поверхности германия. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1966, вып. I, с. 14−25.
  65. .А., Арутюнят Б, А. Термическое разложение тетраэтоксисилана и образование диоксида кремния. Тез.докл. на Всесоюзном Совещании «МОС для получения металлических и окисных пленок». Горький, 1974, с. 51.
  66. А.Д. и др. Спектроскопическое изучение процесса образования пленок двуокиси кремния. В кн.: Спектроскопия. Методы и применение.: Тез.докл. У1 Сибирского совещания по спектроскопии. — М.: Наука, 1973, с. 260−262.
  67. В.М. и др. Особенности роста и некоторые свойства пленок двуокиси кремния, полученных при пиролизе тетраацеток-сисилана. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1972, вып. I, с. 63−70.
  68. Р.П. и др. Влияние газа-носителя на процесс образования и свойства пиролитических пленок SiOg • Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1969, т. 5, № 9, с.1540−1545.
  69. Н.Н. Получение диэлектрических тонких пленок двуокиси кремния и некоторые их свойства. ЖПХ, 1959, т.32, вып.5, с. I043−1046.
  70. М.Г. Осаждение пленок двуокиси кремния пиролизом тетраацетоксисилана и олигопераацетоксисилоксанов. Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы, 1970, вып.1, с. 168−174.
  71. Klerer J. On the Mechanism of the Deposition of Silica by Pyrolytic Decomposition of Silanes. J.Electrochem. Soc., 1965, v.112, № 5, p. 503−506.
  72. М.Г. и др. Силаксановая связь Новосибирск, 1976. — 315 с.
  73. George W. An Analysis of the thermal Decomposition of tetra-ethoxysilane by Gas Chromatography.- Analytica chemica Acta., 1969, v.48, N32, p.405−409.
  74. Jordan E.L. A Diffusion Mask for Germanium.-Journ.Electrochem. Society, 1961, v.108, Щ, p. 478−481.
  75. Klerer J. A Method for the Deposition of SiO^ at Low Temperatures. -J.Electrochem. Society, 1961, v.108, N211, p. 1070−1071.
  76. Thomas J.E. Young D.E. Space-Charge Model for Surface Poten-zial Shifts in Silicon Passivation with Thin Insulating Layers.-J. of Research and Development, 1964, v.8, № 4,p. 87−90.
  77. .П. ЖОХ, 1931, № I, с. 330−333.
  78. П.С. и др. Получение плотных пленок Si02 низкотемпературным разложением тетраэтоксисилана.-Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1971, т.7, № II, с.1975−1977.
  79. О.И. и др. Образование пленок SiOg из тетраал-коксисиланов в потоке кислорода. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1976, т. 12, № 4, с. 631−633.
  80. В.Н., Васильев Г. Ф. Низкотемпературное получение пленок двуокиси кремния. Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 197I, вып. 5, с. 59−63.
  81. Р.П., Фелтынь И. А. Получение и исследование защитных свойств пленки двуокиси кремния на германии. Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физических и технических наук, 1965, № I, с. 26−32.
  82. Жагата J1.A. Калныня Р. П. и др. Диэлектрические пленки, полученные низкотемпературным окислением тетраэтоксисилана. -Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физических и технических наук, 1972, № 3, с. 34.
  83. Kern W., Fischer A.W. Deposition and Properties of Silicon Dioxide and Silicate Films Prepared Ъу Low-Temperature Oxidation of Hydrides. RCA Review, 1970, v.31, p. 715- 727.
  84. Booker G.R., Benjamin C.E. Measurement of Thickness and Refractive Index of Oxide Pi1ms of Silicon.- J.Electrochem. Soc., 1962, v.109, № 12, p. 1206−1212.
  85. А.С., Жагата JI.А. и др. Влияние скорости роста пленок Si02 на некоторые их свойства. Изв. АН Латв.ССР. Сер. Физических и технических наук, 1973, № 4, с. 8−13.
  86. П.В. Нанесение диэлектрических пленок из газовой фазы. Физика тонких пленок / Под общей ред. Хасса Г. и Туна Р. Э., 1968, т. 3, с. 135−173.
  87. В.Ф. и др. Пленки из элементоорганических соединений в радиоэлектронике. М.: Энергия, 1973. — 192 с.
  88. Pliskin W.A. Gnall R.P. Evidence for Oxidation Growth at the Oxide Silicon Interface from Controlled Etch Studies. -J.Electrochem. Soc., 1964, v.111, N27, p.872−873.
  89. Л.А., Калныня Р. П. и др. Свойства пленок Si02 «полученных из тетраизодропоксисилана. Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1975, т. II, № 10, с. 1792−1795.
  90. Г. Б. Иммерсионный метод. М.: МГУ, 1948.-е. 84.
  91. Sumrell a., Ham G.E. Joum.Amer.Ghem.Society, 1956, v.76, p. 5573−5575.
  92. .Г. Снижение температуры нанесения диэлектрических пленок. Электронная промышленность, 1972, & 5, с. 39−43.
  93. Сакураи Сигэки, Морио Токуо, Ватанабэ Сихаруо. Японский патент, кл. 59 EIOI, 24, № 14 774.
  94. Maeda К., Sato J. Very low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films using ozone and organosilane.-Дэнки Кагаку Оеби когё бупури кагаку Denki kagaku, 1977, v.45, H§ 10, p. 654−659.
  95. I.А., Белякова О. И. Влияние паров воды на образование пиролитических пленок Si02 . ЖПХ, 1977, т. 50, № 3,с. 673−675.
  96. Secrist D.R., Mackenzie J.D. Incorporation of water into vapour deposited oxide films. Solid — State Electronics, 1966, v.9, KS2, p. 180−181.
  97. Ing. S.W., Davern W. Glow Discharge Formation of Silicon Oxide and. The Deposition of Silicon Oxide Thine Film Capacitors by Glow Discharge Techniques.-J.Electroohem.Soc., 1965, v.112, H23, p.284−288.
  98. Alt.L.L., Ing S.W.f Laendle K.W. Low Temperature Depositionof Silicon Oxide Films. J.Electrochem.Soc., 1963, v.110, Ш5, p.465−466.
  99. В.Ф., Бехтев I.В. Плазменно-пиролитическое выращивание SiOg из тетраэтоксисилана. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 6, с. 72−76.
  100. .А., Осипов К. А. Электронно-лучевой метод получения тонких пленок из химических соединений. М.: Наука, 1970. — 143 с.
  101. .А., Гусев В. В. и др. Выращивание пленок Si02 в тлеющем ВЧ разряде. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 6, с. 77−81.
  102. Л.Г., Коробов А. И. Получение пленок Si02 разложением тетраэтоксисилана в высокочастотном разряде. Электронная техника. Сер. Материалы, 1969, вып. 5(21), с. 41−43.
  103. Ю.В. и др. К вопросу о низкотемпературных способах получения тонких диэлектрических пленок. Вычислительные системы, 1969, вып. 32, с. 23−29.
  104. НО. Сумилин А. Д., Неустроев С. А. и др. Плазмохимическое осавде-ние пленок двуокиси кремния. Химия высоких энергий, 1973, т. 7, № 3, с. 202−205.
  105. Э.В., Раков С. К. и др. Установка для получения пленок двуокиси и нитрида кремния, в низкоэнергетической плазме газового разряда. Электронная техника. Сер. Технология, организация производства и оборудование, 1972, вып. 3(51), с. 88- 94.
  106. А.И. и др. Нанесение защитных пленок двуокиси кремния на арсенид галлия методом пиролиза тетраэтоксисилана в вакууме. Изв. Ленингр. электротехнического ин-та, 1972, вып. 126, ч. 6, с. 117−120.
  107. Пат. США, кл. 427−95 (С 23с 11/08), № 3 934 060, заявл.19.12.73, № 426 395, опубл. 20.01.76.
  108. Р.И. и др. Авт. свид. СССР, № 230 994, кл. 21д II/02, «Бюлл. изобр.», 1968, № 35.
  109. С., Сполдинг Д. Тепло- и массообмен в пограничных слоях. М.: Энергия, 1971. — 127 с.
  110. С. Свойства газов и жидкостей. -М.: Химия, 1966. 184 с.
  111. Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К. П. Мищенко и А. А. Равделя. JI.: Химия, 1967. — 184 с.
  112. Справочник инженера-химика / Под ред. Д. Г. Перри. -Л.: Химия, 1969, т.1, с. 404−405.
  113. В.Г. Газохроматографические методы изучения кинетики жидкофазных реакций. Успехи химии, 1968, т. 37, № 7,с. 1348−1367.
  114. .С. Теплообмен и сопротивление при ламинарном течении жидкости в трубах. М.: Энергия, 1967, с. 61−62.
  115. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. / Под ред. Р. Бургера и Р.Донована. -М.: Мир, 1969, с. 100−102
  116. Афанасьев В"А. Оптические измерения. М.: Недра, 1968, с. 138.
  117. Х24. Pliskin W.A., Lehman H.S. Structural Evaluation of Silicon Oxide Films. J. Electrochem. Soc», 1965, v.112, № 10, p. 1013−1019.
  118. И.В., Кузнецов Ю. Н. и др. Исследование процесса осаждения пленок окиси алюминия на подложках кремния пиролизом изопропилата алюминия в среде азота. ЖПХ, 1979, т. 52, вып.2, с. 277−282.
  119. И.В., Кузнецов Ю. Н. и др. К теории осаждения пленок окиси алюминия на подложках кремния пиролизом изопропилата алюминия в среде азота. Там же, с. 282−286.
  120. Ю.Н., Прокопьев Е. П. и др. Построение теоретической модели осавдения диэлектрических пленок Si02 и Si3N4 в вертикальном реакторе. ЖПХ, 1976, т. 49, вып. З, с. 561 566.
  121. И.Л. Аэродинамический эксперимент в машиностроении. М.- Л.: Машиностроение, 1965. — 480 с.
  122. В.Г. (Минкина В.Г.). Исследование процесса наращивания окисных пленок алюминия из ацетилацетоната алюминия.-Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1981, т.7, J?6, с. I008-I0II.
  123. В.П., Минкина В. Г., Дягилева Л. М., Цыганова Е. И. Осаждение неорганических покрытий пиролизом элементоорганических соединений. Тез. докл. IX Всес. совещания: Теория и практика газотермического нанесения покрытия. Дмитров, 1983, т. 2, с. 124.
  124. Л.М., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Кинетика пиролиза бисаренов хрома в открытой системе. Тез.докл. Ш Всес. совещания по применению МОС для получения металлических и окисных покрытий. Горький, 1980, с. II3-II4.
  125. Л.М., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Изучение пиролиза ферроценов в открытой системе. Ж. общей химии, 1981, т. 51, № 8, с. 1838−1842.
  126. Л.М., Попов В. П., Цыганова Е. И., Рабинович В. Г. (Минкина В.Г.). Изучение пиролиза бисаренов хрома в открытой системе. ЖПХ, 1983, т. 56, # I, с. 16−19.
  127. В.Г., Попов В. П. Тепло- и массообмен при химическом осаждении покрытий из элементоорганических соединений. -Минск, 1984. 57 с. (Препринт/ Институт тепло- и массооб-мена АН БССР).
  128. С.Н. Планирование эксперимента в химии и химической технологии. М.: Химия, 1975. — 47 с.
  129. А.Н. Ошибки измерений физических величин. Л.: Наука, 1974. — 108 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!