Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, курсовая, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°
ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚

НСлинСйноС пропусканиС кристаллов ZnSe: Co2+, Si ΠΈ одностСнных ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ

Π”ΠΈΡΡΠ΅Ρ€Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ИсслСдована Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ пропускания ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹, Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ одностСнными ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π²Π·Π²Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² Π‘Π³Πž ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Снсивности излучСния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 250 Π½Π΅ ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ интСнсивности Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρƒ 40 ΠœΠ’Ρ‚/см2 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта поглощСния составило 3.6 см" 1, ΠΏΡ€ΠΈ коэффициСнтС поглощСния Π² ΡΠ»Π°Π±ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 17 см" 1. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° интСнсивности… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

  • Π“Π»Π°Π²Π° 1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ прСобразования Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° экспСримСнта
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ²
  • Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ экспСримСнта
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 1
  • Π“Π»Π°Π²Π° 2. НСлинСйноС пропусканиС кристаллов Π₯ΠΏΠ‘Π΅Π³Π‘ΠΎ2*

НСлинСйноС пропусканиС кристаллов ZnSe: Co2+, Si ΠΈ одностСнных ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ установка.21.

ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ.22.

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания.31.

ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ².33.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 2.40.

Π“Π»Π°Π²Π° 3: ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания ΠΈ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΠΈ кристалличСского крСмния.41.

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

41.

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹.43.

Анизотропия Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристалличСского крСмния.48.

Π¨ Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎ Π³Π»Π°Π²Π΅ 3.57.

Π“Π»Π°Π²Π° 4: ИсслСдованиС пропускания взвСси ОУН Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ самосинхронизации ΠΌΠΎΠ΄ Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π΅ Π½Π° ΡΡ€Π±ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΌ стСклС с ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ОУН.58.

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

58.

НСлинСйноС пропусканиС взвСси ОУН Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ.60.

Пассивная модуляция добротности Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с Π•Π³3+ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹ с ΠžΠ£Π.66.

Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 4.68.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

69.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ диссСртации ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ…:.70.

Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°

72 ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 1.72 ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 2.72 ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 3.73 ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 4.73.

Данная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ с Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ изучСния измСнСния пропускания Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии излучСния с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ энСргии, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ эффСкты. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ исслСдуСмых ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»ΠΈ взяты кристаллы Π³ΠΏΠ‘Π΅ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ содСрТаниСм примСси Π‘ΠΎ2+, кристалл крСмния Π±Π΅Π· примСсСй ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» — одностСнныС ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΈ (ОУН) Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ взвСси Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅.

ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристаллов ZnSe: Co2+ Π² Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… Π»Π°Π·Π΅Ρ€ΠΎΠ² с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивных Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ². Поиски ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ подходящСго Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ вСдутся ΡƒΠΆΠ΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π»Π΅Ρ‚, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ максимум поглощСния примСси ΠΊΠΎΠ±Π°Π»ΡŒΡ‚Π° находится Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ, Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Ρ‹ 2ΠΏ8Π΅: Π‘ΠΎ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ся пСрспСктивным ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅.

ΠšΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Но Π² Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π½Π°ΠΌΠΈ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡŽ крСмния ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии излучСния высокой плотности энСргии Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. Π’ ΡΠ»Π°Π±Ρ‹Ρ… полях для этой Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ высоких плотностях энСргии Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пропускания, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Π½ΠΈΠΊΡ‚ΠΎ Π½Π΅ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π». Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ кристалл крСмния ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΡƒΠ±ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡŽ ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠ½Ρ‹ΠΌ Π² ΡΠ»Π°Π±Ρ‹Ρ… полях. Но Π² Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π½Π°ΠΌΠΈ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Π²ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡΡƒ ΠΎΠ± Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания крСмния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡƒΠ³Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ поляризации ΠΈ ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚аллографичСскими осями кристалла. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован Π² Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΊΠ°ΠΊ оптичСский ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Ρ‚ΠΎ Ρ‚акая информация ΠΎ Π΅Π³ΠΎ характСристиках Π² ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… полях ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… свойств ОУН стали ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ, Π² ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ с Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ. Бнятый Π² ΡΠ»Π°Π±ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ спСктр пропускания взвСси ОУН Π² Π‘Π³Πž ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π», Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ полосу поглощСния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ исслСдования измСнСния пропускания взвСси Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ высоких плотностях энСргии излучСния. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π» поставлСн экспСримСнт ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ взвСси Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ Π•Π³3″ 1″ .

ЦСлью настоящСй диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являлось:

1. ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристаллов 2ΠΏ8Π΅: Π‘ΠΎ2+ ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния высокой плотности Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. УстановлСниС наличия ΠΈΠ»ΠΈ отсутствия поглощСния ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ сСчСния поглощСния ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния.

2. ИсслСдованиС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристалла ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния высокой плотности Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. ИсслСдованиС Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΠΈΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания крСмния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹.

3. ИсслСдованиС пропускания взвСси одностСнных ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния высокой плотности Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. ИсслСдованиС возмоТности использования ОУН Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для модуляции добротности Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ Π•Π³3*.

Научная Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

1. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ исслСдована функция пропускания кристаллов Π» I Π³ΠΏ8Π΅: Π‘ΠΎ Ρ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ содСрТаниСм примСси ΠΊΠΎΠ±Π°Π»ΡŒΡ‚Π° ΠΏΡ€ΠΈ воздСйствии излучСния высокой плотности Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ исслСдования сдСлан Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΠ± ΠΎΡ‚сутствии поглощСния ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния Π‘ΠΎ2+ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹.

2. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Ρ‹ 1) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пропускания кристалла крСмния ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ плотности энСргии излучСния, 2) пСриодичСская Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания ΠΎΡ‚ ΡƒΠ³Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктричСским Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ излучСния с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ ΠΈ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ кристаллографичСскими осями крСмния.

3. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания ОУН ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Снсивности ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ излучСния. Оказалось, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пропусканиС Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ увСличиваСтся с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ плотности энСргии. По Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ сдСлана ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° интСнсивности насыщСния ОУН, которая оказалась Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ /5=10Π± Π’Ρ‚/см2.

4. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ модуляции добротности ΠΈ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π΅ Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с Π•Π³3+ с ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ взвСси ОУН Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ²:

1. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… для кристаллов 2ΠΏΠ‘Π΅: Π‘ΠΎ2+ сдСлан Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ остаточноС ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ (ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ высоких плотностях энСргии) Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ Π½Π΅ ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½ΠΎ с ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния. ΠžΡ†Π΅Π½Π΅Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сСчСния поглощСния ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ.

10 Π» ΡΠΎΡΡ‚ояния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π°=(11 ±-2)Ρ… 10' см .

2. ΠžΡ†Π΅Π½Π΅Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π½ΡΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ насыщСния поглощСния взвСси ОУН Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ, /??= 106 Π’Ρ‚/см2.

3. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ самосинхронизации ΠΌΠΎΠ΄ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π΅ Π½Π° ΡΡ€Π±ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΌ стСклС с ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Π·Π²Π΅ΡΠΈ ОУН Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅.

На Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ выносятся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ полоТСния:

1. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π°Ρ… Π³ΠΏ8Π΅: Π‘ΠΎ2+ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ отсутствуСт ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии насыщСния Π•Ρ†=0.12 ±0.03 Π”ΠΆ/см2 ΠΈ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ поглощСния Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ сг=(11±2)Ρ…10″ 19 ΡΠΌ².

2. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пропускания с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ плотности энСргии излучСния ΠΈ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΎΡ‚ропия Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристалличСского крСмния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ.

3. Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹ с ΠžΠ£Π. Π‘ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ интСнсивности излучСния пропусканиС увСличиваСтся Π΄ΠΎ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡ. Π‘Π΄Π΅Π»Π°Π½Π° ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° интСнсивности насыщСния Π›=106Π’Ρ‚/см2.

4. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ модуляции добротности ΠΈ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΠΈΠ½Ρ…ронизация ΠΌΠΎΠ΄ для Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с Π•Π³3+ ΠΏΡ€ΠΈ использовании взвСси ОУН Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

Апробация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡΡ….

ΠŸΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ: По Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ диссСртационной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Π° 1 ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ, 1 ΠΏΡ€Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ 4 тСзиса Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠ² Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„СрСнциях, список ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ диссСртации.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌ диссСртации

:

ДиссСртация состоит ΠΈΠ· Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Π³Π»Π°Π², Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΡΠΏΠΈΡΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ОбъСм диссСртации составляСт 73 страницы машинописного тСкста, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ 28 рисунков. Бписок Ρ†ΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ состоит ΠΈΠ· 32 Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ диссСртации ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ…:

1. Н. Н. Π˜Π»ΡŒΠΈΡ‡Π΅Π², Π•. Π”. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²Π°, Π‘. Π’. Π“Π°Ρ€Π½ΠΎΠ², Π‘. Π•. МосалСва, «ΠΠ΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ пропусканиС одностСнных ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° самосинхронизации ΠΌΠΎΠ΄ Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π΅ Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с Π•Π³3+ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ этих Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ.», «ΠšΠ²Π°Π½Ρ‚овая элСктроника», 34, № 6 (2004), 572−574.

2. N.N. Il’ichev, E.D. Obraztsova, S.V. Garnov, S.E. Mosaleva, «Π nonlinear absorption decrease of a single-wall carbon nanotube in D20 and self-mode locking of Er-glass laser by passive Q-switcher that is based on the nanotube suspension», 20th General Conference Condensed Matter Division EPS, Prague, July 19−23, 2004.

3. N.N. Il’ichev, E.D. Obraztsova, S.V. Garnov, S.E. Mosaleva «A nonlinear absorption decrease of a single-wall carbon nanotube in D2O and self-mode locking of Er-glass laser by passive Q-switcher that is based on the nanotube suspension» LPHYS'04, Trieste, Italy, July 12−16, 2004.

4. Π‘. E. МосалСва, H. H. Π˜Π»ΡŒΠΈΡ‡Π΅Π² «Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ поляризационных зависимостСй Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристалла крСмния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ», Π’Ρ€ΡƒΠ΄Ρ‹ XLVIНаучная конфСрСнция МЀВИ, Москва 2003.

5. Н. Н. Π˜Π»ΡŒΠΈΡ‡Π΅Π², Π•. Π”. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²Π°, Π‘. Π’. Π“Π°Ρ€Π½ΠΎΠ², Π‘. Π•. МосалСва, «ΠΠ΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ пропусканиС одностСнных ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΊ Π² D2O ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ самосинхронизации ΠΌΠΎΠ΄ Π² Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π΅ Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с Π•Π³3+ с ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΈΡ… ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅», Π’Ρ€ΡƒΠ΄Ρ‹ VI ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ «ΠžΠΏΡ‚ΠΎ-, наноэлСктроника, Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΡ‹», Ульяновск 2004.

6. Н. Н. Π˜Π»ΡŒΠΈΡ‡Π΅Π², П. Π’. Π¨Π°ΠΏΠΊΠΈΠ½, Π‘. Π•. МосалСва, А. Π‘. Насибов, «Π˜ΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристаллов ZnSe: Co Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ». ΠŸΡ€Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚ ИОЀ РАН, № 27, М., 2004,17с.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

.

Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ исслСдования Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… вСщСств Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ.

Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания кристаллов 2ΠΏ8Π΅: Π‘ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ остаточныС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° ΠΊ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρƒ, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ остаточных ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ А, Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 1 (Π½Π΅Ρ‚ остаточных ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ) Π΄ΠΎ 0.66, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΎΡ‚сутствиС поглощСния ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния. ВСроятнСС всСго, остаточныС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ связаны с Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ выращивания ΠΈ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ². Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· Π» ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ значСния ?.

ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ плотности энСргии ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° с Π΄Π»ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пропускания кристалличСского крСмния. Для объяснСния Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ зависимости ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ увСличСния интСнсивности сначала ΠΏΡ€Π΅Π²Π°Π»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ всС больший Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π²Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡΠ²ΠΎΠ±ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… носитСлях.

Π­ΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΎ пСриодичСскоС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ пропускания крСмния с ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 90 градусов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠ³Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ поляризации излучСния ΠΈ ΠΎΡΡŒΡŽ (100), ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ максимум этой Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ совпадСнии Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ оси кристалла ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСского Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° излучСния, Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ — ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΠ³ΠΎΠ» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ составляСт 45 градусов.

ИсслСдована Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ пропускания ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹, Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ одностСнными ΡƒΠ³Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π²Π·Π²Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² Π‘Π³Πž ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Снсивности излучСния Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ 1.54 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° 250 Π½Π΅ ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ интСнсивности Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρƒ 40 ΠœΠ’Ρ‚/см2 ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта поглощСния составило 3.6 см" 1, ΠΏΡ€ΠΈ коэффициСнтС поглощСния Π² ΡΠ»Π°Π±ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 17 см" 1. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° интСнсивности насыщСния поглощСния Π΄Π°Π»Π° Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π›=106 Π’Ρ‚/см2.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ модуляции добротности ΠΈ ΡΠ°ΠΌΠΎΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π° Π½Π° ΡΡ‚Π΅ΠΊΠ»Π΅ с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π•Π³3+ ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΊΡŽΠ²Π΅Ρ‚Ρ‹ с ΠžΠ£Π, Π²Π·Π²Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² 020, Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ пассивного Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π”Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² синхронизации ΠΌΠΎΠ΄ Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅ 1 Π½Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ использовавшСйся Ρ€Π΅Π³ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Автор Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ П. Π’. Π¨Π°ΠΏΠΊΠΈΠ½Ρƒ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ² кристаллов Π•ΠΏΠ‘Π΅: Π‘ΠΎ2+, Π•. Π”. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ взвСси ОУН Π² Ρ‚яТСлой Π²ΠΎΠ΄Π΅, Π›. А. ΠšΡƒΠ»Π΅Π²ΡΠΊΠΎΠΌΡƒ Π·Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π°Π΄ диссСртациСй.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст

Бписок Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

  1. W.Budde, Applied optics, vol. 18, pl555 (1979).
  2. C.L. Sanders, Applied optics, vol. 1, p207 (1962).3. «Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Π°Ρ фотомСтрия» сборник статСй, выпуск 8, JI."ΠœΠ°ΡˆΠΈΠ½ΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅", 1984ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 2
  3. Bimbaum М., Camargo М.Π’., Lee S., Unlu F., Stultz R.D. OSA TOPS Advansed Solid State Lasers 1997, vol. 10, OSA, 1997, p. 148.
  4. DeLoach L.D., Page R.H., Wilke G.D., Payne S.A., Krupke W.F. Π¨Π•Π• J. Quantum Electron., v.32, 885(1996).
  5. Tsai T.-W., Birnbaum M., J. Appl. Phys., v.87,25(2000).
  6. Podlipensky A.V., Shcherbitsky V.G., Kuleshov N.V., Mikhailov V.P., Levchenko V.I., Yakimovich V.N. Opt. Lett, v.24,960(1999).
  7. Burshtein Z., Shimony Y., Feldman R., Krupkin V., Glushko A., Galun E. Optical Materials, v.15,285(2001).
  8. Mierczyk Z., Majchrowski A., Kityk I.V., Gruhn W. Optics & Laser Technology, v.35,169(2003).
  9. Shcherbitsky V.G., Girard S., Fromager M., Moncorge R., Kuleshov N.V., Levchenko V.I., Yakimovich V.N., Ferrand B. Appl. Phys. B, v.74,367(2002).
  10. A.A., ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΡ€ΠΎΠ² A.M. УЀН, Ρ‚. 148, выпуск 1 (1986).
  11. Levchenko V.I., Yakimovich V.N., Postnova L.I., Konstantinov V.I., Mikhailov V.P., Kuleshov N.V. J. of Cryst. Growth, 198/199,980(1999).
  12. Avizonis P.V., Grotbeck R.L. J. Appl. Phys., v.37,687(1966).
  13. А.А., Π‘ΠΎΠ½Π΄Π°Ρ€Π΅Π½ΠΊΠΎ B.C., ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π»ΠΎΠΌΠΎΠ²Π° Н. Π’., БтриТСвская Π€. Н., Π§ΠΊΠ°Π»ΠΎΠ²Π° Π’. Π’., Шаскольская М. П. АкустичСскиС кристаллы. Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. Шаскольской М.П.- М.: Наука, 1982.
  14. Yen-Kuang Kuo, Man-Fang Huang, Milton Birnbaum, Π¨Π•Π• J. Quantum Electronics, v 31,657 (1995).
  15. Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠΏΠΎ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°ΠΌ, ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. А. П. ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΡ€ΠΎΠ²Π°, М. 1978. ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 3
  16. J. Π•. Geusic, S. Singh, D. W. Tipping, Π’. Π‘. Rich, Phys. Rev. Let., v 19,1126 (1967)
  17. T. F. Boggess, К. M. Bohnert, K. Mansour, S. C. Moss, I. W. Boyd, A. L. Smirl, IEEE J. Quantum Electronics, v 22, 360 (1986).
  18. Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ «Π€ΠΈΠ·ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹» ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. И. Π‘. Π“Ρ€ΠΈΠ³ΠΎΡ€ΡŒΠ΅Π²Π°, Π•. Π—. ΠœΠ΅ΠΉΠ»ΠΈΡ…ΠΎΠ²Π°, М., 1991. ΠΊ Π³Π»Π°Π²Π΅ 4
  19. MJ.O'Connell, S.M.Bachilo, C. BHuffinan, V.C.Moore, M.S.Strano, E.H.Harotz, K.L.Rialon, PJ. Boul, W.H.Noon, C. Kittrell, J. Ma, R.H.Hauge, R.B.Weisman, R.E.Smalley. Science, v.297, 593(2002).
  20. P.Avouris. Acc. Chem. Res., v.35,1026(2002).
  21. S.M.Bachilo, M.S.Strano, C. Kittrell, R.H.Hauge, R.E.Smalley, R.B.Weisman. Science, v.298, 593(2002).
  22. A.Hagen, T.Hertel. Nano letters, v.3,383(2003).
  23. M.S.Strano, C.A.Duke, M.L.Usrey, P.W.Barone, M.J.Allen, H. Shan, C. Kittrell, R.H.Hauge, J.M.Tour, R.E.Smalley. Science, v.301,1519(2003).
  24. E.D.Obraztsova, M. Fujii, S. Hayashi, A.S.Lobach, I. LVlasov, A.V.Khomich, V.Yu.Timoshenko, W. Wenseleers, E.Goovaerts. In: Nanoengineered Nanofibrios
  25. Materials, Ed. By S. Cuceri, Y. Gogotsi, V. Kuznetsov (Dordecht: Kluwer Acad. Publ., 2004, vol. 169, pp 389−398).
  26. M.S.Dresselhaus, G. Dresselhaus, P. S.Eklund, Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes (San Diego, CA: Acad. Press. 1996).
  27. M.J.Bronikowski, P.A.Willis, D.T.Crobert, K.A.Smith, R. Smalley, J. Vac. Sci, Technol. v.19, 1800(2001).
  28. R.Saito, M.S.Dresselhaus, G.Dresselhaus. Physical Properties of Carbon Nanotubes (London: Imperial College Press, 1998).
  29. A.Hagen, G. Moos, V. Talalaev, J.W.Tomm, T.Hertel. Appl. Phys. A, 78 (8), 1137 (2004).
  30. G.N.Ostojic, S. Zaric, J. Kono, M.S.Strano, V.C.Moore, R.H.Hauge, R.E.Smalley. Phys. Pev. Letts., v.92,117 402−1(2004).
  31. S.Y.Set, H. Yaguchi, Y. Tanaka, MJablonski, Y. Sakakibara, A. Roshin, M. Tokumoto, H. Kataura, Y. Achba, K.Kikuchi. Book ofAbstr. Of OFC'03 (Atlanta, Georgia, USA, 2003, PDP44).
  32. P.Nikolaev, MJ. Bronikovski, R.K. Bradley, F. Rohmundet, D.T. Colbert, K.A. Smith, R.E. Smalley, Chem. Phys. Lett., v. 313,91(1999).
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ