Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций

Диссертация: Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сравнительным анализом экспериментальных результатов РИЛТ тонкопленочных и массивных материалов выявлено увеличение (в 1,5−2 раза) тока вторичных электронов с поверхности тонких пленок над аналогичным параметром для массивных материалов. В соответствии с уточненной моделью ионно-электронной эмиссии подобное увеличение возникает в результате возрастания площади реальной поверхности из-за… Читать ещё >

Содержание

  • Условные обозначения и сокращения
  • 1. ОСНОВНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ИОНОВ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ
    • 1. 1. Механизмы энергетического взаимодействия ионов с твердым телом
    • 1. 2. Ионное распыление и внедрение
    • 1. 3. Ионное активирование химического взаимодействия
    • 1. 4. Ионно-электронная эмиссия
    • 1. 5. Особенности ионно-лучевого травления материалов электроники в реактивной среде
    • 1. 6. Целесообразные области применения ионно-электронной эмиссии для контроля процессов реактивного ионно-лучевого травления
  • РИЛТ) тонкопленочных гетероструктур

Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие микроэлектроники и переход к наноэлектронике связаны с использованием наноразмерных слоистых материалов и нанотехнологий, формирующихся на основе последних достижений физики тонких пленок, способных достигать наноразмерной точности при получении, прежде всего, полупроводниковых наноструктур и включающих методы контроля и управления технологическими процессами.

К таким процессам относятся методы ионно-плазменной обработки, в частности, ионно-лучевое и реактивное ионно-лучевое травление (ИЛТ, РИЛТ) [1−5], применяемые при получении необходимой топологии и изготовлении изделий электронной техники (ультрафиолетовые светодиоды, логические устройства нового поколения, полевые гетеротранзисторы) [6−8]. Эти процессы позволяют достичь разрешения до 10 нм [9−10].

Стремительное внедрение ионно-плазменных процессов обработки для создания тонкопленочных устройств вызвало разработку разнообразных методов диагностики поверхности. К ним можно отнести фотометрический и эллипсометрический методы [11−15], метод лазерной интерферометрии [16−18], эмиссионно-спектральный и масс-спектрометрический методы [21−23], зондовые методы [24].

Анализ перечисленных методов получения информации о динамике процессов показал, что в своей основе они либо неприемлемы для управления процессом травления, либо их применение связано со значительными техническими трудностями.

Проблема автоматизации ионно-плазменных процессов травления не может быть решена без создания достаточно простых, точных и надежных методов контроля и управления.

В процессе ионно-плазменной обработки необходимо иметь информацию о состоянии поверхности металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, о переходе процесса травления от одного слоя к другому и об окончании процесса травления.

Особенностью процессов ионно-плазменной обработки материалов является воздействие на поверхность энергетических и химически активных частиц плазмы, сопровождающееся возникновением ряда физических явлений.

Анализ физических эффектов, возникающих в твердом теле при ионном воздействии на поверхность, позволяет заключить, что наиболее эффективным для контроля и управления процессом травления является использование вторичных явлений, свойственных процессам ИЛТ и РИЛТ.

Одним из вторичных эффектов, сопровождающих ионную бомбардировку твердого тела, является ионно-электронная эмиссия, т. е. выбивание электронов бомбардирующими ионами [25−26].

Эффективным решением проблемы контроля и управления процессами ионно-плазменной обработки является применение интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии, обладающего достаточной чувствительностью к состоянию облучаемой поверхности [27−29].

Схемотехническое и приборное исполнение метода контроля и управления с использованием интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии конструктивно простое и приемлемо встраивается в технологическое оборудование процесса обработки [30−31].

В работах [32−35] рассмотрена возможность использования ионно-электронной эмиссии для контроля и управления процесса ИЛТ тонкопленочных материалов на основе уточнения физико-технологических особенностей механизма ионно-электронной эмиссии. Однако распространить основные положения этих работ на процесс РИЛТ не представляется возможным из-за практического отсутствия теоретических и экспериментальных закономерностей, учитывающих влияние химического воздействия в процессе РИЛТ на интегральный сигнал электронной эмиссии.

Актуальность работы заключается в необходимости разработки оперативного метода контроля и управления процессом реактивного ионнолучевого травления, позволяющего осуществлять контроль процесса травления тонкопленочных материалов и многослойных гетероструктур, применяемых в электронике, непосредственно в технологическом процессе с регистрацией всех его стадий. Исследуемый в работе метод основан на использовании интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии, отличающегося простотой регистрации и высокой чувствительностью к изменению состояния обрабатываемой поверхности [36, 37].

Целью настоящей работы является установление особенностей и возможности использования ионно-электронной эмиссии для неразрушающего контроля процесса РИЛТ тонкопленочных гетерокомпозиций металл / диэлектрик / полупроводник.

В соответствии с целью диссертационной работы при проведении теоретических и экспериментальных исследований решались следующие задачи:

— разработка элементов экспериментального оборудования для исследования ионно-электронной эмиссии в процессе РИЛТ гетерокомпозиций;

— обоснование выбора реактивной плазмообразующей среды и материалов тонкопленочных композиций на основе обобщающего анализа физико-химических процессов их взаимодействия (таблица 1.1);

Таблица 1.1- Объекты исследования.

Исследуемые структуры, материалы Состав структур

Диэлектрик/полупроводник БЮз/Бц 813К4/81- А1203/81.

Диэлектрик/ металл 8Ю2/А1 (V/, Мо, Т1, Та) — А1203/А1- Та205/Та- 813Ы4/Т1- Та205/А1;

Диэлектрик/диэлектрик/ полупроводник 8Ю2/А1203/81- ЗЮ^зЫ^- ЗЮг/АЛШц Та205/8Ю2/81;

Металл/диэлектрик/полупроводник Та/ЪЮ^ц Мо/БЮг/Зц ?/8Ю2/8Ц А1/8Ю2/8ц А1/ТЮ2/8ц.

Металл/металл (полупроводник) №ЛУ- №/СиА1/8ц Т1/А11- АиЛП нитриды металлов ИЫ^/СаАзггЫЛЗаДз;

Металлы А1- Тц VСгМоТаСи;

— установление экспериментальных закономерностей изменения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии в зависимости от материала подложки, сорта и состава бомбардирующих ионов, их энергии и плотности тока;

— уточнение физико-математической модели ионно-электронной эмиссии с учетом физико-химического взаимодействия реактивного потока с материалом подложки;

— установление практической возможности использования ионно-электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления наноразмерных гетероструктур различного назначения.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1 Выявлены закономерности изменения тока вторичных электронов в условиях РИЛТ материалов в зависимости от состава реактивной смеси, исходного состояния материалов, энергии и плотности ионного потока.

2 Уточнена математическая модель выхода вторичных электронов при низкоэнергетическом (до 5 кэВ) ионном воздействии на поверхность подложки, учитывающая влияние химического распыления поверхности материала и плотности тока первичных ионов (до 2,5 мА/см), которая удовлетворительно согласуется с экспериментальными результатами.

3 Разработана методика измерения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии, позволяющая с достаточной вероятностью определять величину тока вторичных электронов и коэффициента ионно-электронной эмиссии в условиях РИЛТ. Методика учитывает влияние физического и химического распыления на величину тока вторичных электронов.

4 Установлены и теоретически обоснованы закономерности изменения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии в условиях РИЛТ многослойных структур. Представлено теоретическое обоснование увеличения тока вторичных электронов в условиях РИЛТ полупроводников и диэлектриков.

Практическая значимость работы:

1 Разработано устройство контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии (Патент на полезную модель № 84 366. Зарегистрирован в Государственном реестре полезных моделей РФ 10 июля 2009 г.).

2 Разработан и предложен для практического применения метод контроля состояния поверхности тонкопленочных гетероструктур, связанный с непосредственной регистрацией тока вторичных электронов в условиях РИЛТ, позволяющий фиксировать все стадии процесса травления (удаление адсорбционного слоя, травление гетерокомпозиции с фиксацией момента перехода травления от одного слоя к другому).

3 Показана практическая возможность применения контроля всех стадий процесса РИЛТ металлов, полупроводников, диэлектриков и тонкопленочных гетерокомпозиций на их основе в технологическом цикле изготовления мощных и СВЧ полевых транзисторов, в методике создания квантово-размерных наноструктур на основе гетерокомпозиций Аи/Т^АЮаАз/ОаАэ. Экспериментально установлено, что ток вторичных электронов является параметром, определяющим тип пленочной структуры и носителем информации о состоянии обрабатываемой поверхности.

Основные положения, выносимые на защиту:

1 Разработано устройство и методика контроля процессом РИЛТ металлических, полупроводниковых и диэлектрических тонкопленочных гетерокомпозиций, позволяющие фиксировать стадии процесса РИЛТ с помощью регистрации тока вторичных электронов.

2 Математическая модель ионно-электронной эмиссии с поверхности подложки, учитывающая особенности выхода электронов в условиях РИЛТ и методика расчета коэффициента ионно-электронной эмиссии (ИЭЭ) с учетом химической составляющей процесса травления, позволяющая рассчитать ток вторичных электронов в зависимости от состава реактивной смеси газов, материала обрабатываемой поверхности и плотности тока ионов.

3 Представленные в работе закономерности изменения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии в зависимости от параметров низкоэнергетического химически активного ионного воздействия и материала обрабатываемой поверхности, позволяющие обеспечить неразрушающий контроль всех стадий процесса РИЛТ тонкопленочных гетерокомпозиций и создать основу для разработки системы управления процессами РИЛТ.

Апробация работы:

Основные теоретические и экспериментальные результаты диссертации отражены в работах, опубликованных в ведущих отечественных изданиях, в материалах докладов международных и всероссийских конференций и семинаров и докладывались на I Международной Казахстанско-Российско-Японской конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (Усть-Каменогорск, 2008 г.), на Международной научно-технической конференции «Микрои наиотехнологии в электронике» (Приэльбрусье, Нальчик, 2009 г.), на Юбилейной международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2010 г.), на III Международной научно-технической конференции «Микрои нанотехнологии в электронике» (Нальчик, 2010 г.), на IV Международной конференции «Кристаллофизика XXI века», посвященная памяти М. П. Шаскольской (Москва, 2010 г.), на IX Международной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (Астрахань, 2012 г.).

Опубликовано 2 статьи в журналах, рекомендованных ВАК.

Результаты проведенных разработок защищены патентом РФ на полезную модель № 84 366, зарегистрированным в Государственном реестре полезных моделей РФ от 10.07.2009 г.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1 Разработан способ неразрушающего контроля состояния поверхности наноразмерных тонкопленочных гетероструктур типа: диэлектрик / металл / полупроводник, металл / диэлектрик / полупроводник, непосредственной регистрацией тока вторичных электронов в условиях РИЛТ при средней энергии ионов (0,5 — 5) кэВ и плотности тока (0,5 — 2,5) мА/см, позволяющий фиксировать все стадии процесса травления (удаление адсорбционного слоя, травление гетерокомпозиции с фиксацией момента перехода травления от одного слоя к другому).

В результате представлена практическая возможность применения технологического контроля всех стадий процесса РИЛТ в среде Аг (80%) + СР4 (20%), металлов, полупроводников, диэлектриков и тонкопленочных гетерокомпозиций на их основе в технологическом цикле изготовления мощных и СВЧ полевых транзисторов. Экспериментально установлено, что ток вторичных электронов является параметром, определяющим состояние поверхности материала и контролирующим все стадии травления многослойной пленочной структуры [96, 112].

2 Разработана конструкция устройства непрерывного контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления многослойных гетероструктур с использованием ионно-электронной эмиссии, включающая металлический цилиндрический контейнер с размещенным в нем подложкодержателем и образцом, сеткой и приемником электронов под положительным потенциалом в пределах (0 — 600) В.

3 Выявлены закономерности изменения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии (в пределах от 0 мкА до 200 мкА) в условиях РИЛТ материалов в зависимости от состава реактивной смеси (от 100% СР4 до 20% СР4 в смеси с аргоном), исходного состояния подложки (пленки и объемные материалы), энергии (от 0,5 кэВ до 5 кэВ) и плотности ионного тока (от 0,5 мА/см2 до 2,5 мА/см2).

Отмечено, что с возрастанием энергии ионов и плотности ионного тока значение тока вторичных электронов увеличивается.

Установлено, что с увеличением содержания СБ4 от 20% до 100% в газовой рабочей смеси при постоянной плотности тока ионов величина тока вторичных электронов снижается. Это снижение является следствием усиления химической составляющей процесса ионного воздействия на поверхность и образования измененного по составу поверхностного слоя, обуславливающего ионно-электронную эмиссию. Для количественной оценки влияния измененного поверхностного слоя на ионно-электронную эмиссию в выражение для определения тока вторичных электронов введен коэффициент в отражающий степень покрытия поверхности подложки образовавшимся химическим соединением в зависимости от парциального давления реактивного газа [114].

4 Уточнена математическая модель выхода вторичных электронов при низкоэнергетическом (до 5 кэВ) ионном воздействии на поверхность подложки в условиях РИЛТ, учитывающая влияние химического распыления поверхности материала при плотности тока первичных ионов до 2,5 мА/см, которая удовлетворительно согласуется с экспериментальными результатами [111−113].

Сравнительным анализом экспериментальных результатов РИЛТ тонкопленочных и массивных материалов выявлено увеличение (в 1,5−2 раза) тока вторичных электронов с поверхности тонких пленок над аналогичным параметром для массивных материалов. В соответствии с уточненной моделью ионно-электронной эмиссии подобное увеличение возникает в результате возрастания площади реальной поверхности из-за пористости и усиления шероховатости, и в случае тонких пленок может быть учтено введением коэффициента П = где рм — плотность массивного материала, рп плотность материала пленки.

Разработанная методика измерения интегрального сигнала ионно-электронной эмиссии позволяет с достаточной вероятностью и погрешностью в (4−5) % определять величину тока вторичных электронов с последующим расчетом коэффициента ионно-электронной эмиссии в условиях РИЛТ. Методика учитывает влияние физического и химического распыления на величину тока вторичных электронов.

5 Результаты исследований апробированы в технологии изготовления полупроводниковых приборов:

— в технологии мощных кремниевых транзисторов. При напылении А1 в качестве металлизации контактных площадок необходимо предварительно полностью удалить 8Ю2, не допуская бокового подтравливания и межполосковых закороток. Эти требования выполняются при замене жидкого травления 8Ю2 процессом РИЛТ с контролем момента окончания травления 8Ю2 по изменению тока вторичных электронов с последующим напылением А1 в едином цикле, для предотвращения появления технологических дефектов при межоперационном хранении. Скорость травления 8Ю2 составила 0,2 мкм/мин.

Эффективность использования подтверждается повышением процента выхода годных на 15%;

— в технологии СВЧ НЕМТ транзисторов. Предварительная металлизация омических контактов СВЧ НЕМТ транзисторов осуществляется напылением трехслойной пленки Т1/АиЛП. Для последующего электролитического осаждения Аи, с помощью которого создается толстопленочная мостиковая металлизация, необходимо локально удалить верхнюю пленку Т1 толщиной 50 нм. Площадь травления составляла ~ 50% от общей площади пластины. В качестве маски используется фоторезист. Эффективность процесса травления пленки Т1 была повышена регистрацией момента окончания травления пленки Т1 по изменению тока вторичных электронов, которое составило 30% от начального значения при скорости травления Т1 20 нм/мин;

— в методике создания квантово-размерных наноструктур на основе гетерокомпозиций АиГП/АЮаАз/ОаАз. Для воспроизведения подобных наноструктур необходимо обеспечить создание прямоугольного линейного профиля травления структуры АиЛл и отсутствие поверхностных дефектов на активной структуре СаАз/А^Са^Ав. Момент окончания травления верхней пленки Аи регистрировался по изменению тока вторичных электронов. Относительное изменение сигнала составляло 30%. Показан положительный эффект применения РИЛТ по сравнению с жидкостным травлением.

ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

На базе серийной установки УВН 71-ПЗ, разработан метод оперативного контроля процесса РИЛТ в рабочей газовой смеси Аг (80%) + CF4 (20%) материалов тонкопленочных гетерокомпозиций: диэлектрик / металл (полупроводник), металл / диэлектрик / полупроводник, металл / металл. В качестве контрольного сигнала используется ток ионно-электронной эмиссии, фиксируемый устройством контроля с одновременной записью сигнала системой PC-Scope.

С учетом теоретических положений о ионно-электронной эмиссии в условиях РИЛТ экспериментально исследовано и установлено влияние химического распыления на ток вторичных электронов. При РИЛТ металлов, полупроводников и диэлектриков происходит изменения состава приповерхностного слоя. Химическое взаимодействие обрабатываемого материала с ионами реактивного газа снижает уровень тока вторичных электронов ориентировочно на (40 — 60) %. Уровень сигнала тока вторичных электронов линейно возрастает от 15 мкА до 60 мкА с увеличением плотности.

2 2 тока ионов реактивной смеси газов от 0,5 мА/см до 2,5 мА/см. Соотношение физической и химической составляющих процесса взаимодействия ионов с поверхностью остается постоянным при неизменных парциальных давлениях инертного и реактивного газов в рабочей смеси. При увеличении процентного содержания реактивного газа в рабочей смеси с неизменной плотностью тока ионов, величина тока вторичных электронов уменьшается. При изменении плотности тока ионов в интервале (0,5 — 2,5) мА/см значение КИЭЭ остается постоянным.

Анализом результатов экспериментального исследования РИЛТ массивных и тонкопленочных металлических материалов установлено превышение тока вторичных электронов на (10 — 15) % с поверхности тонких пленок металла над аналогичным сигналом с поверхности массивных образцов.

Это превышение объясняется увеличением площади эффективной эмиссии реальной поверхности тонких пленок за счет пористости структуры пленки и возрастания шероховатости. Данное обстоятельство учитывается введением поправочного коэффициента pJpn, где рм — плотность массивного материала, рп — плотность пленки, в уточненную математическую модель.

Экспериментальными исследованиями РИЛТ полупроводниковых материалов установлена зависимость величина тока вторичных электронов от равновесной концентрации электронов. При РИЛТ полупроводниковых материалов предполагается возникновение трех составляющих 1вэ:

— ионно-электронной эмиссии с участием электронов зоны проводимости;

— ионно-электронной эмиссии за счет прямого перехода в вакуум электронов системы ион-атом подложки;

— автоэлектронной эмиссии под влиянием наведенного поверхностного потенциала.

Определенной закономерной зависимости величины тока вторичных электронов от ширины запрещенной зоны и значения работы выхода электрона не установлено.

При экспериментальном исследовании тонкопленочных гетерокомпозиций типа: диэлектрик / металл / полупроводник, металл / диэлектрик / полупроводник проведена теоретическая оценка наведенного поверхностного потенциала величина которого для пленки 81зЫ4 составила 20,8 В, для пленки ТЮ2 — 21,3 В, для пленки Та2Оэ — 24,3 В.

Напряженность электрического поля, создаваемого в диэлектрической пленке наведенным потенциалом, может достигать величины ~ (105 — 106) В/см, что создает условия для возникновения «малтеровской» эмиссии, величина которой определяется физическими свойствами пленочного диэлектрика и подложки.

В результате анализа современных теоретических представлений и полученных экспериментальных результатов представлена физическая модель и уточнена математическая модель ионно-электронной эмиссии в условиях РИЛТ материалов.

При построении физической модели учитывались следующие допущения:

— многокомпонентные ионы, составляющие поток ионов из источника, фрагментируют при столкновении с поверхностью подложки, передавая свою энергию как атомам, так и электронной подсистеме решетки;

— основной вклад в электронную эмиссию вносят ионы Аг+, СР3+;

— возбуждение электронной подсистемы происходит на глубине Н (нм) по соотношению к ~ (0,01 — 0,05) Еи [кэВ]- выход электронов в вакуум может происходить с глубины к ~ 50% от зоны возбуждения с учетом угловой зависимости;

— ионы С+, как и ионы могут внедряться в поверхностный слой на глубину к ~ (0,01 — 0,05) Еи [кэВ].

В работе проведено уточнение математической модели ионно-электронной эмиссии. Предлагаемая модель учитывает изменение поверхностного состава подложки в результате взаимодействия химически активных ионов с материалом подложки, что снижает величину тока вторичных электронов. Результаты теоретических расчетов удовлетворительно коррелируют с результатами проведенных экспериментов.

Результаты экспериментальных исследований подтверждают, что разработанный метод контроля поверхности в условиях РИЛТ в достаточной мере соответствует требованиям метода контроля технологической и экспериментальной диагностики тонкопленочных гетероструктур посредством регистрации изменения 1вэ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. // -М: ФГУП «ЦНИИХМ». 2008. -428 с.
  2. В.В., Таиров В. М. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы.// -М.: Физмат. 2006. -552 с.
  3. Л.А. Ионно-лучевые методы в оптической технологии: Учебное пособие. // -СПб: СПбГУ ИТМО. 2007. -151 с.
  4. И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. // -М.: Мир. 1985.-496 с.
  5. Технология СБИС: В 2 кн., кн. 2. Пер. с англ. /Под ред. С. Зи. // -М.: МИР. 1986. -453 с.
  6. Г. Д., Билалов Б. А., Гармаш В. М. и др. Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи «Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника» // Махачкала. 2009.
  7. А. Л. «Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники», /www.sciehcere.ru // Российские нанотехнологии. 2006. № 1. Обзоры с. 97−110.
  8. А.Н. Современные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGa N/GaN гетероструктурах. // Материалы электронной техники. 2002. № 2. с.4−15
  9. Sheglow D.V., Prozozov A.V., Nasimov D.A., Zatyshev A.V., Aseev A.L. Peculiarities of nanooxidation on flat surface.// Phys. Low-Dim. Struct. 2002. -V. 5/6. -239 p.
  10. С.Б. Исследование ионно-индуцированных токов в пленочных структурах с целью управления процессами ионно-плазменной обработки. // Дис. канд. тех. наук. -М.: НИИВТ им. С. А. Векшинского. -1986. -190 с.
  11. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов. // -М.: Радио и связь. 1985. — 264с.
  12. О.П., Густав А. Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС. // -М.: Радио и связь. 1981. -112с.
  13. А.А. Диагностика in sitic плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. // Микроэлектроника. 2001. Т.30. № 5. -с. 323−344.
  14. А.С., Кузнецова Г. Н., Еремеева М. А. Применение эллипсометрии для исследования сверхтонких пленок на ионно-нарушенных поверхностях кремния. // Поверхность. 1984. № 7. -с.64−68
  15. P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. // -М.: Радио и связь. 1983.-220с.
  16. В.П., Ханов В. А. Современные лазерные интерферометры. // -М.: Наука. 1985. -180с.
  17. Sterheim М., Van Gelder W., Hartman A.W. Laser interferometer system to monitoring dry etching of pattered silicon. // J. Electrochem. Soc. 1983. v.130. № 3 -p.655−658.
  18. С.С., Лалин В. Л., Хмыль А. А. Методы контроля для диагностики скрытых дефектов в изделиях электроники. // Компоненты и технологии. № 2. 2010.
  19. К.В., Мяконьских А. В., Орликовский А. А. Мониторинг плазмохимического травления структур poly-Si/Si02/Si, зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия. // Микроэлектроника. 2001. Т. 36. № 3. -с.206−221
  20. Kadou PI., Takashi Т., End point detection in plasma etching by optical emission Spectroscopy. // J. Electrochem. Soc. 1980. -v. 127. -№ 1. -p.234−235
  21. Dennison R.W. Mass Spectrometry Applied to a Reactive Ion Miss. // Solid State Technol. 1980. -v.23. -№ 9. p. l 17−120.
  22. E.A., Маишев Ю. П. Масс-спектрометрические методы контроля технологических процессов травления и формирования пленок. // Вакуумная техника и технология. 1992. -Т. 11. № 4. -с. 59−68
  23. Bolker B.F., Tisone T.C., Latos T.S. Control system dynamics using glow discharge mass spectroscopy for thin film spurretting. // J. Sei. and Technol. 1981.-v.18.-№ 2-p. 328−334
  24. C.B., Зыков A.B., Фареник В. И. Диагностика плазменных технологических схем. Методическое пособие по курсу. // Харьков: Харьковский национальный университет им. В. Н. Казина. 2009. -с.32
  25. H.H. Эмиссионные процессы при ионной бомбардировке твердых тел. В сб. XXII конф. по эмиссионной электронике. // -М.: Т.1. -с.9.
  26. Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. Пер. с англ. // -М.: Мир. -1989. -344с.
  27. A.A., Петров H.H. Сб.: «Применение методов электронной и ионной обработки в промышленности». // -JL: Дом НТП. 1985. -с.42−45
  28. Р.Ш., Кузнецов Г. Д. Электронно-эмиссионный контроль процесса ионно-лучевого травления слоистых гетерокомпозиций. / Изв. вузов. // Материалы электронной техники. -М.: 2002. -№ 2. -с. 57−62
  29. A.B. Использование ионно-электронной эмиссии для контроля процессов ионно-лучевого травления пленочных структур. // Дис. канд. тех. наук. -М.: МИСиС 1993.-219 с.
  30. Г. Д., Курочка С. П., Кушхов А. Р. и др. Процессы микро- и нанотехнологии. Ионно-плазменные процессы. / Лаб. практикум. //1. М.: МИСиС. 2007.-141с.
  31. Г. Д., Симакин С. Б., Кислов H.H. и др. К модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников при ионнойобработке поверхности. / Изв. вузов. // Материалы электронной техники. 2004. -№ 4, -с.63−67
  32. A.A. Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления. // Дис. канд. тех. наук. -М.: МИСиС. 2006.-144 с.
  33. С.Б., Сергиенко A.A., Кузнецов Г. Д., Курочка A.C. и др. Неразрушающий контроль процесса ионно-лучевого травления наноразмерных гетероструктур. // М.: Заводская лаборатория. Диагностика материалов. Т. 77. № 3. 2011. с.28−34.
  34. Г. Д., Симакин С. Б., Демченкова Д. Н. Микро- и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций: Курс лекций. // -М.: Изд. Дом МИСиС. 2008. -191с.
  35. Г. Д. Элионная технология в микроэлектронике. Взаимодействие ускоренных частиц и излучений с твердым телом.// -М.: МИСиС. -1991.
  36. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. // -М.: Радио и связь. 1991. 528 с.
  37. Д. Теория распыления //М.: РАН Успехи физических наук. 1992. -Т.162. № 1. с. 71−117.
  38. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Технология материалов электронной техники. Теория процессов полупроводниковой технологии. Учебник для вузов. 2-е изд. перераб. и доп. // - М.: МИСиС. 1995. — 493 с.
  39. В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур.// М.: Радио и связь. 1983. — 126 с.
  40. В.И. Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях. // Дис. доктора физико-мат. наук. -М.: МГУ. 2007. 248 с.
  41. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии.// -М.: Высш. шк. 1984. -320 с.
  42. A.B. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия.// -М.: Радио и связь. 1990. -88 с.
  43. В.И., Гольденберг Г. Л. Расчет режимов процесса легирования полупроводниковых материалов: Учебное пособие. // Нижегородский гос. техн. ун-т. 1998. 53 с.
  44. A.B., Карманенко С. Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников. Пусковые и плазменные процессы в планарной технологии. Учебное пособие. // -СПб: Изд-во Политех, ун-та. 2005. -113 с.
  45. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. 2. Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша. // -М.: Мир. 1986. 488 с.
  46. Т.И., Смирнов К. И., Илюшин В. А. и др. Процессы микро- и нанотехнологии /Учебное пособие. // Томск: ТУСУР. 2004. 250 с.
  47. В.И. Особенности распыления различных материалов при разряде в химически активных средах. Обзоры по электронной технике. Серия 4. // Электровакуумные и газоразрядные приборы. Вып. 5 (579). 1983. 39 с.
  48. .С., Киреев В. Ю., Назаров Д. А. Реактивное ионное травление. Обзоры по электронной технике. Серия 3. // Микроэлектроника. Вып. 1 (1010). 1984. 71 с.
  49. Г. Д., Кушхов А. Р. Ионно-плазменная обработка материалов. / Курс лекций // М.: Изд. Дом МИСиС. 2008. — 180 с.
  50. В.И. Эмиссия заряженных кластеров при ионном распылении металлов.// Журнал технической физики. 2000. Т. 7. вып. 8. -с. 108−113.
  51. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. Сб. статей. Пер. с англ. /Под ред. Е. С. Машковой. // -М.: Мир. 1989. 399 с.
  52. Eltoukhy A.Ii., Natarajan B.R., GreenY. Е., Barr T.L. A General phenomenological model for reactive sputtering. // Proc. 8 th Jnt. Vac. Congr. Trienn. Meet. Jnt. Union Vac. Sei., Techn. and Appl., Cannes. 1980. v.l. -p. 3−6.
  53. A.A., Демчинин A.B., Костин Е. Г. и др. Характеристики цилиндрического магнетрона и реактивное напыление в нем пленок бинарных соединений. // ЖТР. 2007. Том 77. вып. 8. с.114−119.
  54. Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. // -М.: Наука. 1980. 310 с.
  55. Мс Cracken G.N. The behaviours of surface under ion. Reports on progression physics. 1975. v.38. № 2. -p.241−327
  56. A.A., Петров H.H. Процессы при взаимодействии ионных пучков с поверхностью. В сб. «Общие проблемы физики столкновений. Столкновения атомных частиц». // Петрозаводск. ПГУ. 1984. -с. 26−38
  57. A.A., Петров H.H. Ионная оже-спектроскопия: Учебное пособие.// -Л.: ЛПИ. 1983. 71 с.
  58. A.A., Петров H.H. Ионно-электронная эмиссия как метод контроля поверхности материалов электронной техники. В сб.
  59. Применение методов электронной и ионной обработки в промышленности".// -JL: Дом НТП. 1985. -с. 42−45
  60. Parilis E.S., Kishinevsky L.M., Turaev N.Yu., Baklitzky B.E., Umarov F.F., Verleger V. Kh., Nizhnaya S.L., Bitensky I.S. Atomic collisions on solid surfaces.//Amsterdam: North-Holland. 1993. 663 p.
  61. Krebs K.H. Recent advances in the field of ion-induced kinetic electron emission from solids. // Vaccum. 1983. -Vol. 33. № 9. — p. 555−563.
  62. .А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. // -M.: Энергоатомиздат. 1990. 184 с.
  63. В.П. Вторичные электроны. // М.: Энергоатомиздат. 1987.
  64. A.A. Ионно-электронная эмиссия и автоионизационные явления. // Дис. д-ра физ.-мат. наук. Л.: 1985.
  65. Г. Д., Кислов Н. М., Сергиенко A.A. и др. Моделирование кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности полупроводников и металлов. // Тезисы докладов III Российской конференции по материаловедению (Кремний 2003). Москва. 2003. 230 с.
  66. Международной конференции. -Астрахань: Изд. дом «Астраханский университет», 2012.
  67. С.Б. Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники. // Дис. д-ра техн. наук. -М.: МИСиС. 2008.
  68. Hoffmann P., Stoll H.-P. and Heinrich F. Fragmentation processes in reactive molecular ion-beam etching. // Appl. Phys. 1993. -vol. 12.
  69. Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. // -М.: Радио и связь. 1986. 232 с.
  70. Lejeune С., Grandchamp J. P., Gilles J. P., Collard E., and Scheiblin P. Dose dependence of the silicon nearsurface modifications caused by CF4 reactive ion-beam etching. // Appl. Phys. 1989. -vol. 5.
  71. Soyer C., Cattan E., and Remiens D. Electrical damage induced by reactive ion-beam etching of lead-zirconate-titanate thin films. // Appl. Phys. 2005. -vol. 97.
  72. В. 10., Столяров А. Технологии микротехнологии. Химическое осаждение из газовой фазы. // -М.: Техносфера. 2006. 489 с.
  73. Worschech L., Weidner В., Reitzenstein S., Forchel A. Investigation of switching effects between the drain of an electron Y-branch switch. //Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. -№ 21. 325 p.
  74. E.C., Молчанов B.A. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. // -М.: Атомиздат. 1980.
  75. JI.H. Вакуумная техника. Учебник для высшей школы. Третье издание. -М.: Высшая школа. 2007. -391с.
  76. С.П., Кузнецов Г. Д., Курочка А. С. Вакуумная и плазменная электроника: Курс лекций. // М.: Изд. Дом МИСиС. 2009. -162 с.
  77. Е. И. Неорганические фториды.// Соровский образовательный журнал. -Т. 8 -№ 8. 2000. -с. 54−60.
  78. .С., Киреев В. Ю., Кузнецов В. И. Вакуумно-плазменные процессы травления микроструктур. Ч. II. Рабочие газы. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 4 (165). -с. 3−8.
  79. Э.Г. Химия и технология неорганических фторидов. // -М.: МХТИ. 1990. -162 с.
  80. А.Г., Сладков Н. Б. Термодинамические расчеты в металлургии. Справочник. // М.: Металлургия. 1993. 303 с.
  81. Г. Я., Зайцев Н. А. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. // -М.: Техносфера. 2002.
  82. А.И. Наноматериалы Наноструктуры Нанотехнологии.// -М.: Физматлит. 2007. -416 с.
  83. Levis Mark A., Glocker David A. Measurements of secondary electron emission in reactive sputtering of aluminum and titanium nitride. // J. Vac. Sci. Technol. A. Volume 7. Issue 3. may 1989. -p. 1019−1024.
  84. Bultinck E., Mahien S., Depla D. and Bogaerts A. Reactive sputter deposition of TiNx films, simulated with a particle in — cell / Monte Carlo collisions model. //New J. Phys. 11 (2009) 23 039. doi. 10. 1088/1367−2630/11/2/23 039.
  85. .Л., Сорокин B.C., Терехов В. А. Материалы электронной техники: Задачи и вопросы. // М.: Высш. школа. 1990. — 208 с.
  86. С.Ю. О соотношении потенциала ионизации и работы выхода: металлы. //ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 1. с. 66−96.
  87. Технология тонких пленок. Справочник / Пер. с англ. под ред. Елинсона М. И., Смолко Г. Г. // -М.: Сов. Радио. Т.2. 1977. 768 с.
  88. Физические величины. Справочник. / Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. // -М.: Энергоатомиздат. 1991. -1232 с.
  89. В.Ф., Козлов С. Н., Затеев А. В. Основы физики поверхности твердого тела. // -М.: Изд-во МГУ. Физ. фак. МГУ. 1999. 284 с.
  90. JI.H., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. // -М.: Изд-во «Наука». 1996. 564 с.
  91. А.И., Носков Д. А. Процессы лазерной и электронно-ионной технологии. Учебное пособие. // -Томск: Томский государственный университет систем управления и радиотехники. 2007 г. 110 с.
  92. Cernusca S., Fursatz M., Winter H.P. and Aumayr F. Ion-induced kinetic electron emission from HOPG with different surface orientation. // Europfys. Letters. 70 (6). 2005. -p. 768−774.
  93. Depla D., Li X.Y., Mahieu S. and Degryse R. Determination of the effective electron emission yields of compound materials. // J. Phys. D: Appl. Phys. 41. 2008.
  94. Г. Г., Бажин А. И., Коржавый А. П. и др. Определение потенциала поверхности диэлектрического слоя на мишени, бомбардируемой ионным пучком. // ЖТФ. 1998. том 68. -№ 9. с. 126−128.
  95. Д.В., Шаймеев С. С., Атугин В. В. и др. Двухзонная проводимость ТЮ2. // Физика твердого тела. 2005. -т. 48. вып. 2. -с. 210−213.
  96. Berg S., Nyberg Т. Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes. // Thin Solid Films. 476. 2005. -p. 215−230.
  97. E.B., Двинин С. А., Сейдман JI.А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления пленок. // -М.: Техносфера. 2007.- 176 с.
  98. A.C. Электронная эмиссия в процессе реактивного ионно-лучевого травления материалов электронной техники. / Кузнецов Т. Д., Курочка A.C., Сергиенко A.A. и др. // Материалы электронной техники. -М.: МИСиС. 2011. -№ 3. с. 62−67.
  99. .И., Андреев В. М., Румянцев В. Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики. // Физика и техника полупроводников. 2004. -Т. 38. вып. 8. -с. 937- 947.
  100. Г. Я., Зайцев H.A. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. // -М.: Техносфера. 2002.
  101. .И., Асеев А. Л., Коньев П. С. и др. Наноматериалы и нанотехнологии. // Микросистемная техника. 2003. -№ 8.
  102. Мощные ВЧ транзисторы. / Под ред. Мазеля Е. З. // -М.: Радио и связь. 1985.- 176 с.
  103. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. / Пер. с англ. Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Кандалуола. // -М.: Радио и связь. 1988. 496 с.
  104. Физика низкоразмерных систем. / Под ред. Шика А. Я. // -СПб.: Наука. 2001, — 160 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!