Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Синтез и строение координационно насыщенных алкоксоацетилацетонатов циркония и титана-прекурсоров для CVD и золь-гель техники

Диссертация: Синтез и строение координационно насыщенных алкоксоацетилацетонатов циркония и титана-прекурсоров для CVD и золь-гель техники
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Эффективное применение упомянутых методов возможно при использовании направленного выбора и синтеза прекурсоров, к которым предъявляется ряд требований. Например, для CVD-процесса выбирают соединения, обладающие летучестью в заданном интервале температур в соответствии со степенью заполнения сферы центрального атома и в зависимости от типов и количества групп в молекуле, определяющих энтальпию… Читать ещё >

Содержание

  • Список сокращений
  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Прекурсоры для получения материалов методом золь-гель и CVD-техники
      • 1. 1. 1. Статистический анализ литературы по типам прекурсоров для золь-гель и CVD-техники
      • 1. 1. 2. Соединения, являющиеся перспективными прекурсорами для золь-гель техники
      • 1. 1. 3. Соединения, являющиеся перспективными прекурсорами для MOCVD-процесса
    • 1. 2. Методы исследования строения веществ, используемые в представленной работе
      • 1. 2. 1. Метод газовой электронографии
      • 1. 2. 2. Рентгеноструктурный анализ
      • 1. 2. 3. Исследование строения молекул методами компьютерной химии
    • 1. 3. Термохимические данные о титан- и цирконийсодержащих металлоорганических прекурсорах
    • 1. 4. Использование структурно-термохимического подхода в рамках направленного синтеза прекурсоров для CVD- и золь-гель техники — постановка задачи
      • 1. 4. 1. Структурно-термохимический подход
      • 1. 4. 2. Постановка задачи
  • 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТ
    • 2. 1. Получение высокотемпературных композиционных материалов с использованием золь-гель техники
      • 2. 1. 1. Получение композитов, допированных высокодисперсными частицами диборида титана, методом золь-гель техники и высокотемпературного синтеза
      • 2. 1. 2. Получение карбидокремниевой матрицы для композиционного материала C/SiC с использованием методов золь-гель техники и высокотемпературного синтеза
    • 2. 2. Синтез, исследование строения и парообразования координационных соединений — перспективных прекурсоров для CVD
      • 2. 2. 1. Синтез и исследование строения перспективных прекурсоров для CVD-техники

      2.2.1.1. Направленный синтез и исследование строения смешаннолигандного координационного соединения бис (1,1,1,3)3,3-гексафтор-2-пропоксо)-бис ((2,4-пентандионато)циркония (1У) [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2].

      2.2.1.2. Синтез и исследование особенностей строения смешаннолигандных краунсодержащих р-дикетонатов стронция [Sr (15C5)(C5H02F6)2] и бария

      Ba (18C6)(C5H02F6)2].

      2.2.2. Анализ процесса парообразования прекурсоров для

      2.2.2.1. Анализ парообразования модельных титансодержащих соединений [Ti ((0CH2CH2)2NCH3)(0C (CH3)2C (CH3)20)]2 и [Ti ((0CH2CH2)2NCH3)(0C (C2H5)2C (C2H5)20)]2.

      2.2.2.2. Анализ процесса парообразования соединения [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2], термодинамический анализ возможности протекания реакций гидролиза соединения в газовой фазе.

      2.2.2.3. Анализ процесса парообразования соединений [Sr (15C5XC5H02F6)2] и [Ba (18C6)(C5H02F6)2]. vv Выводы.

Синтез и строение координационно насыщенных алкоксоацетилацетонатов циркония и титана-прекурсоров для CVD и золь-гель техники (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность. Задача получения химически чистых дисперсных порошков и тонких пленок бинарных соединений (оксиды, карбиды, бориды) решается в основном с использованием двух методов: MOCVD* и золь-гель техники. Оба способа имеют ряд преимуществ перед физическими методами (различными видами PVD), а сферы их применения соприкасаются лишь частично. Например, при нанесении пленок из газовой фазы методом CVD химическая чистота покрытий значительно выше, чем при использовании золь-гель техники. С другой стороны, золь-гель техника дает возможность получать объемно допированные образцы, в то время как при получении подобных образцов методом газовой инфильтрации (СVI) сталкиваются с серьезными трудностями, связанными, в первую очередь, с необходимостью обеспечить объемную однородность распределения дисперсного компонента (конструкционные затруднения).

Эффективное применение упомянутых методов возможно при использовании направленного выбора и синтеза прекурсоров, к которым предъявляется ряд требований. Например, для CVD-процесса выбирают соединения, обладающие летучестью в заданном интервале температур в соответствии со степенью заполнения сферы центрального атома и в зависимости от типов и количества групп в молекуле, определяющих энтальпию парообразования вещества. Прекурсоры должны переходить в газовую фазу без разложения, продукты их термолиза — быть химически пассивны по отношению к деталям аппаратуры и материалу подложки. Индивидуальные прекурсоры для золь-гель техники в зависимости от задачи (необходимой дисперсности частиц, состава целевой системы оксидов металлов) должны иметь также определенную степень заполнения координационной сферы центрального атома, которая позволила бы.

В соответствии с принятыми в научной литературе обозначениями MOCVD — metalorganic chemical vapor depositionCVD — chemical vapor depositionPVD — physical vapor deposition. предотвратить неконтролируемый гидролиз. Тем не менее, степень экранирования не должна превышать некоего предела (координационное насыщение), после которого гидролиз слишком затруднен или невозможен.

Для синтеза соединений с желаемой летучестью или гидролитической активностью следует определить оптимальную степень заполнения координационной сферы атома металла, которая достигается путем получения смешаннолигандных соединений и уменьшения или увеличения по необходимости стерического объема лигандов.

Несмотря на обширный экспериментальный материал по синтезу практически важных металлоорганических соединений, в частности титан-, цирконий-, барийи стронцийсодержащих прекурсоров для золь-гель и CVD-техники, не достаточно развита общая концепция, связывающая строение и параметры парообразования или гидролитическую активность веществ. Поэтому направленный синтез перспективных прекурсоров для золь-гель техники и CVD является важной и актуальной задачей.

Целью работы является: Обзорный анализ с помощью теоретического моделирования молекулярного дизайна перспективных прекурсоров с точки зрения химических и термохимических свойств синтезированных соединений. Выбор потенциально возможных прекурсоров для золь-гель и CVD техники — как модельных, так и позволяющих решать практически важные задачи. Направленный синтез исходных реагентов и прекурсоров. Изучение строения полученных и выбранных в качестве модельных соединений. Анализ гидролитической активности и параметров парообразования с точки зрения структурно-термохимического подхода. Апробация прекурсоров в процессах получения конкретных материалов.

Научная новизна.

1. Выбраны стартовые реагенты для получения с использованием золь-гель техники допированных карбидом кремния или диборидом титана композиционных материаловпроведено совместное осаждение гидроксоформ титана и бора. Проведен высокотемпературный синтез композитов (УПВ2, TiB2/TiB2+Al203 и C/SiC в восстановительной и инертной атмосфере в температурном интервале, определенном на основании термодинамического анализа систем с использованием ресурсов банка данных ИВТАНТЕРМО (C/TiB2 — 2000 °C, /ПВгЛПВг+АЬОз — 1000 °C, C/SiC — 1800°С).

2.а. Синтезировано модельное координационно насыщенное летучее соединение [Zi^CsHyC^MCCFs^CHO^] из [Zr (C5H702)4] по разработанной методике направленного синтеза смешаннолигандных соединений типа алкоксо-2,4-пентандионатов методом замещения лигандапредварительно обоснован выбор алкоксо-группы для замещения 2,4-пентандионато-группы. Модифицированы известные методики синтеза гомолигандных 2,4-пентандионатов (рН) и алкоксидов (выбор растворителя).

2.6. Исследовано методом газовой электронографии с привлечением данных ИК-спектроскопии и компьютерной химии строение молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола (далее гексафторизопропанола), а также синтезированных соединений [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr (OCH (CF3)2)4]. Рассчитаны термодинамические функции соединений в интервале 300−1000 К. Оценены значения энтальпии образования AtH°(298.15) соединений методом аддитивных вкладов, кроме того, для (CF3)2CHOH и методом изодесмических реакций.

3.а. Разработаны методики синтеза из водно-спиртовых растворов неорганических солей (нитратов, хлоридов) летучих координационных соединений бария и стронция [Ba (18C6)(C5H02F6)2] и [Sr (15C5)(C5H02F6)2], перспективных прекурсоров для получения тонких пленок титаната бария и стронция методом CVD.

З.б. Для соединения цис-[Ва (18С6)(С5НС>2рб)2] исследовано строение выращенных монокристаллов методом рентгеноструктурного анализа. 4. Проанализирован процесс парообразования синтезированных [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2], [Ba (18C6)(C5H02F6)2], [Sr (15C5)(C5H02F6)2] и модельных [Г1(((ХН2СН2^СН3Х0С (СНз)5С (а13)20)Ь и.

Ti ((0CH2CH2)2NCH3)(0C (C2H5)2C (C2H5)20)]2 соединений с использованием экспериментальных и теоретических методов.

Практическая значимость диссертации заключается в разработке методов направленного синтеза координационных соединений — прекурсоров для CVD, и прекурсоров и стартовых смесей для золь-гель техники. Разработанный метод синтеза алкоксо-2,4-пентандионатов из тетракис (2,4-пентандионато)циркония (1У) и краун-содержащих фторированных р-дикетонатов из растворов неорганических солей может быть использован для получения соединений, родственных описанным в работе с широким спектром прогнозируемых свойств и возможностей практического применения.

Полученные результаты могут быть использованы для выявления общих закономерностей строение — летучесть или гидролитическая активность. Детальное исследование процессов парообразования и термолиза соединений позволит применять их в качестве прекурсоров для нанесения оксидных пленок металлов (в том числе, и сложного состава) через газовую фазу. Например, синтез комплексов с заданной летучестью даст возможность путем испарения из одной камеры координационных соединений с различными центральными атомами (например, титана и бария) достигать строго определенного соотношения металлов в пленке.

Результаты структурных исследований, наряду с термодинамическими характеристиками, могут быть полезны в качестве справочных данных.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Выбор и синтез исходных реагентов применительно к процессу получения дисперсных допирующих компонентов SiC>2 и Ti02+B203 в углеграфитовой матрице и матрице из грубодисперсного диборида титана. Высокотемпературный синтез композиционных материалов C/SiC, СЛПВг и TiB2/TiB2+Al203 в условиях, определенных путем термодинамического анализа систем.

2. Направленный синтез летучего модельного алкоксоацетилацетоната циркония из тетракисацетилацетоната циркония, а также летучих смешаннолигандных соединений стронция и бария с макроциклическими полидентатными лигандами.

3. Структурные параметры молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3 -гексафтор-2-пропанола для уточнения его стерических характеристик, а также структурные параметры синтезированных координационных соединений циркония [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr ((CF3)2CHO)4], полученные с использованием данных газовой электронографии, расчетных методов и ИК-спектроскопиитермодинамические функции указанных соединений в интервале 3 001 000 К и оценка их AfH°(298.15).

4. Анализ процессов парообразования модельных соединений титана с хелатными лигандами большой координационной емкости таСХВДдаСНзХОДСНз^СНз^ и ^((Xb^a^NCHaXOQQHs^QHs^b и синтезированных соединений [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2], [Sr (15K5)(C5H02F6)2] и [Ba (18K6)(C5H02F6)2] в рамках структурно-термохимического подхода.

Апробация работы. Основные результаты исследований докладывались на XI Конференции по химии высокочистых веществ (г. Н. Новгород, 2000) — Международной конференции «Металлоорганические соединения — материалы будущего тысячелетия» (III Разуваевские чтения) г. Н. Новгород, 2000) — XII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Харьков, Украина, 2001) — XIV Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике» (г. Харьков, Украина, 2002) — II Международном симпозиуме «Фуллерены и фуллереноподобные структуры в конденсированных средах» (г. Минск, Беларусь, 2002) — Международной конференции «Новые идеи в химии элементоорганических и координационных соединений. Взгляд из XXI века», (г.Н.Новгород, 2002) — Европейском конгрессе «Materials Week 2002» (г. Мюнхен, Германия, 2002) — IX Международном симпозиуме «Высокочистые металлические и? полупроводниковые материалы и сплавы» (г. Харьков, Украина, 2003) — Европейском конгрессе «Euromat 2003» (г. Лозанна, Швейцария, 2003) — X Международной конференции «Карбид кремния и родственные материалы 2003» ICSCRM 2003 (г. Лион, Франция, 2003) — V Международной конференции «Высокотемпературные керамоматричные композиты» НТСМС-5 (г. Сиэтл, США, 2004).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 4 статьи в реферируемых научных журналах, 2 статьи в сборниках трудов институтов (МИТХТ и ИТЭС), 3 полных текста докладов в рецензируемых сборниках трудов международных конференций, 3 полных текста доклада в нерецензируемых сборниках трудов международных конференций и 5 тезисов докладов на международных научных конференциях.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, литературного обзора, двух экспериментальных глав, включающих обсуждение полученных результатов, выводов и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 188 страниц печатного текста, в том числе, 44 рисунка, 39 таблиц.

Список литературы

включает 229 наименований. Отдельные таблицы и рисунки вынесены в приложения.

ВЫВОДЫ.

1. Осуществлен направленный выбор и синтез комплексных соединений, имеющих молекулярное строение, заданную степень координационного насыщения и прогнозируемые свойства (гидролитическую активность или летучесть) элементов IV группы (кремний, титан, цирконий) и НА группы (стронций, барий) — перспективных прекурсоров для получения простых и сложных оксидов металлов методами CVD и золь-гель техники. Изучено строение синтезированных соединений в связи с практически важными свойствами.

2. Выбраны исходные реагенты для получения допированных диборидом титана или карбидом кремния материалов с использованием золь-гель техникипроведено также совместное осаждение гидроксоформ титана и бора. Осуществлен высокотемпературный синтез композиционных материалов в условиях, определенных на основании термодинамического анализа систем с использованием ресурсов комплекса ИВТАНТЕРМО.

3. Синтезировано соединение [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2] из [Zr (C5H702)4] по разработанной оригинальной методике направленного синтеза смешаннолигандных соединений типа алкоксо-р-дикетонатовпредварительно обоснован выбор алкоксо-группы для замещения р-дикетонатной группы. Усовершенствованы известные методики синтеза гомолигандных 2,4-пентандионатов и алкоксидов.

4. Исследовано строение молекулы лигандообразующего соединения 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола, а также синтезированных веществ [Zr (C5H702)2((CF3)2CH0)2] и [Zr (OCH (CF3)2)4] методом газовой электронографии с привлечением данных расчетных методов и ИК-спектроскопии. Рассчитаны термодинамические функции соединений в интервале 300−1000 К. Оценены значения их энтальпий образования AfH°(298.15) методом ад дитивных вкладов и изодесмических реакций.

Синтезированы летучие координационные соединения [Bal8C6(C5H02F6)2] и [Sr 15C5(C5H02F6)2] по новой методике из водно-спиртовых растворов неорганических солей (нитратов, хлоридов).

Проанализирован процесс парообразования синтезированных [Zr (CsH702)2((CF3)2CH0)2], [Bal 8C6(C5H02F6)2], [Sr 15C5(C5H02F6)2] и модельных соединений [^((ОШгШ^НШзХЩСНзЩСНз^Ь и [Ti ((0CH2CH2)2NCH3)(0C (C2H5)2C (C2H5)20)]2 с использованием методов структурно-термохимического подхода.

Заключение

.

2.2.2.3. «Анализ процесса парообразования соединений [Sr (15C5)(C5H02F6)2] и [Ba (18C6)(C5H02F6)2]».

1. Определены с использованием структурно-термохимического подхода а) степень экранирования центрального атома, б) число и типы вероятных межмолекулярных контактов, Рассчитаны по методу аддитивных вкладов значения энтальпий испарения.

2. Выявлен эффект теплового «дыхания» кольца макроциклического лиганда — структурные изменения при переходе в газовую фазу с появлением дополнительных межмолекулярные взаимодействий, что проявляется в несовпадении теоретических и экспериментальных значений энтальпий сублимации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Физические величины. Справочник / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат. — 1991. 1232с.
  2. Р.А., Молочко В. А., Андреева Л. Л. Химические свойства неорганических веществ. -М.: Химия, Наука. — 1997. -С.112, 83, 358.
  3. Р.А., Андреева Л. Л., Молочко В. А. Справочник по неорганической химии. -М.: Химия. 1987. -С. 164, 197, 205.
  4. М.Х., Карапетьянц М. Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. — М.: Химия. — 1968. 472 с. 5. http://www.stn-international.ru/BASES/compende.html
  5. Wright P.J., Crosbie M.J. et al. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) of oxides and ferroelectric materials // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2002. — Vol. 13. — 11.- P. 671 -678.
  6. Andrieux M., Viallet V. et al. Dual-source chemical vapour deposition of strontium and zirconium p-diketonates for strontium zirconate perovskite films // Applied Surface Science. 2004. — Vol. 222. — 1−4. — P. 351−356.
  7. Song H.Z., Wang. H.B. et al. Aerosol-assisted MOCVD growth of Gd203-doped Ce02 thin SOFC electrolyte film on anode substrate// Solid State Ionics. 2003. — Vol. 156.-3−4.-P. 249−254.
  8. Goswami J., Wang. Chang-Gong et al. MOCVD of Platinum Films from (CH3)3CH3CpPt and Pt (acac)2: Nanostructure, Conformality, and Electrical Resistivity // Advanced Materials. 2003. — Vol. 15.-16. -P. 213−220.
  9. Nable, Jun C. et al. MOCVD of aluminum oxide barrier coating // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2002. — Vol. 750 — P. 437−442.
  10. Singh M.P., Raghavan G. et al. Carbonaceous alumina films deposited by MOCVD from aluminium acetylacetonate: A spectroscopic ellipsometry study // Bulletin of Materials Science. 2002. — Vol. 25. — 2- P. 163−168.
  11. Skordas S., Papadatos F. et al. Low temperature metal organic chemical vapor deposition of aluminum oxide thin films for advanced CMOS gate dielectric applications // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2002. — Vol. 716 —P. 183−188.
  12. Chang, Yuneng, Yeh, Chihhsiang Zinc oxide/copper oxide mixed films deposited by CVD // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2001. — Vol. 672. — P. 08.37.1−08.37.6.
  13. Fischer Rivera E., Atakan B. et al. CVD deposition of cobalt oxide (C03O4) from Co (acac)2 // Journal De Physique IV: JP .- 2001. Vol. 11. — 3. -P. Pr3629-Pr3635.
  14. Shalini K., Mane A.U. et al. Epitaxial growth of C03O4 films by low temperature, low pressure chemical vapor deposition // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. — Vol. 619. — P. 129−134.
  15. Bertrand G.L., Caboche G., Dufour L.-C. Low-pressure-MOCVD LaMn03- very thin films on YSZ (100) optimized for studies of the triple phase boundary // Solid State Ionics. 2000. — Vol. 129. -1. -P. 219−235.
  16. Wang A., Edleman N.L. et al. Metal-organic chemical vapor deposition of Zn-In-Sn-O and Ga-In-Sn-O transparent conducting oxide thin films // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. — Vol. 607. — P. 345−352.
  17. Matsuura Yuji, Miura Daisuke, Miyagi Mitsunobu Fabrication of hollow fibers for C02 laser by using MOCVD method // The International Society for Optical Engineering: Proceedings of SPIE. 1998. — Vol. 3262. — P. 119−124.
  18. Meng G.Y., Huang L. et al. Preparation and characterization of Pd and Pd-Ni alloy membranes on porous substrates by MOCVD with mixed metal P-diketone precursors // Materials Research Bulletin. 1997. — Vol. 32. — 4. -P. 385−395.
  19. Kim Seok, Choi Doo-Jin et al. Characteristics of chemical-vapor-deposited copper on the Cu-seeded TiN substrates // Thin Solid Films. — 1997. Vol. 311.-1−2.-P. 218−224.
  20. Lang, Frank-Rene- Dahmen, Klaus-Hermann Influence of deposits in a metal-organic chemical vapor deposition apparatus on the stability of precursors // Thin Solid Films. 1994. — Vol. 241. — 1−2. — P. 378−382.
  21. Chevalier S., Bonnet G., Larpin J.P. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Cr203 and Nd203 coatings. Oxide growth kinetics and characterization // Applied Surface Science. 2000. — Vol. 167. — P. 125−133.
  22. Pyo Sung Gyu, Min Woo Sig et al. Superfilling characteristic and evaluation of chemically enhanced CVD (CECVD) Cu process // Advanced Metallization Conference (AMC). 2001. — P. 209−214.
  23. Condorelli G.G., Gennaro S., Fragala I.L. In-situ synthesis of the anhydrous La (hfac)3 precursor: A viable route to the MOCVD of LaF3 // Advanced Materials. -2001.-Vol. 13. P. 151−156.
  24. Babcock J.R., Wang A. et al. Development and implementation of new volatile Cd and Zn precursors for the growth of transparent conducting oxide thin films via MOCVD // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. — Vol. 623,-P. 317−328.
  25. Barreca D., Benetollo F. et al. Metal organic chemical vapor deposition of Co-, Mn-, Co-Zr and Mn-Zr oxide thin films // Materials Research Society Symposium: Proceedings. 2000. — Vol. 606. — P. 69−74.
  26. Amjoud, M., Mauiy F. MOCVD and properties of in situ doped Pt-Sn02 thin films // Journal De Physique. IV: JP.- 1999. Vol. 9 pt 2. — 8. — P. Pr8−643 — Pr8−650.
  27. Kaloyeros Alain E., Feng Aiguo etal. Low-temperature metal-organic chemical vapor deposition (LTMOCVD) of device-quality copper films for microelectronic applications // Journal of Electronic Materials. — 1990. Vol. 19. — 3.-P. 271−276.
  28. Hones Peter, Levy Francis et al. MOCVD of thin ruthenium oxide films: Properties and growth kinetics // Advanced Materials. — 2000. Vol. 12. — 15. — P. 193−198.
  29. Brooks Jonathan, Davies Hywel O. etal. Crystal structure of unadducted strontium bis-tetramethylheptanedionate: the standard precursor for the MOCVD of strontium-containing oxides // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12. — 7. — P. 66−69.
  30. Boo Jin-Hyo, Lee Soon-Bo et al. Growth of magnesium oxide thin films using single molecular precursors by metal-organic chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1999. — Vol. 341. — 1−2. — P. 63−67.
  31. Dubourdieu C., Kang S.B. et al. Solid single-source metal organic chemical vapor deposition of yttria-stabilized zirconia // Thin Solid Films. 1999. — Vol. 339.- 1−2.-P. 165−173.
  32. Hendricks Warren C., Desu Seshu В., Tsai Chubg Yi Structure and kinetics study of MOCVD lead oxide (PbO) from lead bis-tetramethylheptadionate
  33. Pb (thd)2) // Materials Research Society Symposium Proceedings: Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. — 1994. Vol. 335. — P. 215 220.
  34. Si Jie, Desu Seshu В., Tsai Ching Yi Metal-organic chemical vapor deposition of Zr02 films using Zr (thd)4 as precursors // Journal of Materials Research. -1994. Vol. 9.-1.- P. 1721−1727.
  35. Becht M., Atamny F. et al. Morphology analysis of nickel thin films grown by MOCVD // Surface Science. 1997. — Vol. 371. — 2−3. — P. 399−408.
  36. Becht M., Morishita T. Thin film growth and microstructure analysis of Ce02 prepared by MOCVD // Chemical Vapor Deposition. 1996. — Vol. 2. — 5. — P. 191−197.
  37. Becht M., Morishita T. Thin film growth and microstructure analysis of Ce02 prepared by MOCVD // Advanced Materials. 1996. — Vol. 8. — 9. — P. 191−197.
  38. Rappoli B. J., DeSisto W.J. MOCVD HTSC precursor delivery monitored by UV spectroscopy // Materials Research Society Symposium: Proceedings Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. 1996. — Vol. 415. -P. 149−154.
  39. Lane P.A., Crosbie M. J. et al. The metal-organic CVD of lanthanum nickelate electrodes for use in ferroelectric devices // Advanced Materials. — 2003. Vol. 15. — 6. — P. 87−92.
  40. Tu R., Kimura Т., Goto T. Rapid synthesis of yttria-partially-stabilized zirconia films by metal-organic chemical vapor deposition // Materials Transactions. — 2002. -• Vol. 43. 9. — P. 2354−2356.
  41. Nagashima К., Funakubo H. et al. Thermal stability of Pb (CnH, 902)2 used as the lead source in MOCVD // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12. — 22. — P. 311−314.
  42. Wang A., Cheng S.C. et al. Metal-organic chemical vapor deposition routes to films of transparent conducting oxides // Materials Research: Chemical Aspects of Electronic Ceramics Processing. 1998. — Vol. 495. — P. 3−10.
  43. Dutta A., Goswami J., Shivashankar S.A. Nucleation and growth study of copper thin films on different substrates and wetting layers by metal-organic chemical vapour deposition // Bulletin of Materials Science. -1995. Vol. 18. — 7. -P. 901−910.
  44. McAleese J., Plakatouras J.C., Steele B.C.H. Use of Ce (fod)4 as a precursor for the growth of ceria films by metal-organic chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1996. — Vol. 280. — 1−2. — P. 152−159.
  45. Hwang C. S., Kim H.J. Deposition of Pb (Zr, Ti) C>3 thin films by metal-organic chemical vapor deposition using P-diketonate precursors at low temperatures // Journal of the American Ceramic Society. 1995. — Vol. 78. — 2. — P. 329−336.
  46. Li W.J., Wu Z.M. et al. Preparation and structural evolution of ТЮ2 thin films by low pressure MOCVD // Acta Metallurgica Sinica (English Letters). — 2000. -Vol. 13.-6.-P. 1113−1118.
  47. Angelescu A., Kleps I. et al. Ti02-M0CVD thin films on large area macroporous silicon for capacitor applications // Proceedings of the International Semiconductor Conference. CAS. 1999. — Vol. 1. — P. 209−212.
  48. Gao Y. In-situ IR and spectroscopic ellipsometric analysis of growth process and structural properties of TiixNbx02 thin films by metal-organic chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1999. — Vol. 346. — 1−2. — P. 73−81.
  49. Babelon P., Dequiedt A.S. et al. SEM and XPS studies of titanium dioxide thin films grown by MOCVD // Thin Solid Films. 1998. — Vol. 322. — 1−2. — P. 636 785. 190.
  50. Jin H., Huang C. Research on thin ТЮ2 films prepared by MOCVD // Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors. —1997. Vol. 18. — 2. — P. 97 102.
  51. Battiston G.A., Gerbasi R. et al. MOCVD deposition of ТЮ2 thin films on titanium dental implants // Le Vide Science and Technique and Applications. Hard Coatings. 1996.-279.- P. 215−217.
  52. Kaiser D. L., Vaudin M. D. et al. Growth of BaTi03 thin films by MOCVD // Materials Research Society Symposium Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. 1994. — Vol. 335. — P. 47−52.
  53. Chandler C.D., Hampden-Smith M.J., Schwartz R.W. Ferroelectric thin films via sol-gel processing of single-source precursor // Materials Research Society Symposium Proceedings. Ferroelectric Thin Films III. 1993. — Vol. 310. — P. 357 362.
  54. Kim Jimin, Han Gui Young, Chung Chan-Hwa Encapsulating the electroluminescent phosphor micro-particles using a pulsed metal-organicchemical vapor deposition process in a fluidized bed // Thin Solid Films.- 2002. -Vol. 409.-1.-P. 58−65.
  55. Barreca D., Battiston G.A. et al. А12Оз growth optimisation using aluminium dimethylisopropoxide as precursor as a function of reaction conditions and reacting gases // Journal De Physique. IV: JP. 2001. — Vol. 11. — 3. — P. Pr3539-Pr3546.
  56. Bellman R., Raj R. Design and performance of a new type of Knudsen cell for chemical beam epitaxy using metal-organic precursors // Vacuum. 1997. — Vol. 48.-2.-P. 165−173.
  57. Frohlich K., Machajdik D. et al. Growth of SrTi03 thin epitaxial films by aerosol MOCVD // Thin Solid Films. 1995. — Vol. 260. — 2. — P. 187−191.
  58. Hofinan R., Westheim J.G.F. et al. Protection of alloys against high temperature sulphidation by Si02-coatings deposited by MOCVD // Materials and Manufacturing Processes. 1992. — Vol. 7. — 2. — P. 227−238.
  59. Seifried, S.- Winterer, M.- Hahn, H. Nanocrystalline gradient films through chemical vapor synthesis // Scripta Materialia. 2001. — Vol. 44. — 8−9. — P. 21 652 168.
  60. Malandrino G., Borzi A.M. et al. Synthesis, crystal structure and mass transport properties of novel thallium ion precursors for MOCVD applications // Journal of the Chemical Society. Dalton Transactions. — 2003. — 3. P. 369−374.
  61. Garcia G., Caro J. et al. Pulsed Injection MOCVD of YSZ Thin Films onto Dense and Porous Substrates // Advanced Materials. 2003. — Vol. 15. — 20. — P. 279−284.
  62. Schumacher M., Lindner J. et al. MOCVD for complex multicomponent thin films A leading edge technology for next generation devices // Materials Science in Semiconductor Processing. — 2002. — Vol. 5. — 2−3. — P. 85−91.
  63. Condorelli G.G., Gennaro S., Fragala I. L. In-situ gas-phase FTIR monitoring of MOCVD processes: LaF3 films using the second generation La (hfac)3•diglyme precursor // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12. — 15. — P. 185−192.
  64. Teren A.R., Belot J.A. et al. MOCVD of epitaxial BaTi03 films using a liquid barium precursor // Advanced Materials. 2000. — Vol. 12.- 15. — P. 175−177.
  65. Malandrino G., Lo Nigro R. et al.. Volatile Ce (III) hexafluoroacetylacetonate glyme adducts as promising precursors for the MOCVD of Ce02 thin films.// Advanced Materials. 2000. — Vol. 12. — 19. — P. 233−238.
  66. Wang Z., Oda Sh. Atomic layer-by-layer metal-organic chemical vapor deposition of SrTi03 films with a very smooth surface // Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers & Short Notes & Review Papers. 1998. — Vol. 37. — ЗА. — P. 942−947.
  67. McAleese J., Darr J. A., Steele B.C.H. Synthesis and thermal evaluation of a novel cerium precursor to grow thick ceria films by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) // Chemical Vapor Deposition. 1996. — Vol. 2. — 6. — P. 244−247.
  68. McAllese J., Plakatouras J.C., Steele B.C.H. Thin film growth of gadolinia by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) // Thin Solid Films. 1996. -Vol. 286.- 1−2.-P. 64−71.
  69. Meinema H.A., Timmer K. et al. Synthetic strategies for MOCVD precursors for HTcS thin films // Materials Research Society Symposium Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics. — 1994. Vol. 335. -P. 193−201.
  70. Zurcher S., Morstein M. et al. New single-source precursors for the MOCVD of high- dielectric zirconium silicates to replace Si02 in semiconducting devices // Advanced Materials. 2002. — Vol. 14. — 13−14. — P. 171−177.
  71. Min Y.S., Cho Y.J. et al. Influence of thermal decomposition behavior of titanium precursors on (Ba, Sr) Ti03 thin films // Journal De Physique. IV: JP. — 2001. Vol. 11. — 3. — P. Pr3675-Pr3682.
  72. Gallegos J.J. III, Ward T.L. et al. Neo-pentoxide precursors for MOCVD thin films of Ti02 and Zr02// Advanced Materials. 2000. — Vol. 12. — 3. — P. 21−26.
  73. Roeder J.F., Baum Т.Н. et al. Liquid-delivery MOCVD: Chemical and process perspectives on ferro-electric thin film growth // Advanced Materials for Optics and Electronics. 2000. — Vol. 10. — 3−5. — P. 145−154.
  74. Jones A.C., Leedham T.J. et al. MOCVD of zirconia thin films by direct liquid injection using a new class of zirconium precursor // Advanced Materials. — 1998. -Vol. 10.-4.-P. 46−49.
  75. Neumayer D.A., Duncombe P.R. et al. Chemical solution deposition of BaSrTi03 films // Integrated Ferroelectrics. 1997. — Vol. 18. — 1−4. pt 2. — P. 297 309.
  76. Leedham T.J. From proposal to product: scaling up the chemical synthesis of MOCVD oxide precursors // Materials Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. -1996. Vol. 415.-P. 79−85.
  77. Otway D.J., Luten H.A. et al. Investigation into the role of incorporated solvent (Et0H/H20) molecules on the structure of group 2 metal bis (P-diketonate) complexes: ramifications for CVD precursors of electronic materials // Materials
  78. Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics II. 1996. — Vol. 415. — P. 105−110.
  79. Beach D.B., Vallet C.E. MOCVD of very thin films of lead lanthanum titanate // Materials Research Society Symposium-Proceedings. Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of Electronic Ceramics IL 1996. — Vol. 415. — P. 225−230.
  80. Miki H., Ohji Yu., Tachi Sh. Sub-nanometer-equivalent PZT thin films fabricated by low-temperature MOCVD // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993. — Vol. 284. — P. 535−540.
  81. Park H.-Ho, Yoon S. et al. Electrical properties of PZT thin films by photochemical deposition // Thin Solid Films. 2004. — Vol. 447−448.- P. 669−673.
  82. Dougherty Т. K., Drab J. et al. A new ferroelectric varactor from water based inorganic precursors // Materials Research Society Symposium Proceedings. -2002. — Vol. 720. — P. 23−28.
  83. Kaddouri A., Gronchi P. et al. On the preparation of Ni-La supported on silica by sol-gel process via propionates // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2000. — Vol. 62. — 3. — P. 609−619.
  84. Accoroni M., Battiston G.A., Gerbasi R., Tiziani A. MOCVD engineering and economic analysis for biomaterial coatings // Materials Science Forum. — 2000. Vol. 352. — P. 159−164.
  85. Westin G., Ekstrand A., Zangellini E., Borjesson L. Preparation and optical studies of Er-doped Al-Si-Ti oxide glasses using the ErAl3(OPri)12 isolated Er-ion precursor // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. — Vol. 61. — 1. — P. 67−74.
  86. Battiston G.A., Gerbasi R. et al. Dental implants of complex form coated by nanostructured ТЮ2 thin films via MOCVD // Materials Science Forum. 2000. -Vol. 352.-P. 151−158.
  87. Kaddouri A., Mazzocchia C. et al. J. Sol-gel processing of copper-chromium catalysts for ester hydrogenation // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. — 1998. Vol. 53. — 2. — P. 533−545.
  88. Laubersheimer J., Ritzhaupt-kleissl H.-J. et al. Electrophoretic deposition of sol-gel ceramic microcomponents using UV-curable alkoxide precursors // Journal of the European Ceramic Society. 1998. — Vol. 18. — 3. — P. 255−260.
  89. Ravichandran D., Meyer R. Jr. et al. Sol-gel synthesis of Ba (Mg1/3Ta2/3)03: phase pure powder and thin films // Materials Research Bulletin. — 1996. Vol. 31. -7.-P. 817−8251.
  90. Spiccia L., Watkins I.D., West B.O. Sol-gel processing of ceramics // Materials Forum. Materials Processing. 1996. — Vol. 20. — P. 171−191.
  91. Akin Y., Celik E., Sigmund W., Hascicek Y.S. Textured Ce02 thin films on nickel tape by sol-gel process // IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 2003. — Vol. 13.-2 III. — P. 2563−2566.
  92. Akin Y., HeibaZ.K., Sigmund W., Hascicek Y.S. Engineered oxide thin films as 100% lattice match buffer layers for YBCO coated conductors // Solid-State Electronics.- 2003. Vol. 47. — 12. — P. 2171−2175.
  93. Yamane M. Preparation of thick PZT ceramic film by an interfacial polymerization // Journal of Sol-Gel Science and Technology. — 1998. Vol. 13 -1−3.-P. 821−825.
  94. А.Д., Лещенко Н. Ф. Коллоидная химия. М.: Химия. 1995. — С. 222, 234−237.
  95. Ю.Г. Курс коллоидной химии. М.: Химия. 1989. — С. 314−318.
  96. С.С. Курс коллоидной химии. М.: Химия. 1975. — С. 223−254.
  97. А.Н., Лунина Е. В., Лунин В. В. //Журн. физической химии. -1994. Т. 68. -4. -С. 692−697.
  98. Е.В., Назаров В. В., Медведкова Н. Г. и др.// Коллоид, журн. -1993.-Т. 55.-1.-С. 30−34.
  99. В.В., Доу Шэн Юань, Фролов Ю.Г.// Коллоид, журн. 1991. — Т. 53.-5.-С. 880−882.
  100. Я.Г. Химия титана. Киев: Наукова думка. — 1972. — С. 30.
  101. Bischoff F., Adkins Н.// J. Am. Chem. Soc. 1924. — 46. — P. 256.
  102. Wright D.A., Williams D.A.// Acta Cristallogr. Sect. 1968. — 24. — P. 1107.
  103. А.И., Долгушин Ф. М. и др.// Журн. Неорган. Химии. — 1997.— 42.-С. 450.
  104. Boyle Т.J., Alam Т.М., Mechenbier E.R., Scott B.L., Ziller J.M.// Inorg. Chem. 1997. — 36. — P. 3293.
  105. Day V.W., Eberspacher T.A., Klemperer W.G., Park C.W.// J. Am. Chem. Soc.-1993.-115.-P. 8469.
  106. Day V.W., Eberspacher T.A., Klemperer W.G., Park C.W., Rosenberg F.S. // J. Am. Chem. Soc. 1991. — 113. — P. 8190.
  107. Day V.W., Eberspacher T.A., Yuewu Chen, Jinling Hao, Klemperer W.G. // Inorg. Chim. Acta. 1995. — 226. — P. 391.
  108. Дж. Элементы. M.: Мир. — 1993. — С.22,90,222.
  109. Yamada К. et al.// J. Non-Crystalline Solids. 1998. — 100. — P. 316−320.
  110. R., Dauger A., Lecomte A., Vesteghem H. //J. of Non-Crystalline Solids. 1992. — 147−148. — P. 542−547.
  111. Samuels J.A., Lobkovsky E.B. et al.// J. Am. Chem. Soc. 1993. — 115. — P. 5093.
  112. Fisher J., Vandersluys W.G., Huffman J.C., Sears J.//Synthesis and Reactivity in Inorgganic and Metal-Organic Chemistry. 1993. — 23. — 3. — P. 479.
  113. Campbell C., Bott S.G., Larsen R., Van der Sluysw G. // Inorg. Chem. -1994.-33.-P. 4950.
  114. Pajot N., Papiernik R., Hubert-Pfalzgraf L.G., Vaissermann J., Parraud S. // J. Chem. Soc. Chem. Comm. 1995. — P. l 817.
  115. T.J., Schwartz R.W., Doedens R.J., Ziller J.W. // Inorg. Chem. 1995. -34.-P. 1110.
  116. U., Tewinkel F., Moller F. // Inorg. Chem. 1995. — 34. — P. 995.
  117. T.V., Wolczansky P.T. // J. Am. Chem. Soc. 1987. — 109. — P. 424.
  118. Gautier-Luneau I., Mosset A., Galy J. // Z. Krissstallogr. 1987. — 180. — P. 83.
  119. I., Ohta K., Kasma Y. // Nippon Kagaku Kaishi. 1994. — 9. — P. 805.
  120. R.J., Ridland J., Clegg W., Coxall R.A., Sherwood J.M. // Polyhedron. 1998. — 17. — P. 659.
  121. Moran P.D., Rickard C.E.F., Bowmarker G.A., Cooney R.P., Bartlett J.R., Woolfrey J.L. // Inorg. Chem. 1998. — 37. — P. 1417.
  122. Jin Ling, Wang Fang, Ming Miao, Xiu Ju, Fan Xiao, Feng Ji, Tao Wang II Acta Cryst., C (Cr. Str. Comm.). 1990. — 46. — P. 1633.
  123. JI.B., Мастрюков B.C., Садова Н. И. Определение геометрического строения свободных молекул. -М.: Химия. -1978. -С. 5, 131.
  124. Н.Г., Спиридонов В. П. // Теплофизика высоких температур.-1964. -Т. 2. -2. -С. 280.
  125. R. // Ann. Physik. -1931. -8. -P. 521.
  126. В.П., Рамбиди Н. Г., Алексеев Н. В. // Журн. структ. химии. — 1963.-Т. 4. -5.-С. 779.
  127. Молекулярные структуры. Прецизионные методы исследования. / Под ред. Доменикано А., Харгиттаи И. —М.: Мир. -1997. -671с.
  128. Н.Г., Ежов Ю. С. //Журн. структур.химии.-1968.-Т.9. -2. -С.363−371.
  129. Benston О J., Ewbank J.D., Paul D.W. et al. // Appl. Specrtosc. 1984. — Vol. 38.-2.-P. 204−208.
  130. K., Hedberg K. // J. Amer. Chem. Soc. 1973. — Vol. 95. — 25. — P. 263−266.
  131. Marstokk K.-M., Mollendal H. // J. Mol. Struct. -1977. Vol. 40. — 1. — P. 111.
  132. Lowrey A.H., Georg C., D’Antonio P., Karle J. Structure of Acetylacetone by Electron Diffraction // J. Amer. Chem. Soc. 1971. — Vol. 93. — 24. -P. 63 996 403.
  133. Andreassen A.L., Bauer S.H. The Structures of Acetylacetone, Trifluoroacetylacetone and Trifluoroacetone // J. Mol. Struct. 1972. — Vol. 12. -3. -P. 381−403.
  134. Iijima K., Ohnogi A., Shibata S. The Molecular Structure of Acetylacetone an Studied by Gas-Phase Electron Diffraction //J. Mol. Struct. 1987. — Vol. 156.-1−2. — P. 111−118.
  135. Andreassen A.L., Zebelman D., Bauer S.H. Hexafluroacetylacetone and Hexafluoroacetic Anhydride // J. Amer. Chem. Soc. — 1971. —Vol. 93. 5. -P. 1148−1152.
  136. Ю.С., Комаров C.A., Севастьянов В. Г. Строение молекулы ацетилацетонатов гафния и циркония М^Н/Ог^ Н Ж. Структ. Химии — 1998.-Т. 39.-1.-С. 46−54.
  137. W. // Acta Crystallogr. 1987. — 43С. — 4. — P. 789−795.
  138. Ю.А., Вилков Л. В., Физические методы исследования в химии. -М.: Мир.-2003.-683 с. 157. www.webbook.nist.gov
  139. Pedley J.B., Computer Analysed Thermochemical Data: Organic and Organometallic Compounds. University of Sussex, Brigton.-1977
  140. Bradley D.C., Hillyer M.J.//Trans. Faraday Soc.-1966. -62. -P. 2374.
  141. Lappert, M.F.- Patil, D.S.- Pedley, J.B.// J. Chem. Soc., Chem. Commun.-1975.-P. 830.
  142. Samsonov D.P., Grinberg E.E., Efremov A. AM Zhur. Prikl. Khim. 1979. -Vol. 52. -P. 1909−1911.
  143. Sostero S., Traverso O., Magonh D., Photochemistry of uranium (IV) 1,3-diketonates in organic solvents // J. Chem. Soc. Dalton. Trans. 1980. — 8. — P. 1324−1327.
  144. Grinberg E.E., Chernaya N.G., Efremov, A. AM Vysokochist. Veshchestva. -1988.-180.
  145. С.А. // J. Amer. Chem. Soc. -1970.-92.-P.2956−65.
  146. C.A. //Chem. Rev.-1977.-77.-P.313−348.
  147. Bondi I// Chem. Rev.-1967.-Vol. 67.-6.-P.565−580.
  148. Захаров JLH., Домрачев Г. А., Стручков Ю.Т.// Ж.структ.химии.-1983.-24. -3.-С.75−82.
  149. Н.Т., Севастьянов В. Г., Филатов И. Ю., Захаров JI.H., Домрачев Т.AM Высокочистые вещества. 1989. — 6. — С. 42.
  150. Г. А., Севастьянов В. Г., Захаров Л. Н., Краснодубская С.В.// Высокочистые вещества. 1987. — 2. — С. 129.
  151. М.Х. Методы сравнительного расчета физико-химических свойств. -М.: Наука, 1965, -С. 404.
  152. Ю.А., Мирошниченко Е. А. Термохимия парообразования органических веществ. М.: Наука, 1981, -С.216
  153. С.С. Методы расчета физико-химических свойств углеводородов. М.: Химия, 1978. -С.256
  154. Gavezzotti A.//J. Amer. Chem. Soc. -1985, -Vol. 107. -4. -P.962.
  155. Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P. et al. Production of Composite Materials for Synthesis of Fullerene-like Clusters through Hydrolytically Active Solutions // European Congress Advaced Materials «Materials Week 2002». Q-339.
  156. Sevasf yanov D.V., Sevast’yanov V.G., Simonenko E.P. et al. Vaporization of molecular titanium coordination compounds — a structural-thermochemical approach. // Thermochimica Acta. -2002. -V.381. 2. -P. 173.
  157. В.П., Павлов Ю. А. Высокотемпературные материалы. М.: Металлургия, 1972. — 263с.
  158. Gurvich L.V., Iorish V.S., et. al. IVTANTERMO.- A thermodynamic Database and Software System for the Personal Computer. User’s Guide. CRC Press. Inc. Boca Raton. -1993
  159. B.C., Белов Г. В., Юнгман B.C. Программный комплекс ИВТАНТЕРМО для Windows и его использование в прикладном термодинамическом анализе. Препринт ОИВТАН № 8−415. — М.: АП «Шанс», 1998. 56с.
  160. Г. В., Серебрякова Т. И., Нероков В. А. Бориды. -М.: Атомиздат, 1975. С. 205.
  161. Chase M.W., Jr. NIST-JANAF Thermochemical Tables, Forth Edition, J. Phys. Chem. Ref. Data.- Monograph 9.- 1998. -Vol.1.
  162. Г. П. Химия титана. M.: Химия, 1971. — С.186.
  163. Ю.Б., Чабан Н. Ф. Двойные и тройные системы, содержащие бор. Справочник. М.: Металлургия, 1990. — 317с.
  164. А.И. // Докл. АН. 1996. — Т. 350. — 2. — С.209−212.
  165. G.H., Koutecky J. //J.Chem. Phys. 1988. — Vol. 88. — 6. — P. 37 473 760.
  166. Kerkines I.S.K., Mavridis A. //J.Phys. Chem. A. 2000. — Vol. 101.-50. P. 11 777−11 785.
  167. Г. Г. Карбидокремниевые материалы. M.: Металлургия, 1977. -216 с.
  168. Gardner, U.S. 6,673,279, January 6, 2004 Method of forming ecoceramic-based silicon-carbide tooling for composites and method for forming composites using same.
  169. В.А., Туревская Е. П., Козлова Н. И., Турова Н.Я.// Изв. АН СССР. Сер. хим. 1981. — Т. 10. — 8. — С.1687.
  170. Kemmit T.,.Daglish М.// J. Inorg. Chem. 1998. — .37. — С. 2063.
  171. Morstein M. Volatile zircdonium bis (acetylacetonato)bis (alcoholato) complexes containing heterosubstituted alcoholato ligands // Inorg. Chem. — 1999.-38.-1.-P. 125−131.
  172. Morstein M., Pozsgai I., Spencer N.D. Composition and microstructure of zirconia films obtained by MOCVD with a new, liguid, mixed acetylacetonato-alcoholato precursor // Chem. Vapor Deposition. 1999- Vol. 5. — 4. -P. 151−158.
  173. Е.П., Севастьянов В.Г, Кузнецов Н. Т. // Химия. Сб. научн. трудов. М.:МИТХТ. — 1999. — С.45.
  174. Севастьянов Д.В.// Не опубликованные данные.
  175. Кузнецов Н.Т.,. Севастьянов В. Г, Симоненко Е. П. и др.// XI Конференция по химии высокочистых веществ: Тез. докл. Н.Новгород. -2000. — С.280.
  176. Н.Г., Ежов Ю. С. // Журн. структур, химии. -1967. Т.8, — С. 1218.
  177. В.А., Катаева О. Н. Молекулярное строение органических соединений кислорода и серы в газовой фазе. М.: Наука, — 1990. — С. — 5 — 7.
  178. O.N., Molikova А.В. // J.MoI.Struct. -1991. -Vol. 145. 2. -P. 262−269.
  179. Е.П., Севастьянов В. Г., Ежов Ю. С., Исследование строения молекулы 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанола методом газовой электронографии // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 2004. — Т. 8. — С. 39.
  180. С.В., Степанов Н. Ф., Панченко Ю. Н. // Ж. структ. химии.-1998.-Т. 39.-2.-С.210.
  181. В.П., Малышев А.И.// Журн. прикл. спектроскопии.- 1980.-Т.ЗЗ. 3. — С.545−548.
  182. Внутреннее вращение молекул/ Под ред. В. Дж. Орвилл-Томаса. -М.: Мир. -1977. -С.155, 168.
  183. В.И., Бачи-Том П.А.Л., Матвеев В.К.// Изв.Акад.наук, сер.химическая. 1999. — 3. -С.239.
  184. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание в 4-х т./ Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др. — М.: Наука, 1982.-Т. I, И, IV.
  185. Green J.H.S.//Trans. Far. Soc.-1963.-Vol. 59. 7.- Р.1559−1563.
  186. Т.М., Гатилов Ю. В., Мартынова Т. Н., Никулина Л. Д. // Журн. Структурн. Химии. -1992. -Т. 33. -2. -С.190.
  187. В.Г., Симоненко Е. П., Севастьянов Д. В., Кузнецов Н. Т. Парообразование молекулярных Р-дикетонатов стронция и бария Sr(15K5)(C502F6H)2. и [Ва (18К6)(С502рбН)2]. — структурно-термохимический подход. // Координационная Химия, 2004. в печати
  188. Norman J.A.T., Pez G.P. Volatile Barium, Strontium and Calcium bis (hexafluoroacetylacetonate)(crown ether) Complexes. // J. Chem. Soc., Chem. Commun. 1991. — 14. -P.971.
  189. Д.В., Севастьянов В. Г., Симоненко Е. П., Кеммит Т. и др.// 12-ый Международный симпозиум «Тонкие пленки в электронике»: Сб. докл. Харьков. -2001. -С. 182.
  190. Kemmitt Т., Gainford G.J., Robson-Marsden Н.// Manuscript in preparation.
  191. Микельсаар P.-X.H., Брусков В. И., Полтнев В. И. Новые прецизионные модели: Информационный материал. — Пушино. 1985.
  192. Sevasf yanov D.V./ unpublished computer program. — 1999.
  193. Spek A.L.// Acta Cryst. 1990. — A46. — P. 34.
  194. Sevast’yanov D.V., Sevasf yanov V.G.// unpublished computer program. — 1999.
  195. S.W., Buss J.H. // J. Chem. Phys. 1958. — 29. — P. 546.
  196. Benson S.W., Gruickshank D.M., Golden D.M. et al./ Chem. Rev. 1969. -69.-P. 279.
  197. Redley J.B., Naylor R.D., Kirby S.P., Thermochemical Data of Organic Compounds. London, New York. — 1986.
  198. X. Химическая термодинамика. M.JI.: Госхимиздат, 1953.
  199. Buckley Е., Herington E.F.G. Equilibria in some secondary alcohol + hydrogen + ketone systems/ATrans. Faraday Soc. 1965. — 61. — P. 1618−1625.
  200. O.B., Юнгман B.C. Неэмпирические квантовомеханические расчеты термодинамических свойств газообразных бифенила, 2,2'- и 4,4'-дихлорбифенилов // Сборник «Теплофизические свойства веществ». — 2001. — С. 59−64.
  201. Ю.С., Симоненко Е. П., Севастьянов В. Г. Строение молекулы и термодинамические свойства 1,1,1,3,3,3 -гексафтор-2-пропанола (гексафторизопропанола)// Журн.Физ.химии. 2002. — Т.76. — 5. -С. 883−887.
  202. Tables of interatomic distances and configuration in molecules and ions, Special Publication № 11, w. 1, London, The chemical society Burlington House, 1958. P. M128, Ml20, M106, M105.
  203. В.И., Рабинович И. Б. Термохимия органических соединений переходных металлов//Успехи химии. — 1977. Т.64. 8. — С. 1337—1367.
  204. В.Г. Летучие координационно-насыщенные соединения урана: Дисс. д-ра хим. наук. — М., 1991. -393с.
  205. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. -Л.: Химия, 1977,-С. 21.
  206. Дж. Неорганическая химия. М.: Химия, 1987. — С. 174.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!