Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов

Диссертация: Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В случае структуры свинец-титан-кремний оксиды свинца, которые формируются на внешней границе раздела, не только не препятствуют проникновению кислорода к нижним слоям, а, наоборот, передают кислород титану за счет восстановления оксида свинца металлическим титаном. Так как оксидирование осуществляется в потоке кислорода, происходит многократное окисление свинца и передача кислорода (транзитное… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов
    • 1. 1. Основные физико-химические свойства титана, свинца и кремния
    • 1. 2. Взаимодействия в системе свинец-кислород
    • 1. 3. Особенности оксидирование свинца
    • 1. 4. Взаимодействия в системе титан-кислород
    • 1. 5. Особенности оксидирования титана
    • 1. 6. Влияние оптического излучения на оксидирование титана
    • 1. 7. Взаимодействия в системе РЮ-ТЮг
    • 1. 8. Способы получения тонких пленок титаната свинца
    • 1. 9. Диэлектрические свойства тонких пленок титана свинца
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Подготовка исходных подложек
    • 2. 2. Метод магнетронного напыления металлических пленок
    • 2. 3. Оксидирования тонких пленок в печи резистивного нагрева
    • 2. 4. Оксидирования при пониженном давлении кислорода и фотонном нагреве подложек
    • 2. 5. Эллипсометрический метод контроля толщины оксидных пленок
    • 2. 6. Методики исследования образцов
      • 2. 6. 1. Осциллографический метод исследования петель гистерезиса
      • 2. 6. 2. Определение параметров пленки титаната свинца из вольт -фарадных характеристик МДП — структур
      • 2. 6. 3. Определение параметров пленки титаната свинца из вольт амперных характеристик МДП — структур
  • Глава 3. Особенности взаимодействия тонких пленок титана и свинца с кислородом
    • 3. 1. Оксидирование тонких пленок титана в структуре «П^Юг^
      • 3. 1. 1. Оксидирование в печи резистивного нагрева в потоке кислорода
      • 3. 1. 2. Оксидирование при пониженном давлении в условиях фотонного отжига
      • 3. 1. 3. Фазовый состав оксидных пленок на титане
    • 3. 2. Оксидирование тонких пленок свинца
  • Глава 4. Синтез и свойства тонких пленок титаната свинца на монокристаллическом кремнии и структуре 8Юг/8ь
    • 4. 1. Взаимодействие в тонкопленочных структурах свинца с оксидами титана и титана с оксидами свинца
    • 4. 2. Фазовые превращения в тонкопленочной структуре РЬ/Тл/81 и Тл/РЬ/^ в процессе отжига в потоке кислорода
    • 4. 3. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от характера межфазных границ в исходной тонкопленочной гетероструктуре
    • 4. 4. Кристаллизация тонких пленок титаната свинца в процессе отжига структур РЬЛП/
    • 4. 5. Особенности формирования тонких пленок титаната свинца на монокристаллическом кремнии и структуре 8102/
  • Глава 5. Диэлектрические свойства оксидных пленок
    • 5. 1. Зависимость диэлектрических свойств пленок титаната свинца

Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность. Установление зависимости между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами химических соединений является одной из важнейших задач неорганической химии. В настоящей работе в качестве исходного объекта исследования выбраны структуры, состоящие из тонких пленок свинца и титана на поверхности монокристаллического или окисленного кремния. Термообработка этих гетероструктур в кислороде позволяет получать тонкие пленки на основе титанатов свинца, оксидов свинца и титана, которые могут обладать широким спектром свойств: полупроводниковых, диэлектрических, сегнетоэлектрических. Для формирования пленок с заданными свойствами необходимо установить связь их состава и структуры с условиями синтеза. Поэтому на первый план выдвигается изучение фазовых превращений, изменения кристаллической структуры и поверхностной морфологии пленок, происходящих при их термообработке. Варьируя условия синтеза, можно изменять в требуемом направлении состав и свойства получаемых пленок. С другой стороны, установление и обоснование закономерностей во взаимодействии титана, свинца, кремния и кислорода при синтезе позволит не только получать пленки с заданными свойствами, но и способствует развитию представлений о механизме гетерофазных взаимодействий в данной системе.

Поскольку в исследуемой гетероструктуре возможно формирование титанатов свинца, тема работы является актуальной и с практической точки зрения. Титанат свинца — классический сегнетоэлектрик. Такие его свойства, как высокая остаточная поляризация, низкое коэрцитивное поле, высокое пробивное напряжение, хорошие акустооптические характеристики находят применение при создании устройств энергонезависимой и динамической памяти, конденсаторов, приемников ИК-излучения, волноводов, разнообразных акустооптических приборов. Получение сегнетоэлектрических пленок на основе титаната свинца на кремниевых подложках (в рамках планарной технологии полупроводниковых приборов) — актуальная задача современной микроэлектроники.

Цель работы: направленный синтез гетероструктур, содержащих титанат свинца на кремнии, изучение гетерофазных взаимодействий в структурах на основе титана, свинца и их оксидов, исследование физико-химических и электрофизических свойств формируемых пленок.

Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:

1. Исследование особенностей оксидирования тонких пленок титана и свинца в потоке кислорода при термическом нагреве и пониженном давлении кислорода при широкополосном фотонном воздействии.

2. Изучение взаимодействий в тонкопленочной гетероструктуре, содержащей свинец, титан и их оксиды на подложках монокристаллического и окисленного кремния, при термообработке в атмосфере кислорода или в вакууме.

3. Изучение физико-химических свойств (химического состава, кристаллической структуры, микроструктуры) сформированных пленок в зависимости от условий синтеза.

4. Получение тонкопленочного титаната свинца, обладающего сегнето-электрическими свойствами, и изучение их зависимости от условий формирования пленок.

Методы исследования. Изучение физико-химических свойств тонкопленочных гетероструктур, содержащих оксиды свинца, титана, а также титанат свинца на подложках монокристаллического и окисленного кремния, проводили с применением комплекса современных методов исследования и надежной статистической обработкой данных. Фазовый состав пленок определялся методом рентгенофазового анализа и подтверждался электронографией на «просвет» и «отражение», поверхностная морфология — методом растровой электронной микроскопии, кинетические закономерности роста пленок изучались современными эллипсометрическими методами, включающими автоматическую эллипсометрию. Достоверность существования нелинейных диэлектрических свойств пленок обеспечивалась применением ряда электрофизических методов: исследованием вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, петли диэлектрического гистерезиса по схеме Сой-ера-Тауэра, температурной зависимости диэлектрической проницаемости, а также совпадением в частных случаях данных с известными из литературы.

Научная новизна.

— Установлено тормозящее влияние широкополосного фотонного излучения на процесс оксидирования тонкопленочного титана в условиях пониженного давления кислорода.

— Впервые, методом двухступенчатого термического отжига в атмосфере кислорода композитной тонкопленочной гетероструктуры, полученной магнетронным напылением металлических слоев свинца и титана, синтезированы пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии, проявляющие сегнетоэлектрические свойства.

— Установлена связь параметров процесса формирования, состава и свойств пленок титаната свинца с конфигурацией исходных гетеро-структур и характером их межфазных границ.

— Показано, что взаимодействие металлического титана с оксидами свинца в исследуемых гетероструктурах является фактором, снижающим температуру синтеза с 1173 К до 973 К.

— Выявлено влияние подложки на особенности процессов, протекающих при формировании пленок титаната свинца на монокристаллическом и окисленном кремнии. Предложено обоснование возможности синтеза тонких пленок титаната свинца на монокристаллическом кремнии, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами.

Практическое значение. Разработаны условия целенаправленного синтеза тонкопленочных структур титаната свинца на кремнии, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, которые можно использовать для приборов функциональной электроники.

Апробация работы. Основные результаты работы представлены и доложены на Proceedings of Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems and Heat Mass Transfer (ICSC-99), (Obninsk, 1999) — IX Национальной Конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), (Москва, 2000) — Proceedings of Fourth International Conference: Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (ICSC-01), (Obninsk, 2001).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 11 публикациях, в том числе 2 статьи опубликованы в рецензируемых научных журналах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 156 наименований. Работа изложена на 153 страницах основного текста, иллюстрирована 51 рисунками и содержит 7 таблиц.

выводы.

1. Методами рентгенофазового и электронографического анализа установлено, что оксидирование тонких пленок титана на монокристаллическом кремнии начинается с образования низших оксидов Ti20 и TiO, а при дальнейшем развитии процесса формируется оксид титана ТЮ2 в структуре рутила. Эффективная энергия активации оксидирования титана в температурном диапазоне 673 — 923 К составляет 192 кДж/моль. При оксидировании тонких пленок свинца в оксидной пленке присутствует ромбическая фаза РЬОж, тетрагональная РЬОкр, а также РЬ20з кубической модификации. Эффективная энергия активации оксидирования в температурном диапазоне 494 К — 577 К составляет 120 кДж/моль.

2. Обнаружено влияние широкополосного фотонного излучения на скорость оксидирования тонкопленочного титана в условиях пониженного давления кислорода Р=0,6 Па в температурном интервале 773 — 923 К, заключающееся в снижении скорости роста оксидной пленки и изменении ее состава по сравнению с термическим оксидированием в аналогичных условиях. Вероятнее всего, наблюдавшийся эффект связан с процессами десорбции кислорода с поверхности оксидной пленки.

3. Установлены закономерности, связывающие между собой состав, структуру, электрофизические свойства пленок, содержащих титанат свинца, и условия синтеза, определяемые характером межфазных границ, формируемых при магнетронном напылении металлических слоев на поверхность монокристаллического кремния. Найдены оптимальные условия термообработки гетероструктуры Pb/Ti/Si в потоке кислорода, позволяющие получать поликристаллические пленки на основе титаната свинца с оксидами свинца, обладающие полным набором электрофизических свойств, свидетельствующим о сегнетоэлектрической природе пленки. Формирование пленки титаната свинца в процессе отжига гетероструктуры Ti/Pb/Si приводит к образованию.

137 титаната свинца с оксидами титана, и структура проявляет в целом диэлектрические свойства.

4. На основе анализа экспериментальных данных предложен механизм взаимодействия компонентов в исследуемых гетероструктурах, определяемый конфигурацией межфазных границ и основанный на активной роли металлического титана на кремнии, приводящей к снижению температуры синтеза титаната свинца с 1173 К до 973 К и определяющей состав и свойства пленок.

5. Разработан новый метод синтеза пленок титаната свинца на кремнии в потоке кислорода, заключающийся в двухступенчатом отжиге при Т1=473 К, 1=10 мин и Т2=973, К 1=10 мин тонких металлических слоев свинца и титана, полученных на монокристаллическом кремнии методом магнетронного напыления, который позволил направленно формировать пленки титаната свинца, обладающие полным набором сегнетоэлектрических свойств: петлей диэлектрического гистерезиса с коэрцитивным полем 4,8 Кв/см, остаточной поляризацией 16,8 мкКл/см, сегнетоэлектрическим фазовым переходом при Т=743 Кхарактерной зависимостью С-У и 1-У-кривых. При этом все параметры сегнетоэлектрической пленки близки к таковым для объемных образцов титаната свинца.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании полученных в работе результатов установлена зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих титанат свинца, от особенностей химического взаимодействия на межфазных границах свинец — титан — кремний и титан — свинец — кремний при отжиге исходных гетероструктур в потоке кислорода.

В случае структуры свинец-титан-кремний оксиды свинца, которые формируются на внешней границе раздела, не только не препятствуют проникновению кислорода к нижним слоям, а, наоборот, передают кислород титану за счет восстановления оксида свинца металлическим титаном. Так как оксидирование осуществляется в потоке кислорода, происходит многократное окисление свинца и передача кислорода (транзитное взаимодействие [156]). Часть титана остается в металлическом состоянии, что обеспечивается с одной стороны оксидированием внешнего слоя свинца, а с другой — диффузией кремния в титан, которая может блокировать каналы для диффузии кислорода в титан. В результате снижается температура образования титаната, и формируются гетероструктуры на основе титаната свинца с избытком оксидов свинца, проявляющие ярко выраженные сегнетоэлектрические свойства. В случае структуры титан-свинец-кремний происходит практически независимое формирование оксидов титана и свинца на кремнии с последующим их взаимодействием с образованием титаната свинца. Это приводит к тому, что в конечном состоянии гетероструктура наряду с титанатом свинца содержит оксид титана и проявляет в целом диэлектрические свойства.

Таким образом, изменяя конфигурацию и свойства межфазных границ, можно управлять составом, структурой и свойствами пленок, образующихся в процессе синтеза при термообработке гетероструктур, содержащих свинец и титан на монокристаллическом и окисленном кремнии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. УгайЯ.А. Общая и неорганическая химия. М.: Высш. пш. 2000. С. 380−396.
  2. ИТ. Свинец. М.: Наука. 1986. С. 21.
  3. Г. П. Химия титана. М.: Химия. 1971. С. 23.
  4. Барабаш О.М., .Коваль Ю. Н. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Киев: Наукова думка. 1986. С. 549.
  5. В.Б., Соболев В. В., Шаплыгин КС. Химические и физические свойства простых оксидов металлов. М.: Наука. 1983. С. 56.
  6. Chou N.J., Eldridge J.M., Hammer R., Dong D. W. Auger and Ellipsometric Studies of Ultra-Thin PbO Growht on Lead // J. Electron Mater. 1973. V. 2. № l.P. 115−126.
  7. Eldridge J.M., Dong D. W. The Growht of Thin PbO layers on Lead Films. I. Experiment // Surface Sci. 1973. V. 40. № 3. P. 512−530.
  8. Eldridge J.M., Dong D. W. The Growht of Thin PbO layers on Lead Films. II. Theory // Surface Sci. 1973. V. 40. № 3. p. 531−544.
  9. Greiner J.H. Oxidation of Lead Films by RF Sputter Etching in an Oxigen Plasma // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. № 1. p. 32−37.
  10. Ю.Ю., Логачева B.A. Оксидирование тонкопленочного свинца // Химия, Теория и Технология. Воронеж: ВГУ. 2000. Вып. 4. С. 77−80.
  11. С.М. О самоорганизации межфазных границ кристаллических полупроводников//Поверхность. 1995. № 7−8. С. 12−19.
  12. С.А., Осипов А. В. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок // ФТТ. 1995. № 7. Т. 37. С. 2127−2132.
  13. С.А., Осипов А. В. Кинетика зарождения однокомпонентных пленок из расплавов и растворов // ЖТФ. 1995. Вып.6. Т. 65. С. 169−175.
  14. И.Н. Физико-химическая модель оксидирования полупроводников и металлов: Монография. Воронеж. Гос. технол. акад. Воронеж. 1997. 73 с.
  15. A.M. Лазерный метод формирования оксидных пленок на поверхности проводящих тел. Воронеж: ВГУ. 1997. 81 с.
  16. Lu G., Bernasek S.L., Schwartz J. Oxidation of a Polycrystalline Titanium Surface by Oxygen and Water // Surface Science. 2000. V. 485. P. 80−90.
  17. Yokota K., Yamada Т., Miyashita F. et al. Preparation of Titanium-Oxide Films by Solid-State Reactions of Titanium/Silicon-Oxide/Silicon Structure // Thin Solid Films. 1998. V. 334. P. 109−112.
  18. Р.Ф., Головко Э. И. Высокотемпературное окисление титана и его сплавов. Киев: Наукова думка. 1984. 255 с.
  19. В.А., Назаренко И. Н., Якимова Ю. Ю. Оксидирование пленок титана в структуре Si/Si02/Ti // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. № 2. С. 203−206.
  20. A.M. Лазерное оксидирование проводящих твердых тел: Дис.. д-ра физ. -мат. наук. Воронеж. 1990. 246 с.
  21. Н.В., Кириченко Н. А., Лукъянчук Б. С. Лазерная термохимия. М.: ЦентрКом. 1994. С. 199.
  22. Л.В., Ховив A.M., Анохин В. З. Термическое и лазерно-термическое окисление титана в интервале температур 773−973 К // Неорган. материалы. 1992. Т. 28. № 5. С. 1019−1021.
  23. И. С., Шибко А. Н. Исследование окисления пленок титана в зависимости от длины волны падающего УФ-облучения // Ж. неорган, химии. 1996. Т. 41. № 1. с. 37−38.
  24. A.M., Шибко А. Н. Влияние лазерного облучения на кинетику окисления пленок титана при термической обработке // Квантовая электроника. 1993. Т. 20. № 2. С. 191−193.
  25. Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат. 1972. С. 228.
  26. В.В., Сысоев В. Ф., Болдырев В. В. Механохимическая керамическая технология // ДАН. 1988. Т. 300. № 1. С. 448−449.
  27. Subbarao Е.С., Prasad V.C.S., Rao K.V. Ferroelectrics for Dielectric and Electrooptic Applications // Preparation and Characterisation of Materials/ Eds. J.M. Honig, C.N.R. Rao: Academ. Press. 1981. P. 217−247.
  28. В.В., Коростелева Т. В. Синтез титаната свинца // Изв. АН СССР. Сер. хим. наук. 1989. № 2. С. 87−91.
  29. В.В. Механохимический синтез титаната свинца. // Неорг. материалы. 1999. Т. 35. № 9. С. 1101−1107.
  30. Liand Y.X., Yao X. Lead Titanate Powders Derived from Hydrothermal Treatment // Sensors and Actuators A. 1993. V. 35. P. 255−258.
  31. Chien A.T., Sachleben J., Kim J.H. et al. Synthesis and Characterization of PbTi03 Powders and Heteroepitaxial Thin Films by Hydrothermal Synthesis // J. of Materials Research. 1999. V. 14. № 8. P. 3303−3311.
  32. Gelabert M.C., Laudise R.A., Riman R.E. Phase Stabillity, Solubility and Hydrothermal Crystal Growth //J. of Crystal Growth. 1999. V. 197. P. 195−203.
  33. Gelabert M.C., Gersten B.L., Riman R.E. Hydrothermal Synthesis of Lead Titanate From Complexed Precursor Solutions // J. of Crystal Growth. 2000. V.211.P. 497−500.
  34. Ф., ШиранеД. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир. 1965. С. 327−333.
  35. В.Г., Комаров В. Д., Лейдерман A.B., Фесенко Е. Г. Размерный эффект в изотермических кристаллах // ФТТ. 1998. Т. 40. № 8. С. 1546−1547.
  36. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир. 1981. С. 282.
  37. Okuyama М., Matsui К, Nakano Н. et al. Preparation of PbTi03 Ferroelectric Thin Films by RF Sputtering // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 18. № 8. P. 19 331 634.
  38. Lee J.K., ParkD., Cheong D.S. et al. Phase Development of Radio-Frequency Magnetron Sputter-Deposited Pb (Mgl/3 Nb2/3)03-PbTi03 (90/10) Thin Films // J. Vac. Sei. and Technol. P. A: Vacuum, Surfaces and Films. 2000. V. 18. № 4. P. 1659−1662.
  39. Lefort-Courtois V., Remiens D., Descamps M., Thierry B. Control of the Composition of (Pb, Ti)03 and Pb (Zr, Ti)03 Thin Films Obtained by RF Magnetron Sputtering Using a New Design of Target // J. European Ceramic Soc. 1999. V. 19. № 6−7. P. 1373−1377.
  40. Choi W. K., Choi S. K., Lee H.M. Relationship Between Domain Structure and Film Thickness in Epitaxial PbTi03 Films Deposited on MgO (OOl) by Reactive Sputtering//J. Mater. Research. 1999. V. 14. № 12. P. 4677−4684.
  41. Velu G., Haccart Т., Remiens D. Growth and Properties of PbTiC>3/Pb (Zr, Ti)03 Heterostructures Deposited by Sputtering on Si Substrates // Integrated Fer-roelectrics. 1999. V. 23. № 1. P. 1−14.
  42. Taguchi I., Pignolet A., Wang L. et al. Raman Scattering from РЬТЮ3 Thin Films Prepared on Silicon Substrates by Radio Frequency Sputtering and Thermal Treatment. J. Appl. Phys. 1993 V. 73. P. 394−399.
  43. B.H., Каптелов Е. Ю. Исследование кинетики фазового превращения пирохлора в перовскит в пленках Pb(ZrxTii.x)03, полученных высокочастотным магнетронным распылением//Поверхность. 1998. № 12. С.56−59.
  44. Wasa К., Haneda Y., Satoh. Т. et al. Sputtering Deposition of Perovskite Thin Films with Atomic-Scale Controlled Surface // Applied Surface Science. 1997. V. 121−122. P. 152−155.
  45. Kim S., Hang Y., Balk S. Sputter Deposition of Ferroelectric PbTi03 Thin Films // Ferroelectrics. 1994. V. 152. № 1−4. p. 1−6.
  46. Stemmer S., Streiffer S. K, Ernst F. et al. Domain Configurations in Ferroelectric PbTi03 Thin Films: The Influence of Substrate and Film Thickness // Solid State Ionics. 1995. V. 74. P. 43−48.
  47. Bornar V., Trolier-Mckinstry S. Phase Development in Pulsed Laser Deposited Pb (YbNb)03-PbTi03 Thin Films // Thin Solid Films. 2000. V. 370. № 1. P. 70−77.
  48. Bornand V., Trolier-McKinstry S. Structural and Dielectric Properties of Pulsed Laser Deposited Pb (YbNb)03-PbTi03 Thin Films // Materials Research Soc. Sym. Proceedings. 2000. V. 603. P. 143−148.
  49. Kim S., Park Y., Kang Y. et al. Ferroelectric Domains in Epitaxial PbTi03 and BaTi03 Thin Films on MgO (100) // Thin Solid Films. 1998. V. 312. P. 249−253.
  50. Kang Y.M., Bae S.C., Ku J. K, Baik S. Preparation of Epitaxial PbTi03 Thin Films by Pulsed Laser Deposition // Thin Solid Films. 1998. V. 312. P. 40−45.
  51. Qu B.D., Zhong W.L., Wang KM. et al. Ion-Beam-Assisted Depositon of Ferroelectric PbTi03 Thin Films // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 2896−2899.
  52. Huffman M., Kalkur T.S., Kammerdiner L. et al. Properties of Ferroelectric PbTi03 Films Grown in an Ionized Cluster Beam System // J. Vac. Sci. Tech-nol. A. 1993. V. 11. № 4. P. 1406.
  53. Zhu, J., Xiao D., Zen J. In Situ Deposition of Highly C-axis Oriented Lanthanum Modified Lead Titanate Thin Films by Multi-Ion-Beam Reactive Co-sputtering Technique // Crystal Research and Technol. 1999. V. 34. № 8. P. 989−993.
  54. Theis C.D., Yeh J., Schlom D.G. et al. Adsorption-Controlled Growth of PbTi03 by Reactive Molecular Beam Epitaxy // Thin Solid Films. 1998. V. 325. P. 107−114.
  55. Mochizuki S., Mihara Т., Ishida T. Preparation of PbTi03 Films on Conductive Oxide by Reactive Electron Beam Co-Evaporation // Ferroelectrics. 1996. V. 186. №. 1−4. P. 37−40.
  56. Kanno I., Hayashi S., Takayama R. et al. Processing and Characterization of Ferroelectric Thin Films by Multi-Ion-Beam Sputtering // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1996. V. 112. P. 125−128.
  57. Николаев В. И, Ваганова О. Ю., Томашполъский Ю. Я. Синтез пленок РЬТЮ3 раздельным испарением металлов // Неорган, материалы. 1997. Т. 33. № 7. с. 858−859.
  58. А.С., Сигов А. С., Ховив A.M. и др. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. С. 727−732.
  59. A.M., Сидоркин А. С., Яценко С. О., Яценко О. Б. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами // Неорган, материалы. 1998. Т. 34. № 4. С. 462−463.
  60. В.А., Туренко Е. А., Ховив A.M., Яценко О. Б. Фазовые превращения в тонкопленочной системе Si-Ti-Pb и синтез сегнетоэлектрических пленок. Неорган, материалы. 2001. Т. 37. № 5. С. 560−563.
  61. В.А., Якимова Ю. Ю. Синтез и свойства тонких слоев в системе Si-Ti-Pb // Химия. Теория и технология. Воронеж: ВГУ. 2000. Вып. 3. С. 112−116.
  62. О.Б., Логачева В. А., Туренко Е. А., Ховив A.M. Выращивание сегнетоэлектрических пленок титаната свинца на кремнии. Тез. Докл. IX Национальнальной конференции по росту кристаллов. Москва. 2000. С. 344.
  63. A.M., Логачева В. А., Якимова Ю. Ю. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии. Тез. Докл. IX Национальнальной конференции по росту кристаллов. Москва. 2000. С. 338.
  64. Hwang C.S., Kim H.J. Deposition and Characterization of PbTi03 Thin Films on Silicon Wafers Using Metalorganic Sources // J. Electronic Mater. 1993. V. 22. P. 707−716.
  65. Lee H. Y, Kim H.J. Chemical Vapor Deposition of PbTi03 Films onto Ti02-Si // J. Mater. Sci.: Mater. Electrics. 1991. V. 2. P. 183−186.
  66. Novozhilov M.A., Kaul A.R., Gorbenko O. Yu et al. Epitaxial Ferroelectric Capacitors Obtained by MOCVD // J. De Physique. IV: JP. 1999. V. 9. Pt 2. № 8. P. Pr8−629 Pr8−636.
  67. Schmidt C., Lehnert W., Leistner T. et al. MOCVD of Ferroelectric Thin Films // J. De Physique. IV: JP. 1999. V. 9. Pt 2. № 8. P. Pr8−575 Pr8−582.
  68. Hong L.S., Wei C.C. Kinetic Study of The Metalorganic Chemical Vapor Deposition of PbTi03 Films From Pb^HsVTiCi-C^HvyC^ Reaction System // Jap. J. Appl. Phys. Part 1. 2000. V. 39. № 8. P. 4964−4969.
  69. Funakubo H., Nagashima K, Shinozaki K, Mizutani N. Comparison of Deposition Behavior of Pb (Zr, Ti)03 Films and its End-Member-Oxide Films Prepared by MOCVD // Thin Solid Films. 2000. V. 368. № 2. P. 261−265.
  70. Fujisawa H., Shimizu M., Niu H. et al. Observations of Domain Structure at Initial Growth Stage of PbTi03 Thin Films Grown by MOCVD // Mater. Res. Soc. Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 321−326.
  71. Murugavel P., Sharma R, Raju A.R., Rao C.N.R. Study of Ferroelectric Thin Films Deposited on a LaNi03 Barrier Electrode by Nebulized Spray Pyrolysis // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. V. 33. № 8. P. 906−911.
  72. Liu X., Meng C., Chen F., Yang D. Study on Preparation of PbTi03NiTi Composite by Sol-Gel Method // J. Functional Mater. 2000. V. 31. № 3. P. 290−291.
  73. Cheng, S.D., Kam C.H., Zhou Y. et al. Sol-Gel Derived Nanocrystalline Thin Films of PbTi03 on Glass Substrate // Thin Solid Films. 2000. V. 375. № 12. P. 109−113.
  74. Li A., Wu D., Ge C. et al. Structural and Electrical Properties of PbTi03 Thin Films on Conductive Oxide LaNi03 Coated Si Substrates Prepared by Sol-Gel Method // Thin Solid Films. 2000. V. 375. № 1−2. P. 220−223.
  75. Bao. D., Zhang L., Yao X. Preparation and Structure of Preferentially Oriented PbTi03 Glass-Ceramic Thin Films by Sol-Gel Process // J. Mater. Research. 1999. V. 13. № l.P. 22−25.
  76. Yoon S.G., Kim KG. Preparation and Deposition Mechanism of Ferroelectric PbTi03 Thin Films by Chemical Vapor Deposition // J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135. P. 3138.
  77. Yoon S.G., ParkJ.D., Choi J.H., Kim KG. Preparation, Properties, and Characterization of Thin Ferroelectic Films of Lead Titanate // J. Vac. Sci. Tech-nol. A. 1991. V. 9. P. 281.
  78. Shimisu M., Fujisawa H., Shiosaki T. MOCVD of Pb-based Ferroelectrics Oxide Thin Films //J. Crystal Growth. 1997. V. 174. P. 464−472.
  79. Wang C. H., Choi D.J. Structural Characterization of Partially Crystallized Phases Embedded in Low Temperature MOCVD-Grown PbTi03 Thin Films // J. Mater. Science Letters. 2000. № 17. P. 1505−1508.
  80. Byun C., Jang J. W., Lee B. W. Correlation Between the Domain Structure and Ferroelectricity in PbTi03 Thin Films // Mater. Lett. 1998. V. 34. P. 308−311.
  81. Byun C., Jang J. W., Cho Y.J. et al. Low Temperature Synthesis of PbTi03 Thin Films by MOCVD Without carrier gas // Thin Solid Films. 1998. V. 324. P. 94−100.
  82. Endo A., Iwasaki A., Wakiya N. et al. Preparation and Properties of PbTi03-PbZr03 Thin Films by Pulsed MO-Source CVD Method // Key Engineering Materials. 2000. V. 181. P. 77−80.
  83. Tong M., Dai G., Gao D. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of PbTi03 Thin Films // Materials Letters. 2000. V. 46. № 2−3. P. 60−64.
  84. Holgado J.P., Caballero A., Espinos J.P. et al. Characterization by X-Ray Absorption Spectroscopy of Oxide Thin Films Prepared by Ion Beam-Induced CVD // Thin Solid Films. 2000. V. 377−378. P. 460−466.
  85. Wakiya N., Nagata S., Higuchi M. et al. Preparation of PbTi03 Thin Film by Mist Source Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (CVD) Using Heptane Solvent//Jap. J. Appl. Phys. Part 1. 1999. V. 38. № 9 B. P. 5326−5331.
  86. Tokita K., Okada F. Fabrication of PbTi03 Thin Films by Laser Metalorganic Chemical Vapor Deposition // Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research B. 1997. V. 121. P. 408−411.
  87. Leinen D., Caballero A., Fernandez A. et al. Structural Characterization of PbTi03 Thin Films Prepared by Ion Beam Induced CVD and Evaporation of Lead // Thin Solid Films. 1996. V. 272. P. 99−106.
  88. Chung S.W., Chung S.O., No K., Lee W.J. Crystalline Structures of the PbTi03 Films Prepared Using the ECR PECVD Method // Thin Solid Films. 1997. V. 295. P. 299−304.
  89. К.А., Сигов А. С., Туревская Е.И и др. Получение тонких сегнетоэлектрических пленок SrBi2Ta209 и BiTaC>4 методом химического нанесения из растворов //Микроэлектроника. 1999. Т. 28. № 3. С. 193−200.
  90. Мясникова Т.П., Fax С.Г., Бородин В. З. и др. Исследование изоструктурного фазового перехода в прозрачных пленках титаната свинца // Изв. Академии Наук. Сер. Физическая. 1992. Т. 56. № 10. С. 83−85.
  91. Bouquet V., Zanetti S.M., Foschini C.R. et al. in: Innovative Processing and Synthesis of Ceramic, Glasses, and Composites, Ceramic Transactions. V. 85. The Am. Ceram. Soc. Inc. Westerville. OH. 1998. P. 333.
  92. Sato K., Kikuta K., Iwamoto Y., Hirano S. Effect of UV-Irradiation on Processing of Lead Titanate Thin Film Derived From Photoreactive Pb-Ti. Precursor Modified With Alkanolamine // J. Ceramic Soc. Jap. 2000. V. 108. № 1263. P. 998−1002.
  93. Moon W.S., Chung H.J., Park S. et al. Effect of Lead Acetate Concentration on the Droplet Size in Liquid Source Misted Chemical Deposition // Thin Solid Films. 2000. V. 358. № 1. P. 86−89.
  94. Malic В., Kosec M., Smolej K., Stavber S. Effect of Precursor Type on the Microstructure of PbTi03 Thin Films // J. European Ceramic Soc. 1999. V. 19. № 6−7. P. 1345−1348.
  95. Гах С.Г., Мясникова Т. П., Бунина О. А., Юсман Т. А. Структура и оптические свойства тонких пленок титанатов свинца и бария // Неорган. материалы. 1995. Т. 31. № 3. С. 373−376.
  96. Pontes F.M., Rangel J.H.G., Leite E.R. et al. Low Temperature Synthesis and Electrical Properties of PbTi03 Thin Films Prepared by The Polymeric Precursor Method // Thin Solid Films. 2000. V. 366. P. 232−236.
  97. Blum J.В., Gurkovich S.R. Sol-Gel-Derived PbTi03 // J. Mater. Sci. 1985. V. 20. P. 4479.
  98. Budd K.D., Dey.S.K., Payne D.A. Sol-Gel Processing of PbTi03, PbZr03, PZT, and PLZT Thin Films // Br. Ceram. Proc. 1985. V. 36. P. 107.
  99. Lu C., Shen H.M., Wang Y.N. Grain Size Effect on The Phase Transitions in Oriented PbTi03 Thin Films Deposited by the Sol-Gel Method on (111) Pt/Si // Materials Letters. 1998. V. 34. P. 5−9.
  100. Xiong S.B., Ye Z.M., Liu J.M. et al. Crystallization of Amorphous Lead Titan-ate Thin Films by the Irradiation of KrF Excimer Laser // Appl. Surface Scence. 1997. V.109−110. P. 124−127.
  101. М.И., Турова Н. Я., Туревская Е. П. и др. О получении сегнетоэлектрических пленок титаната бария из алкоголятов металлов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1981. Т. 17. № 2. С. 301−309.
  102. Н.Я., Яновская М. И. Оксидные материалы на основе алкоголятов металлов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 5. С. 693 706.
  103. Н.Е. Получение тонких сегнетоэлектрических пленок по золь-гель технологии // Тез. докл. VI всесоюз. совещ. «Применение металлорганических соединений для получения неорганических покрытий и матариалов». Ч. И. Нижний Новгород. 1991. С. 10−11.
  104. Urlacher С., Marty О., Plenet J.С. et al. Structural and Microstructural Analyses of Sol-Gel Lead Titanate Optical Planar Waveguides // Thin Solid Films.1999. V. 349. P. 61−66.
  105. Lai Y.C., Lin J.C., Lee C. Nucleation and Growth of Highly Oriented Lead Titanate Thin Films Prepared by Sol-Gel Method // J. Appl. Phys. 1998. V. 125. P. 51−57.
  106. MengX., Cheng J., Ye H., Chu J. Characterization of the Crystallization Behaviors in the PbTi03 Thin Films on Si Substrates by an Infrared Spectroscopy Technique // Infrared Phys.&Technol. 2000. V. 41. P. 47−50.
  107. Bao D., Wu X., Zhang L. Yao X. Preparation, Electrical and Optical Properties of (Pb, Ca) Ti03 Thin Films Using a Modified Sol-Gel Technique // Thin Solid Films. 1999. V. 305. P. 30−37.
  108. Li A., Wu D., Ge C. et al. Structural and Electrical Properties of PbTi03 Thin Films on Conductive Oxide LaNi03 Coated Si Substrates Prepared by Sol-Gel Method // Thin Solid Films. 2000. V. 375. P. 220−223.
  109. Sol-Gel Technology for Thin Films, Fibers, Preforms, Electronics and Specialty Shapes / Ed. Klein L.C. Noyes Publications: Park Ridge, N.J., USA. 1988. P. 374−380.
  110. Xu Y., Mackenzie J.D. Ferroelectric Thin Films Prepared by Sol-Gel Processing // Integrated Ferroelectrics. 1992. V. 1. № 1. P. 17−42.
  111. Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. The Effect of Hydrolysis Conditions on the Characteristics of PbTi03 Gels and Thin Films // Materials Research Soceity. Symposia Proceeding. 1986. V. 73: Better Ceramics Through Chemistry II. P. 711−716.
  112. П.А., Меньших С. А., Рыбакова Л. Ф., Томашполъский Ю. Я. Получение сегнетоэлектрических пленок BaTi03 и PbTi03 модифицированным золь-гель методом // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 4. С. 470−475.
  113. Keijer М. Dormans G.J.M., Veldhoven P. J., Leeum D.M. Effect of Crystallite Size in PbTi03 Thin Films //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 3556−3558.
  114. Le Marrec F., Farhi R., Ariosa D. et al. PbTi03 Based-Multilayers: Growth Anomalies, X-Ray Analysis and Raman Spectroscopy // Proceedings of SPIE -The International Society for Optical Engineering. 2000. V. 4058. P. 303−312.
  115. Pontes F.M., Leite E.R., Longo E. et al. Correlation Between the Surface Morphology and Structure and the Photoluminescence of Amorphous PbTi03
  116. Thin Films Obtained by the Chemical Route // Advanced Materials for Optics and Electronics. 2000. V. 10. № 2. P. 81−89.
  117. Lee K.S., BaikS. Domain Structure of Epitaxial PbTi03 Thin Films: Effects of Substrate Selection and Film Thickness // Integrated Ferroelectrics. 1999. V. 25. № l.P. 61−69.
  118. Was a K., Ai R., •Ichikawa Y. et al. Thin Film Effects in the Ferroelectric PbTi03 // Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. V. 2. P. 999−1003.
  119. Kim T.W., Yoon Y.S., Yoon S.S. et al. Structural Properties and Interfacial Layer Fotmation Mechanisms of PbTi03 Thin Films Grown on p-Si Substrates // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 20. P. 763−769.
  120. ParkJ.H., Trolier-McKinstry S. Dielectric and Transverse Piezoelectric Characterization of Sol-Gel Derived Pb (Mgl/3Nb2/3)03-PbTi03(70/30) Films with {100} and {111} Textures I I Mater. Research Soc. Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 511−516.
  121. Chen C., Ryder D.F., Spurgeon W.A. Synthesis and Microstructure of Highly Oriented Lead Titanate Thin Films Prepared by a Sol-Gel Method. // J. Am. Ceram. Soc. 1989. V. 72. P. 1495.
  122. Kushida K., Udayakumar K.R., Krupanidhi S.B., Cross L.E. Origin of Orientation in Sol-Gel Derived Lead Titanate Films. J. Am. Ceram. Soc. 1993. V. 76. P. 1345.
  123. Ma W., Zhang M., Sun L. et al. Thickness and Substrate Effects of Epitaxial PbTi03 Thin Films // Ferroelectrics. 1998. V. 23. № 5−6. P. 153−164.
  124. Ai R., Ito H., Asayama G. Et al. Effects of Cooling Rates on the Crystal Orientation of Sputtered Pb-Ti-0 Thin Films // Proceedings of SPIE The International Society for Optical Engineering. 2000. V. 4058. P. 426−433.
  125. Yoon Y.S., Yom S.S., Kim T.W. et al. Improvement of the Crystallinity in PbTi03 Films Grown on Indium Tin Oxide-coated Glass by Metalorganic
  126. Chemical Vapor Deposition Using the Continuous Cooling Process // Applied Surface Sei. 1996. V. 93. P. 285−289.
  127. Cury I.R., Tadashi S., Toshihisa H., Kazumi M. Nb-Doped PbTi03 Films Deposited on MgO Substrates // Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. V. 2. P. 1005−1008.
  128. Hovsepyan R.K.,'Kafadaryan E.A., Vardanyan E.S. et al. Infrared Reflectivity Study of the Cu-Doped PbTi03 and PbZro.52Tio.4sO3 Ferroelectric Thin Films // Proceedings of SPIE The International Society for Optical Engineering. 2000. V. 406. P. 148−153.
  129. Meng X, Cheng J., Ye H. et al. Infrared Reflection Spectra and Phonon Modes of PbTi03 Polycrystalline Thin Film // J. Infrared and Millimeter Waves. 1999. V. 18. № 5. P. 392−396.
  130. JJchida H., Saiki A., Wakiya N. et al. Effect of the Residual Stress Induced by External Stress Application on Dielectric Properties of Epitaxial Lead Titan-ate Film // J. Ceramic Soc. Jap. 2000. V. 108. № 125. P. 21−25.
  131. Pertsev N.A., Zembilgotov A.G., Tagantsev, A.K. Equilibrium States and Phase Transitions in Epitaxial Ferroelectric Thin Films // Ferroelectrics. 1999. V. 223. № 1−4. P. 79−90.
  132. Chang C.C. Effect of Annealing on PbTi03 Thin-Films Quality Improvement // Thin Solid Eilms. 1997. V. 311. P. 304−309.
  133. Mihara T., Mochizuki S., Ishida T. et al. Low Temperature Crystallization of PbTi03 Thin Film by Excimer Laser Irradiation I I Materials Research Society Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 557−561.
  134. Rabe K.M., Ghosez P. Ferroelectricity in PbTi03 Thin Films: a First Principles Approach // J. Electroceramics. 2000. V. 4. № 2. P. 379−383.
  135. WasaK., Haneda Y., Sato T. et al. Single Domain/Single Crystal Ferroelectric PbTi03 Thin Films // Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium. 1998. V. LP. 619−624.
  136. Maeda M., Ishida H., Soe K.K.K., Suzuki I. Preparation and Properties of PbTi03 Films by Sol-Gel Processing // Japn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 9B. P. 4136−4140.
  137. Cho C.R., Jang M.S., JeongS.Y. et al. The Study of the Ferroelectrics ATi03 (A=Ba, Pb) Thin Films Fabricated by Sol-Gel Processing // Ferroelectrics. 1994. V. 152. P. 37−42.
  138. Li H., Tang X., Li Q. et al. Optical Functions of Ca-Modified PbTi03 Thin Films Determined by Spectroscopic Ellipsometry // Solid State Communications. 2000. V. 114. № 6. P. 347−350.
  139. Mansingh A., Nayak R., Gupta V., Sreenivas K. Surface Acoustic Wave Propagation in PZT/YBC0/SrTi03 and PbTi03/YBC0/SrTi03 Epitaxial Het-erostructures // Ferroelectrics 1999. V. 224. № 1−4. P. 275−282.
  140. MengX., Huang Zhiming., Ye H. et al. Optical Properties of Sol-Gel Derived PbTi03 and PbZr!.xTix03 Ferroelectric Thin Films // Mater. Res. Soc. Symposium Proceedings. 1999. V. 541. P. 723−728.
  141. Dogheche E., Remiens D. Deposition and Optical Characterization of Lead-Based Ferroelectric Films for Integrated Optics // Integrated Ferroelectrics. 1999. V. 25. № l.P. 71−82.
  142. Ren T., Zhang L., Liu L. et al. Electrical Properties of a Silicon-Based PT/PZT/PT Sandwich Structure // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. V. 33. № 15. P. L77-L79.
  143. Hovsepyan R.K., Kafadaryan E.A., Vardanyan E.S. et al. Far-Infrared Conductivity of the PbZro.52Tio.48O3 and Cu-Doped PbTi03 Ferroelectric Thin Films // Thin Solid Films. 2000. V. 364. № 1. P. 284−286.
  144. Wang Y.G., Reeves M.E., Chang W. et al. Near-Field Imaging of the Microwave Dielectric Properties of Single-Crystal PbTi03 and Thin-Film SrixBaxTi03 // Mater. Res. Soc. Symposium-Proceedings. 2000. V. 603. P. 289−294.
  145. Okada A. Some Electrical and Optical Properties of Ferroelectric Lead-Zirconate, Lead-Titanate Thin Films // J. Appl. Phys. 1997. V. 48. № 7. P. 2905−2909.
  146. . С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. 72 с.
  147. В.А., Якимова Ю. Ю. Оценка параметров отражающей системы по результатам эллипсометрии на одном угле падения излучения // Химия, Теория и Технология. Воронеж: ВГУ. 1999. Вып. 1. С. 63−66.
  148. И. Н., Дорофеев Д. Л. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления // Вестник ВГУ, сер. Химия-Биология, 2001. № 1, С. 137−143.
  149. Ю. И., Лаврентьев К. А., Седов А. Н., Чуриков А. А. и др. Современные проблемы эллипсометрии. Новосибирск. 1980. С. 71−78.
  150. С. И. Методы измерения основных параметров полупроводников // Воронеж: Изд-во ВГУ. 1989.
  151. В. М., Кучумов Б. М., Салъман Е. Г. Строение и свойства структур Si Si02. Новосибирск: Наука. 1981. 96 с.
  152. Я.А., Анохин В. З., Миттова И. Я. и др. Инициированное окисление кремния. Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1974. Т. 10. № 4. С. 726−728.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!