Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров схемотехнических моделей полупроводниковых структур

Диссертация: Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров схемотехнических моделей полупроводниковых структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Расчёт в проекте осуществляется после нажатия кнопки «Расчёт» окна «Работа с проектом пользователя», рисунок 5.22. Сначала формируется файл для расчета, куда записываются все описания моделей и все схемы из поля «Схема РЭрюе». Затем запускается программа расчёта. Если было выведено сообщение об ошибке во время расчёта необходимо: а) определить место возникновения ошибки. Для этого надо… Читать ещё >

Содержание

  • 1. МЕТОДЫ ИДЕНТИФИКАЦИИ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ КОМПОНЕНТОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
    • 1. 1. Средства САПР электронных схем
    • 1. 2. Модели компонентов электронных схем
      • 1. 2. 1. Модели биполярных транзисторов
      • 1. 2. 2. Модели МОП транзисторов
    • 1. 3. Методы идентификации параметров моделей
      • 1. 3. 1. Библиотеки моделей микроэлектронных приборов
      • 1. 3. 2. Общие принципы идентификации параметров моделей по экспериментально измеренным характеристикам
      • 1. 3. 3. Методы упрощения нелинейных уравнений модели
      • 1. 3. 4. Методы формирования целевых функций
    • 1. 4. Методы оптимизации
      • 1. 4. 1. Метод сопряженных направлений Пауэлла
      • 1. 4. 2. Методы Дэвидона-Флетчера-Пауэлла и
  • Бройдена-Флетчера-Шанно
    • 1. 4. 3. Метод Левенберга-Маркварта
    • 1. 4. 4. Оптимизация с ограничениями: метод штрафных функций
    • 1. 5. Выводы
  • 2. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММНО-УПРАВЛЯЕМОГО ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО КОМПЛЕКСА
    • 2. 1. Традиционные методы измерения характеристик на постоянном токе
      • 2. 1. 1. Метод вольтметра — амперметра
      • 2. 1. 2. Измерения с помощью характериографа
    • 2. 2. Постановка задачи
    • 2. 3. Автоматизированный измерительный комплекс
      • 2. 3. 1. Интерфейсная плата НВЛ
      • 2. 3. 2. Управляемый источник напряжения
      • 2. 3. 3. Управляемый источник тока
      • 2. 3. 4. Измеритель тока
      • 2. 3. 5. Измеритель напряжения
      • 2. 3. 6. Цифровое устройство управления
    • 2. 4. Проведение измерений
      • 2. 4. 1. Измерение вольт-амперных характеристик двухполюсников
      • 2. 4. 2. Измерение статических характеристик транзисторов
    • 2. 5. Обработка результатов измерений
    • 2. 6. Программное обеспечение для управления измерительным комплексом
    • 2. 7. Выводы
  • 3. ИДЕНТИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
    • 3. 1. Задача идентификации параметров нелинейной модели
    • 3. 2. Идентификация параметров модели диода
      • 3. 2. 1. 8Р1СЕ-модель диода
      • 3. 2. 2. Алгоритм идентификации параметров модели диода
      • 3. 2. 3. Апробация методики
    • 3. 3. Идентификация модели биполярного транзистора
      • 3. 3. 1. 8Р1СЕ-модель биполярного транзистора
      • 3. 3. 2. Алгоритм определения параметров модели биполярного транзистора
      • 3. 3. 3. Апробация методики
    • 3. 4. Идентификация параметров модели МОП-транзистора
      • 3. 4. 1. 8Р1СЕ-модель МОП-транзистора первого уровня
      • 3. 4. 2. Алгоритм идентификации параметров модели первого уровня
    • 3. 5. Выводы
  • 4. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА ПО ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ
    • 4. 1. Моделирование температурных зависимостей сопротивлений резистивных и квазинейтральных слоев
    • 4. 2. Основные аналитические зависимости, используемые при расчете температурных коэффициентов
      • 4. 2. 1. Распределение примесей
      • 4. 2. 2. Подвижность носителей заряда
      • 4. 2. 3. Собственная концентрация носителей заряда
    • 4. 3. Апробация методики расчета температурных коэффициентов
      • 4. 3. 1. Тестовые структуры
      • 4. 3. 2. Измерение и расчет температурных коэффициентов диффузионных слоев
    • 4. 4. Расчет параметров модели биполярного транзистора
      • 4. 4. 1. Время жизни и диффузионная длина
      • 4. 4. 2. Моделирование эффекта эмиттерного выдавливания
      • 4. 4. 3. Коэффициент усиления
      • 4. 4. 4. Ток насыщения, токи перехода к высокому уровню инжекции и время пролета базы
      • 4. 4. 5. Параметры областей объемного заряда
      • 4. 4. 6. Напряжения Эрли
      • 4. 4. 7. Сопротивления нейтральных областей
    • 4. 5. Апробация методики расчета параметров модели биполярного транзистора по электрофизическим характеристикам
    • 4. 6. Выводы
  • 5. БАЗА ДАННЫХ МОДЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
    • 5. 1. Определение требований к СУБД
    • 5. 2. Использование СУБД элементов ЭТ в качестве ядра АРМ схемотехника
      • 5. 2. 1. Определение требований к АРМ схемотехника
      • 5. 2. 2. Структура интегрированной САПР
    • 5. 3. Разработка БД элементов электронной техники
      • 5. 3. 1. Структура программы БД
      • 5. 3. 2. Разработка алгоритма функционирования БД
      • 5. 3. 3. Программирование БД в среде СУБД FoxPro
      • 5. 3. 4. Структура данных
    • 5. 4. Работа с СУБД элементов электронной техники
      • 5. 4. 1. Условия выполнения программы
      • 5. 4. 2. Установка и конфигурирование программы
      • 5. 4. 3. Запуск и работа с программой
      • 5. 4. 4. Редактирование БД биполярных транзисторов
      • 5. 4. 5. Работа с базой данных
      • 5. 4. 6. Связь с программой САПР PSpice
      • 5. 4. 7. Работа с проектом пользователя

Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров схемотехнических моделей полупроводниковых структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Сложность изделий микроэлектроники, включающих в себя миллионы активных и пассивных компонентов, предъявляет повышенные требования к средствам автоматизированного проектирования. Прежде всего это касается моделирования элементов ИС поскольку прогрессивное снижение топологических норм обуславливает нелинейный характер процессов токопереноса и, как следствие, необходимость учета большого количества нелинейных эффектов для адекватного моделирования протекающих в них процессов. Развитие средств автоматизированного проектирования привело к создания специального класса моделей полупроводниковых приборов и элементов ИС, известных под названием БРЮЕ-моделей. Они представляют собой универсальные нелинейные физические модели, на базе которых можно достаточно легко перейти к любой традиционной системе параметров полупроводниковых приборов, включая малосигнальные модели г, у или Ь-параметров. Количество параметров, необходимых для описания таких моделей! определяется уровнем развития технологии, характеризуемой величиной топологической нормы. Для 8Р1СЕ-моделей МОП транзисторов, используемых в качестве элементной базы современных микропроцессоров и схем памяти, оно приближается к сотне.

На сегодняшний день большинство крупных зарубежных фирм-произво дителей микроэлектронных компонентов наряду с традиционным способом представления параметров выпускаемых приборов дает в руки разработчиков их 8Р1СЕ-модели. Современные пакеты автоматизированного проектирования, являясь в основном зарубежными разработками, включают в себя обширные библиотеки моделей компонентов электронной техники, выпускаемых иностранной промышленностью. Однако в библиотеках БРЮЕ-моделей заданы усредненные параметры прибора и, как правило, не указан их допустимый разброс. Что касается отечественных полупроводниковых приборов, то большинство из них пока не имеют 8Р1СЕ-моделей. Поэтому для использования современных САПР при разработке схем, содержащих микроэлектронные компоненты отечественного производства, необходимо создание адекватных им 8Р1СЕ-моделей с последующей реализацией на их базе библиотек отечественных компонентов. В этой связи принципиальное значение приобретает разработка методик измерения и идентификации параметров 8Р1СЕ-моделей.

Для проведения эффективного и точного моделирования электронных схем необходимо обеспечение следующих возможностей:

— наличие обширных библиотек моделей;

— возможность модификации моделей библиотечных элементов;

— создание иерархии моделей, позволяющих выбирать между точностью и скоростью расчета;

— наличие средств построения моделей, так как ни одна библиотека не может содержать полный набор моделей, удовлетворяющий всех пользователей;

— наличие измерительных средств, позволяющих проводить измерения характеристик приборов с целью создания моделей.

Успешное решение задачи идентификации параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов в существенной степени определяется измерительной базой, методом аппроксимации, способом формирования целевой функции и используемыми методами нелинейной оптимизации. Анализ эффективности методов нелинейной регрессии необходимо проводить для широкого круга приборов, так как эффективность того или иного метода в значительной степени зависит от вида целевой функции, которая в данной задаче определяется характеристиками приборов и методами измерения.

В большинство публикаций, посвященных вопросам идентификации параметров SPICE-моделей, рассматриваются в основном проблемы расчета параметров модели МОП транзистора и мало внимания уделяется биполярным транзисторам. Практически важным является интеграция методов идентификации параметров моделей с измерительными приборами в единый комплекс.

Цель данной работы — разработка методик измерения и идентификации статических параметров SPICE-моделей полупроводниковых и микроэлектронных приборов.

Для достижения поставленной цели ставились следующие задачи:

— разработка автоматизированного измерительного комплекса, работающего под управлением персонального компьютера IBM PC и обеспечивающего измерение статических вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов;

— разработка методик идентификации параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов на основании измеренных вольт-амперных характеристик;

— адаптация методов безусловной оптимизации к решению задачи идентификации параметров SPICE-моделей полупроводниковых приборов, анализ эффективности ряда методов оптимизации при решении данной задачи;

— разработка программного обеспечения, обеспечивающего управление измерительным комплексом, обработку экспериментальных результатов и проведение идентификации параметров моделей;

— разработка методики расчета параметров моделей компонентов биполярных интегральных схем на основании информации об их электрофизических и топологических параметрах;

— разработка системы управления базой данных полупроводниковых элементов, интегрирующей программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации параметров SPICE-моделей и стандартные средства САПР в единую систему.

Для решения поставленных задач использовались следующие методы. С целью сопряжения аналогового измерительного комплекса с персональным компьютером использовались аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи, обменивающиеся данными с компьютером через шину ISA. За основу метода нелинейного моделирования взят метод наименьших квадратов. Для минимизации целевой функции использовались метод сопряженный направлений Пауэлла, методы переменной метрики Бройдена — Флетчера — Шанно и Дэ-видона — Флетчера — Пауэлла, а также ньютоновский метод Левенберга — Мар-кварта. Использовался методы штрафных функций для задания ограничений области определения целевой функции. Применялись оригинальные методы декомпозиции целевой функции, позволяющие повысить эффективность оптимизации.

Решение поставленных задач осуществлялось автором на кафедре физики твердого тела и микроэлектроники Новгородского государственного университета.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Выход.

I.

Рисунок 5.27 — Работа с интегральными транзисторами.

5.4.7.6 Расчёт и просмотр результатов расчёта.

Расчёт в проекте осуществляется после нажатия кнопки «Расчёт» окна «Работа с проектом пользователя», рисунок 5.22. Сначала формируется файл для расчета, куда записываются все описания моделей и все схемы из поля «Схема РЭрюе». Затем запускается программа расчёта. Если было выведено сообщение об ошибке во время расчёта необходимо: а) определить место возникновения ошибки. Для этого надо просмотреть выходной файл вызываемый кнопкой «Ошибка ?" — б) исправить ошибку в моделях или описании схемыв) повторить расчёт схемы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании проведенных исследований методов определения параметров 8Р1СЕ-моделей полупроводниковых приборов установлено следующее.

1. Предложена методика расчета ряда параметров физических моделей диодов, биполярных и полевых транзисторов по измеренным вольт-амперным характеристикам. Разработаны методы уменьшения размерности пространства функций, представляющих математические модели диодов и биполярных транзисторов, позволяющие использовать для решения задачи идентификации параметров моделей методы безусловной оптимизации.

2. Разработано программное обеспечение для определения параметров 8Р1СЕ-моделей полупроводниковых диодов, биполярных и полевых транзисторов по вольт-амперным характеристикам.

3. Предложен метод расчета температурных коэффициентов диффузионных слоев по их электрофизическим параметрам. Разработано программное обеспечение, реализующее данный метод.

4. Разработана автоматизированная измерительная установка и методика измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов. Реализовано программное обеспечение для управления измерительной установкой.

5. Реализована система управления базой данных моделей полупроводниковых приборов, объединяющая разработанные аппаратные и программные средства в единый комплекс идентификации параметров 8Р1СЕ-моделей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ.
  2. . Усовершенствованные САПР электронных схем на базе ПЛИС // Электроника. — 1989. — № 8. — с. 61−67.
  3. Д., Дамьян Ж. Программируемые логические ИС — серьезный конкурент вентильных матриц на рынке специализированных ИС // Электроника. — 1991. — № 13. — с. 55−57.
  4. Л. Набор инструментальных средств проектирования вентильных матриц, программируемых пользователем // Электроника. — 1992. — № 7−8. —с. 69−71.
  5. В. Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice)
  6. The Design Center. Circuit Analysis Reference Manual. MicroSim Corporation, 1994. — 560 p.
  7. Banzhaf W. Computer aided circuit analysis using SPICE. — Prentice Hall, 1989.
  8. Л. Программа аналогового моделирования схем с предельной сложностью более 50 тыс. транзисторов // Электроника. — 1991. — № 13. — с. 68−69.
  9. В. Д., Блохин С. М. Система PCAD 8.5. Руководство пользователя. — М: ООО «ИЛЕКСА», 1996. — 288 с.
  10. Л. Дальнейшее расширение функциональных возможностей САПР // Электроника. — 1991. — № 11−12. — с. 15−23.
  11. Ганн Л. CFL вырабатывает важные стандарты на средства САПР электроники // Электроника. — 1989. — № 25. — с. 53−54.
  12. Ф. Высокоразвитая система автоматизированного проектирования аналоговых ИС // Электроника. — 1989. — № 26. — с. 46−51.
  13. Управление данными проектирования средствами инфраструктуры САПР // Электроника. — 1991. — № 11−12. — с. 23−31.
  14. Р. К., Хилберт Дж. Л. Проектирование интегральных схем: направления и проблемы // ТИИЭР. — 1990. — Т. 78. — № 2. — с. 213−235.
  15. Ullman J. D. Principles of Database Systems. — Rockville. — MD: Computer Press, 1982.
  16. Д. С., Ньютон А. Р., Спикелмайр P. JL, Барнс Т. Дж. Среда САПР для проектирования интегральных схем и электронных схем // ТИИЭР.1990. — Т. 78, — № 2.— с. 185−212.
  17. Ю. Н., Руденко А. А., Топузов И. Г. Проблемы интеграции данных в САПР БИС // Микроэлектроника. — 1989. — Вып. 3. — 80 с.
  18. Silburt A. L., Laurent R. S. Interactive Circuit Simulation and Model Parameter Extraction for the CAD Work Station // IEEE Custom Integrated Circuit Conference. —NY. — 1984. — p. 221−225.
  19. E. А., Мозговой Г. П., Силин В. Д. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем.
  20. М: Радио и связь, 1985. — 144 с.
  21. I. Е. Modeling the Bipolar Transistor. — Amsterdam: Elsevier Scientific Publishing Company, 1978 — 261 p.
  22. Ashburn P. Design and realization of bipolar transistors. — NY: John Wiley & Sons. — 198 p.
  23. Sischka F. Eine Methode zur Bestimmung der SPICE-Parameter fiir bipolar Transistoren // AEU. — 1985. — B. 39. — №. 4. — p. 225−232.
  24. P., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. — Пер. с англ.1. М: Мир, 1989. —630 с.
  25. У., Лаксон Дж. Интегральные схем: Материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. — М: Мир, 1985. — 501 с.
  26. Ebers J. J., Moll J. L. Large-Signal Behavior of Junction Transistors. — Proc. IRE. —Dec. 1954, —V. 42. —p. 1761−1762.
  27. H. К., Poon H. C. An Integral Charge Control Model of Bipolar Transistor. — Bell Syst. Tech. J. — May 1970. — V. 49. — p. 827−852.
  28. Nagel L. W. SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor Circuits. — Electronics Research Laboratory Report. — № ERL-M520, Berkeley: University of California. — 1975.
  29. Hodges D. A., Schichman H. Modeling and Simulation of Insulated-Gate Field-Effect Transistor Switching Circuits // IEEE Solid-State Circuit. — 1968. — V. SC-2. —p. 285.
  30. Л. Стандартизация и интеграция инструментальных средств — главные темы выставки-конференции по САПР // Электроника. — 1990. — № 12−13. —с. 18−24.
  31. Ф. Смешанное моделирование: проблемы и решения // Электроника. — 1993. — № 9−10. — с. 41−48.
  32. Д. Сквозное моделирование звукочастотных схем с помощью пакета SPICE // Электроника. — 1992. — № 5−6. — с. 17−23.
  33. G. М., Ronan Н. R., Wheatley С. F. A SPICE II Subcircuit Representation for Power MOSFETs Using Empirical Methods // RCA Review. — 1985. — V. 46. — № 9. — p. 308−320.
  34. Tekeira B. Modeling of Bipolar Power Transistors for CAD // IEEE Journal of Solid State Circuit. — 1982. — V. 24. — № 5. — p. 29−33.
  35. Chung S. S., Lin T. S., Chen Y. G. An Improved I-V Model of Small Geometry MOSFETs for SPICE // IEEE Custom Integrated Circuits conference. — 1989. —p.9.5.1−9.5.4.
  36. Doyle D. J., Lane W. A. Circuit Modeling of Bipolar Transistors for BiCMOS // IEEE Journal of Solid State Circuit. — 1989. — V. 24. — № 1. — p. 189−193.
  37. Yang P., Chatterjee P. K. SPICE Modeling for Small Geometry MOSFET Circuit // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1982. — V. CAD-1. — № 4. — p. 169−182.
  38. О., Кавано Д. Моделирование с помощью программы SPICE // Электроника. — 1989. — № 8. — с. 43−48.
  39. Kit Man Cham, Soo-Young Oh, Daeje Chin, Moll J. L. Computer-Aided Design and VLSI Device Development. — Hingham: Kluwer Academic Publishers, 1985. —315 p.
  40. Engl W. L., Dirks H. K. Functional Device Simulation by Merging Numerical Building Blocks, Numerical Analysis of Semiconductor Devices and Integrated Circuits // Proc. of NASECODE II Conference. — Dublin, 1981. — p. 34−62.
  41. Engl W.L., Laur R., Dirks H. K. MEDUSA — A Simulator for Modular Circuits // IEEE Trans. Computer-Aided Des. — 1982. — V. CAD-1. — p. 85−93.
  42. Process and Device Modeling / Edited by W. L. Engle. — Amsterdam: Elsevier Scientific Publishing Company, 1986. — 461 p.
  43. Jl. Методика и технология построения точных поведенческих моделей СБИС // Электроника. — 1993. — № 18. — с. 19−23.
  44. Selberherr S., Schiitz A., Potzl H. W. MINIMOS — A Two-Dimensional MOS Transistor Analyzer // IEEE Journal of Solid State Circuits. — 1980. — V. SC-15, —№ 4,—p. 605−615.
  45. Engl W. L., Dirks H. K., Meinerzhagen B. Device Modeling // Proc. of the IEEE. — 1983. — V. 71. — № 1.—p. 10−33.
  46. В. И. Моделирование тока генерации-рекомбинации носителей заряда в р-n переходе // Микроэлектроника. — 1994. — Т. 23. — Вып. 2. — с. 50−56.
  47. В. И. Об использовании уравнений переноса частиц при моделировании биполярных транзисторов // Микроэлектроника. — 1994. — Т. 23. — Вып. 2. — с. 39−50.
  48. Kiyoyuki Yokoyama, Akira Yoshii, Tohru Adachi, Ryota Kasai Application of Fletcher-Powell's Optimization Method to Process/Device Simulation of MOSFET Characteristics // Solid-State Electronics. — 1982. — V. 25. — № 3. — p. 201−203.
  49. Ward D. E., Doganis K. Optimized Extraction of MOS Model Parameters // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems.1982. — V. CAD-1. — № 4. — p. 163−168.
  50. Cahill C. G., McCarthy K., Lane W. A. MOS Model Parameter Extraction Techniques: A Comparison // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1985. — V. CAD-4. — № 4. — p. 16−29.
  51. Doganis K., Scharfetter D. L. General Optimization and Extraction of 1С Device Model Parameters // IEEE Transaction on Electron Devices. — 1983. — V. ED-30. — № 9. — p. 1219−1228.
  52. Yang P., Chatterjee P. K. An Optimal Parameter Extraction Program for MOSFET Models // IEEE Transaction on Electron Devices. — 1983. — V. ED-30.9. —p. 1214−1219.
  53. Conway P., Cahill C. G., Lane W. A., Lidholm S. U. Extraction of MOSFET Parameters Using the Simplex Direct Search Method // IEEE Transaction on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Systems. — 1985. — V. CAD-4.4. —p. 694−698.
  54. De La Moneda F. H., Kotecha H. N. Shatzkes M Measurement of MOSFET Constants // IEEE Electron Device Letters. — 1982. — V. EDL-3. — № 1. — p. 10−12.
  55. Pieczynski J., Vogt H. Automatic Parameter Extraction System with Process Failure Diagnostics for CMOS Process // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. — 1989. — V. 2. — № 1. — p. 205−210.
  56. Bendix P. Subtleties of SPICE MOSFET Parameter Extraction // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. — 1989. — V. 2. — № 1. — p. 65−68.
  57. В. В. Решение задач аппроксимации с помощью персональных компьютеров. — М: МИКАП, 1994. — 382 с.
  58. С. Г. Регрессионное моделирование при обработке наблюдений. — М: Наука, 1991.
  59. Н. С., Жидков Н. П., Кобельков Г. М. Численные методы. — М: Наука, 1987.
  60. Fernandez J., Hidalgo S., Berta F., Paredes J., Rebollo J., Millan J., Serra-Mestres F. Parameter Extraction for a SPICE II VDMOS Model // Proc. IEEE Conference on Microelectronic Test Structures. — 1989. — V. 2. — № 1. — p. 35−37.
  61. Destine J. Estimation des parametres statiques d’un modele de transistor a effet de champ par une methode d’optimalisation // Journee d’etude de SITEL. — 1982. —p. 45−54.
  62. Hornung R. Discrete Minimax Problem: Algorithms and Numerical Comparisons // Computing. — 1982. — V. 28. — № 2. — p. 139−154.
  63. Sussman-Fort S. E. Approximate Direct-Search Minimax Circuit Optimization // International Journal for Numerical Methods in Engineering. — 1989. — V. 28.—p. 359−368.
  64. Д. Прикладное нелинейное программирование. — M: Мир, 1975. —534 с.
  65. Г., Рейвиндран А., Регсдел К. Оптимизация в технике: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. — М: Мир, 1986. — 349 с.
  66. Г., Рейвиндран А., Регсдел К. Оптимизация в технике: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. — М: Мир, 1986. — 320 с.
  67. Cuthbert Т. R. Optimization Using Personal Computers. — NY: John Willey & Sons, 1987. — 474 p.
  68. Ф., Мюррей У., Райт M. Практическая оптимизация: Пер. с англ. — М: Мир, 1985. — 509 с.
  69. В. Н., Петров М. Н. Автоматизированный измеритель статических параметров полупроводниковых приборов // Измерительная техника. — 1996, —№ 12, —с. 22−26.
  70. В. Н., Петров М. Н. Автоматизированный характериограф // Вестник НовГУ. — 1996. — № 3. — с. 101−102.
  71. В. Н. Автоматизированный измеритель статических характеристик полупроводниковых приборов // Тез. докл. межвуз. конференции «Электроника и информатика»: Москва, 1997.
  72. Математика и САПР: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с франц. / Жермен-Лакур П., Жорж П. Л., Пистр Ф., Безье П. — М: Мир, 1989. — 264 с.
  73. Feiring В., Phillips D., Hogg G. Computational Experience with an Exact Penalty Function Technique // Computers and Industrial Engineering. — 1981. — V. 5. —№ 3.—p. 205−216.
  74. Ross G. J. Uses of non-linear Transformation in non-linear Optimization Problems // Proc. Comput. Statist. 4-th Symp. — Edinburgh. — 1980. — p. 382−388.
  75. И. Операционные усилители: Пер. с англ. — М.: Мир, 1982. — 512 с.
  76. П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 2-х т. Т.1: Пер. с англ. — М.: Мир, 1983. — 590 с.
  77. Дж. Электронные схемы: Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 343с.
  78. А. Дж., Волш В. Аналоговая электроника на операционных усилителях: Пер. с англ. — М.: Бином, 1994. — 352 с.
  79. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBM РС: Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера. — М.: Мир, 1992.
  80. М., Сидман А. Г. Практическое руководство по расчетам схем в электронике: Справочник. В 2-х т. Т. 1: Пер. с англ. / Под ред. Ф. Н. Покровского. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 368 с.
  81. Кар Дж. Проектирование и изготовление электронной аппаратуры: Пер. с англ. — М.: Мир, 1986. — 387 с.
  82. Г. Д., Марков Б. Н. Основы метрологии. — М.: Изд-во стандартов, 1972. —318 с.
  83. М. С., Фридман А. Э., Кудряшова Ж. Ф. Качество измерений: Метрологическая справочная книга. — Л.: Лениздат, 1987. — 295 с.
  84. Дж., Шнабель Р. Численные методы безусловной оптимизации и решения нелинейных уравнений. М.: Мир, 1988. — 440 с.
  85. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. — Кн. 1.— М.: Мир, 1984. —456 с.
  86. В. Н., Петров М. Н. Программные компоненты интегрированной сквозной САПР ИМС: Моделирование и идентификация параметров SPICE-моделей МОП транзисторов: Учеб. пособие / НовГУ им. Ярослава Мудрого. — Новгород, 1997. — 63 с.
  87. В. Н., Петров М. Н. Расчет параметров модели интегрального диффузионного резистора. — М., 1993. — 8 с. — Деп. в ВИНИТИ 16.04.93, № 1003-В93.
  88. В. Н., Петров М. Н. Программные компоненты интегрированной сквозной САПР ИМС: Проектирование, моделирование и анализ параметров интегральных резисторов: Учеб. пособие / НовГУ им. Ярослава Мудрого. — Новгород, 1997. — 52 с.
  89. Gaiis S. P. Two-dimensional device simulation program // LDP. — IBM J. Res. Develop. — 1985. — V. 29. — № 3. — P. 242−251.
  90. J. del Alamo, Swirhun S. E., Swanson R. M. Simultaneous measurement of hole lifetime, hole mobility and bandgap narrowing in heavily doped n-type silicon // IEDM Technical Digest. — 1985. — № 290. — P. 264−272.
  91. Swirhun S. E., Kwark Y. H., Swanson R. M. Measurement of electron lifetime, electron mobility and bandgap narrowing in heavily doped p-type silicon // IEDM Technical Digest. — 1986. — № 24. — P. 196−211.
  92. Moinian S. BITPAR: Process — Derived Bipolar Transistor Parameterization // IEEE J. of SSC. — 1986. — V. 21. — № 2. — P. 243−252.
  93. Gaus S. P., Srenivasan C. R., Antipov I. Verification of heavy doping parameters in semiconductor device modeling. — Washington: IEEE Information Electron Devices Mufig. — 1980, 265 P.
  94. Roulston D. J., Arora N. D., Chamberain S. G. Modeling and measurement of minority carrier lifetime versus doping in diffused layers of silicon diodes // IEEE Trans. Electron Devices. — 1982. — V. ED-29. — P. 284−291.
  95. Mock M. S. Transport equations in heavily-doped silicon and the current gain of a bipolar transistor // Solid-State Electron. — 1973. — V. 16. — № 11. — P. 84−90.
  96. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. — М: Мир, 1986. —404 с.
  97. Burns J. L., Choma J. Computer-aided prediction of high-frequency performance limits in silicon bipolar integrated circuits // IEEE Circuits Syst. — 1982. — V. 3. —P. 19−22.
  98. Д., Эйкерс JL, Гринич Э. Электроника ультрабольших интегральных схем: Пер. с англ. — М: Мир, 1991. — 327 с.
  99. R. М., Donovan R. P. Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology. — N. Y.: Prentice-Hall. — 1968, 115 p.
  100. Дж. У., Салама А. Э. Диагностика неисправностей в аналоговых цепях // ТИИЭР. — 1985. — Т. 73. — № 8. — с. 35−104.
  101. В. Н., Петров М. Н., Шишлянников Б. М. Прогнозирование и анализ отказов биполярных транзисторов // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках: Материалы докл. научн.-техн. семинара. — Москва, 1996. —с. 168−172.
  102. Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн.: Практ. пособие. Кн. 1. Г. Г. Казеннов, А. Г. Соколов. Принципы и методы построения САПР БИС / под. ред. Г. Г. Казеннова. — М: Высш. шк., 1990. — 142 с.
  103. С. А., Тихонов А. Ф. Программирование в FoxPro для Windows на примерах: М.: БИНОМ. — 496 с.
  104. Paradox for Windows: Практическое руководство / Под редакцией Оспищева Д. А. — Издательство АОЗТ «Алевар», 1993 (2 части).
  105. В. Н., Петров М. Н. Интегрированная САПР биполярных интегральных схем на базе пакетов PSpice и AutoCAD // Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика». — Москва, 1996. —с. 99.
  106. В. Н., Петров М. Н. Интегрированная САПР интегральных схем // Вестник НовГУ. — 1997. — № 5. — с. 44−47.
  107. В. Н., Петров М. Н. Программные компоненты интегрированной сквозной САПР ИМС: автоматизация проектирования печатных плат и матричных БИС с помощью САПР PCAD: Учеб. пособие / НовГУ им. Ярослава Мудрого. —Новгород, 1997. — 59 с.
  108. В. Н., Петров М. Н. Макромоделирование цифровых схем. — М., 1994. — 8 с. — Деп. в ВИНИТИ 25.10.94, № 2419-В94.
  109. В. Н., Петров М. Н. Автоматизация определения функциональных параметров цифровых микросхем. — М., 1994. — 7 с. — Деп. в ВИНИТИ 25.10.94, № 2418-В94.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!