Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Элементы радиоэлектроннных схем (кондемсаторы, резисторы, транзисторы, вентеэтроды) принцип их работы, как они устроены, устройство и принцип работы

Реферат Купить готовую Узнать стоимостьмоей работы

Транзисторы классифицируются по типу проводимости (р-n-p или n-p-n), по диапазону рабочих частот и мощности. В зависимости от полярности и величины напряжений, приложенных к электродам транзистора, различают три основных режима работы: линейный режим, режим насыщения и режим отсечки. Работу биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора структуры n-p-n, включенного по схеме с общим… Читать ещё >

Содержание

  • Введение
  • 1. Резисторы
  • 2. Конденсаторы
  • 3. Транзисторы
  • Заключение

Элементы радиоэлектроннных схем (кондемсаторы, резисторы, транзисторы, вентеэтроды) принцип их работы, как они устроены, устройство и принцип работы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В биполярном транзисторе образуются два р-n перехода. На рисунке 4 показаны структуры и приведены обозначения биполярных транзисторов типа р-n-p и n-p-n. Средний слой полупроводника называют базой, а крайние — коллектором и эмиттером. Классификация биполярных транзисторов показана на рисунке 5.Рис.

5. Классификация биполярных транзисторов.

Транзисторы классифицируются по типу проводимости (р-n-p или n-p-n), по диапазону рабочих частот и мощности. В зависимости от полярности и величины напряжений, приложенных к электродам транзистора, различают три основных режима работы: линейный режим, режим насыщения и режим отсечки. Работу биполярного транзистора рассмотрим на примере транзистора структуры n-p-n, включенного по схеме с общим эмиттером, когда входное напряжение подается на переход база-эмиттер, а выходное снимается с перехода коллектор-эмиттер. В линейном режиме работы к переходу база-эмиттер (эмиттерный переход) приложено положительное напряжение (переход смещен в прямом направлении), а к переходу база коллектор — отрицательное (переход смещен в обратном направлении). Так как внешнее напряжение приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, электроны преодолевают p-n переход и попадают в область базы. База выполнена из полупроводника р-типа, поэтому электроны являются для нее неосновными носителями заряда. Электроны попавшие в область базы частично рекомбинируют с дырками базы (занимают места дырок). Однако область базы обычно выполняют очень тонкой из полупроводника р-типа с большим удельным сопротивлением (малым содержанием примеси), поэтому концентрация дырок в базе низкая и лишь немногие электроны, попавшие в базу, рекомбинируют с дырками, образуя базовый ток. Большинство же электронов достигают коллектора, образуя составляющую коллекторного тока .

Заключение

.

В ходе выполнения данного реферата были изучены основные виды элементов, применяющихся в радиотехнике. Отмечено, что имеется три вида резисторов: — постоянный резистор;- постоянный резистор с точечным отводом (дискретно-переменный);- переменный резистор. Представлено описание их принципа работы и отличий в конструктивном исполнении. Вторыми элементами по частоте применения в радиосхемах являются конденсаторы, величина емкости которых находится в обратной зависимости от толщины диэлектрика. Максимальная удельная емкость имеется у электролитических конденсаторов. В третьем параграфе рассмотрены биполярные транзисторы. В зависимости от полярности и величины напряжений, приложенных к электродам транзистора, различают три основных режима работы: линейный режим, режим насыщения и режим отсечки.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой
Купить готовую работу

ИЛИ