Эффект Шоттки. 
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Точечный заряд, помещенный вблизи металлической плоскости, индуцирует на поверхности металла заряд противоположного знака. Распределение этого индуцированного заряда по поверхности металла таково, что его действие на точечный заряд эквивалентно действию точечного заряда противоположного знака, расположенного за поверхностью металла симметрично исходному (сила зеркального отображения).

Действие сил зеркального отображения в барьерном контакте металл—полупроводник иллюстрируется рис. VI. 1.2. На электрон, находящийся на расстоянии х от поверхности металла, действует кулоновская сила.

которая снижает потенциальную энергию электрона на величину.

Рис. VI. 1.2. Снижение равновесного потенциального барьера под действием силы зеркального отображения (эффект Шоттки) Действие силы зеркального отображения проявляется только на малом расстоянии от поверхности металла, где в равновесном состоянии (Г = 0) зависимость исходной (без учета силы отображения) энергии Е₍₀(.г) близка к линейной:

В (VI. 1.17) Е_т — максимальная напряженность электрического поля в ОПЗ (при х = 0), которая по закону Гаусса составляет.

Подстановка (VI.1.7) в (VI.1.18) с учетом (VI.1.12) дает.

Из соотношений (VI. 1.17) и (VI. 1.16) получаем результирующую зависимость ЕДх).

Функция ЕДж) имеет максимум (рис. VI.1.2) в точке

где значение E_rmax = ЕДх_т) составляет.

Таким образом, под действием сил зеркального отображения высота барьеров в металле V_bm и в полупроводнике V_h снижается на величину.

Снижения высоты барьеров под действием сил зеркального отображения называется эффектом Шоттки.

Эффект Шоттки проявляется довольно слабо. Для типичных значений JV_B = 10¹⁷ см^-3, Е, =0,7 В получаем AV_bm =&V_b =40 мВ.