Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Полупроводниковый кольцевой лазер и его применение в качестве датчика вращения

Диссертация: Полупроводниковый кольцевой лазер и его применение в качестве датчика вращения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведен анализ модовой структуры ПКЛ с помощью метода переноса спектра из оптического диапазона в радиочастотный. Исследована зависимость ширины линий биений на разностных частотах продольных мод ПКЛ от длины резонатора. Показано, что зависимость ширины линий биения на разностных частотах продольных мод ПКЛ от длины резонатора описывается формулой д[ =, где /. -длина резонатора, о — константа… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Современное состояние работ по созданию пкл и датчиков вращения на его основе
  • Общие положения и требования к полупроводниковым лазерам в зависимости от условий их применения
  • Одночастотный режим генерации полупроводникового лазера
  • Инжекционные лазеры с распределенной обратной связью (РОС) и распределенным брэгговским отражателем (БРО)
  • Полупроводниковые лазеры с внешним дисперсионным резонатором
  • Полупроводниковые лазеры с кольцевым волоконным резонатором
  • Характерные отличия лазеров с кольцевыми резонаторами
  • Конструкция КЛ и применения КЛ
  • Датчики вращения на эффекте Саньяка
  • Эффект Саньяка
  • Типы датчиков вращения на эффекте Саньяка
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. Создание полупроводниковых кольцевых лазеров с волоконным резонатором с сохранением поляризации
  • Эпитаксиальные структуры
  • Конструктивные особенности волноводного слоя полупроводникового лазера
  • Способы формирования эпитаксиальных структур
  • Эпитаксиальные структуры, используемые в работе
  • Лазерные диоды
  • Классификация процессов изготовления активного элемента ПКЛ
  • Нанесение диэлектрических покрытий и фотолитографическое травление мезаполосковых структур
  • Заращивание мезаполосковых структур и нанесение отражающих и просветляющих покрытий
  • Оптическое волокно с сохранением поляризации
  • Ориентация РМ волокна
  • Активный метод ориентации РМ волокна
  • Формирование цилиндрических микролинз на торцах оптических волокон
  • Эффективность согласования лазерного диода оптическим волокном
  • Принципы конструирования полупроводникового кольцевого лазера
  • Полупроводниковый оптический усилитель
  • Направленный волоконный ответвитель с сохранением поляризации
  • Цилиндрические линзы
  • Фотоприемник. Фотодиод
  • Источник накачки и температурная стабилизация
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. Исследование основных характеристик ПКЛ
  • ВтАХ и спектры ПОУ и ПКЛ
  • Радиочастотный спектр. Биения продольных мод ПКЛ
  • Синхронизация мод ПКЛ. Генерация оптических импульсов
  • Глава 4. Конструкция датчика вращения и исследование его основных характеристик
  • Влияние ширины линии ПКЛ на чувствительность датчика
  • Влияние катушки с волокном на масштабный коэффициент датчика
  • Радиочастотный спектр биений мод ПК/
  • Влияние длины и площади резонатора на работу датчика вращения
  • Методика расчёта угловой скорости из сигнала с ФП
  • Глава 5. Физико-математическая модель ПК/
  • Уравнения модели
  • Дисперсия в волоконном резонаторе
  • Граничные условия
  • Запаздывающая обратная связь
  • Метод расчета
  • Результаты расчета

Полупроводниковый кольцевой лазер и его применение в качестве датчика вращения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Общая характеристика работы. Актуальность проблемы.

Полупроводниковые лазеры представляют наиболее динамично развивающуюся часть лазерной физики, а взаимосвязь фундаментальных и прикладных исследований в этой области определяет прогресс мировой оптоэлектронной промышленности.

За последние несколько десятилетий для решения многих практических задач были создан ряд конструкций полупроводниковых лазеров:

• Лазеры с резонатором Фабри-Перо (ФП).

• Лазеры с распределенной обратной связью (РОС).

• Лазеры с распределенными брэгговскими зеркалами (РБЗ).

• Лазеры с внешними гибридными зеркалами.

• Лазеры с волоконно-брэгговской решеткой (ВБР).

• Лазеры с вертикальным резонатором (ZCSEL).

Настоящая работа посвящена созданию полупроводниковых лазеров с кольцевым резонатором и исследованию его основных характеристик, в т. ч. в режиме датчика вращения.

За последние годы особое внимание уделяется волоконно-оптическим датчикам на базе полупроводниковых лазеров, в том числе датчикам вращения. Сегодня существует несколько разновидностей датчиков вращения, это датчики на основе эффекта Саньяка, такие как, газовые кольцевые лазеры [1] и волоконно — оптические гироскопы [2], также существуют датчики вращения, основанные на других принципах, такие, как датчики на микро-электромеханических системах (МЭМС) [3]. 5.

При создании датчика вращения важными параметрами является точность определения параметров вращения, чувствительность к другим, отличным от вращения, воздействиям, а также стоимость и простота изготовления, массогабаритные характеристики.

Наряду с вышеприведенными примерами датчиков вращения возможно создание такого датчика на основе полупроводникового кольцевого лазера [4]. Его использование в качестве датчика вращения является новой задачей.

Таким образом, создание технологии изготовления полупроводниковых кольцевых лазеров и их исследование является актуальной задачей современной лазерной физики, как с научной, так и с практической точек зрения.

Цель работы.

Целью, работы явилось исследование особенностей функционирования ПК/1 и исследование ПКЛ с кольцевым резонатором в качестве датчика вращения на основе эффекта Саньяка.

Для достижения поставленной цели решался следующий комплекс задач:

• Разработка физико-технологических основ создания полупроводникового кольцевого лазера.

• Расчет, конструирование и изготовление ПКЛ.

• Исследование факторов, влияющих на электрофизические параметры ПКЛ.

• Исследование основных электрофизических и оптических характеристик полупроводникового кольцевого лазера.

• Физико-математическое моделирование полупроводникового кольцевого лазера.

• Исследование основных характеристик работы полупроводникового лазера в режиме датчика вращения.

Научная новизна.

1. Определены необходимые и достаточные условия работы полупроводниковых кольцевых лазеров в режиме датчика вращения.

2. Исследовано влияние длины кольцевого резонатора ПК/1 на чувствительность к вращению датчика на основе ПКЛ.

3. Создана адекватная математическая модель ПКЛ, описывающая режимы и динамику генерации ПКЛ.

4. Впервые получен режим синхронизации продольных мод ПКЛ путем модуляции тока накачки лазера.

Достоверность и обоснованность полученных результатов подтверждается удовлетворительным согласием теоретических оценок и экспериментальных результатов.

На защиту выносятся следующие положения:

• Использование волоконного резонатора на основе световода с сохранением поляризации в ПКЛ обеспечивает более узкий (менее ОД нм) оптический спектр излучения и меньшую чувствительность к изменениям в окружающей среде по сравнению с резонатором из одномодового волокна без сохранения поляризации.

• Чувствительность к вращению зависит от ширины продольных мод кольцевого резонатора.

• При увеличении длины резонатора сужаются ширины линий биений продольных мод, и увеличивается порог чувствительности к вращению.

• Ширина линий биений значительно сужается при синхронизации продольных мод кольцевого лазера путем модуляции тока накачки.

На защиту также выносятся:

1. Конструкция полупроводникового кольцевого лазера.

2. Математическая модель ПКЛ.

Практическая ценность работы.

Созданные в процессе выполнения диссертационной работы ПКЛ и датчики вращения на их основе найдут самое широкое применение в различных областях науки и техники, в том числе в навигационной аппаратуре, при исследованиях колебаний скорости вращений земли, в* датчиках вращения быстровращающихся объектов (от 10 об/с).

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на всероссийских, международных конференциях и симпозиумах. В частности:

• 2005, Конференция «Ломоносов 2005», г. Москва.

• 2006, Международный семинар «Физико-математическое моделирование систем», г. Воронеж.

• 2007, Международный семинар «Физико-математическое моделирование систем», г. Воронеж.

• 2010, 11-й Всероссийский симпозиум по прикладной и промышленной математике, г. Сочи.

Полупроводниковые кольцевые лазеры демонстрировались на международных выставках:

• «Фотоника», г. Москва, 2011 г.

• «Связь-Экспоком», г. Москва, 2010 г.

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 11 научных работах, в том числе в 4-ти тезисах, 7-ти публикациях в научных журналах.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 144 страниц, включающих 1 таблицу и 59 рисунков.

Выводы к главе 5.

1. Предложена математическая модель кольцевого лазера.

2. Получена симуляция генерации импульсов в режиме самосинхронизации мод.

3. Получена симуляция одномодового и многомодового режимов генерации.

4. Результаты расчетов находятся в качественном соответствии с экспериментальными данными.

Заключение

.

В настоящей работе представлены результаты создания и исследований полупроводникового кольцевого лазера (ПКЛ) с длиной волны излучения ~ 1540нм с волоконно-оптическим кольцевым резонатором в некоторых основных режимах генерации, в т. ч. в режиме датчика угловой скорости. Рассмотрена конструкция ПКЛ на базе полупроводникового оптического усилителя (ПОУ) бегущей волны и резонатора, состоящего из кольцевого одномодового волокна с сохранением поляризации. При замыкании и размыкании кольцевого резонатора ПКЛ, а также при изменении его радиуса исследованы изменения порогового тока, длины волны и спектра излучения.

С помощью измерения радиочастотного спектра биений встречных волн проведены исследования ПКЛ в режиме датчика угловой скорости. Величина сдвига частот встречных волн ПКЛ пропорциональна угловой скорости вращения ПКЛ. Минимальная обнаружимая с помощью созданного ПКЛ угловая скорость вращения зависит от длины резонатора и составила в данном эксперименте 1 град/с. Масштабный коэффициент равен 900 кГц/град/с.

Приведенные результаты исследований ПКЛ являются предварительными, и исследования параметров ПКЛ, в том числе в режиме внесения в резонатор невзаимности, будут продолжены.

В настоящей диссертации были получены следующие результаты.

1. Впервые создан полупроводниковый кольцевой лазер на основе полупроводникового оптического усилителя и оптического волоконного резонатора с сохранением поляризации с применением цилиндрических микролинз.

2. Проведен анализ модовой структуры ПКЛ с помощью метода переноса спектра из оптического диапазона в радиочастотный. Исследована зависимость ширины линий биений на разностных частотах продольных мод ПКЛ от длины резонатора. Показано, что зависимость ширины линий биения на разностных частотах продольных мод ПКЛ от длины резонатора описывается формулой д[ =, где /. -длина резонатора, о — константа.

3. Впервые получен режим синхронизации продольных мод кольцевого лазера с помощью активной синхронизации модуляцией тока накачки на частоте межмодового интервала ПКЛ.

4. Показано, что режим генерации оптических импульсов с помощью ПКЛ в режиме активной синхронизации мод может достигается при условии сохранения угла поворота поляризации входящего и исходящего лучей в волоконном резонаторе.

5. Создан датчик вращения на основе ПКЛ, реализующий эффект Саньяка, имеющий на порядок меньший вес, чем датчики на ГКЛ. Такой датчик обладает простотой сборки, дешевизной конструкции, не требует высоких напряжений и обладает сниженным энергопотреблением (до 3 Вт).

6. Обнаружен захват встречных волн в диапазоне скоростей вращения, зависящем от ширины линии биений продольных мод ПКЛ.

7. Показано, что зависимость величины расщепления частот встречных волн от угловой скорости вращения ПКЛ в области скоростей вращения выше зоны захвата описывается формулой Дf =(4АО)/(РпЛ), где Аплощадь кольцевого резонатора, а Рего периметр.

8. Впервые обнаружено явление аномального расщепления линии биений встречных волн при вращении полупроводникового кольцевого лазера.

9. Предложен новый метод измерения угловой скорости вращения с помощью ПКЛ, состоящий в том, что сигнал биений встречных волн детектируется, например, квадратичным детектором, затем фильтруется полосовым фильтром с полосой равной половине расстояния между продольными модами настроенным на одну из частот биений продольных мод. Далее в полученном сигнале регистрируется величина расщепления частот, зависящая известным образом от скорости вращения.

10.Создана адекватная математическая модель для описания ПКЛ с составным резонатором в состоянии покоя.

Перспективы дальнейших исследований.

Продолжается работа по улучшению характеристик ПКЛ в качестве датчика вращений. А также над исследованием эффектов, которые были обнаружены нами, но ранее не были описаны в литературе.

Важными характеристиками ПКЛ в качестве ЛГ являются масштабный коэффициент, динамический диапазон, включая максимальную и минимальную обнаружимые скорости вращения, а также точность измеряемой скорости. Также важны и габариты и потребление энергии устройством.

Для улучшения динамического диапазона мы работаем над созданием одночастотного ПКЛ с узкой линией излучения, чтобы можно было отказаться от громоздкой, дорогой и чувствительной к внешним воздействиям катушки РМ волокна. Для получения одночастотного кольцевого лазера мы предполагаем использование нескольких кольцевых резонаторов-фильтров.

Для снижения уровня шумов, повышения уровня сигнала, снижения потребления энергии и увеличения точности планируется улучшить поляризационную экстинкцию всех компонентов ПКЛ. В частности планируется вместо коннекторов использовать сварные соединения высокой точности.

Для снижения уровня отражений на границах раздела чип ПОУ — воздухоптическое волокно, планируется использовать цилиндрические линзы с нанесёнными просветляющими покрытиями, которые позволят согласовать границу раздела стекло-воздух.

Планируется разработать электронную схему регистрации и обработки сигнала с датчика, для вывода её в виде значения скорости и угла поворота на последующие каскады.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Aronowitz F. Fundamentals of the ring laser gyro I I In «Optical gyros and their application» RTO-AG-339,1999, p.p. 3−1.3−45
  2. Lefevre H., The Fiber Optic Gyroscope // Artech House, 199
  3. Hanse J. Honeywell MEMS Inertial Technology & Product Status // Honeywell Defense & Space Electronic Systems release, 2004
  4. В.В., Дмитриев В. Г., Дураев В. П., Казаков А. А. Полупроводниковый кольцевой лазер и исследование его характеристик в режиме датчика вращения // Квантовая электроника, 40, № 10 (2010) с.851−854
  5. Ф. Лазерные гироскопы // В «Применения лазеров» пер. с английского под ред. Тычинского В. П., М.: Мир, 1974
  6. Л.С., Иванова А. В., Капитонов В. А., Марашова А. В., Пихтин Н. А., Фалеев Н. Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP // ФТП, 1998, N8, с.11−21.
  7. Hill К.О., Meltz G. Fiber Bragg grating technology fundamentals and overview//Jour, of Lightwave Technol., 1997, V15, N8, pp.1263−1276.
  8. Carter A., Samson B. PANDA-style fibers move beyond telecom // Laser Focus World (August 2004).
  9. Т. Физика полупроводниковых лазеров // М.: Мир, 1989
  10. Ahmad Н., Ooi Н.С., Sulaiman А.Н., Thambiratnam К., Zulkifli M.Z., Harun S.W. SOA based fiber ring laser with Fiber Bragg Grating // Microwave and Opt. Techn. Lett., 2008, Vol. 50, Issue 12, pp. 3101−3103
  11. Liu J., Jin M.- Ge C. and Li S. L-band tunable erbium doped fiber ring laser using fiber loop mirror filters // OPTOELECTRONICS LETTERS, 2006, Vol. 2, No. 1, pp.24−26
  12. Osinski M., Cao H., Liu C., Eliseev P.G. Monolithically integrated twin ring diode lasers for rotation sensing applications // Journal of Crystal Growth, 2006, Vol. 288, Issue 1, pp. 144−147
  13. Mignot A. et al. Single-frequency External Cavity Semiconductor Ring Laser Gyroscope // Optics Letters, 2009, Vol.34, No. l, pp.97−99
  14. Sorel M., Giuliani G. et al. Operating Regimes of GaAs-AIGaAs Semiconductor Ring Lasers: Experiment and Model // IEEE J. Quant. Electron., 2003, Vol.39, No.10, pp.1187−1195
  15. Sunada S., Tamura S., Inagaki K., and Harayama T. Ring-laser gyroscope without the lock-in phenomenon // PHYSICAL REVIEW A 78, 53 822 2008
  16. Tamura S., Inagaki K., Noto H., Harayama T. Experimental investigation of sagnac beat signals using semiconductor fiber-optic ring laser gyroscope (S-FOG) based on semiconductor optical amplifier (SOA) // Proc. of SPIE, 2007, Vol. 6770 677 014
  17. Taguchi K., Fukushima K., Ishitani A. and Ikeda M. Optical inertial rotation sensor using semiconductor ring laser // Electronics Letters, 1998, Vol. 34 No. 18, pp. 1775−1776.
  18. Wang B.C., Baby V., Glesk I., Prucnal P.R. State selection of a bistable SOA ring laser for bit level optical memory applications // IEEE Photon. Tech. Lett. 2002, Vol. 14, No. 7, p.989
  19. Ishida T., Tamura S. et al. Improvement of accuracy of angular velocity detection in semiconductor fiber-optic ring laser gyroscope // Proc. of SPIE, 2008, Vol. 7004 700 450
  20. Inagaki K., Tamura S. et al. Earth’s rotation rate detection using an extremely-large semiconductor fiber optic gyroscope extending over 10,000 m2 // Proc. of SPIE, 2008, Vol. 7004 70045F
  21. Vlachos K., Bintjas C. et al. Ultrafast semiconductor-based fiber laser sources // IEEE J. of Sel. Topics in Quant. Electron., 2004, Vol. 10, NO. 1, pp.147−153
  22. Papakyriakopoulos T., Vlachos К., Hatziefremidis A., and Avramopoulos H. Optical clock repetition-rate multiplier for high-speed digital optical logic circuits // OPTICS LETTERS 1999, Vol. 24, No. 11, pp.717−719
  23. Yao X.S. and Maleki L. Dual microwave and optical oscillator // Optics Letters, 1997, Vol. 22, No. 24
  24. Yao X.S. and Maleki L. Converting light into spectrally pure microwave oscillation // Optics Letters, 1996, Vol. 21, No. 7
  25. А.П., Елисеев П. Г., Охотников О. Г. // Письма в ЖТФ, 1982, 8, вып. 13
  26. А.П., Елисеев П. Г., Охотников О. Г. // Письма в ЖЭТФ, 1984, 10, вып. 7
  27. Donati S., Giuliani G., Sorel M. Proposal of a new approach to the electrooptical gyroscope: the AIGaAs integrated ring laser // Altak Frequenza Rivista di Elettronica, 1997, vol. 9, n. 6, p. 61−63
  28. В.П., Неделин Е. Т., Недобывайло Т. П., Сумароков М. А. // Патент № 41 924, 2004, Кольцевой лазер.
  29. В.П. Полупроводниковый кольцевой лазер // Lightwave Russian Edition, 2005, № 4, с. 56.
  30. В.П., Неделин Е. Т., Недобывайло Т. П., Сумароков М. А. // Фотон-Экспресс, 2005, № 6(46), с.20−22.
  31. В.В., Дураев В. П., Логгинов А. С., Неделин Е. Т. Кольцевой лазер на основе полупроводникового оптического усилителя // Фотон-Экспресс, 2005, № 6(46), с.23−26.
  32. В.П., Дмитриев В. Г., Казаков А. А. // Обозрение прикладной и промышленной математики, 2009, т.16, вып. 4, с. 647.
  33. В.Г., Дураев В. П., Казаков А. А. // симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», Санкт-Петербург, 2008.
  34. В.Г., Дураев В. П., Казаков А. А., Неделин Е. Т. Полупроводниковый кольцевой лазер и его применение // Фотоника, 2008, № 4, с. 18−21
  35. В.В., Дмитриев В. Г., Дураев В. П. Расчет и конструирование полупроводниковых кольцевых лазеров // Обозрение прикладной и промышленной математики, 2010, том. 17, вып.4, с.525−526
  36. Chen Z., Ma S., Dutta N.K. Multiwavelength fiber ring laser based on a semiconductor and fiber gain medium // Optics Express, 2009, Vol.17, No.3, pp.1234−1239
  37. Hu Z., Li F., Pan Z., Tan W. Wavelength-tunable narrow-linewidth semiconductor fiber-ring laser // IEEE Photon Tech. Lett., 2000, Vol. 12, No. 8, pp.977−979
  38. Pleros N., Bintjas C., Kalyvas M., Theophilopoulos G., Yiannopoulos K., Sygletos S., Avramopoulos H. Multiwavelength and power equalized SOA laser sources // IEEE Photon. Tech. Lett, 2002, Vol.14, llo.5, p.693
  39. Eliyahu D., Maleki L. et al. Opto-electronic oscillator with improved phase noise and frequency stability // SPIE Photonics West 2003, 4998, 139−47.
  40. Luc V.V., Eliseev P.G. et al. Electrical diagnostics of the amplifier operation and a feasibility of signal registration on the basis of the voltage saturation effect in junction laser diodes // IEEE J.Quant. Elec., 1983, Vol.19, No.6, pp.1080−1084
  41. Лык В.В., Дураев В. П., Елисеев П. Г. и др. // Препринт 47, ФИАН, Москва, 1989.
  42. Ulrich R., Jonson М. Fiber-ring interferometer: polarization analysis// Optics Lett., 1979, 4, pp. 152−154.
  43. Takahashi Y., Niida R., Otani H. Semiconductor Optical Amplifier-Fiber Laser and Its Improvement for Sensor Application // The Review of Laser Engineering, Supplemental Volume, 2008, p 1287
  44. Chen H. Dynamics of widely tunable single-frequency semiconductor fiber ring laser// Phys. Lett. A, 2004, Vol.320, No. 5−6, pp.333−337
  45. Sorel M., Giuliani G. et al., Alternate oscillations in semiconductor ring lasers // Optics Letters, 2002, Vol. 27, No. 22, pp.1992−1994
  46. Wang B.C., Baby V., Glesk I., Pruchal P.R. Optical spectral bistability in a semiconductor fiber ring laser through gain saturation in an SOA // IEEE Photon. Tech. Lett, Vol. 14, No 2, 2002, p. 149
  47. Vlachos K.- Zoiros K., Houbavlis T. and Avramopoulos H. 10×30 GHz pulse train generation from semiconductor amplifier fiber ring laser // IEEE Photon. Tech. Lett., 2000, Vol. 12, No. 1, pp. 25−27.
  48. B.B., Дураев В. П., Логгинов А. С., Неделин Е. Т. Активная синхронизация мод в кольцевом лазере на основе полупроводникового оптического усилителя // Вестник Моск. Ун-та, Сер. Физика, астрономия, 2006, № 3, 45
  49. Сао Н., Liu С., Ling H. et al. Frequency beating between monolithically integrated semiconductor ring lasers // App.Phys. Lett., 2005, 86, 41 101
  50. Rabus D.G., Bian Z., Shakouri A. Ring Resonator Lasers using Passive Waveguides and Integrated Semiconductor Optical Amplifiers // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 2007,13, p. 1249 -125
  51. Verschaffelt G., Wang Z., Shu Y., Mezosi G., Danckaert J., Sorel M., Yu S. High-speed integrated semiconductor micro-ring lasers with efficient off-axis parabolic reflectors // Proc. SPIE, issue Photonics Europe, 2008, vol.6997, n. 699 741
  52. Sagnac G. Sur la preuve de la realite de Pether lumineux par l’experience de l’interferographe tournant//Comptes Rendus, 1913,157:1410−1413.
  53. Sagnac G. L’Ether lumineux Demonstre par l’effet du vent relatif d’aether dan interferometre en rotation uniforme. Note de G. Sagnac, presentee par E. Bouty//Comptes Rendus, 1913, 157: 708−710.
  54. К.В., Голяев Ю. Д., Махин И. В., Мельников А. В., Тихменев Н. В. Повышение точности лазерного гироскопа путем управления связью встречных ноли // Гироскопия и навигация 1998, № 4, с. 25−29.
  55. Chow К.К., Shu С., Мак M.W.K., Tsang Н.К. Widely tunable wavelength converter using a double-ring fiber laser with a semiconductor optical amplifier// IEEE Photon, Tech, Lett, 2002, Vol. 14, No 10, p.1445
  56. М.Г., Дураев В. П., Лосякова Л. С., Неделин Е. Г., Швейкин В. И., Шелякин Л. А. Инжекционный лазер на основе InP-GalnAsP. // Электронная промышленность, 1981, в.5−6.
  57. М.Г., Дураев В. П., Неделин Е. Г., Шелякин Л. А. Исследование излучательных характеристик лазерных диодов на основе гетероструктур InP-GalnAsP. // «Электронная техника». Сер.11. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1980, в.1(11).
  58. А.П., Елисеев П. Г. Свердлов Б.Н. Исследование инжекционных квантовых генераторов. //Труды ФИАН СССР, 1977, т.91, с.75−114.
  59. Nahory R.E., Pollak М.А., Johnston W.D. Band Gap Versus Composition and Demonst Ration of Vegard’s Low for Inl-xGaxAsyPl-y Lattice Matceud to InP. //Appl. Plys. Lett., 1978, v.33, N7, pp.659−661.
  60. Authony P.L., Pawlib J.R., Saminathap V., Tsang W.T. Reduced Threshold Current Temperature Dependenct in Double Heterostructure Lasers Due to Separate p-n and Heterojunctions // IEEE J. Quantum Electronics, 1983, v. QE-19, N6, pp.1030−1034.
  61. Botez D. InGaAsP/lnP Double-Heterostructure Lasers Simple Expressi- ons for Wave Confinement Beamwidth and Threshold Current over Wide
  62. Ranges in Wavelength (1,1−1,65 mm) // IEEE J. Quantum Electronics, 1981, N2, pp.178−185.
  63. П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров // М.: Наука, 1983.
  64. Wille W., Ng and Dapkus P.D. Growth and Characterization of 1,3 Mm CW GalnAsP/lnP Lasers by Liquid-Phase Epitaxy // IEEE J. Quantum Electronics, 1981, v. QE-17, N2, pp.193−198.
  65. М.Г., Долбнев В. П., Дураев В. П., Неделин Е. Г., Швейкин В. И., Шелякин Л. А., Способ получения инжекционного гетеролазера // Авторское свидетельство № 175 625 от 1.09.1981.
  66. .И., Арсентьев И. Н., Вавилова Л. С., Гарбузов Д. З., Тулашвили Э. В. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0,83−0,79 мкм //ФТП, 1984, в.1.
  67. Научно-технический отчет №Ф16 007, М., ЦНИИ «Электроника», 1983.
  68. В.П. Инжекционные лазеры (обзор) // Электронная техника. Сер.11. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1980, вып.1(11), с.3−10.
  69. Научно-технический отчет №Х8 272. М., ЦНИИ «Электроника», 1980.
  70. В.П. Инжекционные лазеры с длиной волны излучения 1,3-l, 55sagn мкм (обзор) // Электронная техника. Сер.11. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1984, вып.3(29), с.13−27.
  71. В.П. и др. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP зарощенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1982, т.8, в.11, с. 680.
  72. Bouley J.С., Chaminant G., Charil J., Devoldere P., Gilleron M. A Schottky-barrier-delineated stripe structure for a GalnAsP-lnP cw Laser // Appl. Phys. Letters, 1981, v.38, N11, pp.845−847.
  73. Nishi B.H., Yano M., Hori K. Self-Aligned Structure InGaAsP/lnP DH Laser // Fujitsu Sei. Tech. J., 1982, v.18, N2, pp.287−305.
  74. Logan R.A., Henry C.H., Vander Ziel J.P., Temkin H. Low-Threshold GalnAsP/lnP Mese Laser // Electronics Letters, 1982, v.18, N18, pp.782 783.
  75. Ю.В., Дураев В. П. и др., Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP зарощенные методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1982 т.8, выпуск 11, с. 680.
  76. М.Г., Горбылев В. А., Дураев В. П., Основные характеристики инжекционных лазеров на основе InGaAsP/lnP // Тезисы докладов 111 Всесоюзной конференции по ВО/1С, М., 1981.
  77. Nelson R.J., Dutta N.K. Calculated Auger rates and Temperature Dependence of Threshold for Semiconductor Lasers Emitting at 1,3 and 1,55 mkm. //J.Appl. Phys., 1983, v.6, N54, p.2923.
  78. Uji Т., Iwamoto K., Lang R. Dominance of Auger Recombination in InGaAsP/lnP Light Emitting diode current. // IEEE Trans, on Electron Devices, 1983, Vol.30, No.4, pp.316−320.
  79. Adams A. R, Asada M., Suematsu Y., Arai S. The Temperature Dependence of the Efficiency and Threshold Current of lni.xGaxAsyPi.y Lasers Related to Intervalence Band Absorption. // Jap.J. Appl. Phys., 1980, v.19, N10, pp. L621-L624
  80. A.A., Дураев В. П., Елисеев П. Г., Неделин Е. Г., Швейкин В. И., Шевченко Е. Г., Долгинов Л. М., Авт. свидетельство № 175 856, приоритет от 28.9.81.
  81. В.П. Патент № 1 348 536, приоритет от 30.4.1971, (Англия).
  82. В.П. Патент № 88 365, приоритет от 30.04.1970, (ГДР)
  83. Goff D.R. Fiber Optic Reference Guide I I Focal Press, New York, 2002
  84. Noda J. et al. Polarization-maintaining fibers and their applications I I J. Lightwave Technol., 1986, 4 (8), p.1071
  85. Sano K. and Fuji Y. Polarization transmission characteristics of optical fibers with elliptical cross section // Electron. Commun. Jpn., 1980, 63, p.87
  86. Maionchi D.O., Campos W. and Frejlich J. Angular alignment of a polarization-maintaining optical fiber//Opt. Eng., 2001, Vol. 40, p.1260
  87. Т., Harjanne M., Kapulainen M. // Opt. Eng., 2003, 42(10) pp.28 612 867
  88. П.И. Расчет эффективности ввода излучения из п/п излучателей // Всесоюзная конференция по ВОЛС. М., 1981 г.
  89. Ввод лазерного излучения в одномодовый световод с ВБР. // НТО «Клад», М., АОЗТ «Новая лазерная техника», 2004 г.
  90. В.П., Елисеев П. Г. и др. Ввод в волоконный световод излучения зарощенных мезаполосковых лазеров, работающих в диапазоне 1,21,6 мкм // Квантовая электроника, 1983, 10, N3, с. 633.
  91. П.Г. Влияние режима работы инжекционного лазера и способа согласования на эффективность ввода излучения в м/м световод. // Предпринт ФИАН, М., 1978, N177.
  92. В.П. и др. Полупроводниковые оптические усилители на длину волны 630−1560 нм. // Фотон-экспресс, 2004, № 1, с. 14.
  93. В.П., Климов К. И., Неделин Е. Т., Сумароков М. А., Полупроводниковые оптические усилители // Лазерные новости, Laser News, 1−2/2004, с. 87.
  94. В., Казаков А., Медведев С. // Фотоника, 2010, № 1, с.16−18
  95. Hill К.О., Johnson D.C. and Lamont R.G. Optical fiber directional couplers: Biconical taper technology and device applications // in Proc. SPIE Fiber
  96. Optic Couplers, Connectors and Splice Technology II (San Diego, CA), 1985, Aug. 20−21, Vol. 574, pp.92−99
  97. Payne F.P., Hussey C.D. and Yataki M.S. Modeling fused single-mode fiber couplers // Electron. Letters, 1985, Vol.21, pp.461−463.
  98. Sheem S.K., Taylor H.F., Moeller R.P. and Burns W.K. Propagation characteristics of single-mode evanescent field couplers // Applied Optics, 1981, Vol.20, pp. 1056−1062
  99. O.E. Автоллодуляционные режимы генерации в твердотельных кольцевых лазерах с неплоским резонатором // Квантовая электроника, 1992, N19, с.762−768.
  100. Н.В., Ларионцев Е. Г. Автомодуляционные колебания и релаксационные процессы в твердотельных кольцевых лазерах // Квантовая электроника, 1994, № 10, 903−918.
  101. М.Б., Руденко О. В., Сухорукое А. П. Теория волн, М.: Наука, 1979
  102. Park J., Kawakami Y. Time-domain models for the performance simulation of semiconductor optical amplifiers // Optics Express, Vol. 14, No. 7, 2968
  103. Ning C.Z., Indik R.A., and Moloney J.V. Effective Bloch Equations for Semiconductor Lasers and Amplifiers // IEEE J. Quant. Electron., 1997, Vol. 33, p. 1543.
  104. Г. Нелинейная волоконная оптика, М.: Мир, 1996
  105. В.В., Шенин Ф. А. Математическое моделирование многомодового полупроводникового кольцевого лазера // Вестник ВГТУ, 2007, т. 3, № 8, с. 125.
  106. В.В., Шенин Ф. А. Численное моделирование процесса конкуренции электромагнитных волн, распространяющихся в полупроводниковом оптическом усилителе, за счет термализации неравновесных носителей // Вестник ВГТУ, 2007, т. 3, № 8, с. 127.143
  107. В.В., Шенин Ф. А. Математическое моделирование взаимодействия встречных электромагнитных волн в полупроводниковом оптическом усилителе // Вестник ВГТУ, 2006, т. 2, № 8, с. 98.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!