Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом

Диссертация: Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты работы докладывались на шестой и седьмой Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (г. СанктПетербург, 2004, 2005 гг.), пятой и десятой молодежных научных школах «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его применений» (г. Казань, 2001, 2006 гг.), девятой, десятой и одиннадцатой сессиях нижегородских молодых… Читать ещё >

Содержание

  • Список основных сокращений
  • 1. ИЗОТОПИЧЕКИЕ ЭФФЕКТЫ В ТВЁРДЫХ ТЕЛАХ } (Обзор литературы)
    • 1. 1. Изотопические спиновые эффекты
      • 1. 1. 1. Суперсверхтонкое взаимодействие
      • 1. 1. 2. Спиновая декогерентизация
    • 1. 2. Фононные эффекты, связанные со средней массой изотопов
      • 1. 2. 1. Зависимость теплоемкости от массы изотопов
      • 1. 2. 2. Параметр решетки, как функция массы изотопов
      • 1. 2. 3. Ангармонические эффекты в частотах фононов и ширине линии
    • 1. 3. Фононные эффекты, связанные с изотопическим беспорядком
      • 1. 3. 1. Влияние изотопического беспорядка на теплопроводность
      • 1. 3. 2. Собственная энергия фононов при изотопическом беспорядке
      • 1. 3. 3. Рамановское рассеяние, индуцированное изотопным беспорядком
    • 1. 4. Формулировка задач исследований
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Техника эксперимента
    • 2. 2. Исследованные образцы
    • 2. 3. Методы определения скорости спин-решеточной релаксации
    • 2. 4. Метод определения вклада ССТВ в ширину линии при одновременном действии двух уширяющих механизмов
  • 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ВКЛАДА ССТВ В ШИРИНУ ЛИНИИ ЭПР В ЗАВИСИМОСТИ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ ЯДЕР 29S
    • 3. 1. Компьютерное моделирование вклада ССТВ в ширину линии
      • 3. 1. 1. Центры с глубокими уровнями
      • 3. 1. 2. Мелкий донорный центр фосфора в кремнии
    • 3. 2. Анализ ширины и формы линии методом моментов
    • 3. 3. Выводы к главе 3
  • 4. ИЗОТОПИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССАХ В ЭПР ДЕФЕКТНЫХ И ПРИМЕСНЫХ 74 ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ
    • 4. 1. Влияние изотопного состава на процессы спин-решеточной и спин- спиновой релаксации
      • 4. 1. 1. Изотопические эффекты в ЭПР оборванных связей в порошках и поликристаллах кремния
      • 4. 1. 2. Изотопические эффекты в облученных образцах
      • 4. 1. 3. Изотопические эффекты в ЭПР ионов хрома в кремнии
      • 4. 1. 4. Модель спин-решеточной релаксации в кремнии
    • 4. 2. Вклад ССТВ в ширину линии и скорость спиновой релаксации
    • 4. 3. Выводы к главе 4
  • Заключение

Электронный парамагнитный резонанс дефектов и примесей в кремнии с различным изотопным составом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Наряду с существенным прогрессом в полупроводниковой науке и технологии, контроль над изотопным составом полупроводниковых материалов («изотопная инженерия») притягивает большое внимание, особенно в последнее десятилетие. Многие физические свойства твердого тела, такие как фононные частоты, времена жизни фононов, постоянные решётки, теплопроводность, электронный и ядерный магнитные резонансы, как известно, зависят от изотопного состава полупроводниковых кристаллов [1].

Изотопное обогащение кремния должно сыграть важную роль в развитии «спиновых приборов», в которых контроль спиновых состояний электронов открывает новые функциональные возможности обычных электронных приборов. Недавно Кейном [2] была предложена реалистичная модель квантового компьютера, в котором используется взаимодействие между ядерными и электронными спинами доноров фосфора в кремнии. Для реализации квантовых битов в данной модели важно подавить процессы спиновой релаксации ядер фосфора за счёт взаимодействия с ядерными спинами изотопа Si, поэтому, необходимо получить изотопнообогащенный бесспиновый кремний 28Si. Поскольку, технология получения высокочистых моноизотопных монокристаллов кремния в настоящее время очень дорогая, важно выяснить, насколько чувствительны физические свойства кремния к изотопному составу, а также к примесям других элементов, неизбежно проникающим в образец на всех технологических этапах производства.

Данная работа посвящена изучению изотопических эффектов в ЭПР дефектов и примесей в кремнии, на фоне конкурирующих эффектов обусловленных дефектностью и примесным составом кристаллов.

Актуальность темы

и постановка задан.

Кремний, наиболее изученный и применяемый в микроэлектронике полупроводник, в последнее время, благодаря интенсивным исследованиям совершенно новых свойств квантоворазмерных структур и дефектно-примесной люминесценции, сделал значительный шаг в сторону применения в оптоэлектронике, где он существенно проигрывал традиционным прямозонным полупроводникам. Следующим существенным шагом в совершенствовании его фундаментальных свойств и развитии «кремниевых технологий» является переход к монокристаллам высокочистого моноизотопного кремния, состоящего преимущественно из одного устойчивого изотопа. В связи с быстрым прогрессом микрои наноэлектроники, а также спинтроники, увеличением быстродействия и миниатюризации элементов микросхем ряд параметров кремния, зависящих от его изотопного состава уже не удовлетворяет возрастающим требованиям. Так, например, присутствие в кремнии нескольких стабильных изотопов существенно уменьшает его теплопроводность, что вызывает трудности с отводом тепла, выделяющегося при работе быстродействующих микроэлектронных структур. Применение моноизотопного кремния, обладающего более высокой теплопроводностью, позволит преодолеть эти трудности. Моноизотопный кремний обладает и совершенно новыми свойствами, использование которых может привести к разработке качественно новых устройств спинтроники, способных обеспечить революционный прорыв в информационных технологиях, созданию компьютеров нового поколения. Так, моноизотопный кремний-28, ядро которого обладает нулевым спином, может быть основой для создания квантовых компьютеров. Комплексное исследование свойств моноизотопного кремния позволит получить новые фундаментальные знания в области физики твердого тела и физики полупроводников, изучить влияние изотопного состава на свойства этого важнейшего полупроводника, открыть новые сферы применения моноизотопного кремния. Нам представляется, что в основе наиболее существенных изотопических эффектов должны быть эффекты, связанные с взаимодействием электронных спинов со спином ядра с массовым числом 29, а также эффекты, обусловленные взаимодействием электронов с фононами, на распределение которых существенное влияние оказывает изотопическое разупорядочение решетки. Очевидно, что эти эффекты должны проявляться в тепловых, оптических и магнитных свойствах твердых тел и могут быть заметны при измерении теплопроводности, ЭПР и оптических спектров. Однако наиболее ярко изотопические эффекты наблюдаются в ЭПР спектрах, поскольку в них проявляются как спин-спиновые так и спин-фононные взаимодействия. Применение бесспинового моноизотопного кремния Si в спектроскопии ЭПР позволит существенно повысить разрешающую способность метода, благодаря значительному сужению линий спектра. Как показал анализ литературных данных, изотопические эффекты в кремнии методом ЭПР исследовались мало и достаточно однобоко. Преимущественно рассматривались спиновые изотопические эффекты, в которых действуют только изотопы с не нулевым спином, при этом влияние изотопного состава на процессы спин-решеточной релаксации вообще не исследовалось.

Исходя из вышесказанного, определилась основная цель данной работы — изучение методом электронного парамагнитного резонанса изотопических эффектов в кремнии.

Научная новизна работы.

1. Изучена зависимость вклада суперсверхтонкого взаимодействия в ширину линии спектра ЭПР от концентрации магнитных ядер.

2. В работе впервые исследовано влияние изотопного состава на процессы спин-решеточной релаксации дефектов и примесей в кремнии.

Практическая ценность работы.

Результаты, полученные в данной работе, способствуют более глубокому пониманию процессов спиновой релаксации и могут быть полезны при конструировании приборов спинтроники.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Вклад суперсверхтонкого взаимодействия в ширину линии ЭПР пропорционален корню квадратному из концентрации магнитных ядер только в диапазоне больших концентраций магнитных ядер, когда справедливо гауссово распределение резонансных полей. При понижении концентрации магнитных изотопов, зависимость становится линейной.

2. Концентрация магнитных ядер, при которой ещё справедлива корневая зависимость, определяется степенью локализации спиновой плотности парамагнитного центра. Для более делокализованных центров корневой закон остается справедливым при меньших концентрациях, чем в случае локализованных центров.

3. Экспериментально обнаружено значительное сужение линии ЭПР за счет уменьшения вклада ССТВ в ширину линии для ряда.

JO парамагнитных центров в кремнии при обогащении изотопом Si.

4. Обнаруженное существенное уменьшение времени спин-решеточной релаксации в порошках кремния при изотопном обогащении, связано с уменьшением рассеяния фононов на изотопической примеси.

5. В ЭПР ионов хрома влияние изотопного состава кремния совместно с влиянием дефектов структуры проявляется в высокотемпературной части зависимости скорости спин-решеточной релаксации. В низкотемпературной части зависимости обнаружено существенное влияние дефектов и примесей на процессы релаксации, превосходящее изотопические эффекты.

Апробация результатов работы.

Основные результаты работы докладывались на шестой и седьмой Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (г. СанктПетербург, 2004, 2005 гг.), пятой и десятой молодежных научных школах «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его применений» (г. Казань, 2001, 2006 гг.), девятой, десятой и одиннадцатой сессиях нижегородских молодых ученых (2004, 2005, 2006 гг.), одиннадцатой всероссийской научной конференции студентов физиков (Екатеринбург, 2005 г.), двенадцатой всероссийской научной конференции студентов физиков (Новосибирск, 2006 г.), третьей международной конференции «Фундаментальные проблемы физики» (Казань, 2005 г.), шестом всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новогород, 2002 г.), первой всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новогород, 2006 г.), десятом симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2006 г.), Всероссийской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород — Казань, 2001 г.), международном совещании по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний — 2002» (Новосибирск, 2002 г.), втором рабочем совещании «Высокочистый моноизотопный кремний. Производство, анализ, свойства и приложения» (Нижний Новгород, 2003 г.), всероссийском совещании «Кремний-2004» (Иркутск, 2004 г.), пятой международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2006 г.).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликованы 26 научных работ: 6 статей и 20 публикаций в материалах конференций.

Структура и объём диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав и заключения. Объем диссертации составляет 120 страниц, содержащих 48 рисунков и 4 таблицы.

Список литературы

содержит 79 наименований.

4.3. Выводы к главе 4.

1 Полученные экспериментальные данные подтверждают существенное влияние изменения изотопного состава кремния на его свойства. Уширение линии ЭПР оборванных связей и ионов хрома в кремнии вызванное суперсверхтонким взаимодействием, уменьшается при переходе к моноизотопному кремнию.

2 Для парамагнитных оборванных связей в кремнии уменьшение времени спин-решеточной релаксации при комнатной температуре говорит о существенном уменьшении рассеяния фононов, ответственных за спиновую релаксацию, обусловленном изменениями в изотопном распределении. Доказано влияние на процессы переноса фононов и структурного совершенства кристалла.

3 В ЭПР ионов хрома влияние изотопного состава кремния совместно с влиянием дефектов структуры проявляется в высокотемпературной части зависимости скорости спин-решеточной релаксации, где для объяснения результатов эксперимента необходимо учитывать процессы переноса фононов в условиях сильного рассеяния на изотопах и дефектах.

4 Исследование низкотемпературной части зависимости скорости СРР ионов хрома в кремнии показало существенное влияние дефектов и примесей на процессы релаксации. Показана возможность возникновения дополнительных каналов релаксации через примесные центры. Разработана модель СРР успешно объясняющая полученные экспериментальные зависимости.

Заключение

.

В работе исследовались изотопические эффекты в электронном парамагнитном резонансе дефектов и примесей в кремнии. Методами численного моделирования, а также аналитически исследована зависимость вклада ССТВ в ширину линии ЭПР от концентрации магнитных ядер. Экспериментально изучено влияние изотопного состава на процессы спин-решеточной релаксации различных парамагнитных центров в кремнии. Получены следующие основные результаты:

1) Численными методами показано, что корневая зависимость вклада ССТВ в ширину линии ЭПР справедлива только при сравнительно больших концентрациях магнитных ядер, когда справедливо гауссово распределение резонансных полей, а при малых концентрациях переходит в линейную зависимость независимо от природы парамагнитного центра. Таким образом, оценки времени потери фазовой когерентности в системе кубитов, основанные на предположении о корневом характере зависимости ССТВ от концентрации магнитных ядер оказываются заниженными.

2) Показано, что значение концентрации, при которой корневой закон остается справедливым зависит от степени локализации спиновой плотности парамагнитного центра. Для более делокализованных центров действие корневого закона распространяется в более широком диапазоне концентраций магнитных ядер.

3) Полученные экспериментальные данные подтверждают существенное влияние изменения изотопного состава кремния на его свойства. Уширение линии ЭПР оборванных связей и ионов хрома в кремнии вызванное суперсверхтонким взаимодействием, уменьшается при переходе к моноизотопному кремнию.

4) Для парамагнитных оборванных связей в кремнии уменьшение времени спин-решеточной релаксации при комнатной температуре свидетельствует о существенном уменьшении рассеяния фононов, ответственных за спиновую релаксацию, обусловленном изменениями в изотопном распределении. Доказано влияние на процессы переноса фононов и структурного совершенства решётки.

5) В ЭПР ионов хрома влияние изотопного состава кремния совместно с влиянием дефектов структуры проявляется в высокотемпературной части зависимости скорости спин-решеточной релаксации, где для объяснения результатов эксперимента необходимо учитывать процессы переноса фононов в условиях сильного рассеяния на изотопах и дефектах.

6) Исследование низкотемпературной части зависимости скорости СРР ионов хрома в кремнии показало существенное влияние дефектов и примесей на процессы релаксации, превосходящее изотопические эффекты. Показана возможность возникновения дополнительных каналов релаксации через примесные центры. Разработана модель СРР успешно объясняющая полученные экспериментальные зависимости.

Выражаю глубокую благодарность научному руководителю Александру Александровичу Ежевскому за предложенную тему исследования, постоянное внимание к работе, помощь в подготовке экспериментов и обсуждении результатов. Выражаю благодарность профессору А. В. Гусеву за предоставленные образцы моноизотопного кремния, а также Д. В. Хомицкому за разработку модели переноса фононов в дефектных образцах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Е. Е. 1.otopically engineered semiconductors / E. E. Haller // J. Appl. Phys. — 1995. — Vol.77. — P.2857−2878.
  2. Kane, B.F. A silicon-based nuclear spin quantum computer / B.F. Kane // Nature 1998. -Vol.393. -P.133−137.
  3. Spontaneous Emission of Radiation from an Electron Spin System / G. Feher, J.P. Gordon, E. Buehler, E.A. Gere, C.D. Thurmond // Phys. Rev. 1958. -Vol.l09.-P.221−222.
  4. Ligand ENDOR on substitutional manganese in GaAs / S. Gisbergen, A.A. Ezhevskii, N.T. Son, T Gregorkiewicz., C.A.J. Ammerlaan // Phys. Rev. В 1994. -Vol.49.-P. 10 999−11 004
  5. Kohn, W. Solid State Physics / W. Kohn. — New York: Academic Press, Inc., 1957.-Vol.5.-257 p.
  6. Feher, G. Electron Spin Resonance Experiments on Donors in Silicon. I. Electronic Structure of Donors by the Electron Nuclear Double Resonance Technique / G. Feher // Phys. Rev. 1959. — Vol. 114. — P. 1219−1244.
  7. Line Broadening and Decoherence of Electron Spins in Phosphorus-Doped Silicon Due to Environmental Si Nuclear Spins / E. Abe, A. Fujimoto, J. Isoya, S. Yamasaki, K.M. Itoh // Phys. Rev. В 2007 (submitted).
  8. Electron spin relaxation times of phosphorus donors in silicon / A. M. Tyryshkin, S. A. Lyon, A. V. Astashkin, A. M. Raitsimring // Phys. Rev. В 2003. -Vol.68.-P. 193 207.
  9. High-resolution magnetic-resonance spectroscopy of thermal donors in silicon / V.V. Emtsev Jr., C.A.J. Ammerlaan, A.A. Ezhevskii, A.V. Gusev // Physica В -2006. Vol.376−377. — P.45−49.
  10. Herzog, B. Transient Nuclear Induction and Double Nuclear Resonance in Solids / B. Herzog, E.L. Hahn // Phys. Rev. 1955. — Vol.103. — P. 148−166.
  11. Klauder, J.R. Spectral Diffusion Decay in Spin Resonance Experiments / J.R. Klauder, P.W. Anderson // Phys. Rev. 1962. — Vol.125. — P.912−932.
  12. Mims, W.B. Spectra. Diffusion in Electron Resonance Lines / W.B. Mims, K. Nassau, J.D. McGee // Phys. Rev. 1961. — Vol.123. -P.2059−2069.
  13. Mims, W.B. Phase Memory in Electron Spin Echoes, Lattice Relaxation Effects in CaW04: Er, Ce, Mn / W.B. Mims // Phys. Rev. 1968. — Vol.168. — P.370−389.
  14. De Sousa, R. Electron spin coherence in semiconductors: Considerations for a spin-based solid-state quantum computer architecture / R. de Sousa, S. Das Sarma // Phys. Rev. В 2003. — Vol.67. — P.33 301.
  15. De Sousa, R. Theory of nuclear-induced spectral diffusion: Spin decoherence of phosphorus donors in Si and GaAs quantum dots / R. de Sousa, S. Das Sarma // Phys. Rev. В 2003. — Vol.68. — P. 115 322.
  16. Schnelle, W. Heat capacity of germaniumcrystals with various isotopic compositions / W. Schnelle, E. Gmelin // J. Phys.: Condens. Matter 2001. -Vol.13. -P.6087−6094.
  17. Weber, W. Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si, Ge, and Sn / W. Weber // Phys. Rev. В 1977. — Vol. 15. — P.4789−4803.
  18. Nilsson, G. Dispersion relations in germanium at 80 К / G. Nilsson, G. Nelin // Phys. Rev. В 1971. — Vol.3. -P.364−369.
  19. Cardona, M. Temperature dependence of the energy gap of semiconductors in the low-temperature limit / M. Cardona, T.A. Meyer, M.L.W. Thewalt // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol.92. — P. l96403.
  20. Measurements of the heat capacity of diamond with different isotopic compositions / M. Cardona, R. K. Kremer, M. Sanati, S. K. Estreicher, T.R. Anthony // Solid State Commun. 2005. — Vol.133. — P.465−468.28 30 *
  21. Heat capacity of isotopically enriched Si and Si in the temperature range 4 КГ100 К / A. Gibin, G. Devyatykh, A. Gusev, R. Kremer, M. Cardona, H.-J. Pohl // Solid State Commun. 2005. — Vol.133. — P.569−572.
  22. Pavone, P. Dependence of the crystallattice constant on isotopic composition: Theory and ab initio calculations for C, Si and Ge / P. Pavone, S. Baroni // Solid State Commun. 1994. — Vol.90. — P.295−297.
  23. Debernardi, A. Isotopic effects on the lattice constant in compound semiconductors by perturbation theory: An ab initio calculation / A. Debernardi, M. Cardona // Phys. Rev. В 1996. — Vol.54. — P. l 1305−11 310.
  24. Isotopic dependence of the lattice constant of diamond / H. Holloway, K.C. Hass, M.A. Tamar, T.R. Anthony, W.F. Banholzer // Phys. Rev. В 1991. -Vol.44. -P.7123−7126.
  25. Effect of the isotope concentration on the lattice parameters of germanium perfect crystals / R.C. Buschert, A. E. Merlini, S. Pace, S. Rodriguez, M.H. Grimsditch // Phys.Rev. В 1988. — Vol.38. — P.5219−5221.
  26. X-ray standing wave analysis of the effect of isotopic composition on the lattice constants of Si and Ge / E. Sozontov, L. X. Cao, A. Kazimirov, V. Kohn, M. Konuma, J. Zegenhagen // Phys. Rev. Lett. 2001. — Vol.86. — P.5329−5332.
  27. Reeber, R.R. Thermal expansion, nuclear volume, and specific heat of diamond from 0 to 3000 К / R.R. Reeber, K. Wang // J. Electron. Mater 1996. — Vol.25. -P.63−67.
  28. Singh, H.P. Determination of thermal expansion of germanium, rhodium and iridium by x-rays / H.P. Singh // Acta Crystallogr., Sect. A: Cryst. Phys., Diffr., Theor. Gen. Crystallogr. 1968. — Vol. A24. — P.469−471.
  29. Cardona, M. Renormalization of the optical response of semiconductors by electron-phonon interaction / M. Cardona // Phys. Status Solidi A 2001. -Vol.188. -P.1209−1232.
  30. Cardona, M. Effects of Electron-Phonon Interaction on the Optical Response of Semiconductors / M. Cardona // Scuola Normale Superiore, Chap. 3, Electrons and Phonons in Solids Pisa, 2001 — P.25−47.
  31. Vibrational band modes in germanium: Isotopic disorder-induced Raman scattering / H.D. Fuchs, P. Etchegoin, M. Cardona, K. Itoh, E.E. Haller // Phys. Rev. Lett. 1993. — Vol.70. — P.1715−1718.
  32. Effects of isotope disorder on energies and lifetimes of phonons in germanium / A. Gobel, D.T. Wang, M. Cardona, L. Pintschovius, W. Reichardt, J. Kulda, N.M. Рука, К. Itoh, E.E. Haller//Phys. Rev. В 1998. — Vol.58. -P.10 510−10 522.
  33. T. Ruf, J. Serrano, M. Cardona, P. Pavone, M. Pabst, M. Krisch, M. D'Astuto, T. Suski, I. Grzegory, M. Leszczynski, T.R. Anthony // 25th International Conference on Physics of Semiconductors Springer, Heidelberg — 2001. — Vol.87. — P. 15 311 532.
  34. Cardona, M. Phonon self-energies in semiconductors: Anharmonic and isotopic contributions / M. Cardona, T. Ruf// Solid State Commun. 2001. Vol.117. -P.201−212.
  35. Menendez, J. Temperature dependence of the first-order Raman scattering by phonons in Si, Ge, and a-Sn: Anharmonic effects / J. Menendez, M. Cardona // Phys. Rev. В 1984. — Vol.29. -P.2051−2059.
  36. Barron, Т. H. K. Perturbation Theory of Anharmonic Crystals / Т. H. K. Barron, M. Klein // North-Holland, Amsterdam 1974. — Vol. 1 of Dynamical Properties of Solids, Chap. 7. — P.391−449.
  37. Isotopic effects in elemental semiconductors: A Raman study of Si / F. Widulle, T. Ruf, M. Konuma, I. Silier, W. Kriegseis, M. Cardona, V.I. Ozhogin // Solid State Commun. 2001. — Vol. 118. — P. 1−22.
  38. Sanati, M. Defects in silicon: The role of vibrational entropy / M. Sanati, S.K. Estreicher// Solid State Commun. 2003. — Vol.128. — P. 181−185.
  39. Pomeranchuk, I.Y. On the thermal conductivity of dielectrics at temperatures lower than that of Debye / I.Y. Pomeranchuk // J. Phys. 1942. -Vol.6. — P.237−255.
  40. Berman, R. Effect of isotopes on the lattice heat conductivity. 1. Lithium fluoride / R. Berman, J.C.F. Brock // Proc. R. Soc. London, Ser. A 1965. -Vol.289.-P.46−65.
  41. Geballe, Т. Isotopic and other types of thermal resistance in germanium / T. Geballe, G. Hull // Phys. Rev. 1958. — Vol.110. -P.773−775.
  42. Thermal conductivity of isotopically-enriched silicon / T. Ruf, R.W. Henn, M. Asen-Palmer, E. Gmelin, M. Cardona, H.-J. Pohl, G.G. Devyatych, P.G. Sennikov // Solid State Commun. 2000. — Vol.115. — P.243−247.
  43. Thermal conductivity of isotopically modified single crystal diamond / L. Wei, P.K. Kuo, R.L. Thomas, T.R. Anthony, W.F. Banholzer // Phys. Rev. Lett. 1993.- Vol.70. P.3764−3767.
  44. Diamond crystal x-ray optics for high-power-density in synchrotron radiation beams / L.E. Berman, J.B. Hastings, D.P. Siddons, M. Koike, V. Stojanoff, M.
  45. Hart // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 1993. — Vol.329. — P.555−563.' 28 • •
  46. Thermal conductivity of isotopically-enriched Si: Revisited / R.K. Kremer, K.
  47. Graf, M. Cardona, G.G. Devyatykh, A.V.Gusev, A.M. Gibin, A.V. Inyushkin, A. Taldenkov, H.-J.Pohl // Solid State Commun. 2004. — Vol.131. — P.499−503.
  48. Omini, M. Thermal conductivity of dielectric solids with diamond structure / M. Omini, A. Sparavigna // Nuovo Cimento D 1997. — Vol.19. — P. 1537−1563.
  49. Sparavigna, A. Influence of isotope scattering on the thermal conductivity of diamond / A. Sparavigna // Phys. Rev. В 2002. — Vol.65. — P.64 305.
  50. Tamura, S. Isotope scattering of dispersive phonons in Ge / S. Tamura // Phys. Rev. В 1983. — Vol.27. — P.858−866.
  51. Widulle, F. Disorderinduced phonon self-energy of semiconductors with binary isotopic composition / F. Widulle, J. Serrano, M. Cardona // Phys. Rev. В 2002.- Vol.65. -P.75 206.
  52. Vast, N. Effects of isotopic disorder on the Raman frequencies of crystals: Theory and ab initio calculations for diamond and germanium / N. Vast, S. Baroni // Phys. Rev. В 2000. — Vol.61. — P.9387−9392.
  53. Taylor, D.W. Vibrational properties of imperfect crystals with large defect concentrations / D.W. Taylor // Phys. Rev. 1967. — Vol. 156. — P. 1017−1029.
  54. Isotopic-disorder-induced Raman scattering in diamond / J. Spitzer, P. Etchegoin, M. Cardona, T.R. Anthony, W.F. Banholzer // Solid State Commun. -1993.-Vol.88.-P.509−514.
  55. Raman scattering on a-Sn: Dependence on isotopic composition / D.T. Wang, A. Gobel, J. Zegenhagen, M. Cardona // Phys. Rev. В 1997. — Vol .56. — P. 1 316 713 171.
  56. Получение высокочистого моноизотопного кремния-28 / Девятых Г. Г., Сенников П. Г., Буланов А. Д. А. В. Гусев // Тезисы докладов XI конференции по химии высокочистых веществ. Нижний Новгород, Россия, 2000 С.3−4.
  57. Пул, Ч. Техника ЭПР-спектроскопии / Ч. Пул М.: Мир, 1970. — 560 с.
  58. Posener, D.W. The Shape of Spectral Lines: Tables of the Voigt Profile / D.W. Posener // Australian Journ. Phys. 1959. — Vol. 12. — P. 184−188.
  59. Sprenger, M. Magnetic resonance studies on defects in silicon: Ph. D. Thesis / Michiel Sprenger // University of Amsterdam 1986. — 173 p.
  60. Van Kooten, J.J. A magnetic resonance and photoluminescence study on point defects in silicon: Ph. D. Thesis / Jacobus Johannes van Kooten // University of Amsterdam 1987. — 128 p.
  61. Van Kemp, R. Magnetic resonance studies of the oxygen- vacancy complex and interstitial chromium in silicon: Ph. D. Thesis / Ronald van Kemp // University of Amsterdam 1988. — 144 p.
  62. Hale, E.B. Shallow donor electrons in silicon / E.B. Hale, R.L. Mieher // Phys. Rev. 1969. — Vol. 184. — P.739−750
  63. Ludwig, G.W. Spin resonance of transition metals in silicon / G.W. Ludwig, H.H. Woodbury // Phys. rev. 1960. — Vol. 117, № 1. — P. 102−108.
  64. Ivey, J.L. Ground-state wave function for shallow-donor electrons in silicon / J.L. Ivey, R.L. Mieher // Phys. Rev. В 1975. — Vol.11, № 2. — P. 822−848.
  65. Kittel, C. Dipolar broadening of magnetic resonance lines in magnetically diluted crystals / C. Kittel, E. Abrahams // Phys. Rev. 1953. — Vol.90, № 2. -P.238−239.
  66. Van Vleck, J.H. The dipolar broadening of magnetic resonance lines in crystals. / J.H. Van Vleck // Phys. Rev. 1948. — Vol.74, № 9. — P. 1168−1183.
  67. , C.A. Электронный парамагнитный резонанс соединений элементов промежуточных групп / С. А. Альтшулер, Козырев Б. М. М.: Наука, 1972.-672 с.
  68. Guseinov, D.V. The contribution of Si ligand superhyperfine interactions to the line width of paramagnetic centers in silicon / D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan // Physica B. 2006. — Vol.381. — P. 164−167.
  69. , Д.В. Распространение фононных импульсов в режиме спонтанного распада фононов / Д. В. Казаковцев, И. Б. Левинсон // Письма в ЖЭТФ 1978. — том 27, вып.З. — С. 194−196.
  70. Esipov, S.E. Quasidiffusion of phonons in Si / S.E. Esipov // Phys. Rev. В -1994.-Vol.49.-P.716−720.
  71. Van Vleck, J.H. Paramagnetic Relaxation Times for Titanium and Chrome Alum / J.H. Van Vleck // Phys. Rev. 1940. — Vol.57. — P.426−447.
  72. Orbach, R. Spin-lattice relaxation in rare-earth salts / R. Orbach // Proc. Roy. Soc. A 1961. — Vol.264. — P.458−466.
  73. Finn, C.B.P. Spin-Lattice Relaxation in Cerium Magnesium Nitrate at Liquid Helium Temperature: A New Process / C.B.P. Finn, R. Orbach, W.P. Wolf. // Proc. Phys. Soc. 1961.-Vol.77.-P.261−268.
  74. Blume, M. Spin-Lattice Relaxation of S-State Ions: Mn2+ in a Cubic Environment / M. Blume, R. Orbach // Phys. Rev. 1962. — Vol.127. — P. 15 871 595.
  75. Изотопные эффекты в электронном парамагнитном резонансе кремния / Г. Г. Девятых, А. В. Гусев, А. Ф. Хохлов, Г. А. Максимов, А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, Е. М. Дианов // Неорганические материалы 2002. — Т.32, № 4. -С.403−408.
  76. Электронный парамагнитный резонанс моноизотопного высокочистого кремния-28 / Г. Г. Девятых, А. В. Гусев, А. Ф. Хохлов, Г. А. Максимов, А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, Е. М. Дианов // ДАН 2001. — т. 376, в 1. -с. 62−65.
  77. Изотопные эффекты в электронном парамагнитном резонансе кремния / Г. Г. Девятых, А. В. Гусев, А. Ф. Хохлов, Г. А. Максимов, А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, Е. М. Дианов // Неорганические материалы 2002. — Т.32, № 4. — С.403−408.
  78. , Д.В. Изотопические эффекты в ЭПР собственных дефектов и 3d примесей в кремнии / Д. В. Гусейнов, А. А Ежевский // Тезисы докладов IX Нижегородской сессии молодых ученых, Нижний Новгород, 25−30 апреля 2004. С. 64.
  79. Изотопические эффекты в ЭПР собственных дефектов и примесей в кремнии 28 / А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, Г. А. Максимов, Г. Г. Девятых, А. В. Гусев // Тезисы докладов Совещания, Иркутск, 5−9 июля2004.-С.139.
  80. , Д.В. Релаксационные эффекты в ЭПР ионов хрома в моноизотопном кремнии Si-28 / Д. В. Гусейнов, А. А. Ежевский // Тезисыдокладов XI Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых, Екатеринбург, 24−30 марта 2005. С.247−248.
  81. , Д.В. Спин решеточная релаксация в ЭПР ионов хрома в моноизотопном кремнии / Д. В. Гусейнов, А. А Ежевский // Тезисы докладов X Нижегородской сессии молодых ученых, Нижний Новгород, 18−21 апреля 2005. — С.34−35.
  82. , Д.В. Изотопические эффекты в ЭПР ионов хрома в кремнии / Д. В. Гусейнов, А. А Ежевский, А. В. Гусев // Тезисы докладов III Международной научной конференция «Фундаментальные проблемы физики», Казань, 13−18 июня 2005. С. 138.
  83. Guseinov, D.V. The contribution of Si ligand superhyperfine interactions to the line width of paramagnetic centers in silicon / D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan // Physica B. 2006. — Vol.381. — P. 164−167.
  84. Guseinov, D.V. EPR line width and spin relaxation rates of shallow and deep donors in isotopically controlled silicon / D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan // Physica B. 2007 (принято).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!