Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра и экспериментальная проверка их эффективности

Диссертация: Разработка средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра и экспериментальная проверка их эффективности
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты работы докладывались на: международных научно-технических конференциях по приборам ночного видения (Москва, 2004) — «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва, 2005) — «Наука и образование» (Воронеж, 2005) — «50 лет модулярной арифметике» (Москва, 2005) — российских конференциях «Информационные технологии» (Воронеж, 2005… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Состояние и задачи развития типовой интегрированной ситемы ^ автоматизации проектирования современной элементной базы двойного назначения
    • 1. 1. Анализ современного состояния элементной базы
    • 1. 2. Современная методология проектирования и создания элементной базы
    • 1. 3. Анализ современных средств автоматизации проектирования элементной базы двойного назначения
    • 1. 4. Постановка задачи
  • Выводы первой главы
  • Глава 2. Типовая интегрированная среда автоматизации проектирования изделий микроэлектроники двойного назначения в дизайн-центрах
    • 2. 1. Методика автоматизации проектирования
  • КМОП СБИС двойного назначения
    • 2. 2. Архитектура интегрированной информационной среды
    • 2. 3. Структура проблемно-ориентированного программного обеспечения для автоматизации проектирования в дизайн-центрах
    • 2. 4. Математические модели учета статических и импульсных видов радиации в КМОП-структурах
      • 2. 4. 1. Моделирование радиационного накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при средних и высоких значениях мощности дозы
      • 2. 4. 2. Моделирование накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при воздействии импульсного ионизирующего излучения
      • 2. 4. 3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике МОП-структуры при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства
      • 2. 4. 4. Выбор значений параметров, определяющих кинетику накопления заряда в диэлектрике при радиационном облучении
      • 2. 4. 5. Моделирование процесса накопления поверхностных состояний
    • 2. 5. Моделирование радиационной реакции типовых элементов
  • КМОП БИС на схемотехническом уровне
  • Ф
  • Выводы второй главы
  • Глава 3. Математическое обеспечение минимизации аппараткрных затрат при приектировании микросхем и интерации программного обеспечения
    • 3. 1. Математические модели минимизации аппаратных затрат при создании микросхем на основе программируемых логических матриц
      • 3. 1. 1. Минимизация площади БМПУ для конъюнктивной формы логических условий
      • 3. 1. 2. Минимизация площади ПЛМ при кодировании команд методом расширения кодов операций
      • 3. 1. 3. Методы изменения количества входов и выходов ПЛМ для уменьшения площади БМПУ
    • 3. 2. Синтез проблемно-ориентированного программного обеспечения
  • САПР
    • 3. 3. Особенности построения информационных средств
  • Выводы третьей главы
  • Глава 4. Особенности реализации разработанных средств и результаты внедрения
    • 4. 1. Особенности реализации автоматизации проектирования дизайнцентра
    • 4. 2. Структура проблемно-ориентированного программного обеспечения
    • 4. 3. Результаты внедрения и оценка эффективности разработанных средств
  • Выводы четвертой главы

Разработка средств автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра и экспериментальная проверка их эффективности (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Переход экономики страны на рыночные отношения потребовал коренной перестройки одной из ключевых отраслей — электронной промышленности (ЭП). Уровень её развития определяет научно-технический прогресс практически во всех сферах хозяйственной деятельности человека. В СССР ЭП в основном была ориентирована на решение задач создания элементной базы для военной техники и полностью финансировалась и управлялась государством. В переходной период предприятиям ЭП была предоставлена полная самостоятельность, и резко сократилось госбюджетное финансирование. В этих условиях многие из них были перепрофилированы или закрыты. Лишь своевременное вмешательство государства позволило сохранить основные предприятия ЭП. Ограниченное финансирование потребовало тщательного изучения мирового опыта проектирования и производства современных изделий микроэлектроники и его использования для перестройки научной и промышленной инфраструктуры ЭП.

Была поставлена задача создания сети специализированных дизайн-центров (ДЦ) и кремниевых мастерских (КМ), что позволило аккумулировать ограниченные финансовые средства для модернизации отечественного и закупки импортного оборудования для централизованного оснащения данных предприятий.

Дизайн-центр является сложным техническим комплексом для решения задач автоматизации проектирования специализированных СБИС. Он должен быть оборудован высокопроизводительным технологическим оборудованием, вычислительной техникой и программным обеспечением. Самые современные вычислительные машины и системы свободно продаются на мировом рынке и ими могут оснащаться создаваемые ДЦ и КМ.

Однако, новейшее технологическое оборудование и специализированное программное обеспечение, и в первую очередь, для автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы является самым оберегаемым секретом фирм-производителей.

Радиационно-стойкая элементная база в настоящее время в основном создается на основе КМОП технологии, так как она обеспечивает уникальные интегральные показатели: широкий спектр функциональных возможностей, низкую потребляемую мощность, простоту изготовления и др. Задача проектирования данных СБИС требует решения широкого круга вопросов, связанных с исследованием параметров типовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС с учётом требований недавно принятого комплекса государственных стандартов (КГС) «КЛИМАТ — 7», разработки математических моделей и алгоритмов для обеспечения непрерывного процесса проектирования.

Поэтому актуальна задача создания проектной среды разработки специализированных КМОП СБИС двойного назначения, предназначенных для построения управляющих вычислительных комплексов, работающих в особо жёстких условиях: радиационных и электромагнитных воздействий, широком диапазоне температур, большой механической нагрузки и т. д.

Следует отметить, что аппаратура специального назначения имеет жесткие ограничения по массе, габаритам, потребляемой мощности и т. п., что накладывает такие же ограничения на элементную базу. Поэтому для СБИС не менее актуальна задача снижения этих показателей при обеспечении необходимой производительности, функциональных возможностей, надежности и стойкости. Фактически все эти характеристики связаны со степенью интеграции кристаллов, которая ограничена рамками существующего уровня технологии: конструкторско-технологическими ограничениями на минимальные размеры элементов, максимальными размерами кристалла и количеством выводов. В связи с этим важнейшей задачей проектирования специализированных КМОП СБИС и вычислительных средств на их основе является задача минимизации аппаратурных затрат, что обеспечит выполнение большего количества функций, увеличит быстродействие, повысит надежность, снизит потребляемую мощность и стоимость, увеличит процент выхода годных изделий при изготовлении.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ОАО «Ангстрем»: «База-А-ЦОС», «Интеграция», «Сердолик», «Сердолик-2», «Такт-технология», «Тополь 1839» и др., а также в соответствии с межвузовской научно-технической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научному направлению Воронежской государственной лесотехнической академии (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)», «Разработка математического обеспечения проектирования СБИС двойного назначения» № ГР 1528/100 031.

Цель работы состоит в создании комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ.

Для ее достижения необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определить проблемы и направления их развития;

2. Сформулировать требования, целевые задачи, принципы построения и обосновать архитектуру технических средств автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

3. Обосновать выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения;

4. Разработать математические модели и алгоритмы моделирования радиационных физических процессов в активных компонентов СБИС, и минимизации аппаратурных затрат при проектировании микросхем;

5. Разработать средства интеграции набора прикладных пакетов с рациональным сочетанием возможностей разработанных и заимствованных программ для комплексной автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС двойного назначения;

6. Обосновать технологию формирования и осуществить реализацию лингвистического и информационного обеспечения;

7. Провести программную реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС двойного назначения типового ДЦ;

8. С помощью разработанных средств разработать типовую библиотеку элементов КМОП СБИС, на основе которой провести проектирование радиационно-стойких микросхем, и таким образом, провести опытную эксплуатацию предложенных средств и оценить экономическую эффективность.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: теория вычислительных систем, автоматизации проектирования, оптимизацииаппарат вычислительной математики, прикладной статистики. А также теория построения программметоды модульного, структурного и объектно-ориентированного программированияимитационное, структурное, и параметрическое моделированиеэкспертные оценки, вычислительные эксперименты.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

— принципы построения, архитектура технических средств ДЦ автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС, обеспечивших унификацию технического, математического и программного обеспечения и заложивших основу создания единого информационного пространства сети ДЦ и КМ;

— математические модели типовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС, отличающиеся возможностью моделирования радиационных эффектов всех, указанных в КГС «Климат-7» статических видов излучения с помощью ограниченного набора характеристик (на основе эквивалентности их воздействия), учетом конструктивно-технологических решений, связанных с особенностями накопления заряда в элементах конструкции, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования;

— математические модели и алгоритмы минимизации аппаратных затрат и реализации на их основе блоков микропроцессоров, отличающиеся сокращением наборов операций и использования решений, подтвержденных авторскими свидетельствами и патентами;

— средства интеграции прикладных пакетов для комплексной автоматизации проектирования КМОП СБИС двойного назначения, отличающихся рациональным сочетанием возможностей разработанных и заимствованных программ с автоматизированной адаптацией к особенностям объекта моделирования;

— методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства, соответствующих базовым принципам современных ИТ.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных решений созданы и внедрены программные средства комплексного проектирования КМОП СБИС двойного назначения в ДЦ ОАО «Ангстрем» (г.Зеленоград), реализованные на единой методологической платформе и позволяющие распространить их на предприятиях аналогичного профиля. Анализ результатов внедрения показал высокую эффективность разработанных средств.

Предложенные средства создания радиационно-стойких изделий с минимизацией аппаратурных затрат использовались при создании типовой библиотеки элементов радиационно-стойких СБИС, что позволило спроектировать более 500 типовых элементов, благодаря чему была создана целая гамма СБИС.

Разработаны и внедрены обучаемые программно-аппаратные комплексы, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов, соискателей, а также для непрерывной переподготовки специалистов в ВГТУ на кафедре САПР.

Предложенные решения носят универсальный характер и могут использоваться при создании подобных систем в ЭП.

Апробация работы. Основные положения работы докладывались и обсуждались на: коллегиях ряда Министерств РФ, семинарах и совещаниях Научного Совета «Федеральные проблемы создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем».

Результаты работы докладывались на: международных научно-технических конференциях по приборам ночного видения (Москва, 2004) — «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва, 2005) — «Наука и образование» (Воронеж, 2005) — «50 лет модулярной арифметике» (Москва, 2005) — российских конференциях «Информационные технологии» (Воронеж, 2005) — «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж, 2005) — «Стойкость-2005» (Москва, 2005).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 32 печатные работы, включая 6 работ, опубликованных в журналах рекомендованных ВАК, монографию и 8 авторских свидетельств и патентов России, США, Франции, Швеции.

В работах выполненных в соавторстве автору принадлежит более 50% процентов материала по основным научно-техническим решениям и эффективности их реализации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка использованных источников. Материал диссертации изложен на 172 страницах.

Выводы четвертой главы.

1. Создана промышленная инфраструктура дизайн — центров разработки, производства и испытания специализированной элементной базы. В результате проведения данных работ существенно развиты аппарат математического моделирования и систем автоматизации проектирования, которое заключалось в предложенных оригинальных методах, моделях и алгоритмах на поведенческом, функционально-логическом, схемотехническом и топологическом уровней моделирования.

2. Разработаны средства проектирования специализированных БИС двойного назначения, отличающиеся учетом радиационного воздействия и проводящие моделирование с большей адекватностью и меньшими затратами времени на моделирование.

3. Разработана библиотека базовых элементов ядра микропроцессоров, отличающаяся учетом конструктивно-технологический особенностей, режимов эксплуатации, радиационного воздействия.

4. Разработано ядро функционально-полного комплекта СБИС двойного назначения, на основе специализированных средств проектирования.

Заключение

.

В работе получены следующие результаты:

1. Проведён анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определены проблемы и направления их развития;

2. Обоснованы требования, целевые задачи, принципы построения, архитектура проектной среды дизайн центра автоматизации проектирования специализированных и универсальных КМОП СБИС для построения управляющих вычислительных комплексов двойного назначения, обеспечивших унификацию технических, математических и программных средств и заложивших основу создания единого информационного пространства сети ДЦ и КМ;

3. Предложены методика сбора, обработки, хранения, представления и обмена данными и особенности реализации лингвистических и информационных средств в рамках единого информационного пространства, соответствующих базовым принципам современных ИТ;

4. Разработаны математические модели типовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС, отличающихся универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования;

5. Созданы и реализованы методы анализа и снижения аппаратных затрат при проектировании микросхем на основе ПЛМ на структурном, схемотехническом и конструктивно-технологическом уровнях проектирования;

6. Разработана алгоритмическая основа средств комплексной автоматизации проектирования универсальных и специализированных КМОП СБИС двойного назначения, предназначенных для эксплуатации в особо жестких условиях при воздействии больших доз радиации и электромагнитных излучений, широком диапазоне температур, больших механических нагрузок и др.;

7. Разработаны средства выбора оптимального набора прикладных пакетов для комплексной автоматизации проектирования КМОП СБИС двойного назначения, отличающихся рациональным сочетанием возможностей разработанных и заимствованных программ с автоматизированной адаптацией к особенностям объекта моделирования;

8. Предложены методика и особенности создания научной и промышленной базы автоматизации проектирования универсальных и специализированных СБИС двойного назначения;

9. Разработано методическое и организационное обеспечение, средств комплексной автоматизации проектирования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст./ В.
  2. Немудров., Г. Мартин Москва: Техносфера, 2004. — 216с.
  3. , А.В. Событие века. 25-летний юбилей первого микропроцессора. Текст. / А. В. Васильев // Электроника и компоненты, 1997, N1, С. 2.
  4. , Е. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры. Текст. / Е. Иванов // «Электронные компоненты», 2000, N2, С. 5.4. 16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, TI. Текст. / Chip News, N7, 2000 г.
  5. Малашевич, Б 8-разрядные микроконтроллеры. Текст. / Малашевич Б. // «Электронные компоненты», 1999, N 5, С. 53.
  6. IEEE Spectrum, 1998, v.35, N9, р.39.
  7. Новые DSP новый рывок в производительности. Текст./ Chip News, N10, 2000 г.
  8. , B.C. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ Текст. /B.C. Лопатин и др. // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5- Москва, — С. 211−215.
  9. , Ю.А. Системы ускоренного проектирования БИС Текст. / Ю. А. Левов //Электронная промышленность -1994.- № 4,5 С. 216−218.
  10. , И.П. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры Текст. / И. П. Норенков, В. Б. Маничев М.: Высш. шк. 1983. -272 с.
  11. , П.В., Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Ка-ф зенкова Г. Г. Текст. / Савельев П. В., Конехин В. В. М.: Высш. шк. 1984. — 295с.
  12. , В.Е. Программная среда событийного ускорителя логического моделирования Текст. / В. Е. Межов, Н. А. Кононыхина // Методы искусственного ин-телекта в САПР: Тез. докл. Всесоюзной школы-семинара молодых ученых. -Гурзуф, 1990. -С. 64−67.
  13. В.Е. Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники Текст. / Межов В. Е. и др. Воронеж: Воронеж, политехи, тн-т, 1. Ч{ 1989.-101 с.
  14. , В.А., Автоматизация функционально-логического проектирования микроэлектронных устройств и аппаратуры на мини-ЭВМ :Учеб. пособие. Текст. /159
  15. B.А. Дыбой, В. Е. Межов, А. А. Рындин -Воронеж: Воронеж, политехи, ин-т. 1990. -78с.
  16. , Б.Л. Унифицированные интерактивные средства проектирования изделий электронной техники Текст. / Б. Л. Толстых и др.: -М.: Радио и связь, 1984.-136с.
  17. , В.Е. Комплекс средств автоматизированного проектирования специализированных ИС Текст. / В. Е. Межов // Электроника. 1990 г. № 12 С. 85
  18. , В.Е. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС Текст. / Межов В. Е., Зольников В. К., Соловей Д. Е. Воронеж. ВГЛТА, 1998. -255 с.
  19. , Е.Р. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий Текст. / Е. Р. Аствацатурьян и др. М.: Изд-во МИФИ, 1984. — 76с.
  20. Pierce, E.T.Nuclear Explosion Phenomena and Their Bearing on Radio Detection of the Explosions Текст. / E.T. Pierce // Proc.IEEE. 1965. — V.53 — P.2211−2226.
  21. В.А. Моделирование и расчет параметров радиационно-стойких ИМС Текст. / В. А. Телец и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру. 1998. — Вып 1.1. C.34−35.
  22. Данилюк, С. Г. Автоматизация поиска неисправностей на основе вероятностно
  23. Щ лингвистического метода диагностирования Текст. / С. Г. Данилюк, В.И. Зютин
  24. Информационные технологии в проектировании и производстве 1996 — № 3- 4 С59−64.
  25. , В.Ф. ЭВМ и ее элементы, (развитие и оптимизация) Текст. / В. Ф. Дофман, А. В. Иванов М, Радио и Связь, 1988. — 215с.
  26. , Г. В. Ускоренное моделирование неисправных логических схем Текст. / Г. В. Зизин, В. Е. Межов // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления лесного
  27. А комплекса: Сб.науч.тр. Воронеж: ВГЛТА, 1999. С.61−65.
  28. , А.Е. Структурный метод построения тестовых последовательностей для К-МОП интегральных схем Текст. / А. Е. Люлькин // Микроэлектроника -1995- 24.,№ 2- С.150−155
  29. , А.А. Универсальная информационная среда проектирования для создания интегрированных САПР БИС Текст. / А. А. Рындин, А. В. Межов., А. А. Зибров // Вопросы радиоэлектроники. Серия ЭВТ. -1994. -Вып. 2. -С. 51−56.
  30. , В.В. Автоматизация контроля цифровых функциональных модулей. Текст. / В. В. Кондратьев, Б. Н. Махалин М.- Радио и связь. 1990.
  31. , В.Н. Особенности графической подсистемы АРМ проектировщика КМОП БИС Текст. / В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков, В. Е. Межов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. — С.50−54.
  32. , А.С. Метод поиска дефектов в микропроцессорных БИС Текст. /
  33. A.С. Календарев, В. П. Крюков // Обмен производственно-техническим опытом, вып.6, М., изд института НИИ Экономики и информации по радиоэлектронике, f 1989. С.34−35
  34. , В.Е. Интерактивные графические средства поддержки проектирования МЭА : Учеб. пособие. Текст. / В. Е. Межов и др. Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. 1994. 104 с.
  35. , А.П. Подсистема ускоренной верификации тестов Текст. / А. П. Креницкий и др. // Интеллектуальные информационные системы: Тез. докл. на-уч.-техн. конф. Воронеж: ВГТУ, 1999. — С.30.
  36. , И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. /
  37. Щ И. П. Потапов, П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования иуправления. 2005. № 7(25). — С.1002 — 1005.
  38. , П.Р. Лингвистические средства для проектирования микросхем Текст. / П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). — С.209 — 213.
  39. Зольников, В. К. Проблемы создания проектной среды разработки микроэлектронных систем Текст. / В. К. Зольников, В. Е. Межов, П. Р. Машевич,
  40. B.Н.Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции «Наука и образование» Воронеж, 2005. — С. 216−219.
  41. , В.Н. Подсистема автоматизации проектирования радиационно-стойкой элементной базы и унифицированных модулей вычислительных комплексов бортовых систем управления Текст. / В. Н. Ачкасов, В. М. Антимиров,
  42. П.Р.Машевич, Ю. К. Фартинский //Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. — 2005. -С. 45−46.
  43. , В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. Текст. /В.М.Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск, 2002.
  44. , К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. Текст. / К. И. Таперо // Дис
  45. Щ сертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.1997 (19. в 1 части).
  46. Schwank, J. Total Dose Effects in MOS Devices Text. / J. Schwank // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. Ш-1 Ш-123.
  47. Benedetto, J.M., Boesch H.E., Jr. The Relationship between 60Co and 10-keV Damage in MOS Devices Text. / J.M. Benedetto, H.E. Boesch, // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33, N6. P. 1318−1323.
  48. , B.K. Прогнозирование стойкости ИМС, работающих в полях ионизирующего излучения Текст. / В. К. Зольников // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Тез. докл. науч.-техн.конф.1. Y Воронеж.- 1998.-С.48.
  49. , Д.Г. Кинетика накопления и отжига радиационных центров в физиче-Ш ских областях кремниевых комплементарных МОП-структур. Текст. /
  50. Д.Г.Крылов // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1990.
  51. , С.В. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. Текст. / С. В. Васин // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.
  52. Ning, Т.Н. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide ^ Text. / Т.Н. Ning // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 2. P. 1079−1081.
  53. Johnson, W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators Text. / W.C. Johnson // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975. Vol. 22, N 6. P. 2144−2150.
  54. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники Текст. / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.
  55. , Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов Текст. / Е. А. Лыдыгин М.: ЦНИИ «Электроника», 1976. — 215с.
  56. , Г. В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках S1O2 в сильных электрических полях Текст. / Г. В. Гадияк // ФТП.9. 1997. Т. 31, № 3. С. 257−263.
  57. , Л.О. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. Текст. / Л. О. Мырова, А. З. Чипиженко М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
  58. , Л.Н. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. Текст. / Л. Н. Патрикеев, В. Д. Попов М. Изд. МИФИ, 1975. -241с.
  59. , А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. М.: Радио и связь, 1994. -164 с.
  60. , Е.Р. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники Текст. / Е. Р. Аствацатурьян и др.
  61. Р М.: Изд-во МИФИ, 1986. 88 с.
  62. , В.К. Прогнозирование работоспособности биполярных ИМС при • воздействии гамма-излучения малой мощности Текст. / В. К. Зольников, В.Г.
  63. Калинин // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиаэлектронную аппаратуру, 1997. — Вып 1−2. — С.40−43.
  64. Chadsey, W.L. X ray dose enhancement. Text. / W.L. Chadsey — IEEE Trans. 1978, NS-25, № 6. P.1591−1597.
  65. В.П. Моделирование изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст. / В. П. Крюков // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн.
  66. А конф. М., 2002. С.93−95.
  67. , А.В. Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного НИ: Методическое руководство Текст. / А. В. Баюков и др.- РНИИ «Электронстандарт" — С-Пб, 1995. 453 с.
  68. Bennet, G.L. US radioisotope thermoelectric generation in space Text. / G.L. Bennet, Щ J.L. Lombardo, B.L. Rock I I The Nuclear Engineer. 1984. — Vol.25. — N2. — P.49−59.
  69. , B.E. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации. Текст. / В. Е. Межов и др. Воронеж: Воронежский гос. университет, 2002. -178с.
  70. , А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст. / А. Н. Зольникова, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб.Вып.5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. — С. 107 — 108.
  71. , В.Е., Метод повышения стойкости ИС с помощью радиационно-стимулированного метода отбраковки Текст. / В. Е. Межов., В. К. Зольников., В.П.
  72. Щ Крюков // Вестник. Научно-технический журнал центрального черноземного регионального отделения наук о лесе Воронеж: ВГЛТА. — 2002. — С.51−59.
  73. . В.Н. Радиационные эффекты в биполярных микросхемах. Текст. / В. Н. Устюжанинов, А. З. Чипиженко М.: Радио и связь, 1988. — 288 с.
  74. , Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов // Минск. Наука и техника, 1978.-232 с.
  75. , B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Текст. / В. С. Вавилов, Н. А. Ухин М.:Атомиздат, 1969. — 312 с.
  76. Эффекты космической радиации в микроэлектронике Текст. // ТИИЭР, 1988. Т.76, N11 (тематический выпуск).
  77. , Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Текст. /
  78. Ф Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов // Минск: Наука и техника, 1986. 254с.
  79. , Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
  80. , B.C. Действие излучений на полупроводники. Текст. / B.C. Вавилов -М.:Атомиздат, 1974. 232 с.
  81. , B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах инте-Щ тральных микросхем. Текст. / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А.В. Шальнов
  82. М.:Этомэнергоиздат, 1988. 256с.
  83. , П.Р. Логическая оптимизация блоков микропрограммного управления СБИС Текст. / П. Р. Машевич, В. К. Зольников //Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике», Сборник материалов конференции, М. 2005. С.25−30
  84. , П.Р. Структурная декомпозиция блоков микропрограммного управления СБИС Текст. / П. Р. Машевич, В. К. Зольников // Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике», Сбор
  85. Щ ник материалов конференции, М. 2005. С. 16−24
  86. , П.Р. Элементная база модулярных и троичных ЭВМ Текст. / П. Р. Машевич, Д. Б. Малашевич // Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике», Сборник материалов конференции, М. 2005. С.35−39.
  87. А.с. № 1 064 782, Вычислительная система / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р., 1983 г.
  88. А.с. № 1 061 606, Микроэлектронная вычислительная машина / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р. 1983г
  89. Патент № 2 517 848, Франция, 1984 г. System informatique / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р., 1984 г.
  90. Патент № 4 451 882, США, 1984 г. Data processing system / Дшхунян В. Л., Иванов % Э.Е., Машевич П. Р., 1984 г.
  91. Патент № 8 106 696−1, Швеция 1984 г. Datarsystem / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р., 1984 г.
  92. Патент № 448 295, США, 1984 г. single-chip microcomputer / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р., 1984 г.
  93. Патент № 8 105 535−2, Швеция, Mikrodater / Дшхунян В. Л., Иванов Э. Е., Машевич П. Р., 1985 г.
  94. , П.Р. Создание отечественной промышленной технологии автоматизации разработки и изготовления СБИС Текст. / П. Р. Машевич, Ю. К. Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления. 2005.-№ 2(20).-С.301 306.
  95. , П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования дизайн центра Текст.: монография / П. Р. Машевич, В.К. Зольников- ВГУ.-Воронеж, 2006.- 284с.
  96. , В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления Текст. / Антимиров В. М., Ачкасов В. Н., Машевич П. Р. // Полет. 2005. № 8. — С.23 — 26.
  97. , В.М. Развитие управляющих вычислительных комплексов двойного назначения Текст. / В. М. Антимиров В.Н.Ачкасов, П. Р. Машевич, Ю.К.Фортинский// Приводная техника. 2005. № 3(55). — С.56 — 61.
  98. , В.М. Исследование вариантов резервирования мигистральных связей в вычислительной системе Текст. / В. М. Анитимиров, В. Н. Ачкасов, П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 2(20).-С.238−243.
  99. , П.Р. Матричные микроболометрические приемники форматов 160×120 и 320×240 Текст. / П. Р. Машевич и др. // Тезисы докладов XVIII Международной научно-технической конференции по приборам ночного видения. -Москва-2004.-С. 131.
  100. Проезд № 4806, дом4, строение 3,
  101. Зеленоград, г. Москва, Россия, 124 460
  102. E-mail: [email protected]://www.angffrem.ru1. Телефон (095) 531 14 701. Факс (095) 531 32 70
  103. ОКПО 7 598 199 ОГРН 1 027 700 140 930
  104. ИНН/КПП 7 735 010 706/774801001
  105. ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО1. АНГСТРЕМ1. PJSC «Angstrem»
  106. Proezd Na 4806, bid. 4, stroenie 3,
  107. Zelenograd, Moscow, Russia, 124 460
  108. Внедрение подтвердило эффективность предложенных научных и технических решений по автоматизации проектных работ современных изделий электронной техники.
  109. Результаты работ были использованы при проектировании 16-разрядного комплекта микропроцессорных БИС 1836BM3, 1836ВМ4- 32-разрядного комплекта БИСерии 1839, 1537ХМ2, 1825, 1620, объем выпуска которых составляет семь тысяч комплектов в год.
  110. Годовой экономический эффект составил более семи миллионов рублей.1. Заместитель управляющее
  111. Зам.начальника научно-техн1. Ведущий экономиствления1. Плис Н.И.амохвалов В.М.1. Рябинина Г. В.
  112. Бухгалтерско-экономическая справкапо расчету экономического эффекта, полученного на предприятии ОАО «Ангстрем» от внедрения результатов диссертационной работы Машевича П.Р.
  113. Экономический эффект от внедрения инструментальных средств автоматизации проектирования, конструктивных и схемотехнических решений при производствекомплекта СБИС тыс.руб. 1,2
  114. Обьем выпуска спроектированных комплектов: 16-разрядный комплект микропроцессорных БИС 1836BM3, 1836ВМ4- 32-разрядного комплекта БИС3серии 1839, 1537ХМ2, 1825, 1620
  115. Годовой финансово-экономический показатель, всеготыс.руб.тыс.компл.8,57,1
  116. Ведущий экономист ОАО «Ангстрем1.1. Рябинина Г. В.Vф
  117. Заведующий кафедрой САПРИС, д.т.н., профессор1. Я. Е. Львович 2005 г.
  118. Начальник учебного управления1. B.C. Железный 2005 г.
  119. УТВЕРЖДАЮ» Генеральный директорследова-ектрон1. А.И. 006 г.1. Акт внедрениярезультатов диссертации Машевича П. Р. «РАЗРАБОТКА
  120. ИНТЕГРИРОВАННОМ СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗАЦИИ
  121. ПРОЕКТИРОВАНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА» на соискание учёной степени кандидата технических наук по специальности 05.13.12 -Системы автоматизации проектирования.
  122. В рамках проведённых исследований разработаны унифицированные средства автоматизации проектирования современной элементной базы сложных функциональных блоков и систем на кристалле.
  123. Годовой экономический эффект составил 178 тысяч рублей.
  124. Начальник отделения, к.т.н. Начальник планово-экономического отделаili^J1. Крюков В. П. Зубова И.О.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!