Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка средств автоматизации проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства

Диссертация: Разработка средств автоматизации проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты работы докладывались на: международных научно-технических конференциях «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва 2005, 2006) — «Математические методы в технике и технологиях» (Воронеж, 2006) — «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж, 2006) — «Современные проблемы создания технических средств противодействия терроризму… Читать ещё >

Содержание

  • 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ СРЕДСТВ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МИКРОЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ И ИХ ВОЗМОЖНОСТИ ПО УЧЕТУ КОСМИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 1. 1. виды ионизирующих излучений факторов космического пространства и радиационные эффекты в комплементарных микросхемах
    • 1. 2. Анализ состояния средств автоматизации проектирования микроэлементной базы космического назначения
    • 1. 3. проблемы моделирования воздействия космического излучения на элементную базу. постановка задачи
  • Выводы

2. МЕТОДИКА, СТРУКТУРА ПРОГРАММНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ И ОБОСНОВАНИЕ ТИПОВЫХ БАЗОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ ФАКТОРОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА В САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МИКРОСХЕМ.

2.1. Методика автоматизированного проектирования микроэлементной базы стойкой к воздействию космического излучения.

2.2 Структура проблемно-ориентированного программного обеспечения.

2.3. Определение базовых критериальных элементов и их параметров при воздействии ионизирующего излучения.

2.4. Расчет дозы при воздействии факторов космического пространства.

Выводы.

3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В КМОП-ИЗДЕЛИЯХ В

САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ.

3.1. Общая методология моделирования радиационно-индуцированного накопления заряда в диэлектрике МОП-транзистора с учетом влияния полевого оксида.

3.2. Моделирование накопления заряда в подзатворном диэлектрике транзистора.

3.3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике паразитного транзистора, образованного полевым оксидом на периферии основного n-канального транзистора.

3.4. Моделирование статических видов радиации на схемотехническом и функционально-логическом уровнях.

Выводы.

4. ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ, ИНТЕГРАЦИИ В САПР СКВОЗНОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ РАЗРАБОТАННЫХ СРЕДСТВ.

4.1. Структура, особенности построения разработанных средств и их интеграция в САПР сквозного проектирования микросхем.

4.2. Оценка точности и эффективности разработанных средств.

4.3. Методическое обеспечение и результаты внедрения.

Выводы.

Разработка средств автоматизации проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Расширение сферы применения элементной базы в различных системах управления и контроля на космических летательных аппаратах требует создания целого класса радиационно-стойких микросхем. При этом основной проблемой является возможность моделирования радиационных эффектов в процессе проектирования.

Для этого используются различные математические модели радиационных эффектов в зависимости от вида воздействия и иерархического уровня проектирования. Отметим, что эти модели постоянно совершенствуются. Это связано с несколькими причинами: постоянно уменьшаются проектные нормы и степень интеграции изделий, пересматриваются требования по составу и параметрам ионизирующий излучений (ИИ), связанные как с уточнением реальной радиационной обстановке, так и с введением новых видов излучения, зависящими от изменения условий эксплуатации.

В настоящее время моделирование радиационных эффектов требует существенной коррекции, обусловленной тем, что в электронной промышленности произошли коренные преобразования, связанные с резким уменьшение проектных норм, созданием сверхбольших интегральных микросхем (СБИС), включая современные системы на кристалле (СнК), что привело к усилению влияния физических процессов, в том числе и радиационного характера, которые ранее или не проявлялись, или их влияние было пренебрежимо мало.

Кроме того, изменение орбиты полетов космических летательных аппаратов связанные с планированием долгосрочных космических экспедиций, ужесточение требований по надежности и продолжительности функционирования аппаратуры в условиях ионизирующего излучения космического пространства привели к изменению параметров известных и появлению новых видов радиационных воздействий.

Поэтому известные программные комплексы, системы и подсистемы, предназначенные для автоматизированного проектирования элементной базы с учетом радиационных воздействий потребовали пересмотра физических процессов, уточнения существующих и создание новых моделей радиационных эффектов, разработки алгоритмического и программного обеспечения.

Таким образом, для создания радиационно-стойких ИМС в области теории и разработки САПР были выдвинуты актуальные задачи, которые потребовали комплексного подхода к их решению, начиная от совершенствования физических моделей процессов и заканчивая математическим обеспечением и программной реализацией.

Диссертация выполнена по программам важнейших работ Министерства образования и науки по планам НИР и ОКР ФГУП НИИЭТ: «Салон», «Форзац», «Разводчик», «Танк-5», «Трикута», «Истра-7» и др., а также в соответствии с межвузовской научно-технической программой И.Т.601 «Перспективные информационные технологии в высшей школе» и научному направлению Воронежской государственной лесотехнической академии (ВГЛТА) «Разработка средств автоматизации управления и проектирования (в промышленности)», «Разработка математического обеспечения проектирования СБИС двойного назначения» № ГР 1528/100 031.

Цель работы состоит в создании комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств моделирования радиационных воздействий статического характера космического пространства для проектирования специализированных КМОП СБИС.

Для ее достижения необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ современного состояния средств автоматизации проектирования, определить проблемы и направления их развития;

2. Сформулировать требования, целевые задачи и методику проектирования специализированных КМОП СБИС космического назначения;

3. Обосновать выбор структуры проблемно-ориентированной программной платформы автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС космического назначения;

4. Разработать математические модели и алгоритмы моделирования радиационных физических процессов в активных компонентов СБИС при воздействии факторов космического пространства;

5. Разработать алгоритмическое обеспечение расчета деградации параметров типовых элементов и провести программную реализацию разработанных средств и их интеграцию в единую программную среду проектирования КМОП СБИС космического назначения;

6. С помощью разработанных средств разработать типовую библиотеку элементов КМОП СБИС, на основе которой провести проектирование радиа-ционно-стойких микросхем, и таким образом, провести опытную эксплуатацию предложенных средств и оценить экономическую эффективность.

Методика исследования. Для решения поставленных задач использованы: теория вычислительных систем, автоматизации проектирования, физические методы исследования поведения микросхем в условиях ИИ, элементы теории системного анализа, методы вычислительной математики, прикладной статистики. А также теория построения программметоды модульного, структурного и объектно-ориентированного программированияимитационное, структурное, и параметрическое моделированиеэкспертные оценки, вычислительные эксперименты.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

— методика автоматизации проектирования специализированных КМОП СБИС космического назначения, отличающаяся возможностью проектирования долговременных радиационных эффектов космического характера для современных изделий микроэлектроники в соответствии с КГС «Кмимат-7», обеспечившая автоматизацию и унификацию всех процедур проектирования и заложившая основу создания единого информационного пространства;

— математические модели деградационных процессов в полупроводниковых структурах, позволяющие учесть радиационные эффекты субмикронных технологий высокой степени интеграции для комплекса воздействующих факторов космического характера в соответствии с КГС «Климат-7»;

— математические модели прогнозирования поведения типовых элементов КМОП СБИС, отличающиеся возможностью моделирования радиационных эффектов космического излучения на основе эквивалентности их воздействия с учетом конструктивно-технологических решений, универсальностью и адекватностью описания их характеристик на всех этапах иерархического процесса проектирования;

— алгоритмы прогнозирования работоспособности СБИС в условиях ИИ космического характера и программное обеспечение автоматизированного определения показателей стойкости, а также их зависимостей от уровней воздействующих факторов ИИ.

Практическая значимость и результаты внедрения. На основе предложенных решений созданы и внедрены программные средства комплексного проектирования КМОП СБИС, применяемых в аппаратуре космического характера в ФГУП НИИЭТ (г.Воронеж).

Разработанный комплекс методов, моделей, алгоритмов и программное обеспечение позволяют существенно расширить класс решаемых прикладных задач по радиационной стойкости. Основной практический вывод диссертационной работы заключается в создании средств проектирования современной высокоинтегрированной элементной базы, учитывающих статические виды радиации космического характера, реализованные на единой методологической платформе, что позволяет распространить их на предприятиях аналогичного профиля.

На основе предложенных средств создана типовая библиотека элементов радиационно-стойких СБИС, которая позволила осуществить проектирование нескольких серий современных СБИС.

Полученные результаты позволили создать программно-аппаратные комплексы, которые эффективно используются для проведения лабораторных работ, курсового и дипломного проектирования, подготовки аспирантов, соискателей, а также для непрерывной переподготовки специалистов в ВГТУ на кафедре САПР.

Апробация работы. Научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-технических конференциях и совещаниях по выполнению НИР и ОКР на предприятиях электронной промышленности.

Основные результаты работы докладывались на: международных научно-технических конференциях «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва 2005, 2006) — «Математические методы в технике и технологиях» (Воронеж, 2006) — «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж, 2006) — «Современные проблемы создания технических средств противодействия терроризму и преступности» (Воронеж, 2006) — российских конференциях «„Интеллектуальные информационные системы“ (Воронеж, 2005, 2006)-Стойкость-2006» (Москва, 2006).

Публикации результатов работы. По теме диссертации опубликовано 21 печатная работа, включая 4 работы, опубликованные в журналах рекомендованных ВАК, монографию.

Девять работ написаны без соавторов. В работах выполненных в соавторстве автору принадлежит более 50% процентов материала по основным научно-техническим решениям и эффективности их реализации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения, списка использованных источников. Материал диссертации изложен на 154 страницах.

Выводы.

1. Рассмотрены особенности программной реализации средств автоматизации проектирования для микросхем космического назначения, отличающейся возможностью определения показателей стойкости в зависимости от комплекса факторов: конструкции, схемотехники и технологии, универсальностью и наличием встроенных средств обучения с учетом уровня подготовки пользователей.

2. Разработаны требования и обоснована методика применения средств автоматизации проектирования микросхем космического назначения, в рамках которой получены решения по повышению уровня радиационной стойкости элементой базы.

3. Разработана библиотека базовых элементов ядра ПЦОС, отличающаяся учетом конструктивно-технологический особенностей, режимов эксплуатации, радиационного воздействия. Данная библиотека насчитывает три иерархических уровня и содержит более 500 элементов, что позволяет создавать ИС практически любой сложности.

4. Проведена оценка точности и эффективности разработанных средств проектирования.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Winokur P. S., Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Two-Stage Process for Buildup of Radiation-1.duced Interface States // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, N 5. P. 3492−3495.
  2. McLean F.B. A Framework for Understanding Radiation-Induced Interface States in Si02 MOS Structures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. Vol. 27, N 6. P. 1651−1657.
  3. Brown D.B., Saks N.S. Time-Dependence of Radiation-Induced Interface Trap Formation in Metal-Oside-Semiconductor Devises as a Function of Oxide Thickness and Applied Field // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70, N 7. P. 37 343 747.
  4. Schwank J.R., Fleetwood D.M., Winokur P. S. et al. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N 6. P. 1152−1158.
  5. Rashkeev S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Defect Generation by Hydrogen at the Si-Si02 Interface // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87, N 16. 165 506/1−4.
  6. Rashkeev S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Proton-Induced Defect Generation at the Si-Si02 Interface // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. Vol. 48, N 6. P. 2086−2092.
  7. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R. Simple Method to Estimate Oxide-Trap, Interface-Trap and Border-Trap Charge Densities in Metal-Oxide-Semiconductor Transistors // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64, N 15. P. 19 651 967.
  8. Schwank J.R., Dawes W.R. Jr. Irradiated Silicon Gate MOS Device Bias Annealing // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. Vol. 30, N 6. P. 4100−4104.
  9. Boesch H.E. Jr. Interface-State Generation in Thick Si02 Layers // Ibid. 1982. Vol. 29, N6. P. 1446−1451.
  10. T.M., Аствацатурьян E.P., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат, 1989.
  11. Colinge J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects // RADECS 97 Short Course. 1997.
  12. РД В 319.03.38−2000.22 ЦНИИИ MO, 2000.
  13. Pickel J.C. Single-Event Rate Calculations // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N2. P. 483.
  14. Petersen E.L. Approaches to Proton Single-Event Rate Calculations // Ibid. P. 496.
  15. Koga R. et al. On the Suitability of Non-Hardened High Density SRAMs for Space Applications //Ibid. 1991. Vol. 38. P. 1507.
  16. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники Текст. / Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.
  17. , Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов Текст. / Е. А. Лыдыгин М.: ЦНИИ «Электроника», 1976. -215с.
  18. , Г. В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях Текст. / Г. В. Гади-як // ФТП. 1997. Т. 31, № 3. С. 257−263.
  19. , Л.О. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. Текст. / Л. О. Мырова, А. З. Чипиженко М.: Радио и связь, 1983. — 216 с.
  20. , Л.Н. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. Текст. / Л. Н. Патрикеев, В. Д. Попов М. Изд. МИФИ, 1975.-241с.
  21. , А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС Текст. / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков. М.: Радио и связь, 1994. -164 .
  22. Chadsey, W.L. X ray dose enhancement. Text. / W.L. Chadsey — IEEE Trans. 1978, NS-25, № 6. P.1591−1597.
  23. В.П. Моделирование изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст. / В. П. Крюков // Системные проблемы качества, математического моделирования и информационных технологий: Тр. Междунар. науч.-техн. конф. М., 2002. С.93−95.
  24. , А.В. Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного НИ: Методическое руководство Текст. / А. В. Баюков и др.- РНИИ «Электронстандарт" — СПб, 1995.453 с.
  25. , В. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие Текст./ В. Немудров., Г. Мартин Москва: Техносфера, 2004. — 216с.
  26. , А.В. Событие века. 25-летний юбилей первого микропроцессора. Текст. / А. В. Васильев // Электроника и компоненты, 1997, N1, С. 2.
  27. , Е. Стандартные микропроцессоры и микроконтроллнры. Текст. / Е. Иванов // «Электронные компоненты», 2000, N2, С. 5.34.16-разрядные микроконтроллеры PHILIPS, PANASONIC, OKI, TI. Текст. / Chip News, N7, 2000 г.
  28. Малашевич, Б 8-разрядные микроконтроллеры. Текст. / Малашевич Б. // «Электронные компоненты», 1999, N 5, С. 53.
  29. IEEE Spectrum, 1998, v.35, N9, р.39.
  30. Новые DSP новый рывок в производительности. Текст./ Chip News, N10, 2000 г.
  31. , B.C. Унифицированные программно-технические комплексы для САПР и ЭТ и СВТ Текст. / B.C. Лопатин и др. // Электронная промышленность. -1994. -№ 4,5- Москва.- С. 211−215.
  32. , Ю.А. Системы ускоренного проектирования БИС Текст. / Ю. А. Левов //Электронная промышленность-1994,-№ 4,5 С. 216−218.
  33. , И.П. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры Текст. / И. П. Норенков, В. Б. Маничев -М.: Высш. шк. 1983.-272 с.
  34. , П.В., Автоматизация проектирования БИС. В 6 кн. Практическое пособие. Книга 2. Функциональное логическое проектирование БИС. Под ред. Казенкова Г. Г. Текст. / Савельев П. В., Конехин В. В. М.: Высш. шк. 1984.-295с.
  35. , П.Р. Лингвистические средства для проектирования микросхем Текст. / П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 2(20). С. 209 — 213.
  36. , И.П. Обоснование архитектуры интегрированной информационной среды проектирования радиационно-стойкой элементной базы Текст. / И. П. Потапов, П. Р. Машевич // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 7(25). — С. 1002 — 1005.
  37. , К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. Текст. / К.И. Та-перо // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1997.
  38. В. Н. Технические средства дизайн центра проектирования универсальных и специализированных радиационно стойких микросхем Текст. / В. Н. Ачкасов, А. В. Ачкасов, И. П. Потапов // Приводная техника. -2006.-№ 5(63).-С. 24−27.
  39. , А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ Текст. / А. Н. Зольникова, В. Н. Ачкасов, В. П. Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб.Вып.5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. — С. 107 — 108.
  40. А.П.Андреева, А. В. Блинова, Н. К. Юркова. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 2002. — С.234−235.
  41. . В.Н. Радиационные эффекты в биполярных микросхемах. Текст. / В. Н. Устюжанинов, А. З. Чипиженко М. .: Радио и связь, 1988. -288 с.
  42. , Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Текст. / Ф. П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов // Минск. Наука и техника, 1978. — 232 с.
  43. , B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Текст. / В. С. Вавилов, Н. А. Ухин М.:Атомиздат, 1969.-312 с.
  44. Эффекты космической радиации в микроэлектронике Текст. // ТИИЭР, 1988. Т.76, N11 (тематический выпуск).
  45. , Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Текст. / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов // Минск: Наука и техника, 1986. — 254с.
  46. , Т.М. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Текст. / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.:Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
  47. , B.C. Действие излучений на полупроводники. Текст. / B.C. Вавилов М.:Атомиздат, 1974. — 232 с.
  48. Rickits L.W. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment. Text. / L.W. Rickits N.Y.:Wiley — Interscience, 1972.
  49. Зольников, B.K. O.H. Метод оценки стойкости интегральных схем к специальным факторам Текст. / В. К. Зольников, Е. А. Кузьмин, О.Н. Ману-ковский // Специальная электроника. 1991. — Сер 8. Вып. 1(37). — С. 13−18.
  50. , B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. Текст. / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов М.:Этомэнергоиздат, 1988. — 256с.
  51. , П.Р. Логическая оптимизация блоков микропрограммного управления СБИС Текст. / П. Р. Машевич, В. К. Зольников //Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике», Сборник материалов конференции, М. 2005. С.25−30
  52. А.В. Автоматизация проектирования изделий микроэлектроники с учетом статических видов радиации Текст.: монография / А. В. Ачкасов, В. К. Зольников, К. И. Таперо Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2006.- 258 с.
  53. А.В. Оценка стойкости микроэлектронных компонентов / А.В.Ачкасов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». -Москва: МИФИ. 2006.- С.13−14.
  54. Ачкасов В. Н. Методика определения стойкости изделий микроэлектроники / В. Н. Ачкасов // Труды всероссийской конференции «Интеллектуальные информационные системы». Воронеж. Воронежский государственный технический университет. — 2006. -С. 29 — 30
  55. И.П. Современное состояние проектирования элементной базы / И. П. Потапов, А. В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. -№ 7(25). С. 1039 — 1042.
  56. Ачкасов А. В. Алгоритм оценки стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам / А. В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 7(25). — С.984 — 987.
  57. А.В. Задачи развития микроэлементной базы двойного назначения / А. В. Ачкасов // Промышленная информатика: Межвузовский сборник научных трудов Воронеж: ВГТУ. 2005. — С.24−27.
  58. А. В. Моделирование радиационных эффектов в КМОП приборах в САПР Текст. / А. В. Ачкасов, А. И. Яньков // Приводная техника. 2006. -№ 6(64).-С. 17−22.
  59. А. В. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем Текст. / А. В. Ачкасов, А. И. Яньков // Приводная техника. 2006. — № 6(64). — С. 31−34.
  60. И.П. Средства автоматизации проектирования радаиционно-стойкой элементной базы / И. П. Потапов, А. В. Ачкасов, В. К. Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. Вып.1−2. — С.147 -149.
  61. В.П. Проектирование радиационно-стойких изделий в САПР ИЭТ / В. П. Крюков, А. В. Ачкасов, И. П. Потапов // Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». Москва: МИФИ. — 2006, — С. 127−128.
  62. , П.Р. Элементная база модулярных и троичных ЭВМ Текст. / П. Р. Машевич, Д. Б. Малашевич // Юбилейная международная научно-техническая конференция «50 лет модулярной арифметике», Сборник материалов конференции, М. 2005. С.35−39.
  63. , П.Р. Создание отечественной промышленной технологии автоматизации разработки и изготовления СБИС Текст. / П. Р. Машевич, Ю. К. Фортинский // Информационные технологии моделирования и управления. 2005. № 2(20). — С.301 — 306/
  64. П.Р., Зольников В. К., Таперо К. И. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн-центра. Воронеж: Воронежский государственный университет, 2006.
  65. С.В. Физико-химические процессы в МОП-структурах, облученных альфа- и бета-частицами. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1999.
  66. Ning Т.Н. Capture Cross Section and Trap Concentration of Holes in Silicon Dioxide // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 2. P. 1079−1081.
  67. Johnson W.C. Mechanism of Charge Buildup in MOS Insulators // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1975. Vol. 22, N 6. P. 2144−2150.
  68. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M. et al. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41, N 6. P. 1817−1827.
  69. McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the Anneal of Radiation-Induced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. 37, N 6. P. 1682−1689.
  70. Ачкасов А. В. Создание микроэлементной базы двойного назначения / А. В. Ачкасов // Труды международной конференции «математические методы в технике и технологиях» Воронеж. Воронежская государственная технологическая академия. 2006. том 10. — С. 174−175.
  71. Д.Г. Моделирование эффекта разогрева, возникающего в элементной базе при воздействии радиации / Д. Г. Хорюшин, А. В. Ачкасов // Информационные технологии моделирования и управления. 2006.-№ 1(26). С. 110 — 112.
  72. , В.М. Современные вычислительные комплексы для бортовых систем управления Текст. / Антимиров В. М., Ачкасов В. Н., Машевич П. Р. // Полет. 2005. № 8. — С.23 — 26.
  73. Главный инженер ОАО «ВЗПП-С», к.т.н.в.И. Бойкооктября 2006 г. 1. АКТ ВНЕДРЕНИЯ
  74. Результаты диссертационной работы Ачкасова Александра Владимировича:
  75. Методика проектирования радиационно-стойких изделий микроэлектроники.
  76. Алгоритмическая основа моделирования статического ионизирующего воздействия и программное обеспечение внедрены в ОАО «ВЗПП-С». 1. Начальникконструкторско-технологического бюрок.т.н.1. ПЛО. Коваленко
  77. УТВЕРЖДАЮ Зам директора НПП1. Микротех"1. В.В.Плотников1. АКТ
  78. ВНЕДРЕНИЯ В НПП «МИКРОТЕХ» РЕЗУЛЬТАТОВ ДИССЕРТАЦИИ АЧКАСОВА А.В.
  79. Комиссия в составе: председателя Крюкова В. П. членов — Потапова И. П. — главного конструктора КМОП СБИС
  80. В рамках диссертационной работы разработаны унифицированные средства автоматизации проектирования современной элементной базы.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!